JP5876088B2 - 集積回路、及び、電池の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、米国仮特許出願第60/799,904号(2006年5月12日出願)に対し、米国特許法第119条(e)の優先権を主張し、その内容のすべてが参考として本明細書において援用され、また、本発明は、米国特許出願第11/687,032号(2007年3月16日出願、名称「Metal Film Encapsulation」)の一部継続であり、該出願に対し、米国特許法第120条の利益を主張し、該出願は、米国仮特許出願第60/782,792号(2006年3月16日出願)に対し、米国特許法第119条(e)の優先権を主張し、両出願は、その内容のすべてが参考として本明細書において援用される。本出願は、米国仮特許出願第11/561,277号(2006年11月17日出願、名称「Hybrid Thin Film Battery」)に関連し、該仮出願は、米国仮特許出願第60/759,479号(2006年1月17日出願)に対し、米国特許法第119条(e)の優先権を主張し、前者の内容のすべてが参考として本明細書において援用される。本出願は、また、米国仮特許出願第60/737,613号(2005年11月17日出願、名称「Flexible,Rechargeable,Solid−State,Ultra−Thin Performance
Battery」)に関連し、該出願の内容のすべてが参考として本明細書において援用される。本出願は、また、米国特許出願第11/209,536号(2005年8月23日出願、名称「Electrochemical Apparatus with Barrier Layer Protected Substrate」)に関連し、該出願の内容のすべてが参考として本明細書において援用される。本出願は、また、米国特許出願第11/374,282号(2005年6月15日出願、名称「Electrochemical Apparatus with Barrier Layer Protected Substrate」)に関連し、該出願の内容のすべてが参考として本明細書において援用される。本出願は、また、米国特許第6,916,679号(2005年7月12日発行、名称「Methods of and Device for Encapsulation and Termination of Electronic Devices」)に関連し、該特許の内容のすべてが参考として本明細書において援用される。本出願は、また、米国仮特許出願第60/690,697号(2005年1月15日出願、名称「Electrochemical Apparatus with Barrier Layer Protected Substrate」)に関連し、該出願の内容のすべてが参考として本明細書において援用される。本出願は、米国特許出願第10/611,431号(2003年7月2日出願、名称「Method and Apparatus for an Ambient Energy Battery or Capacitor Recharge System」)に関連し、該出願は、さらに、米国仮特許出願第60/464,357号(2003年4月22日出願)の利益を主張し、両者の内容のすべてが参考として本明細書において援用される。
本発明の技術分野は、素子、組成物、ならびに可撓性固体、薄膜、二次的および一次的な電気化学的素子の、堆積および加工方法であり、この電気化学的素子には、半導体表面上、集積回路チップ等の半導体素子の導電もしくは絶縁性表面上、またはプリント回路基板等の回路基板上の電池を含む。
この実施形態の例は、アノード、カソード、および電解質層で電池セル構造を生成するステップと、該接着層内に少なくとも1つの導体を埋め込むステップと、該接着層を介して少なくとも1つの導電ワイヤを組み入れるステップであって、該導電ワイヤの選択的部分は露出される、ステップと、該接着層を加熱し、該接着層内で該導体を圧縮するステップと、絶縁材料で該電池を絶縁するステップと、を含んでもよい。この例示的な実施形態は、該接着層内に埋め込まれた絶縁補強層を提供することを含んでもよい。該補強層は、選択的導電性であってもよい。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
第1の電気接触部と、
該第1の電気接触部に結合され、少なくとも1つの埋め込み導体を備える、接着層と、
該少なくとも1つの埋め込み導体を介して、該第1の電気接触部と選択的に電気接触している少なくとも1つの電池セル構造と、
半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁パッケージ表面と
を備え、
該接着層および該少なくとも1つの電池セル構造は、該第1の接触層と、該半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面との間に挟装される、電池を含む集積回路。
(項目2)
少なくとも1つの埋め込み導体を介して、上記半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁パッケージ表面と選択的に電気接触している上記第1の電気接触部をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目3)
