KR20210088318A - 플라즈마를 이용하는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 - Google Patents
플라즈마를 이용하는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210088318A KR20210088318A KR1020200001607A KR20200001607A KR20210088318A KR 20210088318 A KR20210088318 A KR 20210088318A KR 1020200001607 A KR1020200001607 A KR 1020200001607A KR 20200001607 A KR20200001607 A KR 20200001607A KR 20210088318 A KR20210088318 A KR 20210088318A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- chamber
- layer
- semiconductor layer
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 186
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0057—Reactive sputtering using reactive gases other than O2, H2O, N2, NH3 or CH4
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3457—Sputtering using other particles than noble gas ions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66787—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel
- H01L29/66795—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
- H01L29/6681—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET using dummy structures having essentially the same shape as the semiconductor body, e.g. to provide stability
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02592—Microstructure amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
- H01L29/42392—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor fully surrounding the channel, e.g. gate-all-around
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/485—Bit line contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
박막 형성 장치는 챔버 내에 배치된 받침대를 포함한다. 상기 받침대에 인접한 가열 장치가 배치된다. 상기 챔버에 연통되고 상기 챔버의 내부에 환원 가스 및 불활성 가스를 공급하는 가스 주입구가 배치된다. 상기 챔버 내에 배치되고 상기 받침대와 공간적으로 분리된 타겟(Target)이 제공된다. 상기 타겟에 인접한 착화 원(Ignition Source)이 배치된다. 상기 환원 가스는 수소(H2), 중수소(D2), 또는 이들의 조합을 포함한다. 상기 착화 원은 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma)장치를 포함한다.
Description
플라즈마를 이용하는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 다수의 반도체 층을 필요로 한다. 기판 상의 자연 산화 층은 반도체 층의 형성을 방해한다. 상기 자연 산화 층을 제거하기 위한 전처리 공정은 비용 및 양산 효율 측면에서 불리하다. 상기 기판의 고온 공정 노출은 상기 반도체 소자의 전기적 특성을 나쁘게 한다.
본 개시의 실시예들에 따른 과제는 양산 효율을 높이고, 우수한 전기적 특성을 갖는 반도체 소자를 구현할 수 있는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 장치는 챔버 내에 배치된 받침대를 포함한다. 상기 받침대에 인접한 가열 장치가 배치된다. 상기 챔버에 연통되고 상기 챔버의 내부에 환원 가스 및 불활성 가스를 공급하는 가스 주입구가 배치된다. 상기 챔버 내에 배치되고 상기 받침대와 공간적으로 분리된 타겟(Target)이 제공된다. 상기 타겟에 인접한 착화 원(Ignition Source)이 배치된다. 상기 환원 가스는 수소(H2), 중수소(D2), 또는 이들의 조합을 포함한다. 상기 착화 원은 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma)장치를 포함한다.
본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 상기 받침대 상에 박막을 갖는 기판을 로딩하는 것을 포함한다. 상기 가스 주입구를 통하여 상기 챔버의 내부에 상기 환원 가스 및 상기 불활성 가스를 공급한다. 상기 착화 원을 사용하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 점화한다. 상기 기판 상에 환원 반도체 층 및 반도체 층을 형성한다.
본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 상기 받침대 상에 기판을 로딩하는 것을 포함한다. 상기 가스 주입구를 통하여 상기 챔버의 내부에 상기 환원 가스 및 상기 불활성 가스를 공급한다. 상기 착화 원을 사용하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 점화한다. 상기 기판 상에 반도체 층을 형성한다.
본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 상기 받침대 상에 박막을 갖는 기판을 로딩하는 것을 포함한다. 상기 가스 주입구를 통하여 상기 챔버의 내부에 상기 환원 가스 및 상기 불활성 가스를 공급한다. 상기 착화 원을 사용하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 점화한다. 상기 박막 상에 환원 반도체 층 및 반도체 층을 형성한다.
본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따르면, 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma)장치를 이용하는 박막 형성 장치가 제공된다. 실리콘 산화물과 같은 박막을 제거하기 위한 세정 공정을 생략하여도, 기판 상에 단결정 반도체 층을 형성할 수 있다. 상기 박막 형성 장치는 100℃ 내지 500℃의 저온 공정이 적용될 수 있다. 양산 효율을 극대화 하면서, 우수한 전기적 특성을 갖는 반도체 소자를 구현할 수 있는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3, 및 도 6 내지 도 10은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4 및 도 5는 박막 형성 장치의 동작을 설명하기 위한 개략도들이다.
