JP2012209569A - 抵抗変化型不揮発性記憶装置 - Google Patents
抵抗変化型不揮発性記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012209569A JP2012209569A JP2012133367A JP2012133367A JP2012209569A JP 2012209569 A JP2012209569 A JP 2012209569A JP 2012133367 A JP2012133367 A JP 2012133367A JP 2012133367 A JP2012133367 A JP 2012133367A JP 2012209569 A JP2012209569 A JP 2012209569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- voltage
- resistance
- nonvolatile memory
- resistance change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 142
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 142
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 136
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 319
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 65
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 14
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 79
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 41
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical group [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/101—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including resistors or capacitors only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
- G11C2213/32—Material having simple binary metal oxide structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】下部電極309aと上部電極309cと両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に変化する抵抗変化層309bとからなる抵抗変化素子309と、半導体基板301と2つのN型拡散層領域302a、302bとからなるトランジスタ317とを直列に接続してなるメモリセル300を備え、抵抗変化層309bは酸素不足型の遷移金属の酸化物層からなり、下部電極309aと上部電極309cは、異なる元素からなる材料によって構成され、下部電極309aの標準電極電位V1と上部電極309cの標準電極電位V2と前記遷移金属の標準電極電位VtとがVt<V2かつV1<V2なる関係を満足し、下部電極309aとN型拡散層領域302bとが接続されている。
【選択図】図22
Description
準備として、本発明の抵抗変化型不揮発性記憶装置に用いられる2種類の抵抗変化素子に関する基礎的なデータを説明する。
まず、酸素不足型のタンタル酸化物を使ったバイポーラ動作する抵抗変化型の不揮発性記憶素子に関する第1の実験について説明する。
まず、第1の実験における酸素不足型のタンタル酸化物層の作製条件及び酸素含有率の解析結果について述べる。
以上のように作製した酸素不足型のタンタル酸化物層のうち、どの程度の酸素含有率を有する酸素不足型のタンタル酸化物層が抵抗変化を示すのかを調べた。ここで酸素不足型のタンタル酸化物層を挟む電極の材料として用いたのは、上下の電極ともにPtである。
次に、抵抗変化の起こりやすさが、電極材料に依存するかどうかの確認を行うため、Pt以外の材料として、W、Ta、TaNから成る下部電極503と上部電極505で酸素不足型のタンタル酸化物層504を挟んだ構造を作製し、電気パルスによる抵抗変化の様子を調べた結果について説明する。
程度となり、−1.5Vの電圧の電気パルスを印加した場合は、150Ω程度と変化して
いた。すなわち、上部電極505に下部電極503よりも高い電圧の電気パルスを加えた時に高抵抗化する変化を示した。
に低抵抗化して、抵抗値は150Ω程度となっている。すなわち、上部電極505に下部電極503よりも高い電圧の電気パルスを加えた時に低抵抗化しており、図7(a)を測定した時と、正反対の動作を示した。
次に抵抗変化を起こしやすい材料であるPtと、抵抗変化を起こしにくい材料でかつ、プロセス安定性の高い材料であるWで酸素不足型のタンタル酸化物層を挟み込んだ形の抵抗変化素子である素子Fの抵抗変化特性について述べる。
次に、電極材料が相異なるいくつかの素子について抵抗変化の起こりやすさを評価した第2の実験の結果を示す。
次に、他の同様な例として、酸素不足型のハフニウム酸化物を抵抗変化層として用いたバイポーラ動作する不揮発性記憶素子に関する第3の実験について説明する。
まず、第3の実験における酸素不足型のハフニウム酸化物層の作製条件及び酸素含有率の解析結果について述べる。
以上のように作製した酸素不足型のハフニウム酸化物のうち、どの程度の酸素含有率を有する酸素不足型のハフニウム酸化物が抵抗変化を示すのかを調べた。ここで酸素不足型のハフニウム酸化物層を挟む電極の材料として用いたのは、上下の電極ともにPtである。
次に、抵抗変化の起こりやすさが、電極材料に依存するかどうかの確認を行うため、Wからなる下部電極503とAl、Ti、Hf、Ta、W、Cu、Ptの1つから成る上部電極505で、酸素不足型のハフニウム酸化物層504を挟んだ複数種の素子を作製し、電気パルスによる抵抗変化の様子を調べた結果について説明する。
次に、本発明の実施の形態として、上記で説明した抵抗変化素子を用いた1T1R型の不揮発性記憶装置について説明する。
図21は、本発明の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の構成を示すブロック図である。
以上の様に構成された抵抗変化型不揮発性記憶装置について、データを書き込む場合の書き込みサイクル、およびデータを読み出す場合の読み出しサイクルにおける動作例について、図23(a)〜図23(c)に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。
実施の形態における1T1R型メモリセルM11、M12、・・・について、特にNMOSトランジスタN11、N12、・・・の構成について説明する。
図25(a)〜図25(f)は、実施の形態で説明した1T1R型メモリセルを含め、一般的に知られている抵抗変化素子に用いられている、1T1R型メモリセルの回路構成を示す回路図である。
201 メモリ本体部
202 メモリアレイ
203 列選択回路
204 センスアンプ
205 データ入出力回路
206 書き込み回路
207 行ドライバ
208 行選択回路
209 アドレス入力回路
210 制御回路
211 書き込み用電源
212 低抵抗(LR)化用電源
213 高抵抗(HR)化用電源
300 メモリセル
301 半導体基板
302a、302b N型拡散層領域
303a ゲート絶縁膜
303b ゲート電極
304、306、308、310 ビア
305、307、311 配線層
309 抵抗変化素子
309a、309d 下部電極
309b、309e 抵抗変化層
309c、309f 上部電極
317 トランジスタ
400 メモリセル
402a、402b P型拡散層領域
409 抵抗変化素子
417 トランジスタ
418 Nウェル
500 不揮発性記憶素子
501 単結晶シリコン基板
502 酸化物層
503 下部電極
504 酸素不足型の遷移金属の酸化物層