上記第1の電気接触部は、封入金属をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目4)
上記半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁パッケージ表面は、上記少なくとも1つの電池セル構造の封入として機能する、項目1に記載の集積回路。
(項目5)
上記接着層は、接着性材料、絶縁材料、プラスチック、ガラス、Kevlar(登録商標)、補強材料、および繊維ガラスを備える群から選択される材料を備える、項目1に記載の集積回路。
(項目6)
上記埋め込み導体は、タブ、ワイヤ、金属片、金属薄帯、多数のワイヤ、多数の金属片、多数の金属薄帯、ワイヤメッシュ、パンチングメタル、接着剤層に塗布された金属被覆、および円盤から成る群から選択される、項目1に記載の集積回路。
(項目7)
上記導体は、上記接着層内に組み入れられる、項目1に記載の集積回路。
(項目8)
上記接着層は、上記埋め込み導体が組み入れられるスリットを備える、項目7に記載の集積回路。
(項目9)
上記第1の接触部は、金、白金、ステンレス鋼、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、ニッケル、銅、銀、炭素、青銅、黄銅、ベリリウム、ならびにそれらの酸化物、窒化物、炭化物、および合金から成る群から選択される材料を備える、項目1に記載の集積回路。
(項目10)
上記電池セル構造は、
アノードと、
電解質と、
カソードと
を少なくとも備える、項目1に記載の集積回路。
(項目11)
上記カソードはアニールされる、項目10に記載の集積回路。
(項目12)
上記カソードは結晶化される、項目10に記載の集積回路。
(項目13)
上記第1の接触部は、上記電池セル構造の正端子として機能する、項目1に記載の集積回路。
(項目14)
上記第1の接触部は、上記電池セル構造の負端子として機能する、項目1に記載の集積回路。
(項目15)
上記電池セル構造と、上記半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面との間の障壁層をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目16)
上記第1の接触部は、金属箔を備える、項目1に記載の集積回路。
(項目17)
少なくとも1つの金属箔が各電池セル構造を封入し、順次積み重ねられた複数の電池セル構造をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目18)
上記第1の接触部の一部は、絶縁材料で被覆される、項目1に記載の集積回路。
(項目19)
上記電池セル構造は、該電池セル構造と上記第1の電気接触部との間に挟装される基板をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目20)
上記接着層と上記第1の電気接触部との間に挟装される封入をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目21)
表面を有する半導体素子と、
該半導体素子の該表面に結合され、少なくとも1つの埋め込み導体を備える、接着層と、
該少なくとも1つの埋め込み導体を介して該半導体素子の該表面と選択的に電気接触している少なくとも1つの電池セル構造と、
第1の電気接触部と、
を備え、
該接着層および該少なくとも1つの電池セル構造は、該半導体素子の該表面と該第1の接触層との間に挟装される、電池を含む集積回路。
(項目22)
上記半導体素子の上記表面は、半導体表面、導電表面および絶縁パッケージ表面から選択される、項目21に記載の集積回路素子。
(項目23)
上記少なくとも1つの埋め込み導体を介して、上記第1の電気接触部と選択的に電気接触している上記半導体素子の上記表面をさらに備える、項目21に記載の集積回路。
(項目24)
上記電池セル構造と上記第1の電気接触部との間の障壁層をさらに備える、項目21に記載の集積回路。
(項目25)
上記電池セル構造は、該電池セル構造と上記第1の電気接触部との間に挟装される基板をさらに備える、項目21に記載の集積回路。
(項目26)
上記接着層と上記半導体素子の上記表面との間に挟装される封入を備える、項目21に記載の集積回路。
(項目27)
半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面上の電池を製造する方法であって、
選択的導電接着層を生成するステップと、
該接着層を第1の接触層に結合するステップと、
電池セル構造の第1の側面を、半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面に結合するステップと、
該電池セル構造の第2の側面を該接着層に結合するステップと
を含む、方法。
(項目28)
電池セル構造の第1の側面を半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面に結合する上記ステップは、電池セル構造の第1の側面を半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面に接着するステップを含む、項目27に記載の方法。
(項目29)
上記半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁パッケージ表面上にカソードを堆積するステップをさらに含む、項目27に記載の方法。