도 11은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 12 내지 도 16은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 17 내지 도 19, 및 도 20은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 20은 도 19의 일부분을 보여주는 확대도이다.
도 22 및 도 23은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 24는 도 23의 일부분을 보여주는 확대도이다.
도 2는 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3, 및 도 6 내지 도 10은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4 및 도 5는 박막 형성 장치의 동작을 설명하기 위한 개략도들이다.
도 11은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 레이아웃이다.
도 12 내지 도 16은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 17 내지 도 19, 및 도 20은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 20은 도 19의 일부분을 보여주는 확대도이다.
도 22 및 도 23은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 24는 도 23의 일부분을 보여주는 확대도이다.
도 1은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 장치는 챔버(11), 받침대(13), 가열 장치(15), 타겟(Target; 17), 착화원(Ignition Source; 19), 가스 주입구(21), 배기구(23), 및 바이어스 장치(25)를 포함할 수 있다. 상기 받침대(13) 상에 기판(31)이 로딩될 수 있다.
상기 가스 주입구(21)는 상기 챔버(11) 내에 연통될 수 있다. 상기 가스 주입구(21)는 적어도 하나의 유량 제어기에 접속될 수 있으나 간략한 설명을 위하여 생략하기로 한다. 상기 가스 주입구(21)는 상기 챔버(11)의 내부에 환원 가스 및 불활성 가스를 공급하는 역할을 할 수 있다. 상기 환원 가스는 수소(H2), 중수소(D2), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 불활성 가스는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 가스 주입구(21)를 통하여 상기 챔버(11)의 내부에 수소 가스 및 아르곤(Ar) 가스가 공급될 수 있다.
상기 배기구(23)는 상기 챔버(11) 내에 연통될 수 있다. 상기 배기구(23)는 적어도 하나의 배기 장치에 접속될 수 있으나 간략한 설명을 위하여 생략하기로 한다. 상기 챔버(11)는 진공 챔버일 수 있다. 상기 배기구(23)는 상기 챔버(11) 내부의 압력을 조절하는 역할을 할 수 있다. 예를들면, 상기 배기구(23)는 상기 챔버(11) 내부의 압력을 10mTorr 내지 1Torr 로 조절하는 역할을 할 수 있다.
상기 받침대(13)는 상기 챔버(11) 내에 배치될 수 있다. 상기 받침대(13)는 정전 척(Electrostatic Chuck), 진공 척(Vacuum Chuck), 기계적 클램프(Mechanical Clamp), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 가열 장치(15)는 상기 받침대(13)에 인접하게 배치될 수 있다. 예를들면, 상기 가열 장치(15)는 상기 받침대(13) 내에 배치될 수 있다. 상기 가열 장치(15)는 상기 기판(31)의 온도를 조절하는 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 가열 장치(15)는 100℃ 내지 500℃의 온도 조절 능력을 가질 수 있다. 상기 가열 장치(15)는 질화알루미늄 히터(AlN Heater)를 포함할 수 있다. 상기 가열 장치(15)는 상기 기판(31)의 온도를 100℃ 내지 500℃로 가열하는 역할을 할 수 있다.
상기 타겟(17)은 상기 챔버(11) 내에 배치될 수 있다. 상기 타겟(17)은 상기 받침대(13)와 공간적으로 분리될 수 있다. 상기 타겟(17)은 상기 기판(31)과 대향하게 배치될 수 있다. 상기 타겟(17)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를들면, 상기 타겟(17)은 쿼츠(Quartz)와 같은 실리콘산화물을 포함할 수 있다.
상기 착화 원(Ignition Source; 19)은 상기 타겟(17)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 착화 원(19)은 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma)장치, 축전 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma; CCP)장치, 유도 결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma; ICP)장치, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 착화 원(19)은 2.45 GHz 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma)장치를 포함할 수 있다. 상기 착화 원(19)은 500W 내지 5000W의 전원이 인가될 수 있다. 상기 착화 원(19)은 상기 챔버(11) 내에 H-radical, H2-radical, H-ion, H2-ion, 또는 이들의 조합을 생성하는 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 타겟(17)에 포함된 반도체 물질은 환원되어 상기 기판(31)을 향하여 이동할 수 있다. 예를들면, 상기 타겟(17)에 포함된 실리콘산화물은 SiOH로 환원되어 상기 기판(31)을 향하여 이동할 수 있다.
