JP2024112927A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2024112927A5
JP2024112927A5 JP2024083347A JP2024083347A JP2024112927A5 JP 2024112927 A5 JP2024112927 A5 JP 2024112927A5 JP 2024083347 A JP2024083347 A JP 2024083347A JP 2024083347 A JP2024083347 A JP 2024083347A JP 2024112927 A5 JP2024112927 A5 JP 2024112927A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
region
insulating film
film
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2024083347A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2024112927A (ja
JP7779951B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2021006259A external-priority patent/JP7184496B2/ja
Application filed filed Critical
Publication of JP2024112927A publication Critical patent/JP2024112927A/ja
Publication of JP2024112927A5 publication Critical patent/JP2024112927A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7779951B2 publication Critical patent/JP7779951B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2024083347A 2014-02-07 2024-05-22 半導体装置 Active JP7779951B2 (ja)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014022865 2014-02-07
JP2014022865 2014-02-07
JP2014022864 2014-02-07
JP2014022864 2014-02-07
JP2014051138 2014-03-14
JP2014051134 2014-03-14
JP2014051138 2014-03-14
JP2014051134 2014-03-14
JP2021006259A JP7184496B2 (ja) 2014-02-07 2021-01-19 半導体装置
JP2022186966A JP7494274B2 (ja) 2014-02-07 2022-11-23 半導体装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022186966A Division JP7494274B2 (ja) 2014-02-07 2022-11-23 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2024112927A JP2024112927A (ja) 2024-08-21
JP2024112927A5 true JP2024112927A5 (enExample) 2024-08-28
JP7779951B2 JP7779951B2 (ja) 2025-12-03

Family

ID=53775694

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015016817A Withdrawn JP2015188062A (ja) 2014-02-07 2015-01-30 半導体装置
JP2018171136A Active JP6445214B1 (ja) 2014-02-07 2018-09-13 半導体装置
JP2018222173A Withdrawn JP2019068081A (ja) 2014-02-07 2018-11-28 半導体装置
JP2019073951A Withdrawn JP2019149561A (ja) 2014-02-07 2019-04-09 半導体装置
JP2021006259A Active JP7184496B2 (ja) 2014-02-07 2021-01-19 半導体装置
JP2022186966A Active JP7494274B2 (ja) 2014-02-07 2022-11-23 半導体装置
JP2024083347A Active JP7779951B2 (ja) 2014-02-07 2024-05-22 半導体装置

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015016817A Withdrawn JP2015188062A (ja) 2014-02-07 2015-01-30 半導体装置
JP2018171136A Active JP6445214B1 (ja) 2014-02-07 2018-09-13 半導体装置
JP2018222173A Withdrawn JP2019068081A (ja) 2014-02-07 2018-11-28 半導体装置
JP2019073951A Withdrawn JP2019149561A (ja) 2014-02-07 2019-04-09 半導体装置
JP2021006259A Active JP7184496B2 (ja) 2014-02-07 2021-01-19 半導体装置
JP2022186966A Active JP7494274B2 (ja) 2014-02-07 2022-11-23 半導体装置

Country Status (7)