(項目30)
上記カソードをレーザで結晶化するステップをさらに含む、項目29に記載の方法。
(項目31)
高速熱アニールにより、上記カソードをアニールするステップをさらに含む、項目29に記載の方法。
(項目32)
第1の電気接触部上の電池を製造する方法であって、
選択的導電接着層を生成するステップと、
該接着層を半導体素子の表面に結合するステップと、
電池セル構造の第1の側面を第1の電気接触部に結合するステップと、
該電池セル構造の第2の側面を該接着層に結合するステップと
を含む、方法。
(項目33)
半導体表面、導電表面および絶縁表面の群から上記半導体素子の表面を選択するステップをさらに含む、項目32に記載の方法。
(項目34)
電池セル構造の第1の側面を第1の電気接触部に結合する上記ステップは、電池セル構造の第1の側面を第1の電気接触部に接着するステップを含む、項目32に記載の方法。
(項目35)
上記電池セル構造の上記第1の側面と上記第1の電気接触部との間に挟装される基板を加工するステップをさらに含む、項目32に記載の方法。
(項目36)
上記接着層と上記半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面との間に挟装される封入を加工するステップをさらに含む、項目32に記載の方法。
(項目37)
第1の電気接触部と、
該第1の電気接触部に結合され、少なくとも1つの埋め込み導体を備える、接着層と、
該少なくとも1つの埋め込み導体を介して該第1の電気接触部と選択的に電気接触している少なくとも1つの電池セル構造と、
可撓性プリント回路基板と、
を備え、
該接着層および該少なくとも1つの電池セル構造は、該第1の接触層と該可撓性プリント回路基板との間に挟装される、可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目38)
少なくとも1つの埋め込み導体を介して、上記可撓性プリント回路基板と選択的に電気接触している上記第1の電気接触部をさらに備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目39)
上記可撓性プリント回路基板は、トレースを有する多数の回路基板層およびトレースを有さない多数の回路基板層、片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、およびセミリジッドプリント回路基板から成る群から選択される、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目40)
上記可撓性プリント回路基板は、ポリイミド膜を備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目41)
上記第1の電気接触部は、封入金属をさらに備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目42)
上記接着層は、接着性材料、絶縁材料、プラスチック、ガラス、Kevlar(登録商標)、補強材料、および繊維ガラスを備える群から選択される材料を備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池,
(項目43)
上記導体は、タブ、ワイヤ、金属片、金属薄帯、多数のワイヤ、多数の金属片、多数の金属薄帯、ワイヤメッシュ、パンチングメタル、接着剤層に塗布された金属被覆および円盤から成る群から選択される、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目44)
上記導体は、上記接着層内に組み入れられる、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目45)
上記接着層は、上記埋め込み導体が組み入れられるスリットを備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目46)
上記第1の接触部は、金、白金、ステンレス鋼、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、ニッケル、銅、銀、炭素、青銅、黄銅、ベリリウム、ならびにそれらの酸化物、窒化物、炭化物、および合金から成る群から選択される材料を備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目47)
上記電池セル構造は、
アノードと、
電解質と、
カソードと、
を少なくとも備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目48)
上記カソードはアニールされる、項目47に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目49)
上記カソードは結晶化される、項目47に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目50)
上記電池セル構造と上記半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面との間の障壁層をさらに備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池.