상기 바이어스 장치(25)는 상기 챔버(11) 내의 반응물질들의 이동방향 및 속도를 조절하는 역할을 할 수 있다. 상기 바이어스 장치(25)는 상기 기판(31)에 인접하게 배치될 수 있다. 예를들면, 상기 바이어스 장치(25)는 상기 받침대(13)에 접속될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 바이어스 장치(25)는 생략될 수 있다. 상기 받침대(13)는 셀프바이어스될 수 있다. 상기 받침대(13)는 접지될 수 있다.
도 2는 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 기판을 로딩하고(B10), 환원 가스 및 불활성 가스를 공급하고(B20), 플라즈마를 점화하고(B30), 그리고 상기 기판 상에 반도체 층을 형성하는 것(B40)을 포함할 수 있다.
도 3, 및 도 6 내지 도 10은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 4 및 도 5는 박막 형성 장치의 동작을 설명하기 위한 개략도들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판(31) 상에 제1 박막(32A)이 제공될 수 있다. 상기 기판(31)은 단결정 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 상기 제1 박막(32A)은 Si, O, N, C, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 박막(32A)은 자연 산화층 또는 2nm 이하의 두께를 갖는 실리콘 산화층을 포함할 수 있다. 상기 제1 박막(32A)은 0.1nm 내지 2nm 의 두께를 갖는 실리콘 산화층을 포함할 수 있다. 상기 제1 박막(32A)을 갖는 상기 기판(31)을 상기 챔버(11) 내의 상기 받침대(13) 상에 로딩할 수 있다(B10). 상기 배기구(23)를 이용하여 상기 챔버(11) 내부의 압력을 10mTorr 내지 1Torr 로 조절할 수 있다. 상기 가열 장치(15)를 이용하여 상기 기판(31) 및 주변의 온도를 100℃ 내지 500℃로 가열할 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 상기 가스 주입구(21)를 통하여 상기 챔버(11) 내에 환원 가스 및 불활성 가스가 공급될 수 있다(B20). 일 실시예에서, 상기 환원 가스는 수소 가스를 포함할 수 있다. 상기 불활성 가스는 아르곤(Ar) 가스를 포함할 수 있다.
상기 착화 원(Ignition Source; 19)을 이용하여 상기 챔버(11) 내에 플라즈마를 점화할 수 있다(B30). 일 실시예에서, 상기 착화 원(19)은 2.45 GHz 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma)장치를 포함할 수 있다. 상기 착화 원(19)은 500W 내지 5000W의 전원이 인가될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(11) 내에 H-radical, H2-radical, H-ion, H2-ion, 또는 이들의 조합이 생성될 수 있다. 상기 타겟(17)에 포함된 반도체 물질은 환원되어 상기 기판(31)을 향하여 이동할 수 있다. 예를들면, 상기 타겟(17)에 포함된 실리콘산화물은 SiOH로 환원되어 상기 기판(31)을 향하여 이동할 수 있다. 상기 챔버(11) 내의 산소 농도는 상기 타겟(17)에 가까울수록 상대적으로 높을 수 있으며 상기 기판(31)에 가까울수록 상대적으로 낮을 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 소정시간(T1)의 경과에 따라 상기 기판(31)의 표면 및 상기 표면에 가까운 내부 영역에서의 산소는 실질적으로 완전히 제거될 수 있다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 상기 기판(31) 상에 환원 반도체 층(32) 및 반도체 층(33)이 형성될 수 있다(B40). 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 박막(32A)은 소정시간(T1)의 경과에 따라 산소가 실질적으로 완전히 제거되어 상기 환원 반도체 층(32)이 형성될 수 있다. 상기 제1 박막(32A)은 모두 환원되어 상기 환원 반도체 층(32)으로 변환될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(32) 상에 상기 반도체 층(33)이 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 환원 반도체 층(32)은 상기 기판(31) 상에 연속될 수 있다. 상기 반도체 층(33)은 상기 환원 반도체 층(32) 상에 연속될 수 있다. 상기 기판(31), 상기 환원 반도체 층(32), 및 상기 반도체 층(33)은 단결정 실리콘 층과 같은 단결정 반도체 층을 포함할 수 있다. 상기 반도체 층(33)은 상기 환원 반도체 층(32)보다 두꺼울 수 있다.