Country Link
US (7) US9530894B2 (enExample)
JP (7) JP2015188062A (enExample)
KR (6) KR102357805B1 (enExample)
CN (2) CN105960712B (enExample)
DE (1) DE112015000676T5 (enExample)
TW (7) TW202526457A (enExample)
WO (1) WO2015118472A1 (enExample)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3229066A1 (en) 2005-12-05 2017-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective liquid crystal display with a horizontal electric field configuration
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102705567B1 (ko) * 2013-12-02 2024-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105993077B (zh) * 2014-02-14 2019-12-06 夏普株式会社 有源矩阵基板
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
WO2015182999A1 (ko) * 2014-05-30 2015-12-03 네오뷰코오롱 주식회사 원형 표시장치 및 그 제조방법
CN110246850B (zh) * 2014-07-23 2022-12-02 索尼公司 显示装置
JP5790893B1 (ja) * 2015-02-13 2015-10-07 日新電機株式会社 膜形成方法および薄膜トランジスタの作製方法
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10002970B2 (en) * 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
KR20180010205A (ko) 2015-05-22 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US11024725B2 (en) * 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
JP2017041596A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社Joled 薄膜トランジスタ、半導体装置および電子機器
TWI650817B (zh) * 2015-08-28 2019-02-11 聯華電子股份有限公司 半導體元件及其製作方法
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10297331B2 (en) 2015-10-30 2019-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN108352410B (zh) * 2015-11-25 2021-06-29 株式会社爱发科 薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材
JP2018032839A (ja) * 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
US10714633B2 (en) * 2015-12-15 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR20180123028A (ko) 2016-03-11 2018-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장비, 상기 반도체 장치의 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
KR102513161B1 (ko) * 2016-03-11 2023-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합체 및 트랜지스터
US11302717B2 (en) * 2016-04-08 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the same
CN111640763B (zh) * 2016-06-14 2023-08-29 群创光电股份有限公司 显示装置及显示装置的制造方法
US10217678B2 (en) * 2016-06-14 2019-02-26 Innolux Corporation Display device and method of manufacturing the display device
CN107507834B (zh) * 2016-06-14 2020-06-12 群创光电股份有限公司 显示装置及显示装置的制造方法
CN106098702B (zh) * 2016-06-30 2019-05-03 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
KR102675912B1 (ko) * 2016-06-30 2024-06-17 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판과 이의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
TWI729030B (zh) * 2016-08-29 2021-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及控制程式
WO2018073689A1 (en) * 2016-10-21 2018-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10147681B2 (en) * 2016-12-09 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20180066848A (ko) 2016-12-09 2018-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
CN107046002B (zh) * 2017-03-24 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN106847834B (zh) * 2017-03-30 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN107104151A (zh) * 2017-05-10 2017-08-29 陕西师范大学 一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
JP6844845B2 (ja) 2017-05-31 2021-03-17 三国電子有限会社 表示装置
CN107293553B (zh) * 2017-06-19 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
JP6536634B2 (ja) * 2017-07-28 2019-07-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN118281077A (zh) * 2017-09-01 2024-07-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及显示装置
JP7167038B2 (ja) * 2017-09-15 2022-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019078788A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 シャープ株式会社 有機el表示装置およびアクティブマトリクス基板
US10490756B2 (en) * 2017-11-06 2019-11-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating flexible OLED panel and flexible OLED panel
JP7194122B2 (ja) 2018-01-05 2022-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7161529B2 (ja) * 2018-06-08 2022-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN110649003A (zh) * 2018-06-26 2020-01-03 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 半导体基板、阵列基板、逆变器电路及开关电路
CN110190063B (zh) * 2018-07-02 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2020026308A1 (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2020031031A1 (ja) * 2018-08-09 2020-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP7190729B2 (ja) 2018-08-31 2022-12-16 三国電子有限会社 キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
JP7246681B2 (ja) 2018-09-26 2023-03-28 三国電子有限会社 トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置
CN109728003B (zh) * 2019-01-03 2020-12-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板、显示装置和显示基板的制造方法
JP7190740B2 (ja) 2019-02-22 2022-12-16 三国電子有限会社 エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置
US11342364B2 (en) * 2019-07-11 2022-05-24 Tianma Japan. Ltd. Thin-film transistor substrate
KR102871919B1 (ko) * 2019-12-16 2025-10-15 엘지디스플레이 주식회사 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 전자장치
JP7315452B2 (ja) * 2019-12-20 2023-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 光センサ装置
JP7444436B2 (ja) 2020-02-05 2024-03-06 三国電子有限会社 液晶表示装置
KR102735959B1 (ko) * 2020-04-20 2024-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11916121B2 (en) * 2020-06-29 2024-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Tri-gate orthogonal channel transistor and methods of forming the same
JP7610936B2 (ja) 2020-08-07 2025-01-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102835255B1 (ko) * 2020-10-12 2025-07-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치
CN112542516B (zh) * 2020-11-03 2024-01-30 北海惠科光电技术有限公司 一种主动开关及其制作方法和显示面板
CN112530978B (zh) * 2020-12-01 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板
CN112864280A (zh) * 2021-01-29 2021-05-28 通威太阳能(安徽)有限公司 一种高可靠性的双面电池及其制备方法
CN112939156A (zh) * 2021-02-05 2021-06-11 西安交通大学 一种具有电极自我修复功能的电化学反应系统及方法
JP2023007092A (ja) * 2021-07-01 2023-01-18 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
KR20230038357A (ko) * 2021-09-10 2023-03-20 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그의 제조방법