(項目51)
上記第1の接触部は、金属箔を備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目52)
少なくとも1つの金属箔が各電池セル構造を封入し、順次積み重ねられた複数の電池セル構造をさらに備える、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目53)
上記第1の接触部の一部は、絶縁材料で被覆される、項目37に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目54)
可撓性プリント回路基板と、
該可撓性プリント回路基板に結合され、少なくとも1つの埋め込み導体を備える接着層と、
該少なくとも1つの埋め込み導体を介して該可撓性プリント回路基板と選択的に電気接触している少なくとも1つの電池セル構造と、
第1の電気接触部と、
を備え、
該接着層および該少なくとも1つの電池セル構造は、該可撓性プリント回路基板と該第1の接触層との間に挟装される、可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目55)
少なくとも1つの埋め込み導体を介して、第1の電気接触部と選択的に電気接触している上記可撓性プリント回路基板を備える、項目54に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目56)
上記電池セル構造と上記第1の電気接触部との間の障壁層をさらに備える、項目54に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目57)
上記電池セル構造は、上記電池セル構造と上記第1の電気接触部との間に挟装される基板をさらに備える、項目54に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目58)
上記接着層と上記可撓性プリント回路基板との間に挟装される封入をさらに備える、項目54に記載の可撓性プリント回路基板上の電池。
(項目59)
可撓性プリント回路基板上の電池を製造する方法であって、
選択的導電接着層を生成するステップと、
該接着層を第1の接触層に結合するステップと、
電池セル構造の第1の側面を可撓性プリント回路基板に結合するステップと、
該電池セル構造の第2の側面を該接着層に結合するステップと
を含む、方法。
(項目60)
電池セル構造の第1の側面を可撓性プリント回路基板に結合する上記ステップは、電池セル構造の第1の側面を可撓性プリント回路基板に接着するステップを含む、項目59に記載の方法。
(項目61)
上記可撓性プリント回路基板上にカソードを堆積するステップをさらに含む、項目59に記載の方法。
(項目62)
上記カソードをレーザで結晶化するステップをさらに含む、項目61に記載の方法。
(項目63)
高速熱アニールにより上記カソードをアニールするステップをさらに含む、項目61に記載の方法。
(項目64)
可撓性プリント回路基板上の電池を製造する方法であって、
選択的導電接着層を生成するステップと、
該接着層を可撓性プリント回路基板に結合するステップと、
電池セル構造の第1の側面を第1の電気接触部に結合するステップと、
該電池セル構造の第2の側面を該接着層に結合するステップと、
を含む、方法。
(項目65)
電池セル構造の第1の側面を第1の電気接触部に結合する上記ステップは、電池セル構造の第1の側面を第1の電気接触部に接着するステップを含む、項目64に記載の方法。
(項目66)
電池セル構造の上記第1の側面と上記第1の電気接触部との間に挟装される基板を加工するステップをさらに含む、項目64に記載の方法。
(項目67)
上記接着層と上記半導体素子の半導体表面または導電もしくは絶縁表面との間に挟装される封入を加工するステップをさらに含む、項目64に記載の方法。
(項目68)
電池を含む集積回路を備える装置であって、該電池を含む集積回路は、項目1および21に記載の電池を含む集積回路から選択される、装置。
(項目69)
上記装置は、コンピュータ、携帯電話、計算機、電気機器、記憶装置、カメラ、スマートカード、識別タグ、およびコンピュータ周辺ハードウェアから選択される、項目68に記載の装置。
(項目70)
可撓性プリント回路基板上の電池を備える装置であって、該可撓性プリント回路基板上の電池は、項目37および54に記載の可撓性プリント回路基板上の電池から選択される、装置。
(項目71)
上記装置は、コンピュータ、携帯電話、計算機、電気機器、記憶装置、カメラ、スマートカード、識別タグ、およびコンピュータ周辺ハードウェアから選択される、項目70に記載の装置。
埋め込み導体120および121および/または第1の接触部は、例えば、金、白金、ステンレス鋼、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、アルミニウム、インジウム、スズ、銀、炭素、青銅、黄銅、ベリリウム、またはそれらの酸化物、窒化物、炭化物、および合金で作られてもよい。第1の接触部は、例えば、ステンレス鋼または必要量の導電性のような、必要なもしくは適切な特性および性質を有する任意の他の金属物質で作られてもよい金属箔であってもよい。金属箔は、はんだ付け可能な合金、例えば、銅、ニッケル、またはスズの合金を好適に含んでもよい。第1の接触部は、例えば、厚さ100ミクロン未満、厚さ50ミクロン未満、または厚さ25ミクロン未満であってもよい。
Claims (17)
- 電池を含む集積回路であって、
