JP2011151382A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１の配線層と、
   前記第１の配線層を覆って設けられたゲート絶縁層と、
   前記第１の配線層上の第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上に接して設けられ、前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、
   少なくとも前記第１の半導体層の側壁を覆って設けられた第１のサイドウォール絶縁層と、
   少なくとも前記不純物半導体層に接して設けられた第２の配線層と、を有し、
   前記半導体層の上面及び下面は、前記第１の配線層と重なることを特徴とする半導体装置。
2. 第１の配線層と、
   前記第１の配線層を覆って設けられたゲート絶縁層と、
   前記第１の配線層上の第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上に接して離間して設けられ、前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、
   少なくとも前記第１の半導体層の側壁を覆って設けられた第１のサイドウォール絶縁層と、
   少なくとも前記不純物半導体層に接して設けられた第２の配線層と、を有し、
   前記半導体層の上面及び下面は、前記第１の配線層と重なることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第１の半導体層のチャネル形成領域となる部分に重畳して、第３の配線層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の配線層の厚さに起因して生じる前記ゲート絶縁層の段差において、第２のサイドウォール絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の半導体層は、微結晶半導体層であり、
   前記第２の半導体層は、非晶質半導体と微結晶半導体を含み、
   前記第１の半導体層から成長した結晶の先端は、前記第２の半導体層まで成長していることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記サイドウォール絶縁層の表面から前記第１の半導体層の表面までの距離は、３０ｎｍより大きいことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面は６０°以上９０°以下のテーパを有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記サイドウォール絶縁層は、異なる複数の材料層が積層して設けられていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記サイドウォール絶縁層は、窒化シリコンを含む層と、前記窒化シリコンを含む層上に、酸化シリコンを含む層または酸化窒化シリコンを含む層が積層されて設けられていることを特徴とする半導体装置。