CN113809163B (zh) * 2021-09-17 2023-11-24 武汉天马微电子有限公司 金属氧化物晶体管、显示面板及显示装置
KR20240126217A (ko) * 2023-02-13 2024-08-20 에스케이하이닉스 주식회사 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5140391A (en) 1987-08-24 1992-08-18 Sony Corporation Thin film MOS transistor having pair of gate electrodes opposing across semiconductor layer
JPS6453460A (en) 1987-08-24 1989-03-01 Sony Corp Mos transistor
JPH07294961A (ja) 1994-04-22 1995-11-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路および設計方法
JP3883706B2 (ja) 1998-07-31 2007-02-21 シャープ株式会社 エッチング方法、及び薄膜トランジスタマトリックス基板の製造方法
JP2001007342A (ja) 1999-04-20 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP5046439B2 (ja) 2000-05-12 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI224806B (en) 2000-05-12 2004-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW501282B (en) 2000-06-07 2002-09-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing semiconductor device
JP4064075B2 (ja) * 2000-06-07 2008-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7105048B2 (en) 2001-11-30 2006-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
JP4021194B2 (ja) 2001-12-28 2007-12-12 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置の製造方法
US7521368B2 (en) 2004-05-07 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5025095B2 (ja) * 2004-05-07 2012-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2453480A2 (en) 2004-11-10 2012-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
JP5138163B2 (ja) 2004-11-10 2013-02-06 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP2007220818A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP5015471B2 (ja) 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ及びその製法
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
WO2007142167A1 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7827800B2 (en) * 2006-10-19 2010-11-09 Pratt & Whitney Canada Corp. Combustor heat shield
JP5704790B2 (ja) 2008-05-07 2015-04-22 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、および、表示装置
KR101496148B1 (ko) 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
JP5430248B2 (ja) * 2008-06-24 2014-02-26 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP2010114160A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sharp Corp 半導体素子およびその製造方法並びに表示装置
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
TWI501319B (zh) 2008-12-26 2015-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5728171B2 (ja) 2009-06-29 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102576732B (zh) 2009-07-18 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置与用于制造半导体装置的方法
CN105097946B (zh) 2009-07-31 2018-05-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR102097932B1 (ko) 2009-07-31 2020-04-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI528527B (zh) 2009-08-07 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20120084751A (ko) 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101876473B1 (ko) 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20170142998A (ko) 2009-12-25 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101829309B1 (ko) * 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101817054B1 (ko) 2010-02-12 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145467A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8519387B2 (en) 2010-07-26 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing
JP2012033836A (ja) 2010-08-03 2012-02-16 Canon Inc トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置
WO2012035984A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8530273B2 (en) 2010-09-29 2013-09-10 Guardian Industries Corp. Method of making oxide thin film transistor array
TWI654764B (zh) * 2010-11-11 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8823092B2 (en) * 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102130009B (zh) * 2010-12-01 2012-12-05 北京大学深圳研究生院 一种晶体管的制造方法
US8883556B2 (en) 2010-12-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5784479B2 (ja) 2010-12-28 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012160679A (ja) 2011-02-03 2012-08-23 Sony Corp 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器
KR102546888B1 (ko) 2011-06-17 2023-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2013105754A (ja) 2011-11-10 2013-05-30 Sharp Corp 半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板並びに表示装置
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
TWI580047B (zh) * 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP6148024B2 (ja) * 2012-02-09 2017-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6087672B2 (ja) * 2012-03-16 2017-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6035195B2 (ja) * 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20130136063A (ko) 2012-06-04 2013-12-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102099445B1 (ko) 2012-06-29 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014042004A (ja) * 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014021356A1 (en) 2012-08-03 2014-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9287411B2 (en) 2012-10-24 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
DE112014006046T5 (de) 2013-12-27 2016-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierende Vorrichtung
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI685116B (zh) 2014-02-07 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2024112927A5 (enExample)
JP2024102064A5 (enExample)
JP2020167423A5 (enExample)
JP2023138517A5 (ja) 表示装置
JP2024105364A5 (ja) 半導体装置
JP2025090792A5 (enExample)
JP2025126211A5 (enExample)
JP2021114625A5 (enExample)
JP2023171489A5 (enExample)
JP2025092722A5 (enExample)
JP2024149586A5 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP2024096824A5 (enExample)
JP2025156483A5 (ja) 半導体装置
JP2025075083A5 (enExample)
JP2025134013A5 (ja) 表示装置
JP2025175013A5 (ja) 半導体装置
JP2024156809A5 (ja) 半導体装置
JP2024105287A5 (ja) 表示装置
JP2022043062A5 (enExample)
JP2024075661A5 (enExample)
JP2024069622A5 (enExample)
JP2021168394A5 (ja) 表示装置
JP2022050650A5 (enExample)
JP2023164513A5 (ja) 表示装置
JP2025175014A5 (ja) 半導体装置