表面を有する半導体素子または可撓性プリント回路基板と、
前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面に結合され、埋め込み導体を有する接着層と、
前記接着層の中に前記接着層に覆われるように配され且つ前記埋め込み導体を介して前記表面に選択的に電気接触している電池セル構造と、
前記電池セル構造に結合された第1の電気接触部と、を備え、
前記接着層および前記電池セル構造は、前記表面と前記第1の電気接触部との間に挟まれている
ことを特徴とする集積回路。 - 前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面は、半導体表面、導電性表面および絶縁性表面の群から選択される
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面は、前記電池セル構造を封入する作用を有する
ことを特徴とする請求項2に記載の集積回路。 - 前記埋め込み導体は、第1の埋め込み導体であり、
前記集積回路は、前記接着層に埋め込まれた第2の埋め込み導体をさらに備え、
前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面は、前記第2の埋め込み導体を介して前記第1の電気接触部に選択的に電気接触している
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記第1の電気接触部は金属の封入部を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記接着層は、粘着性の材料、絶縁性の材料、プラスチック、ガラス、補強材および繊維ガラスの群から選択された材料を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記埋め込み導体は、タブ、ワイヤ、金属片、金属リボン、多数のワイヤ、多数の金属片、多数の金属リボン、ワイヤメッシュ、有孔金属、粘着層に適用された金属コーティング、および、ディスク、の群から選択される
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記埋め込み導体は、前記接着層の中に埋め込まれており、前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面に接触した第1部分と、前記第1の電気接触部に接触した第2部分と、前記第1部分と前記第2部分とを接続し且つ前記表面に対して斜め方向に延在する第3部分とを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記接着層は、スリットであってその中に前記埋め込み導体が配されたスリットを有する
ことを特徴とする請求項8に記載の集積回路。 - 前記埋め込み導体は、前記電池セル構造の正極に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記埋め込み導体は、前記電池セル構造の負極に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 複数の電池セル構造をさらに備え、
複数の電池セル構造は1つずつ積み重ねられており、少なくとも1つの金属箔が各電池セル構造を封入している
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 前記埋め込み導体は第1の埋め込み導体であり、
前記接着層は第2の埋め込み導体をさらに有し、
前記第1の電気接触部は、前記電池セル構造が取り付けられた底面を有しており、
前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面は、前記電池セル構造が取り付けられた前記第1の電気接触部の前記底面に直接接触した前記第2の埋め込み導体を介して、前記第1の電気接触部に選択的に電気接触されている
ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。 - 第1の電気接触部の上の電池を製造する方法であって、
選択的に導通する接着層を形成する工程と、
前記接着層を、半導体素子または可撓性プリント回路基板の表面に結合させる工程と、
電池セル構造の第1面を第1の電気接触部に結合させる工程と、
前記電池セル構造を前記接着層で覆いながら前記電池セル構造の第2面を前記接着層に結合させる工程と、を有する
ことを特徴とする電池の製造方法。 - 前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面は、前記接着層に結合された半導体表面、導電性表面または絶縁性表面である
ことを特徴とする請求項14に記載の製造方法。 - 前記電池セル構造の前記第1面を前記第1の電気接触部に結合させる工程は、前記電池セル構造の前記第1面を前記第1の電気接触部に接着する工程を含む、
ことを特徴とする請求項14に記載の製造方法。 - 前記接着層は、第1の埋め込み導体および第2の埋め込み導体を有し、
前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記表面は水平な上面であり、
前記第1の埋め込み導体および前記第2の埋め込み導体の双方は、前記半導体素子または前記可撓性プリント回路基板の前記水平な上面に直接接触する
ことを特徴とする請求項14に記載の製造方法。
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