본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따르면, 상기 제1 박막(32A)을 제거하기 위한 세정 공정을 생략하여도, 상기 기판(31) 상에 상기 환원 반도체 층(32) 및 상기 반도체 층(33)과 같은 단결정 반도체 층을 형성할 수 있다.
도 7을 참조하면, 기판(31)이 제공될 수 있다. 상기 기판(31)은 단결정 실리콘 층과 같은 단결정 반도체 층을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법으로, 상기 기판(31) 상에 반도체 층(33)이 형성될 수 있다. 상기 반도체 층(33)은 상기 기판(31) 상에 연속될 수 있다. 상기 반도체 층(33)은 단결정 실리콘 층과 같은 단결정 반도체 층을 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 기판(31) 상에 제1 박막(32A)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 박막(32A)은 2nm 이상의 두께를 갖는 실리콘 산화층을 포함할 수 있다. 상기 제1 박막(32A)은 2nm 내지 10㎛ 두께를 갖는 실리콘 산화층을 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법으로, 상기 기판(31) 상에 환원 반도체 층(32) 및 반도체 층(33)이 형성될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(32)은 상기 제1 박막(32A)의 일부분이 환원되어 형성될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(32)의 형성으로 인하여 상기 제1 박막(32A)은 두께가 감소될 수 있다. 상기 제1 박막(32A)은 상기 기판(31) 및 상기 환원 반도체 층(32) 사이에 보존될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(32)은 상기 제1 박막(32A) 상에 연속될 수 있다. 상기 반도체 층(33)은 상기 환원 반도체 층(32) 상에 연속될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(32) 및 상기 반도체 층(33)은 폴리실리콘 층(Polysilicon Layer)과 같은 폴리반도체 층 또는 아몰퍼스 실리콘 층(Amorphous Silicon Layer)과 같은 아몰퍼스 반도체 층을 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 레이아웃이다. 도 12및 도 13은 상기 박막 형성 방법을 설명하기 위하여 도 11의 절단선 I-I'에 따라 취해진 단면도들이고, 도 14 내지 도 16은 상기 박막 형성 방법을 설명하기 위하여 도 11의 절단선 I-I'및 II-II'에 따라 취해진 단면도들이다. 본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 finFET, MBC(Multi-Bridge Channel) 트랜지스터, GAA(Gate All Around) 트랜지스터, 수직 트랜지스터, 및/또는 평면 트랜지스터와 같은 다양한 종류의 반도체 소자에 적용될 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 기판(31) 상에 다수의 희생층(132) 및 다수의 채널 층(133)이 번갈아 가며 반복적으로 적층될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 기판(31)은 단결정 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 상기 다수의 희생층(132)의 각각은 단결정 SiGe 층을 포함할 수 있다. 상기 다수의 채널 층(133)의 각각은 단결정 실리콘 층을 포함할 수 있다. 상기 다수의 채널 층(133)의 각각은 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법으로 형성될 수 있다.
도 11 및 도 13을 참조하면, 상기 다수의 희생층(132) 및 상기 다수의 채널 층(133)을 패터닝하여 다수의 핀(fin; 135)이 형성될 수 있다. 상기 다수의 핀(135) 사이의 상기 기판(31) 내에 소자분리층(137)이 형성될 수 있다. 상기 다수의 핀(135) 각각의 상면들 및 측면들 상에 버퍼층(139)이 형성될 수 있다. 상기 소자분리층(137)은 Si, O, N, C, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를들면, 상기 소자분리층(137)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 로우-케이 유전물(low-K dielectrics), 하이-케이 유전물(high-K dielectrics), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(139)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
도 11 및 도 14를 참조하면, 상기 버퍼층(139) 상에 환원 반도체 층(142), 임시 게이트 전극(143), 및 마스크 패턴(145)이 형성될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(142), 상기 임시 게이트 전극(143), 및 상기 마스크 패턴(145)의 측면들 상에 게이트 스페이서(147)가 형성될 수 있다. 상기 임시 게이트 전극(143) 양측에 인접한 다수의 드레인 트렌치(150)가 형성될 수 있다. 상기 다수의 희생층(132)의 측면들 상에 다수의 절연성 플러그(149)가 형성될 수 있다.
상기 환원 반도체 층(142) 및 상기 임시 게이트 전극(143)을 형성하는 것은 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법이 적용될 수 있다. 상기 버퍼층(139)의 표면은 부분적으로 환원되어 상기 환원 반도체 층(142)이 형성될 수 있다. 상기 바이어스 장치(도 1의 25)를 사용하여 상기 임시 게이트 전극(143)의 갭-필(gap-fill) 특성을 조절할 수 있다. 상기 임시 게이트 전극(143)은 우수한 갭-필(gap-fill) 특성을 보일 수 있다. 상기 환원 반도체 층(142) 및 상기 임시 게이트 전극(143)은 폴리실리콘 층과 같은 폴리반도체 층 또는 아몰퍼스 실리콘 층과 같은 아몰퍼스 반도체 층을 포함할 수 있다. 상기 마스크 패턴(145)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 스페이서(147) 및 상기 다수의 절연성 플러그(149)의 각각은 Si, O, N, C, 또는 이들의 조합을 포함하는 절연층을 포함할 수 있다.
도 11 및 도 15를 참조하면, 상기 다수의 드레인 트렌치(150) 내에 다수의 소스/드레인 영역(153)이 형성될 수 있으며, 및 상기 마스크 패턴(145) 상에 더미 층(154)이 형성될 수 있다.
상기 다수의 소스/드레인 영역(153) 및 상기 더미 층(154)을 형성하는 것은 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법이 적용될 수 있다. 상기 다수의 소스/드레인 영역(153)은 단결정 실리콘 층과 같은 단결정 반도체 층을 포함할 수 있다. 상기 더미 층(154)은 폴리실리콘 층과 같은 폴리반도체 층 또는 아몰퍼스 실리콘 층과 같은 아몰퍼스 반도체 층을 포함할 수 있다.
도 11 및 도 16을 참조하면, 상기 다수의 소스/드레인 영역(153) 상에 층간 절연층(157)이 형성될 수 있다. 상기 더미 층(154), 상기 마스크 패턴(145), 상기 임시 게이트 전극(143), 상기 환원 반도체 층(142), 상기 버퍼층(139), 및 상기 다수의 희생층(132)을 제거하고 게이트 유전층(161) 및 게이트 전극(163)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 유전층(161)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 하이-케이 유전물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(163)은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 실리사이드, 도전성 카본, 폴리실리콘, 또는 이들의 조합과 같은 도전층을 포함할 수 있다.
도 17 내지 도 19, 및 도 20은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 20은 도 19의 일부분을 보여주는 확대도이다. 본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 같은 다양한 종류의 반도체 소자에 적용될 수 있다.
도 17을 참조하면, 기판(31) 상에 소자분리층(237), 게이트 유전층(225), 게이트 전극(226), 다수의 소스/드레인 영역(227), 게이트 캐핑층(228), 제1 절연층(131), 및 콘택 홀(231H)이 형성될 수 있다. 상기 콘택 홀(231H)의 바닥에 상기 다수의 소스/드레인 영역(227)이 노출될 수 있다. 상기 다수의 소스/드레인 영역(227)은 단결정 실리콘 층과 같은 단결정 반도체 층을 포함할 수 있다.
도 18을 참조하면, 상기 콘택 홀(231H) 내에 비트 콘택 플러그(233)가 형성될 수 있으며, 상기 제1 절연층(131) 상에 더미 층(234)이 형성될 수 있다. 상기 비트 콘택 플러그(233) 및 상기 더미 층(234)을 형성하는 것은 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법이 적용될 수 있다. 상기 비트 콘택 플러그(233)는 단결정 실리콘 층과 같은 단결정 반도체 층을 포함할 수 있다. 상기 더미 층(234)은 폴리실리콘 층과 같은 폴리반도체 층 또는 아몰퍼스 실리콘 층과 같은 아몰퍼스 반도체 층을 포함할 수 있다.
도 19를 참조하면, 상기 더미 층(234)을 제거하고 상기 제1 절연층(131) 상에 비트 라인(245)이 형성될 수 있다. 상기 비트 라인(245)은 상기 비트 콘택 플러그(233)에 접촉될 수 있다. 상기 비트 라인(245)은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 실리사이드, 도전성 카본, 폴리실리콘, 또는 이들의 조합과 같은 도전층을 포함할 수 있다.
도 20을 참조하면, 상기 제1 절연층(131)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 상기 비트 콘택 플러그(233)의 측면을 둘러싸는 환원 반도체 층(232)이 형성될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(232)은 상기 제1 절연층(131) 및 상기 비트 콘택 플러그(233) 사이에 개재될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(232) 및 상기 비트 콘택 플러그(233)를 형성하는 것은 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법이 적용될 수 있다. 상기 환원 반도체 층(232)은 단결정 실리콘 층과 같은 단결정 반도체 층을 포함할 수 있다. 상기 비트 콘택 플러그(233) 및 상기 비트 라인(245) 사이에 금속 실리사이드 층(244)이 형성될 수 있다. 상기 비트 라인(245) 상에 비트 캐핑층(246)이 형성될 수 있다. 상기 비트 라인(245)의 측면들 상에 비트 스페이서(248)가 형성될 수 있다.
도 21을 참조하면, 상기 제1 절연층(131) 상에 상기 비트 라인(245)을 덮는 제2 절연층(247)이 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(247) 내에 매립 콘택 플러그(249)가 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(247) 및 상기 매립 콘택 플러그(249) 상에 식각 정지층(251), 제1 전극(261), 캐패시터 유전층(263), 제2 전극(265), 제1 지지대(272), 제2 지지대(274), 및 제3 절연층(277)이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(261)은 상기 식각 정지층(251)을 관통하여 상기 매립 콘택 플러그(249) 상에 접촉될 수 있다. 상기 제1 지지대(272) 및 상기 제2 지지대(274)는 상기 제1 전극(261)의 측면 상에 접촉될 수 있다. 상기 제1 전극(261) 상에 상기 제2 전극(265)이 형성될 수 있다. 상기 캐패시터 유전층(263)은 상기 제1 전극(261) 및 상기 제2 전극(265) 사이와, 상기 제1 지지대(272) 및 상기 제2 전극(265) 사이와, 상기 제2 지지대(274) 및 상기 제2 전극(265) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(261), 상기 캐패시터 유전층(263), 및 상기 제2 전극(265)은 셀 캐패시터를 구성할 수 있다. 상기 제1 전극(261)은 실린더 모양, 필라 모양, 또는 이들의 조합과 같은 다양한 종류의 3차원 형상을 포함할 수 있다.
도 22 및 도 23은 본 발명 기술적 사상의 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 24는 도 23의 일부분을 보여주는 확대도이다. 본 발명 기술적 사상의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 VNAND와 같은 다양한 종류의 비-휘발성 메모리 소자에 적용될 수 있다.
도 22를 참조하면, 기판(31)상에 소자 분리층(323), 다수의 트랜지스터(325), 제1 절연층(327), 다수의 주변 회로 배선(329), 제2 절연층(331), 제3 절연층(333), 제4 절연층(335), 수평 도전층(341), 갭-영역(345G), 지지대(347), 임시 적층 구조체(350T), 다수의 셀 채널 구조체(369), 제5 절연층(372), 다수의 분리 트렌치(375T), 및 다수의 희생 스페이서(374)가 형성될 수 있다. 상기 임시 적층 구조체(350T)는 번갈아 가며 반복적으로 적층된 다수의 절연층(351) 및 다수의 희생층(352)을 포함할 수 있다.
상기 갭-영역(345G)은 상기 수평 도전층(341) 및 상기 지지대(347) 사이에 형성될 수 있다. 상기 갭-영역(345G)은 상기 다수의 분리 트렌치(375T)에 연통될 수 있다. 상기 수평 도전층(341)은 소스 라인 또는 공통 소스 라인(Common Source Line; CSL)에 해당될 수 있다. 상기 수평 도전층(341)은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 실리사이드, 도전성 카본, 폴리실리콘, 또는 이들의 조합과 같은 도전층을 포함할 수 있다. 예를들면, 상기 수평 도전층(341)은 폴리실리콘을 포함할 수 있다.
도 23을 참조하면, 상기 갭-영역(345G) 내에 연결 도전층(345)이 형성될 수 있다. 상기 갭-영역(345G) 내에 상기 연결 도전층(345)을 형성하는 것은 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 것과 유사한 방법이 적용될 수 있다. 상기 연결 도전층(345)은 폴리실리콘 층과 같은 폴리반도체 층 또는 아몰퍼스 실리콘 층과 같은 아몰퍼스 반도체 층을 포함할 수 있다.
상기 다수의 희생 스페이서(374)가 제거될 수 있다. 상기 다수의 희생층(352)을 제거하고 다수의 전극층(353)이 형성될 수 있다. 상기 다수의 절연층(351) 및 상기 다수의 전극층(353)은 적층 구조체(350)를 구성할 수 있다.
상기 다수의 분리 트렌치(375T) 내에 다수의 분리 패턴(375)이 형성될 수 있다. 상기 제5 절연층(372) 내에 다수의 비트 플러그(381)가 형성될 수 있다. 상기 제5 절연층(372) 상에 제6 절연층(379) 및 다수의 비트 라인(383)이 형성될 수 있다.
도 24를 참조하면, 상기 다수의 셀 채널 구조체(369)의 각각은 코어 패턴(361), 상기 코어 패턴(361)의 외측을 둘러싸는 채널층(362), 상기 채널 층(362)의 외측을 둘러싸는 정보 저장 패턴(366), 및 비트 패드(367)를 포함할 수 있다. 상기 정보 저장 패턴(366)은 상기 채널 층(362)의 외측을 둘러싸는 터널 절연 층(363), 상기 터널 절연 층(363)의 외측을 둘러싸는 전하 저장 층(364), 및 상기 전하 저장 층(364)의 외측을 둘러싸는 블로킹 층(365)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 연결 도전층(345)은 상기 정보 저장 패턴(366)의 측면을 관통하여 상기 채널 층(362)의 측면에 직접적으로 접촉될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 따른 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
11: 챔버
13: 받침대
15: 가열 장치 17: 타겟(Target)
19: 착화 원(Ignition Source) 21: 가스 주입구
23: 배기구 25: 바이어스 장치
31: 기판 32A: 제1 박막
32: 환원 반도체 층 33: 반도체 층
132: 희생층 133: 채널 층
135: 핀(fin) 137: 소자분리층
139: 버퍼층 142: 환원 반도체 층
143: 임시 게이트 전극 145: 마스크 패턴
147: 게이트 스페이서 149: 절연성 플러그
150: 드레인 트렌치 153: 소스/드레인 영역
154: 더미 층 157: 층간 절연층
161: 게이트 유전층 163: 게이트 전극
15: 가열 장치 17: 타겟(Target)
19: 착화 원(Ignition Source) 21: 가스 주입구
23: 배기구 25: 바이어스 장치
31: 기판 32A: 제1 박막
32: 환원 반도체 층 33: 반도체 층
132: 희생층 133: 채널 층
135: 핀(fin) 137: 소자분리층
139: 버퍼층 142: 환원 반도체 층
143: 임시 게이트 전극 145: 마스크 패턴
147: 게이트 스페이서 149: 절연성 플러그
150: 드레인 트렌치 153: 소스/드레인 영역
154: 더미 층 157: 층간 절연층
161: 게이트 유전층 163: 게이트 전극
Claims (10)
- 챔버;
상기 챔버 내에 배치된 받침대;
상기 받침대에 인접한 가열 장치;
상기 챔버에 연통되고 상기 챔버의 내부에 환원 가스 및 불활성 가스를 공급하는 가스 주입구;
상기 챔버 내에 배치되고 상기 받침대와 공간적으로 분리된 타겟(Target); 및
상기 타겟에 인접한 착화 원(Ignition Source)을 포함하되,
상기 환원 가스는 수소(H2), 중수소(D2), 또는 이들의 조합을 포함하고,
상기 착화 원은 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma)장치를 포함하는 박막 형성 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 가열 장치는 질화알루미늄 히터(AlN Heater)를 포함하는 박막 형성 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 가열 장치는 100℃ 내지 500℃의 온도 조절 능력을 갖는 박막 형성 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 착화 원은 2.45 GHz 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 포함하는 박막 형성 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 착화 원은 500W 내지 5000W의 전원이 인가되는 박막 형성 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 타겟은 실리콘산화물을 포함하는 박막 형성 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 챔버 내부의 압력은 10mTorr 내지 1Torr 인 박막 형성 장치. - 제1 항의 상기 받침대 상에 박막을 갖는 기판을 로딩하고,
상기 가스 주입구를 통하여 상기 챔버의 내부에 상기 환원 가스 및 상기 불활성 가스를 공급하고,
상기 착화 원을 사용하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 점화하고, 그리고
상기 기판 상에 환원 반도체 층 및 반도체 층을 형성하는 것을 포함하는 박막 형성 방법. - 제1 항의 상기 받침대 상에 기판을 로딩하고,
상기 가스 주입구를 통하여 상기 챔버의 내부에 상기 환원 가스 및 상기 불활성 가스를 공급하고,
상기 착화 원을 사용하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 점화하고, 그리고
상기 기판 상에 반도체 층을 형성하는 것을 포함하는 박막 형성 방법. - 제1 항의 상기 받침대 상에 박막을 갖는 기판을 로딩하고,
상기 가스 주입구를 통하여 상기 챔버의 내부에 상기 환원 가스 및 상기 불활성 가스를 공급하고,
상기 착화 원을 사용하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 점화하고, 그리고
상기 박막 상에 환원 반도체 층 및 반도체 층을 형성하는 것을 포함하는 박막 형성 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200001607A KR20210088318A (ko) | 2020-01-06 | 2020-01-06 | 플라즈마를 이용하는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 |
US16/925,532 US11646203B2 (en) | 2020-01-06 | 2020-07-10 | Thin film formation apparatus and method using plasma |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200001607A KR20210088318A (ko) | 2020-01-06 | 2020-01-06 | 플라즈마를 이용하는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210088318A true KR20210088318A (ko) | 2021-07-14 |
Family
ID=76654611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200001607A KR20210088318A (ko) | 2020-01-06 | 2020-01-06 | 플라즈마를 이용하는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11646203B2 (ko) |
KR (1) | KR20210088318A (ko) |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69430230T2 (de) | 1993-10-14 | 2002-10-31 | Neuralsystems Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallinen dünnen Films |
US5939831A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications |
JP4250834B2 (ja) | 1999-10-29 | 2009-04-08 | ソニー株式会社 | 触媒スパッタリングによる薄膜形成方法 |
JP2001168029A (ja) | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Sony Corp | 半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法 |
US6530997B1 (en) | 2000-04-06 | 2003-03-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of gaseous silicon hydrides as a reducing agent to remove re-sputtered silicon oxide |
US6429097B1 (en) | 2000-05-22 | 2002-08-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to sputter silicon films |
JP2002270520A (ja) | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Canon Inc | 多結晶Si薄膜の堆積法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子 |
KR100634528B1 (ko) | 2004-12-03 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 단결정 실리콘 필름의 제조방법 |
JP5090716B2 (ja) | 2006-11-24 | 2012-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
JP2010262947A (ja) | 2007-08-31 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 選択的膜製造方法 |
KR101836067B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2018-03-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터와 그 제작 방법 |
CN102373500A (zh) | 2010-08-16 | 2012-03-14 | 元亮科技有限公司 | 一种太阳能级单晶硅的生长方法和设备 |
JP5982147B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN107924833B (zh) * | 2015-08-17 | 2021-11-09 | 株式会社爱发科 | 基板处理方法及基板处理装置 |
-
2020
- 2020-01-06 KR KR1020200001607A patent/KR20210088318A/ko unknown
- 2020-07-10 US US16/925,532 patent/US11646203B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210210342A1 (en) | 2021-07-08 |
US11646203B2 (en) | 2023-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102052936B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
KR101116360B1 (ko) | 매립비트라인을 구비한 반도체장치 및 그 제조 방법 | |
KR100547227B1 (ko) | 신규한 디램 액세스 트랜지스터 | |
KR102406971B1 (ko) | 커패시터를 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR100748559B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20080003184A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
TWI726705B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP4543397B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20120049262A1 (en) | A dram cell structure with extended trench and a manufacturing method thereof | |
KR100833437B1 (ko) | 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법 | |
TW201445702A (zh) | 埋入式數位線存取元件及記憶體陣列 | |
JP2011233694A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI771104B (zh) | 具有埋入電源線與埋入訊號線的半導體結構及其製備方法 | |
KR20090096996A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
US20080286926A1 (en) | Bit line of a semiconductor device and method for fabricating the same | |
CN109768010B (zh) | 改善半导体器件良率的方法 | |
KR20210088318A (ko) | 플라즈마를 이용하는 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 | |
US20130146966A1 (en) | Semiconductor structure with enhanced cap and fabrication method thereof | |
KR100780598B1 (ko) | 벌브형 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조 방법 | |
US20150325454A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
KR100814418B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법 | |
KR20050014316A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된플래쉬 메모리 소자 | |
KR20010058645A (ko) | 반도체장치의 층간절연막 형성방법 | |
KR100378689B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성방법 | |
WO2022028162A1 (zh) | 半导体结构及其制作方法 |