505 上部電極
506 素子領域
1401、1501 下部電極
1402、1502 酸素不足型のタンタル酸化物層
1403、1503 上部電極
1404、1504 酸素イオン
3301 下部電極
3302 抵抗変化層
3303 上部電極
Claims (14)
- 半導体基板と、
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記第1電極と前記第2電極と接するように設けられており、前記第1電極と前記第2電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層からなる不揮発性記憶素子と、
前記半導体基板の主面に構成された、第1のN型拡散層領域と、ゲートと、前記ゲートを挟んで前記第1のN型拡散層領域と反対側に構成される第2のN型拡散層領域よりなるN型MOSトランジスタと
を備え、
前記抵抗変化層は遷移金属の酸素不足型の酸化物を含み、
前記第1電極と前記第2電極は、異なる元素からなる材料によって構成され、
前記第1電極の標準電極電位V1と、前記第2電極の標準電極電位V2と、前記遷移金属の標準電極電位Vtとが、Vt<V2かつV1<V2を満足し、
前記第1電極と、前記N型MOSトランジスタの前記第1のN型拡散層領域とを接続してメモリセルを構成する
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1電極の電圧を基準として正の電圧VHRを超える電圧を前記第2電極に印加したとき、前記不揮発性記憶素子の抵抗値がRHに変化し、
前記第2電極の電圧を基準として正の電圧VLRを超える電圧を前記第1電極に印加したとき、前記不揮発性記憶素子の抵抗値がRHよりも小さいRLに変化する
ことを特徴とする請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性記憶素子を低抵抗状態に設定する場合、前記ゲートに電圧VDDを印加し、前記第2のN型拡散層に前記第2電極を基準にして正の低抵抗化書込み電圧VWLを印加し、
前記不揮発性記憶素子を高抵抗状態に設定する場合、前記ゲートに電圧VDDを印加し、前記第2電極に前記第2のN型拡散層を基準にして正の高抵抗化書込み電圧VWHを印加し、
|VWL|>|VWH|>|VHR|である
請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 半導体基板と、
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記第1電極と前記第2電極と接するように設けられており、前記第1電極と前記第2電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層からなる不揮発性記憶素子と、
前記半導体基板の主面に構成されたNウェルと、
前記Nウェルの領域内に構成される、第1のP型拡散層領域と、ゲートと、前記ゲートを挟んで前記第1のP型拡散層領域と反対側に構成される第2のP型拡散層領域よりなるP型MOSトランジスタと
を備え、
前記抵抗変化層は遷移金属の酸素不足型の酸化物を含み、
前記第1電極と前記第2電極は、異なる元素からなる材料によって構成され、
前記第1電極の標準電極電位V1と、前記第2電極の標準電極電位V2と、前記遷移金属の標準電極電位Vtとが、Vt<V2かつV1<V2を満足し、
前記第2電極と、前記P型MOSトランジスタの前記第1のP型拡散層領域とを接続してメモリセルを構成する
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1電極の電圧を基準として正の電圧VHRを超える電圧を前記第2電極に印加したとき、前記不揮発性記憶素子の抵抗値がRHに変化し、
前記第2電極の電圧を基準として正の電圧VLRを超える電圧を前記第1電極に印加したとき、前記不揮発性記憶素子の抵抗値がRHよりも小さいRLに変化する
ことを特徴とする請求項4に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記遷移金属はタンタルまたはハフニウムである
請求項1から5のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - さらに、前記第1電極の標準電極電位V1と、前記遷移金属の標準電極電位Vtとが、V1≦Vtを満足する
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第2電極は、白金、イリジウム、パラジウム、銀、銅、金からなる群から選択され、
前記第1電極は、タングステン、ニッケル、タンタル、チタン、アルミニウム、チッ化タンタル、チッ化チタンからなる群から選択される
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第2電極は、タングステン、銅、白金、金からなる群から選択され、
前記第1電極は、アルミニウム、チタン、ハフニウム、チッ化タンタル、チッ化チタンからなる群から選択される
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記抵抗変化層がタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合
に、0.8≦x≦1.9を満足するように構成されている
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - さらに、複数のビット線と、複数のソース線と、前記ビット線と前記ソース線とを駆動する駆動回路とを備え、
前記ビット線と前記ソース線の組み合わせごとに前記メモリセルが設けられ、
各メモリセルの不揮発性記憶素子の第2電極は、前記複数のビット線の中の対応する1つに接続され、
各メモリセルのN型MOSトランジスタの第2のN型拡散層領域は、前記複数のソース線の中の対応する1つに接続され、
前記駆動回路は、
前記不揮発性記憶素子を高抵抗状態に変化させる場合、対応するビット線の電圧を、対応するソース線の電圧よりも高く、かつ、前記第1電極の電圧を基準として前記第2電極の電圧が前記正の電圧VHRを超えるような電圧にし、
前記不揮発性記憶素子を低抵抗状態に変化させる場合、対応するソース線の電圧を、対応するビット線の電圧よりも高く、かつ、前記第2電極の電圧を基準として前記第1電極の電圧が前記正の電圧VLRを超えるような電圧にする
ことを特徴とする請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - さらに、複数のビット線と、複数のソース線と、前記ビット線と前記ソース線とを駆動する駆動回路とを備え、
前記ビット線と前記ソース線の組み合わせごとに前記メモリセルが設けられ、
各メモリセルの不揮発性記憶素子の第2電極は、前記複数のソース線の中の対応する1つに接続され、
各メモリセルのN型MOSトランジスタの第2のN型拡散層領域は、前記複数のビット線の中の対応する1つに接続され、
前記駆動回路は、
前記不揮発性記憶素子を高抵抗状態に変化させる場合、対応するソース線の電圧を、対応するビット線の電圧よりも高く、かつ、前記第1電極の電圧を基準として前記第2電極の電圧が前記正の電圧VHRを超えるような電圧にし、
前記不揮発性記憶素子を低抵抗状態に変化させる場合、対応するビット線の電圧を、対応するソース線の電圧よりも高く、かつ、前記第2電極の電圧を基準として前記第1電極の電圧が前記正の電圧VLRを超えるような電圧にする
ことを特徴とする請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - さらに、複数のビット線と、複数のソース線と、前記ビット線と前記ソース線とを駆動する駆動回路とを備え、
前記ビット線と前記ソース線の組み合わせごとに前記メモリセルが設けられ、
各メモリセルの不揮発性記憶素子の第1電極は、前記複数のビット線の中の対応する1つに接続され、
各メモリセルのP型MOSトランジスタの第2のP型拡散層領域は、前記複数のソース線の中の対応する1つに接続され、
前記駆動回路は、
前記不揮発性記憶素子を高抵抗状態に変化させる場合、対応するソース線の電圧を、対応するビット線の電圧よりも高く、かつ、前記第1電極の電圧を基準として前記第2電極の電圧が前記正の電圧VHRを超えるような電圧にし、
前記不揮発性記憶素子を低抵抗状態に変化させる場合、対応するビット線の電圧を、対応するソース線の電圧よりも高く、かつ、前記第2電極の電圧を基準として前記第1電極の電圧が前記正の電圧VLRを超えるような電圧にする
