JP2014160659A - 薄膜バッテリを組み込んだプリント回路基板 - Google Patents

薄膜バッテリを組み込んだプリント回路基板 Download PDF

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Abstract

【課題】硬質または可撓性のプリント回路基板（ＰＣＢ）の表面上の空間は、非常に限定されており、貴重である。ＰＣＢ表面の空間を節約し、より良く利用するために、バッテリ等の電気化学セルをより効率的にＰＣＢの設計に組み込む必要がある。
【解決手段】その層の間または層内に薄膜バッテリまたは他の電気化学セル１０２を有する、プリント回路基板１０１であって、導体トレース１０３を備える２つの電気絶縁層を有する層のスタックであって、該電気絶縁層のそれぞれは、外周を備える。層のスタックと、該層の間に挿入される電気化学セルであって、該電気化学セルの一部は、該絶縁層のうちの１つの外周を越えて外側に延在する、電気化学セルとを備える、プリント回路基板を提供する。
【選択図】図１

Description

（関連出願）
本願は、２００９年９月１日に出願した米国仮特許出願第６１／２３８，８８９号に関連し、米国特許法第１１９条（ｅ）のもとに、上記米国仮特許出願の利益を主張する。上記米国仮特許出願は参照により本明細書に完全に援用される。
（技術分野）
本発明の分野は、その層の間および／または層内のバッテリを含む、固体状態で薄膜の２次および１次電気化学素子を含有する、プリント回路基板である。
（背景）
典型的な電気化学素子は、例えば、陽極、陰極、電解質、基板、電流コレクタ等の、多数の電気的活性層を備える。例えば、リチウムを備える陽極層等の、いくつかの層は、非常に環境に敏感である材料から成る。基板は、例えば、別々のバッテリ要素でなくてもよいが、代わりに、バッテリが取り付けられる、半導体素子またはプリント回路基板（ＰＣ
Ｂ）の半導体表面または伝導もしくは絶縁パッケージ表面によって提供されてもよい。そのようなバッテリは、環境に敏感な材料を保護するためにカプセル化を必要とする。一部のスキームは、金箔によるカプセル化等の、電気化学素子の敏感層をカプセル化する。他のスキームは、例えば、素子の外周を密閉する、金属およびプラスチックで作られているポーチで素子をカプセル化する。
特許文献１〜特許文献７および米国特許出願第６１／１７９，９５３号を含む本出願人の既に出願済みの特許および特許出願は、特定のバッテリおよびカプセル化設計および技法を提供し、上記の特許および特許出願参照することによりそれら全体が本明細書に援用される。これらの特許および出願は、例えば、プリント回路基板に組み込まれる場合に、利益を与え得るバッテリの種類を提供する。
米国特許第６，９１６，６７９号明細書 米国特許出願公開第２００６／２８６４４８号明細書 米国特許出願公開第２００７／１８４３４５号明細書 米国特許出願公開第２００７／２０２３９５号明細書 米国特許出願公開第２００７／２６４５６４号明細書 米国特許出願公開第２００８／２６１１０７号明細書 米国特許出願公開第２００８／０２８６６５１号明細書
硬質または可撓性のプリント回路基板（ＰＣＢ）の表面上の空間は、非常に限定されており、したがって貴重である。したがって、ＰＣＢ表面の空間を節約し、より良く利用するために、バッテリ等の電気化学セルをより効率的にＰＣＢの設計に組み込む必要がある
。
本発明の種々の実施形態は、半導体素子またはＰＣＢ等の製品と組み合わせて、薄膜バッテリ等の組み合わされた電気化学セルの実用性を向上させることによって、先行技術および他の種々の技術を向上させる。本発明の特定の例示的な実施形態において、完全にカプセル化された、好ましくは、熱、圧力および水分弾性セルが、ＰＣＢ内に組み込まれてもよい。ＰＣＢおよびセルは、ＰＣＢ製造時に暴露され得るストレス環境にセルが耐えることを可能にするように組み込まれてもよい。種々の実施形態は、間隙、空隙、ポケット、空間または他の設計を介して、セルへの内部および／または外部アクセスを提供する。
本発明の特定の例示的な実施形態において、電気化学素子は、それらの完全にカプセル化された状態でＰＣＢまたは半導体素子内に組み込まれてもよい。しかしながら、ＰＣＢ内への電気化学素子の組込みは、物理的、化学的、および生物学的に有害な環境から電気化学素子を保護する。さらに、ＰＣＢ内への電気化学素子の組込みは、多くの電子用途のための基本的な電力装備の電子ビルディングブロックとして、より多くの機能性をＰＣＢに追加し得、かつＰＣＢをより有用にし得る。
本発明の特定の例示的な実施形態において、例えば、米国特許出願第１１／７４８，４７１号に開示されるようなＰＣＢの表面上ではなく、プリント回路基板内に、薄膜バッテリを含む電気化学セル等の電子モジュールおよび構成要素を挿入することによって、ＰＣＢ表面上の空間を節約することができる。
ＰＣＢを三次元的に使用すること、言い換えれば、電子素子をＰＣＢの表面に取り付けるのではなく、電気化学素子をＰＣＢ内に組み込むことで、単位フットプリントあたりの機能電子密度が増加することもまた考慮してもよい。
また、電子モジュールおよび構成要素をＰＣＢ内に挿入することは、例えば、機能性または負荷ＰＣＢの全断面の厚さを限定することによって有利であってもよい。組み込まれたＰＣＢの一部の用途は、体積および厚さが限られているため、ＰＣＢの厚さを限定することが、例えば、幾何学的な理由で好適であり得る。また、例えば、特に、振動、遠心力、および加速と併せて機械本体の運動量を減少させ、代わりに、その本体の所与の大半をその重心のより近くに配置するために、ＰＣＢの厚さを限定することが機械的な理由で好適であり得る。例えば、ＰＣＢ上に搭載される（例えば、端子の足部分が長いため、直径と比較して長い高さ軸を有する）長いコンデンサは、ＰＣＢからコンデンサを電気的に切断させる場合がある長期的振動に敏感であり得る。
ＰＣＢ上ではなくＰＣＢ内に電子構成要素を挿入することは、化学的、物理的および生物学的な外部要因に対して、この電子構成要素の頑健性を増加させ得る。例えば、電子構成要素を包囲するＰＣＢは、高湿度、水分、水、酸素、酸、および塩基による腐食、溶媒、紫外線放射、一時的な極（高または低）温度、傷をつける物体、機械的衝撃、ならびに微生物攻撃に対する、付加的なカプセル化または保護層として役立ってもよい。
さらに、電気化学セルまたは薄膜バッテリを提供して、すでにＰＣＢ内に挿入されている電子回路に接続させることは、この種類の電子構成要素の生産を単純化させ、かつＰＣＢに電子構成要素を取り付けるまたははんだ付けする際の人的ミスを防止し得る。したがって、組み込まれた電気化学セルまたは薄膜バッテリを有するＰＣＢは、家庭用およびミニ／マイクロエレクトロニクスを単純化させ、小型化させる電子回路のための基本的な電源装備の電子ビルディングブロックとして使用されてもよい。
本発明の特定の例示的な実施形態の目的は、例えば、ＰＣＢ内に埋め込まれる電気化学セルの外側への延在を、ＰＣＢ表面の部分領域に限定することを回避することである。代わりに、セルは、例えば、図面に示されるように、ＰＣＢの縁を越えて延在してもよい。この延在は、例えば、セルの接点または接触領域へのアクセスを容易にしてもよい。
本発明の特定の例示的な実施形態の別の目的は、特定の例示的な図に示されるように、全ての電気絶縁層を伴うＰＣＢを使用するのではなく、セルの上または下に少なくとも１つの導電層を伴うＰＣＢ内にセルを埋め込むことである。例えば、金属基板端子および金属カプセル化端子を伴うバッテリを含む実施形態は、薄膜バッテリ等のエネルギーセルの上および下に絶縁層を含む設計よりも好適であってもよい。
本発明の特定の例示的な実施形態の別の目的は、埋込セルの周囲のあらゆる潜在的な間隙を充填する必要を無くし、代わりに、例えば、その領域内の空隙空間を可能にすることである。この空隙は、例えば、セルまたはセルの特定部分へのアクセスまたは接触を可能にしてもよい。
本発明の特定の例示的な実施形態のさらに別の目的は、セルを埋め込むために、多数の電気絶縁層を使用するプリント回路基板構造を必要とすることを回避することがである。代わりに、例えば、セルは、単層プリント回路基板内に埋め込まれてもよい。この実施形態は、例えば、他の実施形態よりも単純化され、かつ薄くあり得るという理由で好適であってもよい。
例えば、ＰＣＢ内にセルまたは薄膜バッテリを挿入することには利益が多い。第１に、特定の化学的、物理的および生物学的なインパクトファクターからセルを保護する構築上の利益がある。第２に、そのような技法は、製品製造または組込みチェーン内の顧客が、ＰＣＢの表面のみに電気化学セルまたは薄膜バッテリを取り付けることができるような、別々のアイテムとしてＰＣＢおよび電気化学セルまたは薄膜バッテリを提供するよりも費用効率が高い。
本発明の例示的な実施形態は、導体トレースを備える２つの電気絶縁層を有する層のスタックを備え、電気絶縁層のそれぞれは、外周を有し、電気化学セルは、層の間に挿入され、電気化学セルの一部は、絶縁層のうちの１つの外周を越えて外側に延在する、プリント回路基板を含む。
本発明の別の例示的な実施形態は、導体トレースを含む２つの電気絶縁層を有する層のスタックと、導電層と、層のスタックに挿入される電気化学セルとを備え、電気化学セルは、層のスタックの導電層と電気絶縁層との間に埋め込まれる、プリント回路基板を含む。
本発明の別の例示的な実施形態は、導体トレースを含む複数の、例えば、２つの電気絶縁層を有する層のスタックと、複数の、例えば、２つの導電層と、層のスタックに挿入される電気化学セルとを備え、電気化学セルは、導電層の間に埋め込まれる、プリント回路基板を含む。
本発明の別の例示的な実施形態は、導体トレースを含む複数の、例えば、２つの電気絶縁層を有する層のスタックと、層のスタックに挿入される電気化学セルと、電気化学セルの縁に位置する間隙と、を備える、プリント回路基板を含む。
本発明の別の例示的な実施形態は、導体トレースを含む１つの電気絶縁層と、電気絶縁層の内部に位置する電気化学セルと、を備える、プリント回路基板を含む。
本発明の別の例示的な実施形態は、例えば、ＰＣＢの層の間に製造されるバッテリを含む。バッテリは、例えば、第１の電気接点と、第１の電気接点および第１の埋込導体と連結される接着層と、ＰＣＢ内に形成または配置されてもよい、第１の埋込導体を介して第１の電気接点と選択的に電気接触している少なくとも１つのバッテリセル構造と、を含んでもよい。
ＰＣＢと連結される接着層は、ＰＣＢの第１の電気接点との随意の選択的な電気接点を作成する、随意の第２の埋込導体等の１つを超える導体を有してもよい。接着層および少なくとも１つのバッテリセル構造は、ＰＣＢ内で挟持されてもよい。
第１の電気接点は、例えば、カプセル型金属を含んでもよい。接着層は、接着性材料、絶縁材料、プラスチック、ポリマー材料、ガラスおよび／または繊維ガラスであってもよい。絶縁補強層は、接着層内に埋め込まれてもよい。そのような補強層は、選択的に伝導性であってもよい。導体は、例えば、タブ、ワイヤ、金属片、金属リボン、多数のワイヤ、多数の金属片、多数の金属リボン、金網、穿孔金属、接着剤層に塗布される金属被覆またはディスクであってもよい。導体は、接着層内に織り込まれてもよく、接着層は、その中に埋込導体が織り込まれるスリットを含んでもよい。
バッテリセル構造は、陽極と、電解質と、陰極と、障壁層とを含んでもよい。陰極は、対流炉、高速熱アニール方法を使用して、あるいはレーザアニールおよび／または結晶化工程によって、例えば、全くアニールされなくてもよく、より低い温度でアニールされてもよく、またはより高い温度でアニールされてもよい。
本発明の別の例示的な実施形態は、順不同で、選択的に伝導性の接着層を作成するステップと、接着層を第１の接触層と連結するステップと、バッテリセル構造の第１の側面を、例えば、ＰＣＢ内に形成されるポケットと連結するステップと、バッテリセル構造をＰＣＢと連結するステップとを含む、薄膜バッテリを製造するための方法を含む。随意で、選択的に伝導性の接着層が、第１の接触層とＰＣＢとの間に電気接点を作成する付加的な位置で、接着層は、選択的に伝導性となってもよい。本発明のさらに別の例示的な実施形態は、順不同で、選択的に伝導性の接着層を作成するステップと、接着層を第１の接触層と連結するステップと、バッテリセルの第１の側面も第１の接触層と連結するステップと、接着層をＰＣＢ内の内部表面と連結するステップと、バッテリセル構造の第２の側面を接着層と連結するステップとを含む、薄膜バッテリを製造するための方法を含む。
この例示的な実施形態の実施例は、陽極、陰極および電解質層を伴うバッテリセル構造を作成するステップと、接着層内に少なくとも１つの導体を埋め込むステップと、接着層を通して少なくとも１つの導線を織り込むステップであって、導線の選択的部分は、露出される、ステップと、接着層を加熱し、接着層内の導体を圧縮するステップと、絶縁材料でバッテリを絶縁するステップとを含んでもよい。この例示的な実施形態は、接着層内に埋め込まれる絶縁補強層を提供するステップを含んでもよい。補強層は、選択的に伝導性であってもよい。
本発明のさらに別の例示的な実施形態は、例えば、バッテリセル構造の第１の側面が、少なくともＰＣＢの内部表面と直接機械的に接触している、ＰＣＢ内のバッテリを含む。この例示的な実施形態は、第１の電気接点と、第１の電気接点および第１の埋込導体と連結される接着層と、第１の埋込導体を介して第１の電気接点と選択的に電気接触している少なくとも１つのバッテリセル構造と、第１の電気接点と連結され、第１の電気接点およびプリント回路基板と選択的に電気接触している第２の埋込導体を備える、接着層と、を含む。接着層および少なくとも１つのバッテリセル構造は、第１の接触層とＰＣＢとの間で挟持される。
本発明の別の例示的な実施形態は、バッテリセル構造が、少なくとも接着層によって機械的に分離されている（かつ内部ＰＣＢ表面と直接機械的に接触していない）、ＰＣＢ内のバッテリを含む。例示的な実施形態は、第１の電気接点と、第１の電気接点および第１の埋込導体と連結される接着層と、第１の埋込導体を介して第１の電気接点と選択的に電気接触している少なくとも１つのバッテリセル構造と、ＰＣＢと連結され、第１の電気接点とのＰＣＢの随意の選択的な電気接点を作成する、接着層内の随意の第２の埋込導体を有する、接着層とを含む。接着層および少なくとも１つのバッテリセル構造は、第１の接触層とＰＣＢの内部表面との間で挟持される。
本発明の別の例示的な実施形態において、薄膜バッテリを製造するための方法は、選択的に伝導性の接着層を作成するステップと、接着層を第１の接触層と連結するステップと、バッテリセル構造の第１の側面を、例えば、ＰＣＢの層の内部表面と連結するステップと、バッテリセル構造の第２の側面を接着層と連結するステップとを含む。
本発明のさらに別の例示的な実施形態において、薄膜バッテリを製造するための方法は、選択的に伝導性の接着層を作成するステップと、接着層を第１の接触層と連結するステップと、バッテリセル構造の第１の側面を第１の接触層と連結するステップと、バッテリセル構造の第２の側面を選択的に伝導性の接着層と連結するステップと、接着層を、例えば、ＰＣＢの層と連結するステップとを含む。
本発明の別の例示的な実施形態は、バッテリセルとＰＣＢとの間の電気接続を含む。バッテリセルと、例えば、ＰＣＢ内の層の内部表面との間の電気接続は、直接的な物理的接触によって、またはワイヤボンディングによって行われてもよい。
本発明の別の例示的な実施形態において、ＰＣＢ内への、またはＰＣＢ内の伝導または絶縁表面内へのその組込みに先立って、バッテリは、個別素子として製造され、次いで、半導体素子の内側のその基板およびそのカプセル化とともに、まとめて組み込まれてもよい。
本発明の別の実施形態は、ＰＣＢの内部を通ってＰＣＢの表面に至る、ＰＣＢ内の多数のバッテリセル積層間の電気接続を含む。
図１Ａは、セルの縁がＰＣＢの縁を越えて延在している、ＰＣＢ内に埋め込まれる電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の上下図を示す。図１Ｂは、セルの縁がＰＣＢの縁を越えて延在している、ＰＣＢ内に埋め込まれる電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。図１Ｃは、間隙または空間を形成するようにＰＣＢの一部が除去されている、ＰＣＢ内に埋め込まれる電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。図１Ｄは、セルの一部を露出するようにＰＣＢの一部が除去されている、ＰＣＢ内に埋め込まれる電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。 図２は、ポケットが埋込電気化学セルの両側にある、電気化学セルを含む３層ＰＣＢを含む本発明の実施形態の側断面図を示す。 図３は、ポケットが埋込電気化学セルの両側にある、埋込電気化学セルを含む多層ＰＣＢを含む本発明の例示的な実施形態の側断面図を示す。 図４は、電気化学セルと、ＰＣＢの上部または下部のどちらかとの間の伝導層を含む本発明の例示的な実施形態の側断面図を示す。 図５Ａは、導電層が、セルの上部および下部にあり、かつＰＣＢの絶縁層と接触している、電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の側断面図を示す。 図５Ｂは、導電層が２つの部分に分割され、一方の部分はセルの下部にあり、第２の部分はワイヤボンディングによって電気化学セルに電気的に接続されている、電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の側断面図を示す。 図５Ｃは、導電層がセルの下部で２つの部分に分割され、一方の部分はセルと接触し、第２の部分はセルから物理的に絶縁されるが、ワイヤボンディングによって電気化学セルに電気的に接続されている、電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の側断面図を示す。 図６Ａは、ＰＣＢおよび埋込電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の上下図を示す。図６Ｂは、ＰＣＢの縁を越えて延在する埋込電気化学セルを伴う、ＰＣＢを含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。図６Ｃは、ＰＣＢの縁と同一平面上にある埋込電気化学セルを伴う、ＰＣＢを含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。図６Ｄは、セルの一部を露出するようにＰＣＢの一部が除去されている、ＰＣＢおよび埋込電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。 図７Ａは、ＰＣＢおよび埋込電気化学セルならびに電気化学セルとＰＣＢとの間の伝導層を含む本発明の例示的な実施形態の上下図を示す。図７Ｂは、セルの縁がＰＣＢの縁を越えて延在する、ＰＣＢおよび埋込電気化学セルならびにＰＣＢ上の導体を含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。図７Ｃは、間隙または空間を形成するようにＰＣＢの一部が除去されている、ＰＣＢおよび埋込電気化学セルならびに電気化学セルとＰＣＢとの間の伝導層を含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。図７Ｄは、セルの一部を露出するようにＰＣＢの一部が除去されている、ＰＣＢおよび埋込電気化学セルならびに電気化学セルとＰＣＢとの間の伝導層を含む本発明の例示的な実施形態の一部の拡大側断面図を示す。 図８Ａは、ＰＣＢおよび電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の断面図を示し、セルの一部はＰＣＢ内に埋め込まれ、セルの一部は外部からアクセス可能である。 図８Ｂは、ＰＣＢ内に全体的に埋め込まれた電気化学セルを含む本発明の例示的な実施形態の断面図を示す。 図８Ｃは、電気化学セルがＰＣＢの１つを超える側面から外部からアクセス可能である、ＰＣＢを含む本発明の例示的な実施形態の断面図を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。 図８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ、８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｊおよび８Ｋは、電気化学セルがＰＣＢ内に埋め込まれている、本発明の例示的な実施形態を示す。