ことを特徴とする請求項5に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - さらに、複数のビット線と、複数のソース線と、前記ビット線と前記ソース線とを駆動する駆動回路とを備え、
前記ビット線と前記ソース線の組み合わせごとに前記メモリセルが設けられ、
各メモリセルの不揮発性記憶素子の第1電極は、前記複数のソース線の中の対応する1つに接続され、
各メモリセルのP型MOSトランジスタの第2のP型拡散層領域は、前記複数のビット線の中の対応する1つに接続され、
前記駆動回路は、
前記不揮発性記憶素子を高抵抗状態に変化させる場合、対応するビット線の電圧を、対応するソース線の電圧よりも高く、かつ、前記第1電極の電圧を基準として前記第2電極の電圧が前記正の電圧VHRを超えるような電圧にし、
前記不揮発性記憶素子を低抵抗状態に変化させる場合、対応するソース線の電圧を、対応するビット線の電圧よりも高く、かつ、前記第2電極の電圧を基準として前記第1電極の電圧が前記正の電圧VLRを超えるような電圧にする
ことを特徴とする請求項5に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012133367A JP5475058B2 (ja) | 2008-05-22 | 2012-06-13 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008134815 | 2008-05-22 | ||
JP2008134815 | 2008-05-22 | ||
JP2012133367A JP5475058B2 (ja) | 2008-05-22 | 2012-06-13 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523092A Division JP5021029B2 (ja) | 2008-05-22 | 2008-12-15 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012209569A true JP2012209569A (ja) | 2012-10-25 |
JP5475058B2 JP5475058B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=41339832
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523092A Active JP5021029B2 (ja) | 2008-05-22 | 2008-12-15 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
JP2012133366A Pending JP2012182493A (ja) | 2008-05-22 | 2012-06-13 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
JP2012133367A Active JP5475058B2 (ja) | 2008-05-22 | 2012-06-13 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523092A Active JP5021029B2 (ja) | 2008-05-22 | 2008-12-15 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
JP2012133366A Pending JP2012182493A (ja) | 2008-05-22 | 2012-06-13 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8094485B2 (ja) |
JP (3) | JP5021029B2 (ja) |
CN (1) | CN101779287B (ja) |
WO (1) | WO2009141857A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180126801A (ko) * | 2017-05-18 | 2018-11-28 | 세종대학교산학협력단 | 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법, 이를 포함하는 상변화 메모리 소자 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7839672B1 (en) * | 2006-12-18 | 2010-11-23 | Marvell International Ltd. | Phase change memory array circuits and methods of manufacture |
WO2009136467A1 (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法 |
US8094485B2 (en) * | 2008-05-22 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device with oxygen-deficient oxide layer and asymmetric substrate bias effect |
JP5097028B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2012-12-12 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法 |
US8743598B2 (en) * | 2008-07-29 | 2014-06-03 | Micron Technology, Inc. | Reversing a potential polarity for reading phase-change cells to shorten a recovery delay after programming |
JP5251349B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2013-07-31 | 富士通株式会社 | 抵抗変化型素子および抵抗変化型素子製造方法 |
JP4607257B2 (ja) | 2008-12-04 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置 |
JP5732827B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2015-06-10 | ソニー株式会社 | 記憶素子および記憶装置、並びに記憶装置の動作方法 |
US8437174B2 (en) | 2010-02-15 | 2013-05-07 | Micron Technology, Inc. | Memcapacitor devices, field effect transistor devices, non-volatile memory arrays, and methods of programming |
US8416609B2 (en) | 2010-02-15 | 2013-04-09 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems |
CN102428560B (zh) * | 2010-03-19 | 2014-07-02 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件、其制造方法、其设计辅助方法及非易失性存储装置 |
JP5135373B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2013-02-06 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置 |
US8593853B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile storage device and method for writing into the same |
US8441839B2 (en) | 2010-06-03 | 2013-05-14 | Panasonic Corporation | Cross point variable resistance nonvolatile memory device |
WO2012001993A1 (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子、抵抗変化型不揮発性記憶装置及び抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法 |
US8901527B2 (en) * | 2010-07-02 | 2014-12-02 | Nanya Technology Corp. | Resistive random access memory structure with tri-layer resistive stack |
US8634224B2 (en) * | 2010-08-12 | 2014-01-21 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and reading from a memory cell, and methods of programming a memory cell |
CN102576709B (zh) | 2010-08-17 | 2015-03-04 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储装置及其制造方法 |
WO2012058324A2 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Rambus Inc. | Resistance change memory cell circuits and methods |
CN102544076A (zh) * | 2010-12-23 | 2012-07-04 | 中国科学院微电子研究所 | 一种双极晶体管选通的阻变存储器、阵列及其制造方法 |
CN102543877B (zh) * | 2010-12-29 | 2014-03-12 | 中国科学院微电子研究所 | 制备三维半导体存储器件的方法 |
CN102623045B (zh) * | 2011-01-27 | 2014-10-29 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变型随机存储单元及存储器 |
US8330139B2 (en) | 2011-03-25 | 2012-12-11 | Micron Technology, Inc. | Multi-level memory cell |
JP2012243826A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置 |
US8592795B2 (en) | 2011-07-01 | 2013-11-26 | Micron Technology, Inc. | Multilevel mixed valence oxide (MVO) memory |
US8867259B2 (en) * | 2011-08-11 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | Method of programming variable resistance nonvolatile memory element |
WO2013080496A1 (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | パナソニック株式会社 | クロスポイント型抵抗変化不揮発性記憶装置 |
JP5881172B2 (ja) * | 2012-10-04 | 2016-03-09 | 東建コーポレーション株式会社 | 路線情報提供サーバ装置 |
US9548449B2 (en) * | 2013-06-25 | 2017-01-17 | Intel Corporation | Conductive oxide random access memory (CORAM) cell and method of fabricating same |
BR112015029855B1 (pt) * | 2013-06-28 | 2021-02-23 | Intel Corporation | método para formar um par de aletas de dispositivo eletrônico |
WO2015182100A1 (ja) | 2014-05-26 | 2015-12-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体記憶装置 |
US9336881B2 (en) | 2014-06-16 | 2016-05-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory device including a variable resistance layer that changes reversibly between a low resistance state and a high resistance state according to an applied electrical signal |
KR20160006028A (ko) * | 2014-07-08 | 2016-01-18 | 삼성전자주식회사 | 저항 변화 메모리 장치 |
DE102014114197B4 (de) * | 2014-09-30 | 2016-11-17 | Infineon Technologies Ag | Chip und Verfahren zum Identifizieren eines Chips |
US10740435B2 (en) * | 2015-05-29 | 2020-08-11 | Nec Corporation | Programmable logic integrated circuit, design support system, and configuration method |
FR3050861B1 (fr) | 2016-04-29 | 2020-05-29 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Memoire resistive unipolaire |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087069A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-03-18 | Sharp Corp | メモリセル及び記憶装置 |
WO2004100266A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不揮発性メモリおよびその製造方法 |
JP2006173267A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Sony Corp | 記憶素子及び記憶装置 |
JP2006344295A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Sony Corp | 記憶装置及び半導体装置 |
WO2006137111A1 (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Fujitsu Limited | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 |
JP2007005555A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
WO2007083362A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Fujitsu Limited | 抵抗記憶素子及びその製造方法 |
WO2007102212A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Fujitsu Limited | 抵抗変化型記憶素子の製造方法 |