本発明は、本明細書で説明される特定の方法、化合物、材料、製造技法、使用法、および用途が様々であってもよいため、それらに限定されない。本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明する目的のみで使用され、本発明の範囲を限定することを目的としない。「１つの」および「その」といった単数形は、文脈が明確に他の意味を定めない限り、複数形の言及を含む。したがって、例えば、「１つの要素」への言及は、１つ以上の要素への言及であり、当業者に既知であるその同等物を含む。同様に、別の例として、「１つのステップ」または「１つの手段」への言及は、１つ以上のステップまたは手段への言及であり、サブステップよび従属手段を含んでもよい。使用される全ての接続詞は、可能な限り包含的な意味で理解されるものである。したがって、「または」という単語は、文脈が明確に他の意味を必要としない限り、論理的な「排他的または」よりもむしろ、論理的な「または」の定義を有するものとして理解されるべきである。説明される構造は、そのような構造の機能的同等物も参照すると理解されるものである。近似を表現すると解釈されてもよい言葉は、文脈が明確に他の意味を定めない限り、そのように理解されるべきである。
他に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を持つ。好ましい方法、技法、素子、および材料を説明するが、本明細書で説明されるものと同様または同等の任意の方法、技法、素子、または材料が、本発明の実践および試験で使用されてもよい。本明細書で説明される構造は、そのような構造の機能的同等物も参照すると理解されるものである。
識別される全ての特許および他の出版物は、説明および開示する目的で、参照することにより本明細書に組み込まれ、例えば、そのような出版物で説明されている用語が、本発明に関連して使用される場合がある。これらの出版物は、本願の出願日の前に、それらの開示のためだけに提供されている。この点で、以前の発明により、または任意の他の理由により、本発明者らがそのような開示に先行する権利がないという承認として、何事も解釈されるべきではない。
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、および１Ｄは、本発明の種々の代替的な例示的な実施形態、素子１００を示す。図１Ａは、セル１０２の縁がＰＣＢ１０１の縁を超えて延在している、プリント回路基板（ＰＣＢ）１０１内に埋め込まれる電気化学セル１０２を含む例示的な素子１００の上下図を示す。本発明のＰＣＢ１０１または他の例示的な実施形態は、多数の、例えば、２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ以上の層の積層を含んでもよい。例えば、図１Ａに示されるように、ＰＣＢ１０１は、２つの層を含む。電気化学セル１０２はまた、多数の層を有してもよい。例えば、図１Ａに示されるように、電気化学セル１０２は、２つの層、最上層１０２ａおよび最下層１０２ｂを含む。最上層１０２ａは、例えば、電気化学セル１０２の正端子であってもよく、最下層１０２ｂは、例えば、電気化学セル１０２の負端子であってもよい。本発明の別の例示的な実施形態において、最上層１０２ａは、例えば、電気化学セル１０２の負端子であってもよく、最下層１０２ｂは、例えば、電気化学セル１０２の正端子であってもよい。図１Ｂは、ＰＣＢ１０１の縁を越えて延在するセル１０２を含む素子１００の拡大側面図を示す。ＰＣＢ１０１は、例えば、少なくとも部分的に、難燃剤４（ＦＲ４）で構成されてもよく、あるいは、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ＦＲ−１、ＣＥＭ−１（コットン紙およびエポキシ）、ＣＥＭ−２（コットン紙およびエポキシ）、ＣＥＭ−３（織りガラスおよびエポキシ）、ＣＥＭ−４（織りガラスおよびエポキシ）、ＣＥＭ−５（織りガラスおよびポリエステル）、ＦＲ−２（フェノールコットン紙）、ＦＲ−３（コットン紙およびエポキシ）、ＦＲ−５（織りガラスおよびエポキシ）、ＦＲ−６（無光沢ガラスおよびポリエステル）、Ｇ−１０（織りガラスおよびエポキシ）および／または、例えば、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）等のポリイミド等の、当技術分野において既知の他のＰＣＢ層材料で構成されてもよい。ＰＣＢ１０１は、ＰＣＢの一方または両方の外面上に伝導トレース１０３を含んでもよい。伝導トレース１０３は、例えば、銅箔で構成されてもよい。伝導トレース１０３は、図１Ａに示されるように、単一表面実装等の表面実装で含まれてもよい。図１Ｃは、ＰＣＢ１０１に間隙１１４を形成するように除去されるＰＣＢ１０１の一部を含む、素子１００の別の例示的な拡大側面図を示す。図１Ｄは、セル１０２の一部を露出するように一部が除去されている、ＰＣＢ１０１の一部を含む素子１００の拡大図を示す。図１Ｂ、１Ｃおよび１Ｄはまた、多数の、例えば、２つの層を伴う電気化学セル１０２を示す。しかしながら、本発明の例示的な実施形態はまた、２つを超える、例えば、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ以上の層を伴う電気化学セルを含んでもよい。さらに、図１Ａ、１Ｂ、１Ｃおよび１Ｄに示される例示的な実施形態はまた、多数の、例えば、２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ以上の電気化学セルを含んでもよい。
図２は、ポケット２０６を伴う３層ＰＣＢ１０１を含む、本発明の例示的な実施形態の側断面図、素子２００を示す。ポケット２０６は、絶縁ＦＲ４層内に埋め込まれてもよい電気化学セル１０２の両側にある空間の間隙を有する。ポケット２０６は、埋込電気化学セル１０２の１つ以上の側面上にあってもよい。ＰＣＢ１０１は、ＰＣＢ１０１の一方または両方の外側上にトレースおよび／または構成要素を含んでもよい。スペーサ２０５は、ＰＣＢ１０１の一部を占め、ＰＣＢ１０１の最上層をＰＣＢ１０１の最下層に接続する。スペーサ２０５は、さらに、素子２００への支持および安定性を定義および／または提供してもよい。ポケット２０６は、例えば、アセンブリ内のストレスを減少し、緩衝領域を提供し、他の構成要素または設計特性に場所を提供し、および／または熱制御能力を提供してもよい。
図３は、代替的ＰＣＢ１０１およびポケット２０６構造を含む、本発明の例示的な実施形態を示す。ＰＣＢ１０１は、電気化学セル１０２の周囲に配置される２つの層を含んでもよい。したがって、ＰＣＢ１０１の２つの層の内側は、湾曲した構造を有し、ポケット２０６に同様に湾曲した外部形状を含ませる。さらに、図３に示されるように、電気化学セル１０２は、ＰＣＢ１０１の層より薄くてもよく、ＰＣＢ１０１の多数の層の組み合わせより薄くてもよい。しかしながら、本発明の代替的な例示的な実施形態によると、電気化学セル１０２は、ＰＣＢ１０１の層より厚くてもよく、ＰＣＢ１０１の多数の、例えば、２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ以上の層の組み合わせより厚くてもよく、またはＰＣＢ１０１の１つもしくは多数の層とほぼ同じ厚さであってもよい。
図４は、伝導接触パッド、伝導線、伝導ビアまたは別の伝導層を伴う伝導表面を含む本発明の例示的な実施形態、素子４００を示す。伝導表面がＰＣＢの内層上に形成されてもよいＰＣＢ等、伝導表面はまた、絶縁表面と一緒に形成されてもよい。図４は、例えば、内部絶縁ＦＲ４層内または上に埋め込まれた埋込導体４０７を示す。埋込導体４０７は、ＰＣＢ１０１の縁において外部からアクセス可能であってもよい。埋込導体４０７は、ＰＣＢ１０１の縁に至るまで延在しなくてもよく、したがって、例えば、ＰＣＢ内部電気相互接続として機能してもよい。埋込導体４０７は、例えば、選択的に伝導性の接着層として機能してもよい。選択的に伝導性の接着層は、例えば、特定の点（図示せず）において、セル１０２から接着層を通ってセル接点までの、または１つ以上のトレースまでの伝導を可能にしてもよい。選択的に伝導性の接着層はまた、セル接点とＰＣＢ１０１との間の絶縁を提供してもよい。他の種類のバッテリセル構造がまた使用されてもよい。電気化学セル１０２は、いくつかの形をとってもよい。例えば、セルは、完全にパッケージ化されなくてもよく、かつ（参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる）米国特許公開第２００７／２６４５６４号の図１および／または図３に説明されるセルと同様であってもよく、あるいは、完全にパッケージ化されてもよく、かつ、例えば、（参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる）米国特許公開第２００８／２６１１０７号の図２０に説明されるセルと同様であってもよい。
図５Ａ、５Ｂおよび５Ｃは、本発明の種々の代替的な例示的な実施形態、素子５００を示す。図５Ａは、第１または第２の接点（図示せず）とＰＣＢ１０１との間に電気接点を選択的に作成する第２の埋込導体５０８を伴う、電気化学セル１０２を含む、本発明の例示的な実施形態を示す。ＰＣＢ１０１の伝導または絶縁表面は、第１の埋込導体４０７および第２の埋込導体５０８がＰＣＢ１０１と接触する接点の間で、選択的に絶縁であってもよい。埋込導体４０７および５０８は、ＰＣＢ１０１の縁において外部からアクセス可能であってもよい。代替的に、埋込導体４０７および５０８は、ＰＣＢ１０１の縁まで延在しなくてもよく、代わりに、ＰＣＢ内部電気相互接続の役割を果たしてもよい。本発明の例示的な実施形態はまた、２つを超える、例えば、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ以上の埋込導体を含んでもよい。
図５Ｂおよび５Ｃは、埋込導体５０８およびマイクロワイヤボンディング５０９の形の第２の導体を含む、本発明の例示的な実施形態を示す。図５０８Ｂは、２つの部分、導体部分５０８ａおよび５０８ｂに分割される埋込導体５０８を示す。導体部分５０８ｂは、電気化学セル１０２に連結され、かつ電気的に接続され、導体部分５０８ａは、電気化学セル１０２から物理的に分離されてもよい。導体部分５０８ａは、ワイヤボンディング５０９を介して、電気化学セル１０２に選択的に電気的に接続される。しかしながら、導体部分５０８ａは、例えば、種々の他の種々の金属導体等の他の方法を介して、電気化学セル１０２に電気的に接続されてもよい。図５Ｃは、部分５０８ａおよび５０８ｂに分割される埋込導体５０８を示し、導体部分５０８ａは、図５Ｂとは異なり、電気化学セル１０２の下に延在する。導体部分５０８ａは、絶縁体５１０によって電気化学セル１０２から物理的に分離される。
本発明の特定の実施形態によると、第１の埋込導体４０７および第２の埋込導体５０８は、多くの異なる方法で接着層内に配置されてもよい。例えば、埋込導体は、金属タブ、金属線、金属片、金属リボン、多数の金属線、多数の金属片、多数の金属リボン、金網、穿孔金属箔、穿孔金属、接着剤層に塗布される金属被覆、金属ディスク、金属被覆された繊維ガラス等の様々な材料から成ってもよく、またはそれらの組み合わせが使用されてもよい。第１の埋込導体４０７および第２の埋込導体５０８は、セル１０２とセル接点との間に電気伝導を提供してもよい。接着層は、電気接点とＰＣＢ１０１との間に絶縁を提供してもよい。埋込導体４０７および５０８は、スリット、穴または他の手段を通して、接着層内に織り込まれてよく、または配置されてもよい。埋込導体４０７および５０８は、例えば、接着層内に埋め込まれるディスクであってもよい。
本発明の別の例示的な実施形態において、補強層が接着層内に配置されてもよい。例えば、繊維ガラス材料は、接着層の一方の表面の半分を覆ってもよく、接着層を通して織り込まれてもよく、および／または接着層の他方の半分を覆ってもよい。伝導被覆を伴わない、そのような繊維ガラスの層は、電気化学素子および他の材料を絶縁する。繊維ガラスは、局所領域において伝導性材料で被覆されてもよい。そのような伝導被覆は、接着層の頂面および底面上の繊維ガラス領域を被覆することができる。繊維ガラスは、上部接点とセルとの間で伝導してもよい。伝導性材料は、インクジェット、シルクスクリーン、プラズマ堆積、電子ビーム堆積、噴霧、および／またはブラシ方法を使用して、繊維ガラス上に配置されてもよい。補強層は、例えば、Ｋｅｖｌａｒ（登録商標）、プラスチックまたはガラス等、繊維ガラス以外の材料を含んでもよい。
本発明の別の例示的な実施形態において、電気接点は、接着層内の穴を通して、バッテリセル構造と選択的に接触してもよい。接着層およびバッテリセル構造は、例えば、接点を作成するようにともに押し付けられてもよい。代替的に、層は、例えば、伝導接着剤もしくはインク、はんだ、溶接、ワイヤボンド、異方性導電膜またはリチウムを、接着層内の穴の中または付近に塗布することによって、相互に接触してもよい。
埋込導体４０７および５０８および／または電気接点は、例えば、金、白金、ステンレス鋼、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム銅、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、アルミニウム、インジウム、スズ、銀、炭素、青銅、黄銅、ベリリウム、またはそれらの酸化物、窒化物、炭化物、および合金から成ってもよい。電気接点は、金属箔、ステンレス鋼または必要量の伝導性を有する任意の他の金属物質から成ってもよい。金属箔は、銅、ニッケルまたはスズ等のはんだ付け可能な合金を含んでもよい。電気接点は、例えば、厚さ１００ミクロン未満、厚さ５０ミクロン未満、または厚さ２５ミクロン未満であってもよい。
本発明の例示的な実施形態に示される電気化学セル１０２は、陰極、陽極および電解質を含んでもよい。例えば、陰極は、ＬｉＣｏＯ２を含んでもよく、陽極は、リチウムを含んでもよく、電解質は、ＬＩＰＯＮを含んでもよい。必要に応じて他の電気化学素子が使用されてもよい。
電気化学セル１０２は、様々な方法でＰＣＢ１０１の内部層または表面と連結されてもよい。本発明の例示的な実施形態において、電気化学セル１０２は、例えば、接着剤、はんだ、溶接、ワイヤボンドまたは異方性導電膜を使用して、ＰＣＢ１０１の内部層と連結されてもよい。接着剤は、セメント接着剤または樹脂接着剤等の、電気化学セル１０２をＰＣＢ１０１に付着させ得る任意の材料であってもよい。接着剤は、電気化学セル１０２からＰＣＢ１０１への間に機械的および／または化学的接着を作成してもよい。接着剤はまた、別の材料または層を導入することなく、電気化学セル１０２をＰＣＢ１０１に化学的に接着させることを含んでもよい。接着剤は、電気的に伝導性、半伝導性または絶縁性であってもよい。
本発明の特定の例示的な実施形態において、ＰＣＢ１０１の伝導または絶縁内部層表面を含む、ＰＣＢの内部層は、電気化学セルの基板の役割を果たす。電気化学セル１０２は、ＰＣＢ１０１の層表面上に堆積されてもよく、あるいは位置付けられてもよい。電気化学セル１０２はまた、例えば、接着剤、はんだ、溶接、ワイヤボンドまたは異方性導電膜を使用して、ＰＣＢ１０１の内部層表面に連結されてもよい。
本発明の例示的な実施形態において、ＬｉＣｏＯ２陰極層は、例えば、ＰＣＢ１０１の内部層上に堆積されてもよい。当技術分野において既知の堆積技法は、反応性または非反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング、反応性または非反応性パルスＤＣマグネトロンスパッタリング、反応性または非反応性ＤＣダイオードスパッタリング、反応性または非反応性熱（抵抗）蒸着、反応性または非反応性電子ビーム蒸着、イオンビーム支援堆積、プラズマ化学気相成長法、スピン被覆、インクジェット、溶射堆積および浸漬被覆を含むがこれらに限定されない。製造工程の一環として、例えば、陰極は、低温（例えば、＜４００℃）での熱アニール、高温（例えば、＞４００℃）での熱アニール、高速熱アニールまたは対流炉を使用してアニールされてもよい。別のまたは代替的な堆積後アニールは、その電気化学ポテンシャル、エネルギー、電力性能、ならびに電気化学および熱サイクリングに関する可逆格子定数等の、その化学的性質を微調整し、最適化できるように、ＬｉＣｏＯ２層の結晶化を向上させるレーザアニールを含んでもよい。
陰極層の堆積後、当業者には既知の多くの工程のいずれかを使用して、電解質は、陰極、続いて陽極の上に堆積されてもよい。金属カプセル化層は、例えば、図５に示されるような埋込導体４０７および／または埋込導体５０８を使用する代わりに、電気化学セル自体の上に形成されてもよい。金属カプセル化層は、金属箔、ステンレス鋼または必要量の伝導性を有する任意の他の金属物質で作られてもよい。金属箔は、例えば、銅、ニッケルまたはスズの合金等のはんだ付け可能な合金を含んでもよい。
図６Ａ、６Ｂ、６Ｃおよび６Ｄは、本発明の種々の代替的な例示的な実施形態、素子６００を示す。素子６００は、ＰＣＢ１０１上に埋め込まれる電気化学セル１０２を含む、本発明の例示的な実施形態を含む。図６Ｂは、例えば、ＰＣＢ１０１の縁を越えて延在する電気化学セル１０２を示す。図６Ｃは、ＰＣＢ１０１の縁と同一平面上にある電気化学セル１０２の最上層を示す。さらに、例えば、素子１００とは異なり、実施形態は、電気化学セル、例えば、マイクロエネルギーセル（ＭＥＣ）上にＰＣＢ層を含まなくてもよい。特定の例示的な実施形態は、ＰＣＢの層に開放ＰＣＢまたは拡張開口部を含んでもよい。図６Ｄは、例えば、ＰＣＢの一部または全表面が露出されるようにするための、ＰＣＢ内の空間を示す。
図７Ａ−７Ｄは、本発明の種々の代替的な例示的な実施形態、素子７００を示す。素子７００は、埋込ＭＥＣとともに、ＰＣＢ層１０１上に導体５０８を含む。ＰＣＢ１０１は、その側面の一方または両側にトレースおよび構成要素を含んでもよい。これらの例示的な実施形態はまた、図６Ａ−６Ｄに示されるような、例えば、開放ＰＣＢ構造を含んでもよい。
図８Ａ−８Ｋは、本発明の種々の代替的な例示的な実施形態、素子８００を示す。図８Ａは、断面図であり、セル１０２の一部がＰＣＢ１０１内に埋め込まれ、セル１０２の一部が外部からアクセス可能となるように配置された電気化学セル１０２を示す。図８Ｂは、断面図であり、ＰＣＢ１０１内に全体的に埋め込まれた電気化学セル１０２を示す。図８Ｃは、断面図であり、ＰＣＢ１０１の１つを越える側面から外部からアクセス可能な電気化学セル１０２を示す。電気化学セル１０２は、例えば、３つまたは４つの側面においてＰＣＢから延在してもよい。図８Ｄは、断面図であり、電気化学セル１０２がＰＣＢ開口部８１５を通ってＰＣＢ１０１の上部から外部からアクセス可能となり得るような開放構造を有するＰＣＢ１０１を示す。図８Ｅは、断面図であり、ＰＣＢ１０１の開口部８１５が、電気化学セル１０２の幅より狭い幅であってもよいことを示す。セル１０２がＰＣＢ１０１の端部内に部分的に埋め込まれるように、ＰＣＢ１０１は、セル１０２の端部の上に延在する。図８Ｆは、断面図であり、ＰＣＢ１０１の開口部８１５が、電気化学セル１０２の幅より広い幅であってもよいことを示す。セル１０２の端部がＰＣＢ１０１と接触せず、セル１０２とＰＣＢ１０１との間に間隙８１６を作成するように、電気化学セル１０２は、ＰＣＢ１０１の開口部８１５内に配置されてもよい。電気化学セル１０２およびＰＣＢ１０１は、種々の代替的な構成で接続されてもよく、それらの実施例を図８Ｇ−８Ｋに示し、それらは平面図の形式である。
アクセスポートまたはのぞき穴を提供してもよい、本発明の種々の例示的な実施形態の場合のように、埋込セルの一部の露出された表面は、絶縁材料で、あるいはその後絶縁材料または絶縁層で覆われる伝導性材料で、充填および／または覆われてもよい。穴または空隙は、セルへの直接外部アクセスを減少または除去するように、覆われてもよいか、または充填されてもよい。
図１Ａ−８Ｋに示される本発明の種々の例示的な実施形態に示されるもの以外の電気化学素子が、必要に応じて使用されてもよい。電気化学素子はまた、例えば、窒化ジルコニウムとジルコニウムまたは窒化チタンとチタンが交互に重なった複数の層を含んでもよい、セラミック金属複合積層を備えてもよいカプセル化を含んでもよい。
ＬｉＣｏＯ２を堆積するのに使用される方法の実施例は、参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許公開第２００７／０１２５６３８号に開示される。
ＰＣＢの伝導または絶縁表面を含む、本発明の種々の例示的な実施形態におけるＰＣＢの層は、メモリ素子、プロセッサまたは他の論理回路を含んでもよい任意の集積回路の一部であってもよい。
本発明の種々の例示的な実施形態におけるＰＣＢは、例えば、多数の回路基板層を含んでもよい可撓性回路基板を含んでもよい。多数の回路基板層は、トレース、片面または両面の半硬質膜および／または例えば、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）等のポリイミド膜を含んでも、含まなくてもよい。
本発明の特定の実施形態において、本発明の種々の例示的な実施形態におけるＰＣＢの層は、例えば、薄膜バッテリ等の電気化学セルのためのカプセル化の役割を果たしてもよい。
本発明の例示的な実施形態はまた、相互の上に積層される多数の電気化学素子、相互の上に積層される多数のＰＣＢ、および／または伝導もしくは絶縁表面もしくは層のいずれかを有するＰＣＢ内の多数の層を含んでもよい。
本発明の例示的な実施形態はまた、電気接点の上に積層される多数の電気化学素子を含んでもよい。
本発明の例示的な実施形態は、電気化学素子の化学的および機械的に敏感な層をカプセル化するための代替的な方法を提供する。本発明の例示的な実施形態はまた、電気化学素子をカプセル化する金属およびプラスチックポーチ内のガスを膨張および／または収縮させる温度変化に関連する問題を回避し、かつ金属およびプラスチックポーチの密封の破裂を回避する。
本発明の例示的な実施形態はまた、１つ以上のＰＣＢ内に直接製造される再充電可能な２次バッテリを提供する。そのようなバッテリは、回路の電源が切られている時に電力を提供し、かつ電力の再開時に素早く簡単に再充電される。重要な回路は、そのようなバッテリによって提供される局所的電力により利益を得てもよい。例示的な実施形態はまた、より安価でより信頼性の高いカプセル化と、既知のカプセル化方法よりも大幅に薄いカプセル化を含む導電性接点を提供するためのより良好なアプローチとを提供する。例示的な実施形態はまた、その上に連結される薄膜可撓性バッテリを有する可撓性集積回路および／または可撓性プリント回路基板を提供する。
電気化学素子は、ＰＣＢ内に（例えば、その自らの基板および自らのカプセル化で完全にパッケージ化された）個別素子を備えてもよい。例えば、ＰＣＢ内へのその組込みに先立って、電気化学素子は、個別素子として製造され、次いで、その基板およびカプセル化とともに、まとめて組み込まれてもよい。
本明細書で説明される本発明の実施形態は、例示的にすぎない。当業者であれば、本開示の範囲内となることを目的とする、本明細書で具体的に説明される実施形態からの変化例を認識してもよい。したがって、本発明は、以下の請求項のみによって限定される。本発明は、添付の請求項およびそれらの同等物の範囲内に入るならば、そのような変化例を
網羅する。

Claims (24)

  1. 複数の導体トレースを備えている２つの電気絶縁層を有する層のスタックであって、該電気絶縁層のそれぞれは外周を備えている、層のスタックと、
    該層の間に挿入される電気化学セルであって、該電気化学セルの一部分は、該絶縁層のうちの１つの外周を越えて横方向に延びる、電気化学セルと
    を備えている、プリント回路基板。
  2. 複数の導体トレースを備えている２つの電気絶縁層を有する層のスタックと、
    該層のスタックに挿入される導電層および電気化学セルとを備え、
    該電気化学セルは、該層のスタックの該導電層と電気絶縁層との間に埋め込まれる、プリント回路基板。
  3. 複数の導体トレースを備えている２つの電気絶縁層を有する層のスタックと、２つの導電層と、
    該層のスタックに挿入される電気化学セルと
    を備え、該電気化学セルは該導電層の間に埋め込まれる、プリント回路基板。
  4. 複数の導体トレースを備えている２つの電気絶縁層を有する層のスタックと、
    該層のスタックに挿入される電気化学セルと、
    該電気化学セルの縁に位置する間隙と
    を備えている、プリント回路基板。
  5. 複数の導体トレースを備えている１つの電気絶縁層と、
    該電気絶縁層の内部の中に位置する電気化学セルと
    を備えている、プリント回路基板。
  6. 前記電気化学セルは、前記電気絶縁層の外周を越えて横方向に延びる、請求項５に記載のプリント回路基板。
  7. 導電層をさらに備え、前記電気化学セルは、該導電層と前記電気絶縁層との間に埋め込まれる、請求項５に記載のプリント回路基板。
  8. 導電層をさらに備え、該導電層は、前記電気化学セルと前記電気絶縁層との間に埋め込まれる、請求項５に記載のプリント回路基板。
  9. ２つの導電層をさらに備え、前記電気化学セルは、該２つの導電層の間に埋め込まれる、請求項５に記載のプリント回路基板。
  10. ２つの導電層と間隙とをさらに備え、該間隙は、前記電気化学セルの縁に位置する、請求項５に記載のプリント回路基板。
  11. 前記電気化学セルは、２つの端子を備え、該電気化学セルは、該端子のうちの１つへの直接的な外部からの電気アクセスを提供するように、前記電気絶縁層のうちの１つの外周を越えて横方向に延びる、請求項１に記載のプリント回路基板。
  12. 前記電気化学セルと電気的に接続している電気接点をさらに備え、該電気接点は、アクセスポートを通して外部からアクセス可能である、請求項１に記載のプリント回路基板。
  13. 前記電気化学セルは端子を備え、前記電気接点は、該端子と電気的に接続し、該端子は、前記アクセスポートを通して外部からアクセス可能でない、請求項１２に記載のプリン
    ト回路基板。
  14. 前記アクセスポート内に導体材料をさらに備え、該アクセスポート上に絶縁材料のキャップをさらに備えている、請求項１３に記載のプリント回路基板。
  15. 前記電気化学セルと電気的に接続している電気接点をさらに備え、該電気接点は、アクセスポートを通して外部からアクセス可能である、請求項２に記載のプリント回路基板。
  16. 前記電気化学セルと電気的に接続している電気接点をさらに備え、該電気接点は、外部からアクセス可能である、請求項３に記載のプリント回路基板。
  17. 前記電気化学セルと電気的に接続している電気接点をさらに備え、該電気接点は、外部からアクセス可能である、請求項４に記載のプリント回路基板。
  18. 前記電気化学セルと電気的に接続している電気接点をさらに備え、該電気接点は、外部からアクセス可能である、請求項５に記載のプリント回路基板。
  19. 前記電気化学セルは、前記電気絶縁層のうちの２つを組み合わせたものとほぼ同じ厚さである、請求項１に記載のプリント回路基板。
  20. 前記電気化学セルは、前記電気絶縁層のうちの２つを組み合わせたものよりも厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。
  21. 前記電気化学セルは、前記電気絶縁層のうちの２つを組み合わせたものよりも薄い、請求項１に記載のプリント回路基板。
  22. 前記電気化学セルは、前記絶縁層のうちの少なくとも１つよりも厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。
  23. 前記電気化学セルは、前記絶縁層のうちの少なくとも１つよりも薄い、請求項１に記載のプリント回路基板。
  24. 前記電気化学セルは、前記絶縁層のうちの少なくとも１つとほぼ同じ厚さである、請求項１に記載のプリント回路基板。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110255850A1 (en) * 2010-04-19 2011-10-20 Richard Hung Minh Dinh Electronic subassemblies for electronic devices
JP5907985B2 (ja) 2010-11-29 2016-04-26 コンストラクション リサーチ アンド テクノロジー ゲーエムベーハーＣｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＧｍｂＨ 粉末状促進剤
US9564275B2 (en) * 2012-03-09 2017-02-07 The Paper Battery Co. Supercapacitor structures
TWM449362U (zh) * 2012-10-31 2013-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 具有射頻天線的無線充電薄膜電池
US9107335B2 (en) * 2013-02-19 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Method for manufacturing an integrated circuit and an integrated circuit
US10380471B2 (en) * 2013-07-23 2019-08-13 Capital One Services, Llc Dynamic transaction card power management
TW201508569A (zh) * 2013-08-19 2015-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 可撓式觸控結構及採用該可撓式觸控結構之手錶或首飾
CN104423655A (zh) * 2013-08-20 2015-03-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 可挠式触控结构及采用该可挠式触控结构的手表及首饰
US10281953B2 (en) 2013-11-29 2019-05-07 Motiv Inc. Wearable device and data transmission method
CN114089813A (zh) 2013-11-29 2022-02-25 普罗克西有限公司 穿戴式计算装置
EP3092669A4 (en) * 2014-01-08 2017-06-21 MiniPumps, LLC Stacked battery tray structure and related methods
US10542917B2 (en) 2014-02-10 2020-01-28 Battelle Memorial Institute Printed circuit board with embedded sensor
US9806299B2 (en) 2014-04-08 2017-10-31 International Business Machines Corporation Cathode for thin film microbattery
CN107078348A (zh) * 2014-07-22 2017-08-18 瑞克锐斯株式会社 微型电池和利用其的pcb基板和半导体芯片
US10826136B2 (en) * 2014-07-24 2020-11-03 The Boeing Company Battery pack including stacked battery-board assemblies
US9508566B2 (en) 2014-08-15 2016-11-29 International Business Machines Corporation Wafer level overmold for three dimensional surfaces
US10105082B2 (en) 2014-08-15 2018-10-23 International Business Machines Corporation Metal-oxide-semiconductor capacitor based sensor
US9871273B2 (en) 2014-12-18 2018-01-16 Intel Corporation Surface mount battery and portable electronic device with integrated battery cell
DE102015205625A1 (de) 2015-03-27 2016-09-29 Robert Bosch Gmbh Batteriezelle
CN106161679B (zh) * 2015-03-30 2022-03-01 安徽精卓光显技术有限责任公司 便携终端后盖电池及便携终端后盖电池的制备方法
CN107949853A (zh) 2015-04-14 2018-04-20 第资本服务公司 防篡改动态交易卡和提供防篡改动态交易卡的方法
CN108027891A (zh) * 2015-04-14 2018-05-11 第资本服务公司 动态交易卡功率管理
TW201711261A (zh) * 2015-04-28 2017-03-16 應用材料股份有限公司 用於製造具有台面結構的電池之方法與設備及包含台面結構的電池
CN105549235A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 飞天诚信科技股份有限公司 一种具有显示功能的电池以及包含该电池的电子设备
CN107241850A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 中兴通讯股份有限公司 一种电路板及终端
PL3446356T3 (pl) * 2016-04-18 2021-05-31 Robert Bosch Gmbh Niskoprofilowy czujnik i zawierające go ogniwo elektrochemiczne
US10660208B2 (en) 2016-07-13 2020-05-19 General Electric Company Embedded dry film battery module and method of manufacturing thereof
JP2018029022A (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 Fdk株式会社 蓄電素子
CN107946669B (zh) * 2016-10-13 2021-03-02 辉能科技股份有限公司 逻辑电池
TWI637668B (zh) * 2016-10-13 2018-10-01 輝能科技股份有限公司 邏輯電池
EP3316338B1 (en) * 2016-10-26 2018-10-24 Samsung SDI Co., Ltd. Battery module with a fixing for a temperature sensitive element
TWI637589B (zh) * 2017-04-28 2018-10-01 上銀光電股份有限公司 Energy storage solar battery module
US10924664B2 (en) 2018-03-16 2021-02-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Enhanced battery edge detection
US10741882B2 (en) 2018-07-09 2020-08-11 Ford Global Technologies, Llc Flex lead on cell container for electromagnetic shielding
KR20200007480A (ko) * 2018-07-13 2020-01-22 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 배터리 모듈
KR20220119103A (ko) * 2019-12-20 2022-08-26 시온 파워 코퍼레이션 재충전가능 전기화학 셀 또는 배터리용 통합 전원 버스를 제공, 조립 및 관리하기 위한 시스템 및 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02121383A (ja) * 1988-10-28 1990-05-09 Brother Ind Ltd 蓄電池内蔵型プリント配線板
US5019468A (en) * 1988-10-27 1991-05-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Sheet type storage battery and printed wiring board containing the same
JPH11274735A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Toshiba Battery Co Ltd 多層印刷配線板
JP2001308537A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 電池内蔵型基板
JP2003046254A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Nippon Zeon Co Ltd 回路基板および回路基板の製造方法
JP2004165562A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Denso Corp スピーカ付基板及びその製造方法
JP2005056761A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd シート状電池及び電子機器
US20050189139A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Hei, Inc. Flexible circuit having an integrally formed battery
US20080084678A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-10 Motorola, Inc. Printed circuit board and a method for imbedding a battery in a printed circuit board

Family Cites Families (755)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US712316A (en) 1899-10-26 1902-10-28 Francois Loppe Electric accumulator.
US2970180A (en) 1959-06-17 1961-01-31 Union Carbide Corp Alkaline deferred action cell
US3309302A (en) 1963-10-07 1967-03-14 Varian Associates Method of preparing an electron tube including sputtering a suboxide of titanium on dielectric components thereof
US3616403A (en) 1968-10-25 1971-10-26 Ibm Prevention of inversion of p-type semiconductor material during rf sputtering of quartz
US3790432A (en) 1971-12-30 1974-02-05 Nasa Reinforced polyquinoxaline gasket and method of preparing the same
US3797091A (en) 1972-05-15 1974-03-19 Du Pont Terminal applicator
US3850604A (en) 1972-12-11 1974-11-26 Gte Laboratories Inc Preparation of chalcogenide glass sputtering targets
US4111523A (en) 1973-07-23 1978-09-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Thin film optical waveguide
JPS559305Y2 (ja) 1974-12-10 1980-02-29
US3939008A (en) 1975-02-10 1976-02-17 Exxon Research And Engineering Company Use of perovskites and perovskite-related compounds as battery cathodes
US4127424A (en) 1976-12-06 1978-11-28 Ses, Incorporated Photovoltaic cell array
US4082569A (en) 1977-02-22 1978-04-04 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Solar cell collector
DE2849294C3 (de) 1977-11-22 1982-03-04 Asahi Kasei Kogyo K.K., Osaka Dünne Metall-Halogen-Zelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
IE49121B1 (en) 1978-12-11 1985-08-07 Triplex Safety Glass Co Producing glass sheets of required curved shape
US4318938A (en) 1979-05-29 1982-03-09 The University Of Delaware Method for the continuous manufacture of thin film solar cells
JPS5920374Y2 (ja) 1979-11-16 1984-06-13 技術資源開発株式会社 ロ−タ−式吹付機
JPS56156675U (ja) 1980-04-21 1981-11-21
US4395713A (en) 1980-05-06 1983-07-26 Antenna, Incorporated Transit antenna
US4442144A (en) 1980-11-17 1984-04-10 International Business Machines Corporation Method for forming a coating on a substrate
US4467236A (en) 1981-01-05 1984-08-21 Piezo Electric Products, Inc. Piezoelectric acousto-electric generator
US4328297A (en) 1981-03-27 1982-05-04 Yardngy Electric Corporation Electrode
US5055704A (en) 1984-07-23 1991-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with battery housing
US4756717A (en) 1981-08-24 1988-07-12 Polaroid Corporation Laminar batteries and methods of making the same
US4664993A (en) 1981-08-24 1987-05-12 Polaroid Corporation Laminar batteries and methods of making the same
JPS58216476A (ja) 1982-06-11 1983-12-16 Hitachi Ltd 光発電蓄電装置
JPS5950027A (ja) 1982-09-13 1984-03-22 Hitachi Ltd 二硫化チタン薄膜およびその形成法
US4518661A (en) 1982-09-28 1985-05-21 Rippere Ralph E Consolidation of wires by chemical deposition and products resulting therefrom
US4437966A (en) 1982-09-30 1984-03-20 Gte Products Corporation Sputtering cathode apparatus
JPS59217964A (ja) 1983-05-26 1984-12-08 Hitachi Ltd 薄膜電池の正極構造
JPS59227090A (ja) 1983-06-06 1984-12-20 Hitachi Ltd 不揮発性メモリ装置
DE3345659A1 (de) 1983-06-16 1984-12-20 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Keramikkoerper aus zirkoniumdioxid (zro(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)) und verfahren zu seiner herstellung
JPS6061217A (ja) 1983-09-14 1985-04-09 シナージスティクス　インダストリーズ　リミテッド 発泡プラスチック製品の製造方法
JPS6068558U (ja) 1983-10-17 1985-05-15 株式会社リコー 記録装置の作用剤移送装置
AU573631B2 (en) 1983-10-17 1988-06-16 Tosoh Corporation High strength zirconia type sintered body
DE3417732A1 (de) 1984-05-12 1986-07-10 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens
GB8414878D0 (en) 1984-06-11 1984-07-18 Gen Electric Co Plc Integrated optical waveguides
JPH06101335B2 (ja) 1984-11-26 1994-12-12 株式会社日立製作所 全固体リチウム電池
US4785459A (en) 1985-05-01 1988-11-15 Baer Thomas M High efficiency mode matched solid state laser with transverse pumping
JPS61269072A (ja) 1985-05-23 1986-11-28 Nippon Denki Sanei Kk 圧電式加速度センサ−
US4710940A (en) 1985-10-01 1987-12-01 California Institute Of Technology Method and apparatus for efficient operation of optically pumped laser
JPH0336962Y2 (ja) 1985-10-31 1991-08-06
US5173271A (en) 1985-12-04 1992-12-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US5296089A (en) 1985-12-04 1994-03-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US4964877A (en) 1986-01-14 1990-10-23 Wilson Greatbatch Ltd. Non-aqueous lithium battery
JPS62267944A (ja) 1986-05-16 1987-11-20 Hitachi Ltd 磁気記録媒体
US4668593A (en) 1986-08-29 1987-05-26 Eltron Research, Inc. Solvated electron lithium electrode for high energy density battery
US4977007A (en) 1986-09-19 1990-12-11 Matsushita Electrical Indust. Co. Solid electrochemical element and production process therefor
JPH07107752B2 (ja) 1986-10-24 1995-11-15 株式会社日立製作所 光学的情報記録担体
US4740431A (en) 1986-12-22 1988-04-26 Spice Corporation Integrated solar cell and battery
JPS63215842A (ja) 1987-03-05 1988-09-08 Takuma Co Ltd ガスタ−ビン発電システム
JPS63290922A (ja) 1987-05-22 1988-11-28 Matsushita Electric Works Ltd 体重計
US4728588A (en) 1987-06-01 1988-03-01 The Dow Chemical Company Secondary battery
JPH0610127Y2 (ja) 1987-08-21 1994-03-16 三菱自動車工業株式会社 排出ガス後処理装置の再生用電気ヒ−タ
US4865428A (en) 1987-08-21 1989-09-12 Corrigan Dennis A Electrooptical device
JP2692816B2 (ja) 1987-11-13 1997-12-17 株式会社きもと 薄型一次電池
US4826743A (en) 1987-12-16 1989-05-02 General Motors Corporation Solid-state lithium battery
US4878094A (en) 1988-03-30 1989-10-31 Minko Balkanski Self-powered electronic component and manufacturing method therefor
US4915810A (en) 1988-04-25 1990-04-10 Unisys Corporation Target source for ion beam sputter deposition
US4903326A (en) 1988-04-27 1990-02-20 Motorola, Inc. Detachable battery pack with a built-in broadband antenna
US5096852A (en) 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
US5403680A (en) 1988-08-30 1995-04-04 Osaka Gas Company, Ltd. Photolithographic and electron beam lithographic fabrication of micron and submicron three-dimensional arrays of electronically conductive polymers
FR2638764B1 (fr) 1988-11-04 1993-05-07 Centre Nat Rech Scient Element composite comportant une couche en chalcogenure ou oxychalcogenure de titane, utilisable en particulier comme electrode positive dans une cellule electrochimique en couches minces
JPH02133599A (ja) 1988-11-11 1990-05-22 Agency Of Ind Science & Technol 酸化イリジウム膜の製造方法
JPH06100333B2 (ja) 1989-02-21 1994-12-12 三國工業株式会社 燃焼機器の炎検知回路
JPH02230662A (ja) 1989-03-03 1990-09-13 Tonen Corp リチウム電池
US5100821A (en) 1989-04-24 1992-03-31 Motorola, Inc. Semiconductor AC switch
US5006737A (en) 1989-04-24 1991-04-09 Motorola Inc. Transformerless semiconductor AC switch having internal biasing means
US5217828A (en) 1989-05-01 1993-06-08 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible thin film cell including packaging material
JP2808660B2 (ja) 1989-05-01 1998-10-08 ブラザー工業株式会社 薄膜電池内蔵プリント基板の製造方法
US5540742A (en) 1989-05-01 1996-07-30 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Method of fabricating thin film cells and printed circuit boards containing thin film cells using a screen printing process
US5221891A (en) 1989-07-31 1993-06-22 Intermatic Incorporated Control circuit for a solar-powered rechargeable power source and load
US5119269A (en) 1989-08-23 1992-06-02 Seiko Epson Corporation Semiconductor with a battery unit
US5223457A (en) 1989-10-03 1993-06-29 Applied Materials, Inc. High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias
US5792550A (en) 1989-10-24 1998-08-11 Flex Products, Inc. Barrier film having high colorless transparency and method
JP2758948B2 (ja) 1989-12-15 1998-05-28 キヤノン株式会社 薄膜形成方法
DE4022090A1 (de) 1989-12-18 1991-06-20 Forschungszentrum Juelich Gmbh Elektro-optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US5169408A (en) 1990-01-26 1992-12-08 Fsi International, Inc. Apparatus for wafer processing with in situ rinse
US5124782A (en) 1990-01-26 1992-06-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with molded cell
US5196374A (en) 1990-01-26 1993-03-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with molded cell
US5252194A (en) 1990-01-26 1993-10-12 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
US5085904A (en) 1990-04-20 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Barrier materials useful for packaging
US5306569A (en) 1990-06-15 1994-04-26 Hitachi Metals, Ltd. Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof
JP2755471B2 (ja) 1990-06-29 1998-05-20 日立電線株式会社 希土類元素添加光導波路及びその製造方法
US5645626A (en) 1990-08-10 1997-07-08 Bend Research, Inc. Composite hydrogen separation element and module
US5225288A (en) 1990-08-10 1993-07-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solvent blockers and multilayer barrier coatings for thin films
US5147985A (en) 1990-08-14 1992-09-15 The Scabbard Corporation Sheet batteries as substrate for electronic circuit
JPH0458456U (ja) 1990-09-28 1992-05-19
US5110694A (en) 1990-10-11 1992-05-05 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Secondary Li battery incorporating 12-Crown-4 ether
US5110696A (en) 1990-11-09 1992-05-05 Bell Communications Research Rechargeable lithiated thin film intercalation electrode battery
US5273608A (en) 1990-11-29 1993-12-28 United Solar Systems Corporation Method of encapsulating a photovoltaic device
US5493177A (en) 1990-12-03 1996-02-20 The Regents Of The University Of California Sealed micromachined vacuum and gas filled devices
US5057385A (en) 1990-12-14 1991-10-15 Hope Henry F Battery packaging construction
NL9002844A (nl) 1990-12-21 1992-07-16 Philips Nv Systeem omvattende een apparaat en een cassette, alsmede een apparaat en een cassette geschikt voor toepassing in een dergelijk systeem.
CA2056139C (en) 1991-01-31 2000-08-01 John C. Bailey Electrochromic thin film state-of-charge detector for on-the-cell application
US5227264A (en) 1991-02-14 1993-07-13 Hydro-Quebec Device for packaging a lithium battery
JP2816028B2 (ja) 1991-02-18 1998-10-27 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6110531A (en) 1991-02-25 2000-08-29 Symetrix Corporation Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition
US5180645A (en) 1991-03-01 1993-01-19 Motorola, Inc. Integral solid state embedded power supply
GB2255450A (en) * 1991-04-16 1992-11-04 Dowty Electronic Components Electrical power supply
US5200029A (en) 1991-04-25 1993-04-06 At&T Bell Laboratories Method of making a planar optical amplifier
US5119460A (en) 1991-04-25 1992-06-02 At&T Bell Laboratories Erbium-doped planar optical device
US5107538A (en) 1991-06-06 1992-04-21 At&T Bell Laboratories Optical waveguide system comprising a rare-earth Si-based optical device
US5208121A (en) 1991-06-18 1993-05-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Battery utilizing ceramic membranes
US5153710A (en) 1991-07-26 1992-10-06 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with laminated backup cell
US5187564A (en) 1991-07-26 1993-02-16 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Application of laminated interconnect media between a laminated power source and semiconductor devices
US5171413A (en) 1991-09-16 1992-12-15 Tufts University Methods for manufacturing solid state ionic devices
US5196041A (en) 1991-09-17 1993-03-23 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of forming an optical channel waveguide by gettering
US5355089A (en) 1992-07-22 1994-10-11 Duracell Inc. Moisture barrier for battery with electrochemical tester
JP2755844B2 (ja) 1991-09-30 1998-05-25 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
US5702829A (en) 1991-10-14 1997-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material
US5401595A (en) 1991-12-06 1995-03-28 Yuasa Corporation Film type battery and layer-built film type battery
EP0546709B1 (en) 1991-12-11 1997-06-04 Mobil Oil Corporation High barrier film
US5287427A (en) 1992-05-05 1994-02-15 At&T Bell Laboratories Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component
US5497140A (en) 1992-08-12 1996-03-05 Micron Technology, Inc. Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
US6144916A (en) 1992-05-15 2000-11-07 Micron Communications, Inc. Itinerary monitoring system for storing a plurality of itinerary data points
SE470081B (sv) 1992-05-19 1993-11-01 Gustavsson Magnus Peter M Elektriskt uppvärmt plagg eller liknande
US5779839A (en) 1992-06-17 1998-07-14 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US6045652A (en) 1992-06-17 2000-04-04 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
DE4319878A1 (de) 1992-06-17 1993-12-23 Micron Technology Inc Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID) und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5776278A (en) 1992-06-17 1998-07-07 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US6741178B1 (en) 1992-06-17 2004-05-25 Micron Technology, Inc Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
US5326652A (en) 1993-01-25 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Battery package and method using flexible polymer films having a deposited layer of an inorganic material
US5338625A (en) 1992-07-29 1994-08-16 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Thin film battery and method for making same
US7158031B2 (en) 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
JP3214910B2 (ja) 1992-08-18 2001-10-02 富士通株式会社 平面導波路型光増幅器の製造方法
US5538796A (en) 1992-10-13 1996-07-23 General Electric Company Thermal barrier coating system having no bond coat
US5597661A (en) 1992-10-23 1997-01-28 Showa Denko K.K. Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
JP3231900B2 (ja) 1992-10-28 2001-11-26 株式会社アルバック 成膜装置
US5326653A (en) 1992-10-29 1994-07-05 Valence Technology, Inc. Battery unit with reinforced current collector tabs and method of making a battery unit having strengthened current collector tabs
JP3214107B2 (ja) 1992-11-09 2001-10-02 富士電機株式会社 電池搭載集積回路装置
US5942089A (en) 1996-04-22 1999-08-24 Northwestern University Method for sputtering compounds on a substrate
JPH06158308A (ja) 1992-11-24 1994-06-07 Hitachi Metals Ltd インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US5279624A (en) 1992-11-27 1994-01-18 Gould Inc. Solder sealed solid electrolyte cell housed within a ceramic frame and the method for producing it
US5307240A (en) 1992-12-02 1994-04-26 Intel Corporation Chiplid, multichip semiconductor package design concept
US6022458A (en) 1992-12-07 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of production of a semiconductor substrate
AU669754B2 (en) 1992-12-18 1996-06-20 Becton Dickinson & Company Barrier coating
US5303319A (en) 1992-12-28 1994-04-12 Honeywell Inc. Ion-beam deposited multilayer waveguides and resonators
SE500725C2 (sv) 1992-12-29 1994-08-15 Volvo Ab Anordning vid paneler för farkoster
US5718813A (en) 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
US5427669A (en) 1992-12-30 1995-06-27 Advanced Energy Industries, Inc. Thin film DC plasma processing system
US5547780A (en) 1993-01-18 1996-08-20 Yuasa Corporation Battery precursor and a battery
US5300461A (en) 1993-01-25 1994-04-05 Intel Corporation Process for fabricating sealed semiconductor chip using silicon nitride passivation film
US5338624A (en) 1993-02-08 1994-08-16 Globe-Union Inc. Thermal management of rechargeable batteries
JPH06279185A (ja) 1993-03-25 1994-10-04 Canon Inc ダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法
US5262254A (en) 1993-03-30 1993-11-16 Valence Technology, Inc. Positive electrode for rechargeable lithium batteries
US5302474A (en) 1993-04-02 1994-04-12 Valence Technology, Inc. Fullerene-containing cathodes for solid electrochemical cells
US5613995A (en) 1993-04-23 1997-03-25 Lucent Technologies Inc. Method for making planar optical waveguides
US5665490A (en) 1993-06-03 1997-09-09 Showa Denko K.K. Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
US5464692A (en) 1993-06-17 1995-11-07 Quality Manufacturing Incorporated Flexible masking tape
EP0639655B1 (en) 1993-07-28 2000-09-27 Asahi Glass Company Ltd. Method and apparatus for sputtering
US5499207A (en) 1993-08-06 1996-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device having improved isolation between electrodes, and process for fabricating the same
US5599355A (en) 1993-08-20 1997-02-04 Nagasubramanian; Ganesan Method for forming thin composite solid electrolyte film for lithium batteries
US5360686A (en) 1993-08-20 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Thin composite solid electrolyte film for lithium batteries
JP2642849B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
US5478456A (en) 1993-10-01 1995-12-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sputtering target
EP0652308B1 (en) 1993-10-14 2002-03-27 Neuralsystems Corporation Method of and apparatus for forming single-crystalline thin film
US5314765A (en) 1993-10-14 1994-05-24 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Protective lithium ion conducting ceramic coating for lithium metal anodes and associate method
US5411537A (en) 1993-10-29 1995-05-02 Intermedics, Inc. Rechargeable biomedical battery powered devices with recharging and control system therefor
US5445856A (en) 1993-11-10 1995-08-29 Chaloner-Gill; Benjamin Protective multilayer laminate for covering an electrochemical device
US5512387A (en) 1993-11-19 1996-04-30 Ovonic Battery Company, Inc. Thin-film, solid state battery employing an electrically insulating, ion conducting electrolyte material
US5738731A (en) 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
US5985485A (en) 1993-11-19 1999-11-16 Ovshinsky; Stanford R. Solid state battery having a disordered hydrogenated carbon negative electrode
US5487822A (en) 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US5433835B1 (en) 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
US5387482A (en) 1993-11-26 1995-02-07 Motorola, Inc. Multilayered electrolyte and electrochemical cells used same
US5654984A (en) 1993-12-03 1997-08-05 Silicon Systems, Inc. Signal modulation across capacitors
US5419982A (en) 1993-12-06 1995-05-30 Valence Technology, Inc. Corner tab termination for flat-cell batteries
US6242128B1 (en) 1993-12-06 2001-06-05 Valence Technology, Inc. Fastener system of tab bussing for batteries
US5569520A (en) 1994-01-12 1996-10-29 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Rechargeable lithium battery for use in applications requiring a low to high power output
JPH07224379A (ja) 1994-02-14 1995-08-22 Ulvac Japan Ltd スパッタ方法およびそのスパッタ装置
US5961672A (en) 1994-02-16 1999-10-05 Moltech Corporation Stabilized anode for lithium-polymer batteries
JP3836163B2 (ja) 1994-02-22 2006-10-18 旭硝子セラミックス株式会社 高屈折率膜の形成方法
US5561004A (en) 1994-02-25 1996-10-01 Bates; John B. Packaging material for thin film lithium batteries
US5464706A (en) 1994-03-02 1995-11-07 Dasgupta; Sankar Current collector for lithium ion battery
US6408402B1 (en) 1994-03-22 2002-06-18 Hyperchip Inc. Efficient direct replacement cell fault tolerant architecture
US5475528A (en) 1994-03-25 1995-12-12 Corning Incorporated Optical signal amplifier glasses
US5470396A (en) 1994-04-12 1995-11-28 Amoco Corporation Solar cell module package and method for its preparation
US5805223A (en) 1994-05-25 1998-09-08 Canon Kk Image encoding apparatus having an intrapicture encoding mode and interpicture encoding mode
US5411592A (en) 1994-06-06 1995-05-02 Ovonic Battery Company, Inc. Apparatus for deposition of thin-film, solid state batteries
KR100186895B1 (ko) 1994-06-13 1999-04-15 고다 시게노리 유리박막으로된 탄산가스센서
US5472795A (en) 1994-06-27 1995-12-05 Board Of Regents Of The University Of The University Of Wisconsin System, On Behalf Of The University Of Wisconsin-Milwaukee Multilayer nanolaminates containing polycrystalline zirconia
WO1996000996A1 (en) 1994-06-30 1996-01-11 The Whitaker Corporation Planar hybrid optical amplifier
US5457569A (en) 1994-06-30 1995-10-10 At&T Ipm Corp. Semiconductor amplifier or laser having integrated lens
JP3407409B2 (ja) 1994-07-27 2003-05-19 富士通株式会社 高誘電率薄膜の製造方法
US5504041A (en) 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US6181283B1 (en) 1994-08-01 2001-01-30 Rangestar Wireless, Inc. Selectively removable combination battery and antenna assembly for a telecommunication device
US5445906A (en) 1994-08-03 1995-08-29 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method and system for constructing a rechargeable battery and battery structures formed with the method
US5458995A (en) 1994-08-12 1995-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Solid state electrochemical cell including lithium iodide as an electrolyte additive
US5483613A (en) 1994-08-16 1996-01-09 At&T Corp. Optical device with substrate and waveguide structure having thermal matching interfaces
US5909346A (en) 1994-08-26 1999-06-01 Aiwa Research & Development, Inc. Thin magnetic film including multiple geometry gap structures on a common substrate
JP3042333B2 (ja) 1994-10-18 2000-05-15 オムロン株式会社 電気信号変位変換装置、当該変換装置を用いた機器、および当該変換装置を用いた流体搬送装置の駆動方法
US5498489A (en) 1995-04-14 1996-03-12 Dasgupta; Sankar Rechargeable non-aqueous lithium battery having stacked electrochemical cells
US5437692A (en) 1994-11-02 1995-08-01 Dasgupta; Sankar Method for forming an electrode-electrolyte assembly
JPH08148709A (ja) 1994-11-15 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp 薄型太陽電池の製造方法及び薄型太陽電池の製造装置
US7162392B2 (en) 1994-11-21 2007-01-09 Phatrat Technology, Inc. Sport performance systems for measuring athletic performance, and associated methods
US6025094A (en) 1994-11-23 2000-02-15 Polyplus Battery Company, Inc. Protective coatings for negative electrodes
CN1075243C (zh) 1994-12-28 2001-11-21 松下电器产业株式会社 集成电路用电容元件及其制造方法
US6204111B1 (en) 1994-12-28 2001-03-20 Matsushita Electronics Corporation Fabrication method of capacitor for integrated circuit
US5555342A (en) 1995-01-17 1996-09-10 Lucent Technologies Inc. Planar waveguide and a process for its fabrication
US5607789A (en) 1995-01-23 1997-03-04 Duracell Inc. Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same
EP0752017A1 (en) 1995-01-25 1997-01-08 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5755831A (en) 1995-02-22 1998-05-26 Micron Communications, Inc. Method of forming a button-type battery and a button-type battery with improved separator construction
US6444750B1 (en) 1995-03-06 2002-09-03 Exxonmobil Oil Corp. PVOH-based coating solutions
US5612153A (en) 1995-04-13 1997-03-18 Valence Technology, Inc. Battery mask from radiation curable and thermoplastic materials
JPH10509773A (ja) 1995-04-25 1998-09-22 ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド 基板上に誘電体層を形成するためのスパッタリング装置及び方法
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
WO1996036746A1 (fr) 1995-05-18 1996-11-21 Asahi Glass Company Ltd. Procede de production d'une cible de pulverisation
US5645960A (en) 1995-05-19 1997-07-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Thin film lithium polymer battery
US5601952A (en) 1995-05-24 1997-02-11 Dasgupta; Sankar Lithium-Manganese oxide electrode for a rechargeable lithium battery
US5758575A (en) 1995-06-07 1998-06-02 Bemis Company Inc. Apparatus for printing an electrical circuit component with print cells in liquid communication
US5625202A (en) 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
US6265652B1 (en) 1995-06-15 2001-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki Kaisha Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
KR100342189B1 (ko) 1995-07-12 2002-11-30 삼성전자 주식회사 휘발성복합체를사용한희토류원소첨가광섬유제조방법
US6459418B1 (en) 1995-07-20 2002-10-01 E Ink Corporation Displays combining active and non-active inks
US6118426A (en) 1995-07-20 2000-09-12 E Ink Corporation Transducers and indicators having printed displays
US6639578B1 (en) 1995-07-20 2003-10-28 E Ink Corporation Flexible displays
US5677784A (en) 1995-07-24 1997-10-14 Ellis D. Harris Sr. Family Trust Array of pellicle optical gates
EP0761838B1 (de) 1995-08-18 2001-08-08 W.C. Heraeus GmbH & Co. KG Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets
US5563979A (en) 1995-08-31 1996-10-08 Lucent Technologies Inc. Erbium-doped planar optical device
US5582935A (en) 1995-09-28 1996-12-10 Dasgupta; Sankar Composite electrode for a lithium battery
US5689522A (en) 1995-10-02 1997-11-18 The Regents Of The University Of California High efficiency 2 micrometer laser utilizing wing-pumped Tm3+ and a laser diode array end-pumping architecture
US5716736A (en) 1995-10-06 1998-02-10 Midwest Research Institute Solid lithium-ion electrolyte
US5616933A (en) 1995-10-16 1997-04-01 Sony Corporation Nitride encapsulated thin film transistor fabrication technique
US5719976A (en) 1995-10-24 1998-02-17 Lucent Technologies, Inc. Optimized waveguide structure
JP3298799B2 (ja) 1995-11-22 2002-07-08 ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド クラッディングポンプファイバとその製造方法
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5644207A (en) 1995-12-11 1997-07-01 The Johns Hopkins University Integrated power source
US6608464B1 (en) 1995-12-11 2003-08-19 The Johns Hopkins University Integrated power source layered with thin film rechargeable batteries, charger, and charge-control
US5897522A (en) 1995-12-20 1999-04-27 Power Paper Ltd. Flexible thin layer open electrochemical cell and applications of same
GB9601236D0 (en) 1996-01-22 1996-03-20 Atraverda Ltd Conductive coating
US5955161A (en) 1996-01-30 1999-09-21 Becton Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5637418A (en) 1996-02-08 1997-06-10 Motorola, Inc. Package for a flat electrochemical device
US5721067A (en) 1996-02-22 1998-02-24 Jacobs; James K. Rechargeable lithium battery having improved reversible capacity
US5845990A (en) 1996-03-11 1998-12-08 Hilite Systems, L.L.C. High signal lights for automotive vehicles
DE19609647A1 (de) 1996-03-12 1997-09-18 Univ Sheffield Hartstoffschicht
WO1997035044A1 (en) 1996-03-22 1997-09-25 Materials Research Corporation Method and apparatus for rf diode sputtering
US5930584A (en) 1996-04-10 1999-07-27 United Microelectronics Corp. Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films
JPH1010675A (ja) 1996-04-22 1998-01-16 Fuji Photo Film Co Ltd 記録材料
DE19627543B9 (de) 1996-05-18 2004-10-14 Thomas Hofmann Multi-Layer-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung
JP3346167B2 (ja) 1996-05-27 2002-11-18 三菱マテリアル株式会社 高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに膜
DE69731632D1 (de) 1996-06-12 2004-12-23 Treofan Germany Gmbh & Co Kg Durchsichtige sperrüberzüge mit verringerter dünnfilm-interferenz
US5948464A (en) 1996-06-19 1999-09-07 Imra America, Inc. Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
EP0814529A1 (fr) 1996-06-19 1997-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carte mince comprenant un accumulateur plat et des contacts
US5731661A (en) 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5855744A (en) 1996-07-19 1999-01-05 Applied Komatsu Technology, Inc. Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
JP3825843B2 (ja) 1996-09-12 2006-09-27 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
AU4987997A (en) 1996-10-11 1998-05-11 Massachusetts Institute Of Technology Polymer electrolyte, intercalation compounds and electrodes for batteries
US6007945A (en) 1996-10-15 1999-12-28 Electrofuel Inc. Negative electrode for a rechargeable lithium battery comprising a solid solution of titanium dioxide and tin dioxide
JP3631341B2 (ja) 1996-10-18 2005-03-23 Ｔｄｋ株式会社 積層型複合機能素子およびその製造方法
US5716728A (en) 1996-11-04 1998-02-10 Wilson Greatbatch Ltd. Alkali metal electrochemical cell with improved energy density
US5841931A (en) 1996-11-26 1998-11-24 Massachusetts Institute Of Technology Methods of forming polycrystalline semiconductor waveguides for optoelectronic integrated circuits, and devices formed thereby
US5783333A (en) 1996-11-27 1998-07-21 Polystor Corporation Lithium nickel cobalt oxides for positive electrodes
US6235432B1 (en) 1996-12-11 2001-05-22 Tonen Chemical Company Thin non-protonic electrolytic film, immobilized liquid-film conductor, and polymer cell
US6144795A (en) 1996-12-13 2000-11-07 Corning Incorporated Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
US6289209B1 (en) 1996-12-18 2001-09-11 Micron Technology, Inc. Wireless communication system, radio frequency communications system, wireless communications method, radio frequency communications method
US5842118A (en) 1996-12-18 1998-11-24 Micron Communications, Inc. Communication system including diversity antenna queuing
JPH10195649A (ja) 1996-12-27 1998-07-28 Sony Corp マグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法
US5705293A (en) 1997-01-09 1998-01-06 Lockheed Martin Energy Research Corporation Solid state thin film battery having a high temperature lithium alloy anode
US5882812A (en) 1997-01-14 1999-03-16 Polyplus Battery Company, Inc. Overcharge protection systems for rechargeable batteries
US5790489A (en) 1997-01-21 1998-08-04 Dell Usa, L.P. Smart compact disk including a processor and a transmission element
JP4104187B2 (ja) 1997-02-06 2008-06-18 株式会社クレハ 二次電池電極用炭素質材料
US5944964A (en) 1997-02-13 1999-08-31 Optical Coating Laboratory, Inc. Methods and apparatus for preparing low net stress multilayer thin film coatings
JPH10229201A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP3345878B2 (ja) 1997-02-17 2002-11-18 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法
US5847865A (en) 1997-02-18 1998-12-08 Regents Of The University Of Minnesota Waveguide optical amplifier
US5970393A (en) 1997-02-25 1999-10-19 Polytechnic University Integrated micro-strip antenna apparatus and a system utilizing the same for wireless communications for sensing and actuation purposes
JP3767151B2 (ja) 1997-02-26 2006-04-19 ソニー株式会社 薄型電池
JPH10302843A (ja) 1997-02-28 1998-11-13 Mitsubishi Electric Corp 電池用接着剤及びそれを用いた電池とその製造法
JP3228168B2 (ja) 1997-02-28 2001-11-12 株式会社豊田中央研究所 回転速度検出装置及びタイヤ発生力検出装置
JP3098204B2 (ja) 1997-03-07 2000-10-16 ティーディーケイ株式会社 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法
JP2975907B2 (ja) 1997-03-10 1999-11-10 株式会社ワコー 力・加速度・磁気の検出装置
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JPH10265948A (ja) 1997-03-25 1998-10-06 Rohm Co Ltd 半導体装置用基板およびその製法
ES2156334T3 (es) 1997-03-27 2001-06-16 Tno Guia de ondas plano dopado con erbio.
US6106933A (en) 1997-04-03 2000-08-22 Toray Industries, Inc. Transparent gas barrier biaxially oriented polypropylene film, a laminate film, and a production method thereof
US6242132B1 (en) 1997-04-16 2001-06-05 Ut-Battelle, Llc Silicon-tin oxynitride glassy composition and use as anode for lithium-ion battery
US5948215A (en) 1997-04-21 1999-09-07 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized sputtering
JPH1197065A (ja) 1997-04-23 1999-04-09 Hydro Quebec 超薄層固体リチウム電池及びその製造方法
US6422698B2 (en) 1997-04-28 2002-07-23 Binney & Smith Inc. Ink jet marker
US6394598B1 (en) 1997-04-28 2002-05-28 Binney & Smith Inc. Ink jet marker
US5882721A (en) 1997-05-01 1999-03-16 Imra America Inc Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6329213B1 (en) 1997-05-01 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming integrated circuits within substrates
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US5895731A (en) 1997-05-15 1999-04-20 Nelson E. Smith Thin-film lithium battery and process
JP4326041B2 (ja) 1997-05-15 2009-09-02 エフエムシー・コーポレイション ドープされた層間化合物およびその作製方法
US5830330A (en) 1997-05-22 1998-11-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for low pressure sputtering
US6000603A (en) 1997-05-23 1999-12-14 3M Innovative Properties Company Patterned array of metal balls and methods of making
US5977582A (en) 1997-05-23 1999-11-02 Lucent Technologies Inc. Capacitor comprising improved TaOx -based dielectric
US6316563B2 (en) 1997-05-27 2001-11-13 Showa Denko K.K. Thermopolymerizable composition and use thereof
US6077106A (en) 1997-06-05 2000-06-20 Micron Communications, Inc. Thin profile battery mounting contact for printed circuit boards
KR19990007150A (ko) 1997-06-20 1999-01-25 이데이 노부유끼 전지
US5865860A (en) 1997-06-20 1999-02-02 Imra America, Inc. Process for filling electrochemical cells with electrolyte
US6051114A (en) 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US5831262A (en) 1997-06-27 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device
JP3813740B2 (ja) 1997-07-11 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板
US5982144A (en) 1997-07-14 1999-11-09 Johnson Research & Development Company, Inc. Rechargeable battery power supply overcharge protection circuit
JP3335884B2 (ja) 1997-07-16 2002-10-21 株式会社荏原製作所 腐食・防食解析方法
US6046514A (en) 1997-07-25 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Bypass apparatus and method for series connected energy storage devices
US5973913A (en) 1997-08-12 1999-10-26 Covalent Associates, Inc. Nonaqueous electrical storage device
US6252564B1 (en) 1997-08-28 2001-06-26 E Ink Corporation Tiled displays
KR100250855B1 (ko) 1997-08-28 2000-04-01 손욱 하이브리드 폴리머 전해질, 그 제조 방법 및 이를 사용하여제조한 리튬 전지
JPH11111273A (ja) 1997-09-29 1999-04-23 Furukawa Battery Co Ltd:The リチウム二次電池用極板の製造法及びリチウム二次電池
US6156452A (en) 1997-10-07 2000-12-05 Matsushita Electric Indsutrial Co., Ltd. Non-aqueous electrolyte secondary cell
US5916704A (en) 1997-10-10 1999-06-29 Ultralife Batteries Low pressure battery vent
CA2306384A1 (en) 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US6982132B1 (en) 1997-10-15 2006-01-03 Trustees Of Tufts College Rechargeable thin film battery and method for making the same
US6094292A (en) 1997-10-15 2000-07-25 Trustees Of Tufts College Electrochromic window with high reflectivity modulation
US6084285A (en) 1997-10-20 2000-07-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lateral flux capacitor having fractal-shaped perimeters
US5985484A (en) 1997-10-20 1999-11-16 Amtek Research International Llc Battery separation
EP1023692B1 (en) 1997-10-22 2002-08-28 Cambridge Consultants Limited Portable ic card
US5948562A (en) 1997-11-03 1999-09-07 Motorola, Inc. Energy storage device
US6041734A (en) 1997-12-01 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
US6052397A (en) 1997-12-05 2000-04-18 Sdl, Inc. Laser diode device having a substantially circular light output beam and a method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for a reproducible mode profile of the output beam
US5976327A (en) 1997-12-12 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation
US6042965A (en) 1997-12-12 2000-03-28 Johnson Research & Development Company, Inc. Unitary separator and electrode structure and method of manufacturing separator
US6120890A (en) 1997-12-12 2000-09-19 Seagate Technology, Inc. Magnetic thin film medium comprising amorphous sealing layer for reduced lithium migration
US6045942A (en) 1997-12-15 2000-04-04 Avery Dennison Corporation Low profile battery and method of making same
JPH11204088A (ja) 1998-01-07 1999-07-30 Toshiba Battery Co Ltd シート形電池
US6019284A (en) 1998-01-27 2000-02-01 Viztec Inc. Flexible chip card with display
US6137671A (en) 1998-01-29 2000-10-24 Energenius, Inc. Embedded energy storage device
US6608470B1 (en) 1998-01-31 2003-08-19 Motorola, Inc. Overcharge protection device and methods for lithium based rechargeable batteries
US6391166B1 (en) 1998-02-12 2002-05-21 Acm Research, Inc. Plating apparatus and method
US6402795B1 (en) 1998-02-18 2002-06-11 Polyplus Battery Company, Inc. Plating metal negative electrodes under protective coatings
US6753108B1 (en) 1998-02-24 2004-06-22 Superior Micropowders, Llc Energy devices and methods for the fabrication of energy devices
US6223317B1 (en) 1998-02-28 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Bit synchronizers and methods of synchronizing and calculating error
US6080508A (en) 1998-03-06 2000-06-27 Electrofuel Inc. Packaging assembly for a lithium battery
US6610440B1 (en) 1998-03-10 2003-08-26 Bipolar Technologies, Inc Microscopic batteries for MEMS systems
US6004660A (en) 1998-03-12 1999-12-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Oxygen barrier composite film structure
US5889383A (en) 1998-04-03 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for charging batteries with ambient acoustic energy
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
US6563998B1 (en) 1999-04-15 2003-05-13 John Farah Polished polymide substrate
US6753114B2 (en) 1998-04-20 2004-06-22 Electrovaya Inc. Composite electrolyte for a rechargeable lithium battery
US6175075B1 (en) 1998-04-21 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module excelling in reliability
US6169474B1 (en) 1998-04-23 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6459726B1 (en) 1998-04-24 2002-10-01 Micron Technology, Inc. Backscatter interrogators, communication systems and backscatter communication methods
US6324211B1 (en) 1998-04-24 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Interrogators communication systems communication methods and methods of processing a communication signal
US6905578B1 (en) 1998-04-27 2005-06-14 Cvc Products, Inc. Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure
US6214061B1 (en) 1998-05-01 2001-04-10 Polyplus Battery Company, Inc. Method for forming encapsulated lithium electrodes having glass protective layers
US6420961B1 (en) 1998-05-14 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Wireless communication systems, interfacing devices, communication methods, methods of interfacing with an interrogator, and methods of operating an interrogator
US6075973A (en) 1998-05-18 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6115616A (en) 1998-05-28 2000-09-05 International Business Machines Corporation Hand held telephone set with separable keyboard
DE19824145A1 (de) 1998-05-29 1999-12-16 Siemens Ag Integrierte Antennenanordnung für mobile Telekommunikations-Endgeräte
JP3126698B2 (ja) 1998-06-02 2001-01-22 富士通株式会社 スパッタ成膜方法、スパッタ成膜装置及び半導体装置の製造方法
US6093944A (en) 1998-06-04 2000-07-25 Lucent Technologies Inc. Dielectric materials of amorphous compositions of TI-O2 doped with rare earth elements and devices employing same
US7854684B1 (en) 1998-06-24 2010-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Wearable device
KR100287176B1 (ko) 1998-06-25 2001-04-16 윤종용 고온산화를이용한반도체소자의커패시터형성방법
US6058233A (en) 1998-06-30 2000-05-02 Lucent Technologies Inc. Waveguide array with improved efficiency for wavelength routers and star couplers in integrated optics
GB9814123D0 (en) 1998-07-01 1998-08-26 British Gas Plc Electrochemical fuel cell
US6285492B1 (en) * 1998-07-02 2001-09-04 Timer Technologies, Llc Interactive electrochemical displays
EP0969521A1 (de) 1998-07-03 2000-01-05 ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE19831719A1 (de) 1998-07-15 2000-01-20 Alcatel Sa Verfahren zur Herstellung planarer Wellenleiterstrukturen sowie Wellenleiterstruktur
US6358810B1 (en) 1998-07-28 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6579728B2 (en) 1998-08-03 2003-06-17 Privicom, Inc. Fabrication of a high resolution, low profile credit card reader and card reader for transmission of data by sound
US6129277A (en) 1998-08-03 2000-10-10 Privicon, Inc. Card reader for transmission of data by sound
US6160373A (en) 1998-08-10 2000-12-12 Dunn; James P. Battery operated cableless external starting device and methods
KR100305903B1 (ko) 1998-08-21 2001-12-17 박호군 수직으로통합연결된박막형전지를구비하는전기및전자소자와그제작방법
JP2000067852A (ja) 1998-08-21 2000-03-03 Pioneer Electronic Corp リチウム二次電池
US6480699B1 (en) 1998-08-28 2002-11-12 Woodtoga Holdings Company Stand-alone device for transmitting a wireless signal containing data from a memory or a sensor
JP3386756B2 (ja) 1998-08-31 2003-03-17 松下電池工業株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
US6210832B1 (en) 1998-09-01 2001-04-03 Polyplus Battery Company, Inc. Mixed ionic electronic conductor coatings for redox electrodes
US6192222B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Backscatter communication systems, interrogators, methods of communicating in a backscatter system, and backscatter communication methods
JP4014737B2 (ja) 1998-09-17 2007-11-28 昭和電工株式会社 熱重合性組成物及びその用途
US6236793B1 (en) 1998-09-23 2001-05-22 Molecular Optoelectronics Corporation Optical channel waveguide amplifier
US6362916B2 (en) 1998-09-25 2002-03-26 Fiver Laboratories All fiber gain flattening optical filter
US6159635A (en) 1998-09-29 2000-12-12 Electrofuel Inc. Composite electrode including current collector
KR100283954B1 (ko) 1998-10-13 2001-03-02 윤종용 광증폭기용 광섬유
US7323634B2 (en) 1998-10-14 2008-01-29 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
KR100282487B1 (ko) 1998-10-19 2001-02-15 윤종용 고유전 다층막을 이용한 셀 캐패시터 및 그 제조 방법
US6605228B1 (en) 1998-10-19 2003-08-12 Nhk Spring Co., Ltd. Method for fabricating planar optical waveguide devices
JP4126711B2 (ja) 1998-10-23 2008-07-30 ソニー株式会社 非水電解質電池
JP3830008B2 (ja) 1998-10-30 2006-10-04 ソニー株式会社 非水電解質電池
US6157765A (en) 1998-11-03 2000-12-05 Lucent Technologies Planar waveguide optical amplifier
KR100280705B1 (ko) 1998-11-05 2001-03-02 김순택 리튬 이온 폴리머 전지용 전극 활물질 조성물 및 이를 이용한리튬 이온 폴리머 전지용 전극판의 제조방법
US6797429B1 (en) 1998-11-06 2004-09-28 Japan Storage Battery Co, Ltd. Non-aqueous electrolytic secondary cell
DE69932304T2 (de) 1998-11-09 2007-12-06 Ballard Power Systems Inc., Burnaby Elektrische Kontaktvorrichtung für eine Brennstoffzelle
US6384573B1 (en) 1998-11-12 2002-05-07 James Dunn Compact lightweight auxiliary multifunctional reserve battery engine starting system (and methods)
US6117279A (en) 1998-11-12 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition
JP2000162234A (ja) 1998-11-30 2000-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電センサ回路
DE69936706T2 (de) 1998-12-03 2008-04-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Lithiumspeicherbatterie
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
EP1145338B1 (en) 1998-12-16 2012-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP2000188099A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Mitsubishi Chemicals Corp 薄膜型電池の製造方法
WO2000041256A1 (en) 1999-01-08 2000-07-13 Massachusetts Institute Of Technology Electroactive material for secondary batteries and methods of preparation
GB9900396D0 (en) 1999-01-08 1999-02-24 Danionics As Arrangements of electrochemical cells
JP4074418B2 (ja) 1999-01-11 2008-04-09 三菱化学株式会社 薄膜型リチウム二次電池
US6379835B1 (en) 1999-01-12 2002-04-30 Morgan Adhesives Company Method of making a thin film battery
US6290822B1 (en) 1999-01-26 2001-09-18 Agere Systems Guardian Corp. Sputtering method for forming dielectric films
US6302939B1 (en) 1999-02-01 2001-10-16 Magnequench International, Inc. Rare earth permanent magnet and method for making same
US6306265B1 (en) 1999-02-12 2001-10-23 Applied Materials, Inc. High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave
DE60044384D1 (de) 1999-02-25 2010-06-24 Kaneka Corp Photoelektrische Dünnschicht-Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zur Abscheidung durch Zerstäubung
JP3503516B2 (ja) * 1999-02-25 2004-03-08 三菱電機株式会社 薄型電池、電子機器及び薄型電池の製造方法
US6210544B1 (en) 1999-03-08 2001-04-03 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic film forming method
US6603391B1 (en) 1999-03-09 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator
US6356764B1 (en) 1999-03-09 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Wireless communication systems, interrogators and methods of communicating within a wireless communication system
EP1037293B1 (en) 1999-03-16 2007-05-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Non-aqueous electrolyte and lithium secondary battery using the same
US6277520B1 (en) 1999-03-19 2001-08-21 Ntk Powerdex, Inc. Thin lithium battery with slurry cathode
US6280875B1 (en) 1999-03-24 2001-08-28 Teledyne Technologies Incorporated Rechargeable battery structure with metal substrate
EP1039554B1 (en) 1999-03-25 2003-05-14 Kaneka Corporation Method of manufacturing thin film solar cell-modules
US6160215A (en) 1999-03-26 2000-12-12 Curtin; Lawrence F. Method of making photovoltaic device
US6148503A (en) 1999-03-31 2000-11-21 Imra America, Inc. Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6168884B1 (en) 1999-04-02 2001-01-02 Lockheed Martin Energy Research Corporation Battery with an in-situ activation plated lithium anode
US6398824B1 (en) 1999-04-02 2002-06-04 Excellatron Solid State, Llc Method for manufacturing a thin-film lithium battery by direct deposition of battery components on opposite sides of a current collector
US6242129B1 (en) 1999-04-02 2001-06-05 Excellatron Solid State, Llc Thin lithium film battery
US6855441B1 (en) 1999-04-14 2005-02-15 Power Paper Ltd. Functionally improved battery and method of making same
AU3985200A (en) 1999-04-14 2000-11-14 Power Paper Ltd. Functionally improved battery and method of making same
US6416598B1 (en) 1999-04-20 2002-07-09 Reynolds Metals Company Free machining aluminum alloy with high melting point machining constituent and method of use
KR100296741B1 (ko) 1999-05-11 2001-07-12 박호군 트렌치 구조를 갖는 전지 및 그 제조방법
JP3736205B2 (ja) 1999-06-04 2006-01-18 三菱電機株式会社 バッテリ蓄電装置
US6281142B1 (en) 1999-06-04 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Dielectric cure for reducing oxygen vacancies
US6046081A (en) 1999-06-10 2000-04-04 United Microelectronics Corp. Method for forming dielectric layer of capacitor
US6133670A (en) 1999-06-24 2000-10-17 Sandia Corporation Compact electrostatic comb actuator
US6413676B1 (en) 1999-06-28 2002-07-02 Lithium Power Technologies, Inc. Lithium ion polymer electrolytes
JP2001021744A (ja) 1999-07-07 2001-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 光導波路基板の製造方法
JP2001020065A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Hitachi Metals Ltd スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料
JP2001025666A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd 積層体およびその製造方法
US6290821B1 (en) 1999-07-15 2001-09-18 Seagate Technology Llc Sputter deposition utilizing pulsed cathode and substrate bias power
KR100456647B1 (ko) 1999-08-05 2004-11-10 에스케이씨 주식회사 리튬 이온 폴리머 전지
US6249222B1 (en) 1999-08-17 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for generating color based alerting signals
US6344795B1 (en) 1999-08-17 2002-02-05 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for generating temperature based alerting signals
US6414626B1 (en) 1999-08-20 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of operating a wireless communication system, and methods of determining range of a remote communication device
US6356230B1 (en) 1999-08-20 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of monitoring movement of a radio frequency identification device, methods of monitoring movement of a remote communication device and movement monitoring methods
US6537428B1 (en) 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
US6664006B1 (en) 1999-09-02 2003-12-16 Lithium Power Technologies, Inc. All-solid-state electrochemical device and method of manufacturing
US6645675B1 (en) 1999-09-02 2003-11-11 Lithium Power Technologies, Inc. Solid polymer electrolytes
US6392565B1 (en) 1999-09-10 2002-05-21 Eworldtrack, Inc. Automobile tracking and anti-theft system
US6528212B1 (en) 1999-09-13 2003-03-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Lithium battery
US6344366B1 (en) 1999-09-15 2002-02-05 Lockheed Martin Energy Research Corporation Fabrication of highly textured lithium cobalt oxide films by rapid thermal annealing
US6296949B1 (en) 1999-09-16 2001-10-02 Ga-Tek Inc. Copper coated polyimide with metallic protective layer
JP4240679B2 (ja) 1999-09-21 2009-03-18 ソニー株式会社 スパッタリング用ターゲットの製造方法
US6296967B1 (en) 1999-09-24 2001-10-02 Electrofuel Inc. Lithium battery structure incorporating lithium pouch cells
TW457767B (en) 1999-09-27 2001-10-01 Matsushita Electric Works Ltd Photo response semiconductor switch having short circuit load protection
JP4460742B2 (ja) 1999-10-01 2010-05-12 日本碍子株式会社 圧電／電歪デバイス及びその製造方法
US6368275B1 (en) 1999-10-07 2002-04-09 Acuson Corporation Method and apparatus for diagnostic medical information gathering, hyperthermia treatment, or directed gene therapy
DE19948839A1 (de) 1999-10-11 2001-04-12 Bps Alzenau Gmbh Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6500287B1 (en) 1999-10-14 2002-12-31 Forskarpatent I Uppsala Ab Color-modifying treatment of thin films
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20070196682A1 (en) 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6413284B1 (en) 1999-11-01 2002-07-02 Polyplus Battery Company Encapsulated lithium alloy electrodes having barrier layers
US6529827B1 (en) 1999-11-01 2003-03-04 Garmin Corporation GPS device with compass and altimeter and method for displaying navigation information
US6413285B1 (en) 1999-11-01 2002-07-02 Polyplus Battery Company Layered arrangements of lithium electrodes
US6271793B1 (en) 1999-11-05 2001-08-07 International Business Machines Corporation Radio frequency (RF) transponder (Tag) with composite antenna
WO2001035471A2 (en) 1999-11-11 2001-05-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lithium battery comprising a gel-eletrolyte
US6340880B1 (en) 1999-11-11 2002-01-22 Mitsumi Electric Co., Ltd. Method of protecting a chargeable electric cell
JP3999424B2 (ja) 1999-11-16 2007-10-31 ローム株式会社 端子基板、端子基板を備えた電池パック、および端子基板の製造方法
US6733924B1 (en) 1999-11-23 2004-05-11 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US6797428B1 (en) 1999-11-23 2004-09-28 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US7247408B2 (en) 1999-11-23 2007-07-24 Sion Power Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US6511516B1 (en) 2000-02-23 2003-01-28 Johnson Research & Development Co., Inc. Method and apparatus for producing lithium based cathodes
US6582481B1 (en) 1999-11-23 2003-06-24 Johnson Research & Development Company, Inc. Method of producing lithium base cathodes
US6350353B2 (en) 1999-11-24 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage
US6426863B1 (en) 1999-11-25 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. Electrochemical capacitor
US6294288B1 (en) 1999-12-01 2001-09-25 Valence Technology, Inc. Battery cell having notched layers
WO2001040836A1 (en) 1999-12-02 2001-06-07 Gemfire Corporation Photodefinition of optical devices
US6344419B1 (en) 1999-12-03 2002-02-05 Applied Materials, Inc. Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement
JP3611765B2 (ja) 1999-12-09 2005-01-19 シャープ株式会社 二次電池及びそれを用いた電子機器
JP2001176464A (ja) 1999-12-17 2001-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池
US6426163B1 (en) 1999-12-21 2002-07-30 Alcatel Electrochemical cell
US6576546B2 (en) 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
US6534809B2 (en) 1999-12-22 2003-03-18 Agilent Technologies, Inc. Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks
JP2001171812A (ja) 1999-12-22 2001-06-26 Tokyo Gas Co Ltd 岩盤内貯蔵施設およびその施工方法
CN1307376A (zh) 2000-01-27 2001-08-08 钟馨稼 一种可反复充放电的铬氟锂固体动力电池
US6372383B1 (en) 2000-01-31 2002-04-16 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for preparing electrodes for Ni/Metal hydride secondary cells using Cu
US6627056B2 (en) 2000-02-16 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ionized plasma deposition
TW523615B (en) 2000-02-17 2003-03-11 L3 Optics Inc Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component
CN1152350C (zh) 2000-02-18 2004-06-02 西帕克公司 识别和验证移动电子事务处理装置的持有者的方法和装置
US6768246B2 (en) 2000-02-23 2004-07-27 Sri International Biologically powered electroactive polymer generators
TW584905B (en) 2000-02-25 2004-04-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for depositing films
US6410471B2 (en) 2000-03-07 2002-06-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparation of sintered body of rare earth oxide
ES2310546T3 (es) 2000-03-09 2009-01-16 Isovolta Ag Procedimiento para la fabricacion de un modulo fotovoltaico de pelicula delgada.
FR2806198B1 (fr) 2000-03-13 2003-08-15 Sagem Dispositif radio d'echange d'informations
US6642895B2 (en) 2000-03-15 2003-11-04 Asulab S.A. Multifrequency antenna for instrument with small volume
JP2001259494A (ja) 2000-03-17 2001-09-25 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 薄膜形成方法
US7194801B2 (en) 2000-03-24 2007-03-27 Cymbet Corporation Thin-film battery having ultra-thin electrolyte and associated method
US6387563B1 (en) 2000-03-28 2002-05-14 Johnson Research & Development, Inc. Method of producing a thin film battery having a protective packaging
JP4106644B2 (ja) 2000-04-04 2008-06-25 ソニー株式会社 電池およびその製造方法
US6423106B1 (en) 2000-04-05 2002-07-23 Johnson Research & Development Method of producing a thin film battery anode
US6709778B2 (en) 2000-04-10 2004-03-23 Johnson Electro Mechanical Systems, Llc Electrochemical conversion system
GB2361244B (en) 2000-04-14 2004-02-11 Trikon Holdings Ltd A method of depositing dielectric
US6365319B1 (en) 2000-04-20 2002-04-02 Eastman Kodak Company Self-contained imaging media comprising opaque laminated support
US20010052752A1 (en) 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
KR100341407B1 (ko) 2000-05-01 2002-06-22 윤덕용 플라즈마 처리에 의한 리튬전이금속 산화물 박막의 결정화방법
US6433465B1 (en) 2000-05-02 2002-08-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Energy-harvesting device using electrostrictive polymers
US6423776B1 (en) 2000-05-02 2002-07-23 Honeywell International Inc. Oxygen scavenging high barrier polyamide compositions for packaging applications
US6760520B1 (en) 2000-05-09 2004-07-06 Teralux Corporation System and method for passively aligning and coupling optical devices
US6261917B1 (en) 2000-05-09 2001-07-17 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. High-K MOM capacitor
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
JP4432206B2 (ja) 2000-05-18 2010-03-17 株式会社ブリヂストン 積層膜の形成方法
US6436156B1 (en) 2000-05-25 2002-08-20 The Gillette Company Zinc/air cell
EP1160900A3 (en) 2000-05-26 2007-12-12 Kabushiki Kaisha Riken Embossed current collector separator for electrochemical fuel cell
US6284406B1 (en) 2000-06-09 2001-09-04 Ntk Powerdex, Inc. IC card with thin battery
US6524750B1 (en) 2000-06-17 2003-02-25 Eveready Battery Company, Inc. Doped titanium oxide additives
US6432577B1 (en) 2000-06-29 2002-08-13 Sandia Corporation Apparatus and method for fabricating a microbattery
JP2002026173A (ja) 2000-07-10 2002-01-25 Fuji Photo Film Co Ltd Ｉｃ装置、基板、およびｉｃ組付基板
US6524466B1 (en) 2000-07-18 2003-02-25 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing fouling and corrosion of biomedical devices and structures
US20040247921A1 (en) 2000-07-18 2004-12-09 Dodsworth Robert S. Etched dielectric film in hard disk drives
KR100336407B1 (ko) 2000-07-19 2002-05-10 박호군 박막 전지를 위한 전해질용 리튬인산염 스퍼터링 타겟제조방법
JP3608507B2 (ja) 2000-07-19 2005-01-12 住友電気工業株式会社 アルカリ金属薄膜部材の製造方法
US6506289B2 (en) 2000-08-07 2003-01-14 Symmorphix, Inc. Planar optical devices and methods for their manufacture
US6402796B1 (en) 2000-08-07 2002-06-11 Excellatron Solid State, Llc Method of producing a thin film battery
US20020110733A1 (en) 2000-08-07 2002-08-15 Johnson Lonnie G. Systems and methods for producing multilayer thin film energy storage devices
WO2002049405A2 (en) 2000-08-15 2002-06-20 World Properties, Inc. Multi-layer circuits and methods of manufacture thereof
US6572173B2 (en) 2000-08-28 2003-06-03 Mueller Hermann-Frank Sun shield for vehicles
KR100387121B1 (ko) 2000-08-31 2003-06-12 주식회사 애니셀 수직 방향으로 집적된 다층 박막전지 및 그의 제조방법
US6866963B2 (en) 2000-09-04 2005-03-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Cathode active material and lithium battery employing the same
US7056620B2 (en) 2000-09-07 2006-06-06 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and method of manufacture
US6632563B1 (en) 2000-09-07 2003-10-14 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and method of manufacture
CA2422212A1 (en) 2000-09-14 2003-03-13 Ulf Zum Felde Electrochemically activatable layer or film
US6628876B1 (en) 2000-09-15 2003-09-30 Triquint Technology Holding Co. Method for making a planar waveguide
TW448318B (en) 2000-09-18 2001-08-01 Nat Science Council Erbium, Yttrium co-doped Titanium oxide thin film material for planar optical waveguide amplifier
DE10165080B4 (de) 2000-09-20 2015-05-13 Hitachi Metals, Ltd. Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
US6637916B2 (en) 2000-10-05 2003-10-28 Muellner Hermann-Frank Lamp for vehicles
US6660660B2 (en) 2000-10-10 2003-12-09 Asm International, Nv. Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
JP4532713B2 (ja) 2000-10-11 2010-08-25 東洋鋼鈑株式会社 多層金属積層フィルム及びその製造方法
KR100389655B1 (ko) 2000-10-14 2003-06-27 삼성에스디아이 주식회사 우수한 사이클링 안정성과 높은 이온 전도도를 갖는리튬-이온 이차 박막 전지
US6622049B2 (en) 2000-10-16 2003-09-16 Remon Medical Technologies Ltd. Miniature implantable illuminator for photodynamic therapy
US6488822B1 (en) 2000-10-20 2002-12-03 Veecoleve, Inc. Segmented-target ionized physical-vapor deposition apparatus and method of operation
US6525976B1 (en) 2000-10-24 2003-02-25 Excellatron Solid State, Llc Systems and methods for reducing noise in mixed-mode integrated circuits
JP2002140776A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 人体状態検出装置及び人体状態確認システム
US6863699B1 (en) 2000-11-03 2005-03-08 Front Edge Technology, Inc. Sputter deposition of lithium phosphorous oxynitride material
US6413382B1 (en) 2000-11-03 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Pulsed sputtering with a small rotating magnetron
JP3812324B2 (ja) 2000-11-06 2006-08-23 日本電気株式会社 リチウム二次電池とその製造方法
US6494999B1 (en) 2000-11-09 2002-12-17 Honeywell International Inc. Magnetron sputtering apparatus with an integral cooling and pressure relieving cathode
ATE356444T1 (de) 2000-11-18 2007-03-15 Samsung Sdi Co Ltd Dünnschicht anode für lithium enthaltende sekundärbatterie
KR100389908B1 (ko) 2000-11-18 2003-07-04 삼성에스디아이 주식회사 리튬 2차 전지용 음극 박막
US20020106297A1 (en) 2000-12-01 2002-08-08 Hitachi Metals, Ltd. Co-base target and method of producing the same
NL1016779C2 (nl) 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
JP4461656B2 (ja) 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
US20020071989A1 (en) 2000-12-08 2002-06-13 Verma Surrenda K. Packaging systems and methods for thin film solid state batteries
US6577490B2 (en) 2000-12-12 2003-06-10 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board
US20020091929A1 (en) 2000-12-19 2002-07-11 Jakob Ehrensvard Secure digital signing of data
DE60132809T2 (de) 2000-12-21 2009-02-05 Sion Power Corp., Tucson Lithium anoden für elektrochemische zellen
US6444336B1 (en) 2000-12-21 2002-09-03 The Regents Of The University Of California Thin film dielectric composite materials
US6620545B2 (en) 2001-01-05 2003-09-16 Visteon Global Technologies, Inc. ETM based battery
US6650000B2 (en) 2001-01-16 2003-11-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for forming a battery in an integrated circuit
US6533907B2 (en) 2001-01-19 2003-03-18 Symmorphix, Inc. Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications
US6673716B1 (en) 2001-01-30 2004-01-06 Novellus Systems, Inc. Control of the deposition temperature to reduce the via and contact resistance of Ti and TiN deposited using ionized PVD techniques
US6621012B2 (en) 2001-02-01 2003-09-16 International Business Machines Corporation Insertion of electrical component within a via of a printed circuit board
US6558836B1 (en) 2001-02-08 2003-05-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Structure of thin-film lithium microbatteries
US6589299B2 (en) 2001-02-13 2003-07-08 3M Innovative Properties Company Method for making electrode
WO2002071506A1 (en) 2001-02-15 2002-09-12 Emagin Corporation Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US20020139662A1 (en) 2001-02-21 2002-10-03 Lee Brent W. Thin-film deposition of low conductivity targets using cathodic ARC plasma process
US20020164441A1 (en) 2001-03-01 2002-11-07 The University Of Chicago Packaging for primary and secondary batteries
US7048400B2 (en) 2001-03-22 2006-05-23 Lumimove, Inc. Integrated illumination system
US7164206B2 (en) 2001-03-28 2007-01-16 Intel Corporation Structure in a microelectronic device including a bi-layer for a diffusion barrier and an etch-stop layer
US6797137B2 (en) 2001-04-11 2004-09-28 Heraeus, Inc. Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal
US7033406B2 (en) 2001-04-12 2006-04-25 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US7914755B2 (en) 2001-04-12 2011-03-29 Eestor, Inc. Method of preparing ceramic powders using chelate precursors
US7595109B2 (en) 2001-04-12 2009-09-29 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US6677070B2 (en) 2001-04-19 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same
US6782290B2 (en) 2001-04-27 2004-08-24 Medtronic, Inc. Implantable medical device with rechargeable thin-film microbattery power source
US7744735B2 (en) 2001-05-04 2010-06-29 Tokyo Electron Limited Ionized PVD with sequential deposition and etching
US6743488B2 (en) 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
JP2002344115A (ja) 2001-05-16 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 成膜方法及びプリント基板の製造方法
US6650942B2 (en) 2001-05-30 2003-11-18 Medtronic, Inc. Implantable medical device with dual cell power source
US6517968B2 (en) 2001-06-11 2003-02-11 Excellatron Solid State, Llc Thin lithium film battery
US6752842B2 (en) 2001-06-18 2004-06-22 Power Paper Ltd. Manufacture of flexible thin layer electrochemical cell
JP3737389B2 (ja) 2001-06-19 2006-01-18 京セラ株式会社 バッテリー
JP4183401B2 (ja) 2001-06-28 2008-11-19 三洋電機株式会社 リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池
JP3929839B2 (ja) 2001-06-28 2007-06-13 松下電器産業株式会社 電池及び電池パック
US6768855B1 (en) 2001-07-05 2004-07-27 Sandia Corporation Vertically-tapered optical waveguide and optical spot transformer formed therefrom
US7469558B2 (en) 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US6758404B2 (en) 2001-08-03 2004-07-06 General Instrument Corporation Media cipher smart card
US7335441B2 (en) 2001-08-20 2008-02-26 Power Paper Ltd. Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
US6500676B1 (en) 2001-08-20 2002-12-31 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for depositing magnetic films
US7022431B2 (en) 2001-08-20 2006-04-04 Power Paper Ltd. Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
TW558914B (en) 2001-08-24 2003-10-21 Dainippon Printing Co Ltd Multi-face forming mask device for vacuum deposition
KR100382767B1 (ko) 2001-08-25 2003-05-09 삼성에스디아이 주식회사 리튬 2차 전지용 음극 박막 및 그의 제조방법
CN1295710C (zh) 2001-08-28 2007-01-17 Tdk株式会社 薄膜电容元件用组合物、绝缘膜、薄膜电容元件和电容器
CN1293664C (zh) 2001-09-03 2007-01-03 松下电器产业株式会社 电化学元件的制造方法
US7118825B2 (en) 2001-09-05 2006-10-10 Omnitek Partners Llc Conformal power supplies
US6637906B2 (en) 2001-09-11 2003-10-28 Recot, Inc. Electroluminescent flexible film for product packaging
TW560102B (en) * 2001-09-12 2003-11-01 Itn Energy Systems Inc Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design
WO2003022564A1 (en) 2001-09-12 2003-03-20 Itn Energy Systems, Inc. Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration
US6838209B2 (en) 2001-09-21 2005-01-04 Eveready Battery Company, Inc. Flexible thin battery and method of manufacturing same
JP4041961B2 (ja) * 2001-09-26 2008-02-06 ソニー株式会社 燃料電池，電気機器及び燃料電池の実装方法
CA2406500C (en) 2001-10-01 2008-04-01 Research In Motion Limited An over-voltage protection circuit for use in a charging circuit
US7115516B2 (en) 2001-10-09 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing a material layer
JP2003124491A (ja) 2001-10-15 2003-04-25 Sharp Corp 薄膜太陽電池モジュール
JP4015835B2 (ja) 2001-10-17 2007-11-28 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
US6666982B2 (en) 2001-10-22 2003-12-23 Tokyo Electron Limited Protection of dielectric window in inductively coupled plasma generation
FR2831318B1 (fr) 2001-10-22 2006-06-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif de stockage d'energie a recharge rapide, sous forme de films minces
US6750156B2 (en) 2001-10-24 2004-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming an anti-reflective coating on a substrate
KR100424637B1 (ko) 2001-10-25 2004-03-24 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 박막 전극 및 그 제조방법
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6805999B2 (en) 2001-11-13 2004-10-19 Midwest Research Institute Buried anode lithium thin film battery and process for forming the same
KR100425585B1 (ko) 2001-11-22 2004-04-06 한국전자통신연구원 가교 고분자 보호박막을 갖춘 리튬 고분자 이차 전지 및그 제조 방법
US20030097858A1 (en) 2001-11-26 2003-05-29 Christof Strohhofer Silver sensitized erbium ion doped planar waveguide amplifier
US6830846B2 (en) 2001-11-29 2004-12-14 3M Innovative Properties Company Discontinuous cathode sheet halfcell web
US20030109903A1 (en) 2001-12-12 2003-06-12 Epic Biosonics Inc. Low profile subcutaneous enclosure
US6683749B2 (en) 2001-12-19 2004-01-27 Storage Technology Corporation Magnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width
US6737789B2 (en) 2002-01-18 2004-05-18 Leon J. Radziemski Force activated, piezoelectric, electricity generation, storage, conditioning and supply apparatus and methods
US20040081415A1 (en) 2002-01-22 2004-04-29 Demaray Richard E. Planar optical waveguide amplifier with mode size converter
US20030143853A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Celii Francis G. FeRAM capacitor stack etch
DE10204138B4 (de) 2002-02-01 2004-05-13 Robert Bosch Gmbh Kommunikationsgerät
US20030152829A1 (en) 2002-02-12 2003-08-14 Ji-Guang Zhang Thin lithium film battery
JP3565207B2 (ja) 2002-02-27 2004-09-15 日産自動車株式会社 電池パック
US6713987B2 (en) 2002-02-28 2004-03-30 Front Edge Technology, Inc. Rechargeable battery having permeable anode current collector
US7081693B2 (en) 2002-03-07 2006-07-25 Microstrain, Inc. Energy harvesting for wireless sensor operation and data transmission
US20030174391A1 (en) 2002-03-16 2003-09-18 Tao Pan Gain flattened optical amplifier
US6884327B2 (en) 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US20030175142A1 (en) 2002-03-16 2003-09-18 Vassiliki Milonopoulou Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US6885028B2 (en) 2002-03-25 2005-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha Transistor array and active-matrix substrate
TWI283031B (en) 2002-03-25 2007-06-21 Epistar Corp Method for integrating compound semiconductor with substrate of high thermal conductivity
US6792026B2 (en) 2002-03-26 2004-09-14 Joseph Reid Henrichs Folded cavity solid-state laser
JP2003282142A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜積層体、薄膜電池、コンデンサ、及び薄膜積層体の製造方法と製造装置
US7208195B2 (en) 2002-03-27 2007-04-24 Ener1Group, Inc. Methods and apparatus for deposition of thin films
KR100454092B1 (ko) 2002-04-29 2004-10-26 광주과학기술원 급속 열처리법을 이용한 박막전지용 양극박막의 제조방법
DE10318187B4 (de) 2002-05-02 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verkapselungsverfahren für organische Leuchtdiodenbauelemente
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
JP4043296B2 (ja) 2002-06-13 2008-02-06 松下電器産業株式会社 全固体電池
US6700491B2 (en) 2002-06-14 2004-03-02 Sensormatic Electronics Corporation Radio frequency identification tag with thin-film battery for antenna
US6780208B2 (en) 2002-06-28 2004-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making printed battery structures
US6818356B1 (en) 2002-07-09 2004-11-16 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Thin film battery and electrolyte therefor
US7410730B2 (en) 2002-07-09 2008-08-12 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Thin film battery and electrolyte therefor
US7362659B2 (en) 2002-07-11 2008-04-22 Action Manufacturing Company Low current microcontroller circuit
US6835493B2 (en) 2002-07-26 2004-12-28 Excellatron Solid State, Llc Thin film battery
US6770176B2 (en) 2002-08-02 2004-08-03 Itn Energy Systems. Inc. Apparatus and method for fracture absorption layer
JP2004071305A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Hitachi Maxell Ltd 非水電解質二次電池
JP3729164B2 (ja) 2002-08-05 2005-12-21 日産自動車株式会社 自動車用電池
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US20070264564A1 (en) * 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8394522B2 (en) * 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US6916679B2 (en) 2002-08-09 2005-07-12 Infinite Power Solutions, Inc. Methods of and device for encapsulation and termination of electronic devices
US20080003496A1 (en) 2002-08-09 2008-01-03 Neudecker Bernd J Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
KR20040017478A (ko) 2002-08-21 2004-02-27 한국과학기술원 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판
AU2003261463A1 (en) 2002-08-27 2004-03-19 Symmorphix, Inc. Optically coupling into highly uniform waveguides
US20040048157A1 (en) 2002-09-11 2004-03-11 Neudecker Bernd J. Lithium vanadium oxide thin-film battery
US6994933B1 (en) 2002-09-16 2006-02-07 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Long life thin film battery and method therefor
JP4614625B2 (ja) 2002-09-30 2011-01-19 三洋電機株式会社 リチウム二次電池の製造方法
US7282302B2 (en) 2002-10-15 2007-10-16 Polyplus Battery Company Ionically conductive composites for protection of active metal anodes
US20040081860A1 (en) 2002-10-29 2004-04-29 Stmicroelectronics, Inc. Thin-film battery equipment
JP2004149849A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Hitachi Chem Co Ltd 金属薄膜の形成方法及び電極付基板
US20040085002A1 (en) 2002-11-05 2004-05-06 Pearce Michael Baker Method and apparatus for an incidental use piezoelectric energy source with thin-film battery
JP2004158268A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Sony Corp 成膜装置
JP2006505973A (ja) 2002-11-07 2006-02-16 フラクタス・ソシエダッド・アノニマ 微小アンテナを含む集積回路パッケージ
DE10252308B3 (de) 2002-11-11 2004-04-29 Schweizer Electronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halberzeugnisleiterplatte
KR100682883B1 (ko) 2002-11-27 2007-02-15 삼성전자주식회사 고체 전해질, 그의 제조방법 및 이를 채용한 리튬전지 및 박막전지
KR100575329B1 (ko) 2002-11-27 2006-05-02 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 고체전해질 및 그것을 사용한 전고체전지
JP4777593B2 (ja) 2002-11-29 2011-09-21 株式会社オハラ リチウムイオン二次電池の製造方法
EP1431422B1 (de) 2002-12-16 2006-12-13 Basf Aktiengesellschaft Verfahren zur Gewinnung von Lithium
JP4072049B2 (ja) 2002-12-25 2008-04-02 京セラ株式会社 燃料電池セル及び燃料電池
TWI261045B (en) 2002-12-30 2006-09-01 Ind Tech Res Inst Composite nanofibers and their fabrications
WO2004061887A1 (en) 2003-01-02 2004-07-22 Cymbet Corporation Solid-state battery-powered devices and manufacturing methods
US6906436B2 (en) 2003-01-02 2005-06-14 Cymbet Corporation Solid state activity-activated battery device and method
TWI341337B (en) 2003-01-07 2011-05-01 Cabot Corp Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
US20040135160A1 (en) 2003-01-10 2004-07-15 Eastman Kodak Company OLED device
IL153895A (en) 2003-01-12 2013-01-31 Orion Solar Systems Ltd Solar cell device
KR100513726B1 (ko) 2003-01-30 2005-09-08 삼성전자주식회사 고체 전해질, 이를 채용한 전지 및 그 고체 전해질의 제조방법
DE10304824A1 (de) 2003-01-31 2004-08-12 Varta Microbattery Gmbh Dünne elektronische Chipkarte
RU2241281C2 (ru) 2003-02-10 2004-11-27 Институт химии и химической технологии СО РАН Способ получения тонких пленок кобальтата лития
JP2004273436A (ja) 2003-02-18 2004-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 全固体薄膜積層電池
KR100691168B1 (ko) 2003-02-27 2007-03-09 섬모픽스, 인코포레이티드 유전 장벽층 필름
US6936407B2 (en) 2003-02-28 2005-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film electronic device module
KR100590376B1 (ko) 2003-03-20 2006-06-19 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 집합전지
CN1274052C (zh) 2003-03-21 2006-09-06 比亚迪股份有限公司 锂离子二次电池的制造方法
JP4635407B2 (ja) 2003-03-25 2011-02-23 三洋電機株式会社 二次電池用非水系電解液及び非水系電解液二次電池
US6955986B2 (en) 2003-03-27 2005-10-18 Asm International N.V. Atomic layer deposition methods for forming a multi-layer adhesion-barrier layer for integrated circuits
US20050186289A1 (en) 2003-04-01 2005-08-25 Medical College Of Georgia Research Institute, Inc. Regulation of T cell-mediated immunity by D isomers of inhibitors of indoleamine-2,3-dioxygenase
US20070141468A1 (en) 2003-04-03 2007-06-21 Jeremy Barker Electrodes Comprising Mixed Active Particles
US7253494B2 (en) 2003-04-04 2007-08-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Battery mounted integrated circuit device having diffusion layers that prevent cations serving to charge and discharge battery from diffusing into the integrated circuit region
US20040258984A1 (en) 2003-04-14 2004-12-23 Massachusetts Institute Of Technology Integrated thin film batteries on silicon integrated circuits
KR100508945B1 (ko) 2003-04-17 2005-08-17 삼성에스디아이 주식회사 리튬 전지용 음극, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 리튬전지
US7045246B2 (en) 2003-04-22 2006-05-16 The Aerospace Corporation Integrated thin film battery and circuit module
US7088031B2 (en) 2003-04-22 2006-08-08 Infinite Power Solutions, Inc. Method and apparatus for an ambient energy battery or capacitor recharge system
US6936377B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 C. Glen Wensley Card with embedded IC and electrochemical cell
US7238628B2 (en) 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US6852139B2 (en) 2003-07-11 2005-02-08 Excellatron Solid State, Llc System and method of producing thin-film electrolyte
US6886240B2 (en) 2003-07-11 2005-05-03 Excellatron Solid State, Llc Apparatus for producing thin-film electrolyte
WO2005008828A1 (en) 2003-07-11 2005-01-27 Excellatron Solid State, Llc System and method of producing thin-film electrolyte
US20050037262A1 (en) 2003-08-01 2005-02-17 Alain Vallee Cathode material for polymer batteries and method of preparing same
AT500259B1 (de) 2003-09-09 2007-08-15 Austria Tech & System Tech Dünnschichtanordnung und verfahren zum herstellen einer solchen dünnschichtanordnung
US20050070097A1 (en) 2003-09-29 2005-03-31 International Business Machines Corporation Atomic laminates for diffusion barrier applications
US7230321B2 (en) 2003-10-13 2007-06-12 Mccain Joseph Integrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode
US20050079418A1 (en) 2003-10-14 2005-04-14 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for thin film battery fabrication
US7211351B2 (en) 2003-10-16 2007-05-01 Cymbet Corporation Lithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method
FR2861218B1 (fr) 2003-10-16 2007-04-20 Commissariat Energie Atomique Couche et procede de protection de microbatteries par une bicouche ceramique-metal
US20050133361A1 (en) 2003-12-12 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Compensation of spacing between magnetron and sputter target
EP1544917A1 (en) 2003-12-15 2005-06-22 Dialog Semiconductor GmbH Integrated battery pack with lead frame connection
JP2005196971A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウム二次電池用負極とその製造方法ならびにリチウム二次電池
WO2005067645A2 (en) 2004-01-06 2005-07-28 Cymbet Corporation Layered barrier structure having one or more definable layers and method
TWI302760B (en) 2004-01-15 2008-11-01 Lg Chemical Ltd Electrochemical device comprising aliphatic nitrile compound
JP3859645B2 (ja) 2004-01-16 2006-12-20 Ｎｅｃラミリオンエナジー株式会社 フィルム外装電気デバイス
US7968233B2 (en) 2004-02-18 2011-06-28 Solicore, Inc. Lithium inks and electrodes and batteries made therefrom
KR101168253B1 (ko) 2004-03-06 2012-07-31 베르너 벱프너 화학적으로 안정한 고체 리튬 이온 전도체
DE102004010892B3 (de) 2004-03-06 2005-11-24 Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel Chemisch stabiler fester Lithiumionenleiter
JP4418262B2 (ja) 2004-03-12 2010-02-17 三井造船株式会社 基板・マスク固定装置
US20050255828A1 (en) 2004-05-03 2005-11-17 Critical Wireless Corporation Remote terminal unit and remote monitoring and control system
US7052741B2 (en) 2004-05-18 2006-05-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of fabricating a fibrous structure for use in electrochemical applications
WO2006014622A2 (en) 2004-07-19 2006-02-09 Face Bradbury R Footwear incorporating piezoelectric energy harvesting system
US7195950B2 (en) 2004-07-21 2007-03-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Forming a plurality of thin-film devices
US7645246B2 (en) 2004-08-11 2010-01-12 Omnitek Partners Llc Method for generating power across a joint of the body during a locomotion cycle
JP4892180B2 (ja) 2004-08-20 2012-03-07 セイコーインスツル株式会社 電気化学セル、その製造方法およびその外観検査方法
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
DE602005017512D1 (de) 2004-12-08 2009-12-17 Symmorphix Inc Abscheidung von licoo2
US7670724B1 (en) 2005-01-05 2010-03-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Alkali-hydroxide modified poly-vinylidene fluoride/polyethylene oxide lithium-air battery
US20060155545A1 (en) 2005-01-11 2006-07-13 Hosanna, Inc. Multi-source powered audio playback system
KR101101001B1 (ko) 2005-01-19 2011-12-29 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인 술폰계 전해질을 갖는 전류 생성 장치
EP1847025A2 (en) 2005-01-20 2007-10-24 BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration Inc. Microradio design, manufacturing method and applications for the use of microradios
WO2006085307A1 (en) 2005-02-08 2006-08-17 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Solid-state neutron and alpha particles detector and methods for manufacturing and use thereof
DE102005014427B4 (de) 2005-03-24 2008-05-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements
EP1713024A1 (en) 2005-04-14 2006-10-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. A card, a method of manufacturing the card, and a thin type battery for the card
US20060237543A1 (en) 2005-04-20 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Card, manufacturing method of card, and thin type battery for card
DE102005032489B3 (de) 2005-07-04 2006-11-16 Schweizer Electronic Ag Leiterplatten-Mehrschichtaufbau mit integriertem elektrischem Bauteil und Herstellungsverfahren
US20070021156A1 (en) 2005-07-19 2007-01-25 Hoong Chow T Compact radio communications device
US8182661B2 (en) 2005-07-27 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Controllable target cooling
US7400253B2 (en) 2005-08-04 2008-07-15 Mhcmos, Llc Harvesting ambient radio frequency electromagnetic energy for powering wireless electronic devices, sensors and sensor networks and applications thereof
EP1917689B1 (en) 2005-08-09 2017-11-08 Polyplus Battery Company Compliant seal structures for protected active metal anodes
CN101263641B (zh) 2005-08-10 2012-01-11 仿生能源有限公司 用于收集生物机械能的方法和设备
DK176361B1 (da) 2005-08-12 2007-09-24 Gn As Kommunikationsenhed med indbygget antenne
US7838133B2 (en) 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US7553582B2 (en) 2005-09-06 2009-06-30 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Getters for thin film battery hermetic package
US7202825B2 (en) 2005-09-15 2007-04-10 Motorola, Inc. Wireless communication device with integrated battery/antenna system
US7345647B1 (en) 2005-10-05 2008-03-18 Sandia Corporation Antenna structure with distributed strip
US20110267235A1 (en) 2006-01-20 2011-11-03 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method of tracking a vehicle using microradios
US20070187836A1 (en) 2006-02-15 2007-08-16 Texas Instruments Incorporated Package on package design a combination of laminate and tape substrate, with back-to-back die combination
DE102006009789B3 (de) 2006-03-01 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse
KR101362954B1 (ko) 2006-03-10 2014-02-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작방법
EP1997232A4 (en) 2006-03-22 2010-03-17 Powercast Corp METHOD AND DEVICE FOR IMPLEMENTING A WIRELESS POWER SUPPLY
US8155712B2 (en) 2006-03-23 2012-04-10 Sibeam, Inc. Low power very high-data rate device
US20070235320A1 (en) 2006-04-06 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Reactive sputtering chamber with gas distribution tubes
TWI419397B (zh) * 2006-05-12 2013-12-11 Infinite Power Solutions Inc 位於半導體或半導體裝置上的薄膜式電池及其製造方法
DE102006025671B4 (de) 2006-06-01 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen
US8162230B2 (en) 2006-10-17 2012-04-24 Powerid Ltd. Method and circuit for providing RF isolation of a power source from an antenna and an RFID device employing such a circuit
JP4058456B2 (ja) 2006-10-23 2008-03-12 富士通株式会社 情報処理装置用機能拡張装置
DE102006054309A1 (de) 2006-11-17 2008-05-21 Dieter Teckhaus Batteriezelle mit Kontaktelementenanordnung
US7466274B2 (en) 2006-12-20 2008-12-16 Cheng Uei Precision Industry Co., Ltd. Multi-band antenna
JP4466668B2 (ja) 2007-03-20 2010-05-26 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US7915089B2 (en) 2007-04-10 2011-03-29 Infineon Technologies Ag Encapsulation method
US7862627B2 (en) 2007-04-27 2011-01-04 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery substrate cutting and fabrication process
US7848715B2 (en) 2007-05-03 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Circuit and method
KR100980995B1 (ko) * 2007-06-19 2010-09-07 현대자동차주식회사 연료전지용 지능형 전극막
DE102007030604A1 (de) 2007-07-02 2009-01-08 Weppner, Werner, Prof. Dr. Ionenleiter mit Granatstruktur
US20090092903A1 (en) 2007-08-29 2009-04-09 Johnson Lonnie G Low Cost Solid State Rechargeable Battery and Method of Manufacturing Same
US8634773B2 (en) 2007-10-12 2014-01-21 Cochlear Limited Short range communications for body contacting devices
TWI372011B (en) * 2007-11-19 2012-09-01 Unimicron Technology Corp Printed circuit board having power source
KR101606183B1 (ko) 2008-01-11 2016-03-25 사푸라스트 리써치 엘엘씨 박막 배터리 및 기타 소자를 위한 박막 캡슐화
US9117602B2 (en) * 2008-01-17 2015-08-25 Harris Corporation Three-dimensional liquid crystal polymer multilayer circuit board including membrane switch and related methods
US8056814B2 (en) 2008-02-27 2011-11-15 Tagsys Sas Combined EAS/RFID tag
TW200952250A (en) 2008-06-12 2009-12-16 Arima Comm Co Ltd Portable electronic device having broadcast antenna
CN102119454B (zh) 2008-08-11 2014-07-30 无穷动力解决方案股份有限公司 具有用于电磁能量收集的一体收集器表面的能量设备及其方法
US8389160B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Envia Systems, Inc. Positive electrode materials for lithium ion batteries having a high specific discharge capacity and processes for the synthesis of these materials

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019468A (en) * 1988-10-27 1991-05-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Sheet type storage battery and printed wiring board containing the same
JPH02121383A (ja) * 1988-10-28 1990-05-09 Brother Ind Ltd 蓄電池内蔵型プリント配線板
JPH11274735A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Toshiba Battery Co Ltd 多層印刷配線板
JP2001308537A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 電池内蔵型基板
JP2003046254A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Nippon Zeon Co Ltd 回路基板および回路基板の製造方法
JP2004165562A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Denso Corp スピーカ付基板及びその製造方法
JP2005056761A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd シート状電池及び電子機器
US20050189139A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Hei, Inc. Flexible circuit having an integrally formed battery
US20080084678A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-10 Motorola, Inc. Printed circuit board and a method for imbedding a battery in a printed circuit board

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US9532453B2 (en) 2016-12-27
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