WO2007105284A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Fujitsu Limited | 抵抗変化型記憶素子および抵抗変化型記憶素子の製造方法 |
WO2008029446A1 (fr) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Fujitsu Limited | Procédé d'écriture d'appareil de stockage a semi-conducteur non volatil |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US265322A (en) * | 1882-10-03 | jackson | ||
US123629A (en) * | 1872-02-13 | Improvement in steering apparatus for vessels | ||
US63731A (en) * | 1867-04-09 | William a | ||
US5533106A (en) * | 1994-06-27 | 1996-07-02 | Us West Technologies, Inc. | Method and system for processing calls wherein the display of calling party ID information has been inhibited |
US5978806A (en) * | 1997-02-18 | 1999-11-02 | Ameritech Corporation | Method and apparatus for communicating information about a called party to a calling party |
US6175622B1 (en) * | 1998-02-10 | 2001-01-16 | Northern Telecom Limited | Virtual private network for a telephone network |
EP1153434A1 (en) | 1999-02-17 | 2001-11-14 | International Business Machines Corporation | Microelectronic device for storing information and method thereof |
US6661785B1 (en) * | 1999-10-12 | 2003-12-09 | Bellsouth Intellectual Property Corporation | Method and apparatus for providing internet call waiting with voice over internet protocol |
JP3546036B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2004-07-21 | 松下電器産業株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6801448B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-10-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Common bit/common source line high density 1T1R R-RAM array |
JP4113493B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-07-09 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP4646636B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4410095B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2010-02-03 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JP2006190376A (ja) | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4874658B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2012-02-15 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006332424A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP3989506B2 (ja) | 2005-12-27 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | 可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置 |
JP4203506B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2009-01-07 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法 |
KR100718155B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 두 개의 산화층을 이용한 비휘발성 메모리 소자 |
JP4228033B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2009-02-25 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子、不揮発記憶装置、及びそれらの製造方法 |
JP2007258533A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及びその駆動方法 |
JP2008028228A (ja) | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Seiko Epson Corp | 可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 |
JP4921884B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR100810615B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 고온 상전이 패턴을 구비한 상전이 메모리소자 및 그제조방법 |
CN101636840B (zh) | 2006-11-17 | 2011-05-25 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件、非易失性存储器件、非易失性半导体器件以及非易失性存储元件的制造方法 |
WO2008107941A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-12 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
US8094485B2 (en) * | 2008-05-22 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device with oxygen-deficient oxide layer and asymmetric substrate bias effect |
JP4881400B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2012-02-22 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置、及びそのスクリーニング方法 |
-
2008
- 2008-12-15 US US12/676,933 patent/US8094485B2/en active Active
- 2008-12-15 CN CN200880025595.9A patent/CN101779287B/zh active Active
- 2008-12-15 JP JP2009523092A patent/JP5021029B2/ja active Active
- 2008-12-15 WO PCT/JP2008/003769 patent/WO2009141857A1/ja active Application Filing
-
2011
- 2011-12-05 US US13/310,894 patent/US8233311B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-13 JP JP2012133366A patent/JP2012182493A/ja active Pending
- 2012-06-13 JP JP2012133367A patent/JP5475058B2/ja active Active
- 2012-06-27 US US13/534,315 patent/US8472238B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087069A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-03-18 | Sharp Corp | メモリセル及び記憶装置 |
WO2004100266A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不揮発性メモリおよびその製造方法 |
JP2006173267A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Sony Corp | 記憶素子及び記憶装置 |
JP2006344295A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Sony Corp | 記憶装置及び半導体装置 |
WO2006137111A1 (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Fujitsu Limited | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 |
JP2007005555A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
WO2007083362A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Fujitsu Limited | 抵抗記憶素子及びその製造方法 |
WO2007102212A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Fujitsu Limited | 抵抗変化型記憶素子の製造方法 |
WO2007105284A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Fujitsu Limited | 抵抗変化型記憶素子および抵抗変化型記憶素子の製造方法 |
WO2008029446A1 (fr) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Fujitsu Limited | Procédé d'écriture d'appareil de stockage a semi-conducteur non volatil |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180126801A (ko) * | 2017-05-18 | 2018-11-28 | 세종대학교산학협력단 | 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법, 이를 포함하는 상변화 메모리 소자 |
KR101935348B1 (ko) * | 2017-05-18 | 2019-04-03 | 세종대학교산학협력단 | 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법, 이를 포함하는 상변화 메모리 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101779287B (zh) | 2011-12-21 |
JP5475058B2 (ja) | 2014-04-16 |
US20120074375A1 (en) | 2012-03-29 |
US20100177555A1 (en) | 2010-07-15 |
CN101779287A (zh) | 2010-07-14 |
WO2009141857A1 (ja) | 2009-11-26 |
US8472238B2 (en) | 2013-06-25 |
US20120281453A1 (en) | 2012-11-08 |
JP2012182493A (ja) | 2012-09-20 |
JPWO2009141857A1 (ja) | 2011-09-22 |
US8233311B2 (en) | 2012-07-31 |
US8094485B2 (en) | 2012-01-10 |
JP5021029B2 (ja) | 2012-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5475058B2 (ja) | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 | |
JP4643767B2 (ja) | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 | |
JP4703789B2 (ja) | 抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその書き込み方法 | |
JP4555397B2 (ja) | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 | |
JP4252110B2 (ja) | 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子および不揮発性記憶素子アレイ | |
JP5197402B2 (ja) | 抵抗変化型記憶装置 | |
JP4792714B2 (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
JP5830655B2 (ja) | 不揮発性記憶素子の駆動方法 | |
JP5352032B2 (ja) | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 | |
JP5351363B1 (ja) | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 | |
JP4529654B2 (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
JP5395314B2 (ja) | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 | |
WO2011052239A1 (ja) | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法 | |
JP2009033188A (ja) | 不揮発性記憶素子の製造方法 | |
WO2012108185A1 (ja) | 不揮発性記憶素子の駆動方法及び初期化方法、並びに不揮発性記憶装置 | |
JP2010015662A (ja) | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 | |
JP2010177387A (ja) | 不揮発性記憶装置および駆動方法 | |
JP5434967B2 (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
JP2010278275A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5475058 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |