JP2010517263A - ダイヤモンド電子デバイス及びそれらの製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、２つの固体材料の間に機能性界面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、界面は、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面及び第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層によって形成され、第２の層は、固体の非金属であり、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択され、単結晶ダイヤモンドの層の平坦な第１の表面は、Ｒｑが１０ｎｍ未満であり、以下の特性：（ａ）第１の表面が、エッチングされた表面であること；
（ｂ）第１の表面を破壊する第１のダイヤモンド層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；（ｃ）界面に平行し、界面から５０μｍ以内の第２の層内に存在する観念上の又は実際の表面を破壊する第２の層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；及び（ｄ）第１の表面が１ｎｍ未満のＲｑを有することのうちの少なくとも１つを有するダイヤモンド電子デバイスに関する。

Description

本発明は、ダイヤモンドで作製された電子デバイス、及び高性能を得るためのこれらの電子デバイスの製造方法に関する。
現世代の高周波（ＨＦ）及びマイクロ波信号は、たいていＳｉ及びＧａＡｓデバイスに基づく。物理的制限により、これらのデバイスは、簡単な固体デバイス構成において（増幅される周波数に応じて）数百ワットを超える電力レベルを達成することができない。広バンドギャップ材料（ダイヤモンド、ＳｉＣ、ＧａＮ等）は、基本的に、マイクロ波周波数において単位ゲート長当たりより高い電力増幅を可能にする。これは、マイクロ波信号上のより大きいバイアス電圧、及びより大きい電圧振幅を、電流が変調されるトランジスタチャネル領域全体を通じて支持できるためである。実際、広バンドギャップ半導体のより高い破壊電場が利用される。マイクロ波トランジスタにおいて、一般には、電力を比較的高インピーダンス（例えば５０Ω）の負荷に伝達しなければならないため、高電圧を支持する能力が特に望ましい。
様々なタイプのトランジスタの製造におけるダイヤモンドの使用が、例えば、特開昭６０−２４６６２７号公報、欧州特許第０３４３９６３（Ｂ１）号明細書及び国際公開第２００６／１１７６２１（Ａ１）号パンフレットに記載されている。
国際公開第２００６／１１７６２１（Ａ１）号パンフレットには金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）が開示されている。ＭＥＳＦＥＴは、さらなるダイヤモンド材料の層を堆積できる成長表面を有する単結晶ダイヤモンド材料基板を設け、複数のさらなるダイヤモンド層を基板成長表面に堆積させ、適切な接触子をそれぞれのダイヤモンド層に取りつけることにより製造され、それによりトランジスタ構造を定める。基板に堆積されたさらなるダイヤモンド層は、ホウ素ドープ界面層（「デルタドープ」層）を含む。当該設計には、いくつかの合成上の問題がある。主な問題は、非常に急激に真性層に変化する（例えば、数ｎｍで１ｃｍ３当たりＢ原子約１０１５個から１ｃｍ３当たりＢ原子約１０２０個までＢ濃度が変化する）ナノメートルの薄いホウ素層を生成する必要があることである。当該ホウ素層（デルタ層）を成長させることは、平坦及び平滑にするための基板表面調製及びダイヤモンド成長状態を含むいくつかの重要な工程に依存する。この種のデバイスにおいて、（電荷担体として作用する）孔は、基本的には、デルタ層におけるホウ素受容体のすぐ近くの薄い真性ダイヤモンド層に局在する。
同時係属出願第ＧＢ０７０１１８６．９号に記載されている代替的な設計は、荷電担体及びイオン化受容体／供与体が空間的に分離されて、デバイス製造及び性能の点で特定の利点をもたらす構造を提供する。これは、極性層に隣接する薄いダイヤモンド表面層内のダイヤモンドに担体を実質的に閉じ込めるために、極性層をダイヤモンド表面と接触させることによって達成される。
ダイヤモンド表面デバイスに対しても研究が行われた。これらは、概して本質的に不安定であるため、長期的に実用的なデバイスであるとは一般的に認識されていないが、ダイヤモンドの挙動を特徴づける道筋を与える。表面デバイスは、一定の状況下で、水素末端ダイヤモンド表面がバンド曲がり（ｂａｎｄ ｂｅｎｄｉｎｇ）によって形成された表面層内の遊離担体を有し、次いでそれをデバイスの作製に使用できることを利用する。バンド曲がりを含めるために水素末端表面にさらなる化学種を吸着させる必要があり、例えばデバイスが加熱されると、これらの化学種及び水素末端そのものが失われ得るため、これらのデバイスに不安定が生じる。
ダイヤモンド表面の調製は、歴史的に、平坦な表面を提供することに集中してきた。ダイヤモンドの平坦な表面は、一般には、第１に機械的処理によってのみ調製することが可能である。続いて、任意のさらなる処理は、異方性挙動により、表面を粗面化するか、又はへこませる傾向がある。国際公開第０１／０６６３３号パンフレットでは、ホモエピタキシャルＣＶＤダイヤモンド合成において、平坦な基板表面を機械的に調製し、表面下の損傷を最小限にするように処理を最適化することに利点があることが報告された。続いて、これらの表面は、合成前に（好ましくはその場で成長直前に）水素エッチング又は酸素エッチングなどの異方性エッチングを用いてエッチングされ、異方性であるこのエッチングは、へこみ（ｐｉｔ）の形で表面下の損傷を生じさせるため、表面損傷が低減された表面上で合成が行われるが、完全には平坦にならず、エッチングによって粗面化されるか、へこみができる。次いで、この比較的損傷がないが、エッチングで粗面化された表面は、その開示による成長に好適である。
国際公開第２００６／１１７６２１号パンフレットには、いくつかの電子デバイスの作製において、機械的処理を用いて、電子材料に対する平行面を得ることができ、この処理を最適化して、平坦又は平滑及び表面下の損傷の最小化の両方を達成することができるが、後者は解消されないことが明らかにされている。
電子デバイスは、多くの材料で製造される。典型的には、電子デバイスの作製は、基板を調製すること、及びこの基板上に１つ又は複数の「エピ」又はエピタキシャル層を合成することを含む。エピタキシャル層は、以下の通り多くの点で基板と異なり得る。
・これらは、バルク成長基板材料で制御するのが困難であり得るため、純度が高く及び／又はより転位量が低い。
・ドープ剤濃度、例えば、基板を絶縁して隔離し、エピ層をドープして、活性デバイス領域を設けることができる。
・ヘテロエピタキシャル層の場合は、エピ層における基本材料が異なり得る。
ダイヤモンドにおける状況が以下の通り異なる。
・最も純度の高い材料を厚膜層に成長させることができるが、当該厚膜層の最終的な表面は、平坦でない。
・ダイヤモンドにおける任意の界面又は新たな成長の開始は、新たな転位の生成源になり得るため、界面の数が概して最小限になる。
・真の単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができないため、ダイヤモンド単結晶基板が常に使用される。ヘテロエピタキシャル材料は、ときには、例えば成長表面の視覚的検査から単結晶と記され得るが、互いに誤った方向に配向され、低角度境界によって隔てられた結晶の領域を依然保持する。
ダイヤモンドとより従来の電子材料との１つの類似点は、典型的にはホウ素を使用してダイヤモンドをドープできることである。ドープ層は、一般には真性層への個別的な成長段階で、一般にＣＶＤ成長によって形成される。
本発明は、２つの固体材料の間に機能性界面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、界面は、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と、第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とによって形成され、第２の層は固体の非金属であり、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択され、単結晶ダイヤモンドの層の平坦な第１の表面は、Ｒｑが１０ｎｍ未満であり、以下の特性：
（ａ）第１の表面が、エッチングされた表面、好ましくは等方性エッチングされた表面であること；
（ｂ）表面を破壊する第１のダイヤモンド層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；
（ｃ）界面に平行し、界面から５０μｍ以内の第２の層内に存在する観念上の又は実際の表面を破壊する第２の層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；及び
（ｄ）第１の表面が１ｎｍ未満のＲｑを有すること
のうちの少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つ、好ましくは少なくとも３つ、好ましくは４つすべてを有するダイヤモンド電子デバイスを提供する。
特徴（ａ）〜（ｄ）は、ダイヤモンド表面の調製を指し、ダイヤモンド表面は、特性（ａ）〜（ｄ）の少なくとも１つ、より好ましくは２つ、より好ましくは３つ、より好ましくは４つすべてを有することが一般的に好ましい。
特性（ａ）から（ｄ）の少なくとも１つを有することに加えて、好ましくは、本発明のダイヤモンド電子デバイスの機能性界面は、電荷担体が活性デバイス電流を形成し、使用に際して、電荷担体が界面に実質的に平行に移動するか、又は界面に実質的に垂直に界面を通って移動するように、それに隣接する電荷担体の層を有する領域を有する。
上記方法により調製された界面は、「損傷のない平坦な界面」と称することになる。
好ましくは、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面及び第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層によって形成された界面は、内側の界面である。
さらなる態様において、本発明は、２つの固体材料の間に機能性界面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、界面は、機械的処理された単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と、第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とによって形成されるものであって、第２の層は、固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであって、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は１０ｎｍ未満のＲｑを有し、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平面は機械的処理による残留損傷が実質的にない、ダイヤモンド電子デバイスを提供する。
好ましくは、機能性平面における露出エッチングによって露出された欠陥の数密度は、１ｍｍ２当たり約１００未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約５０未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約２０未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約１０未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約５未満である。
好ましくは、単結晶ダイヤモンド材料の第１の層の平面は、処理された表面、好ましくは機械的処理された表面、好ましくは機械的に調製された表面から調製される。
本明細書に用いられているように、「機械的に処理された」という用語は、従来の研磨及びラッピング技術を含む工程が表面に施されたことを意味する。本明細書に用いられているように、「機械的に調製された」という用語は、特定の意図する目的に好適になるように機械的処理された表面を指す。これは、ラッピング工程と研磨工程の任意の組合せと異なり、表面下の損傷の量を最小限にするように好適化された手段を含み得る。
さらなる態様において、本発明は、ダイヤモンド電子デバイスを製造するための方法であって、約２０μｍを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第１の表面を調製すること、ダイヤモンド層の第１の表面をエッチングして、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有する平坦な第１の表面を形成すること、及び第２の層をダイヤモンド層の平坦な第１の表面に、ダイヤモンド層と第２の層との間に機能性界面を形成するように形成することであって、第２の層が固体の非金属であり、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されることを含む方法を提供する。
さらなる態様において、本発明は、ダイヤモンド電子デバイスを製造するための方法であって、約２０μｍを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第１の表面を調製すること、好ましくは約２０μｍ未満の厚さを有するダイヤモンドの薄層をダイヤモンド層の第１の表面に成長させて、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有する平坦な第１の表面を形成すること、及び第２の層をダイヤモンド層の平坦な第１の表面に、ダイヤモンド層と第２の層との間に機能性界面を形成するように形成することであって、第２の層が固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであることを含む方法を提供する。
好ましくは、ダイヤモンド層は、単結晶ダイヤモンドである。
本発明の脈絡において、平坦な界面は、大きな寸法、例えば、約１μｍを超える、より好ましくは約１０μｍを超える、より好ましくは約１００μｍを超える、より好ましくは約１ｍｍを超える寸法にわたって必ずしも平坦でないが、このスケールである曲度を示し得る界面である。しかし、該界面は、電荷担体の散乱を引き起こすことによってデバイスの性能を低下させ得る鋭い特徴がないという理由で平面である。特に、第１の層の第１の表面及び好ましくはその上に形成された界面は、好ましくは、約１０ｎｍ未満の二乗平均平方根粗さ（ｒｏｏｔ−ｍｅａｎ−ｓｑｕａｒｅ）Ｒｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有する。また、第１の層に直面する第２の層の表面は、好ましくは、約１０ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有する。
機能性界面は、該界面が存在しなければ、デバイスの設計が異なり、且つ／又はその動作が有意に変化するような、デバイスの動作設計の一部を形成する界面である。より具体的には、使用に際して、デバイスの活性電流である電荷担体は、機能性界面の近傍で、それに対して実質的に平行に、又は実質的に垂直に移動し、そして通過する。
本発明の電子デバイスは、天然単結晶ダイヤモンド、高圧−高温（ＨＰＨＴ）技術によって製造された合成単結晶ダイヤモンド、及びＣＶＤ技術によって製造された合成単結晶ダイヤモンド（「単結晶ＣＶＤダイヤモンド」）を含むことができる。或いは、それは、これらの組合せ、例えば、第１に表面を提供するホウ素ドープＨＰＨＴダイヤモンドを含む第１の層、及び第２の層を提供する単結晶ＣＶＤダイヤモンドを含むことができる。
好ましくは、本発明の電子デバイスの第１の層は、単結晶ＣＶＤダイヤモンドを含む。好ましくは、第２の層がダイヤモンドである場合には、これは、単結晶ＣＶＤダイヤモンドを含む。
好ましくは、その間に界面がある第１の層及び／又は第２の層は、高純度単結晶ダイヤモンド、好ましくは高純度単結晶ＣＶＤダイヤモンドである。
高純度の単結晶ダイヤモンドは、好ましくは、水素及びその同位体を除く全不純物含有量が１ｃｍ３当たり原子約５×１０１８以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約１×１０１８以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約５×１０１７以下である。
代替的に、又は追加的に、高純度の単結晶ダイヤモンドは、窒素含有量が１ｃｍ３当たり原子約５×１０１７以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約１×１０１７以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約５×１０１６以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約１×１０１６以下である。
代替的に、又は追加的に、高純度の単結晶ダイヤモンドは、ホウ素含有量が１ｃｍ３当たり原子約１×１０１７以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約１×１０１６以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約５×１０１５以下、好ましくは１ｃｍ３当たり原子約１×１０１５以下である。
二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を含む技術によって全不純物、窒素及びホウ素濃度を測定することができる。ＳＩＭＳを用いて、バルク不純物濃度を求め、不純物の濃度の「深さプロファイル」を求めることができる。ＳＩＭＳの使用は、当該技術分野で良く知られており、例えば、ＳＩＭＳによるホウ素濃度の測定が国際公開第０３／０５２１７４号パンフレットに開示されている。
界面をエッチング又は再結晶によって形成することができる。好ましくは、界面は、エッチング、好ましくは等方性エッチングによって形成される。界面が等方性エッチングによって形成される場合には、好ましくは、それは、ハロゲン及び不活性ガスを含む気体混合物を使用するＩＣＰエッチングによって調製される。好ましくは、ハロゲンは塩素であり、不活性ガスはアルゴンである。
有利には、等方性エッチングの技術を使用することによって、界面を形成する表面は、結晶配向にかかわらずほぼ同じ速度でエッチングされる。これは、界面を単結晶又は多結晶ダイヤモンドから形成できることを意味するため、特に有利である。これは、また、等方性エッチングが用いられる場合と異なり、損傷した領域を優先的に除去することなく表面をエッチングできることを意味する。したがって、等方性エッチングは、表面を有意に粗面化することなく表面から損傷を除去する。
エッチング
エッチングされた表面は、表面から最小限の厚さの材料を除去することを指す。
一実施形態において、エッチングされた表面は、機械的処理の損傷がないか、又は実質的になく、損傷エッチング特徴もないか、又は実質的にない表面を提供するために、最後の機械的処理の粗粒子サイズに基づく機械的処理表面、好ましくは機械的に調製された表面から最小限の厚さの材料を除去することを意味する。
上述したように、等方性エッチングされた表面は、表面の表面粗さがエッチングによって実質的に増加されないことを指す。表面粗さの測定値Ｒｑ Ｂ及びＲｑ Ａは、ダイヤモンドの同じ部分に対して得る。「同じ部分」とは、当該技術分野で知られているように、複数の測定、及び測定の全体的な信頼性を検証する必要がある場合には統計的解析を用いて、合理的に実用的にできるだけ近い同等の部分を指す。特に、Ｒｑ Ａ／Ｒｑ Ｂが好ましくは約１．５未満、より好ましくは約１．４未満、より好ましくは約１．２未満、より好ましくは約１．１未満になるように、本発明の等方性エッチングされた表面はＲｑ Ａ（エッチング後）を有し、本来の表面は粗さＲｑ Ｂ（エッチング前）を有し、加えて等方性エッチングは、好ましくは、以下の特徴のうちの少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つを提供する。
・平滑であり、好ましくは最初に調製された表面より平滑であり、特にエッチングされた表面（Ｒｑ Ａ）のＲｑが好ましくは約１０ｎｍ未満、好ましくは約５ｎｍ未満、好ましくは約２ｎｍ未満、好ましくは約１ｎｍ未満、好ましくは約０．５ｎｍ未満、好ましくは約０．３ｎｍ未満であるエッチングされた表面。
・少なくとも約０．２μｍ、より好ましくは少なくとも約０．５μｍ、より好ましくは少なくとも約１．０μｍ、より好ましくは少なくとも約２μｍ、より好ましくは少なくとも約５μｍ、より好ましくは少なくとも約１０μｍを超える厚さの材料の除去。
機械的処理の損傷がないか、又は実質的にない表面を提供するために、最後の機械的処理の粗粒子サイズに基づく機械的に処理された表面から最小限の厚さの材料をエッチングによって除去するには、表面損傷を有意に低減するために十分な深さを除去することを必要とするため、表面損傷層と同じオーダの厚さのエッチングによる除去を必要とする。典型的には、表面損傷層は、約０．２μｍから約２０μｍの範囲の（又は非常に攻撃的な宝石技術を用いた場合はより厚い）厚さを有する。したがって、好ましくは、エッチングは、ある厚さの材料を表面から除去し、除去される材料の厚さは、少なくとも約０．２μｍ、より好ましくは少なくとも約０．５μｍ、より好ましくは少なくとも約１．０μｍ、より好ましくは少なくとも約２μｍ、より好ましくは少なくとも約５μｍ、より好ましくは少なくとも約１０μｍである。表面損傷層は、典型的には、宝石処理の最終段階に使用される最大のダイヤモンド粗粒子のサイズとほぼ同じである厚さを有する。例えば、１〜２μｍのサイズのダイヤモンド粗粒子で研磨された表面スケイフは、典型的には、約２μｍの厚さの表面損傷層を有することになる。したがって、本発明の方法によるエッチング後に残留する宝石処理による損傷の量を最小限に抑えるために、本発明の方法によって除去する材料の量は、好ましくは、最大の粗粒子のサイズの少なくとも約０．２倍で、より好ましくは、最大の粗粒子のサイズの少なくとも約０．５倍、より好ましくは、最大の粗粒子のサイズの少なくとも約０．８倍、より好ましくは、最大の粗粒子のサイズの少なくとも約１．０倍、より好ましくは、最大の粗粒子のサイズの少なくとも約１．５倍、より好ましくは、最大の粗粒子のサイズの少なくとも約２倍であるべきである。エッチング後、単結晶ダイヤモンドの表面は、好ましくはエッチング後の表面粗さＲｑが約１０ｎｍ未満、より好ましくは約５ｎｍ未満、より好ましくは約２ｎｍ未満、より好ましくは約１ｎｍ未満、より好ましくは約０．５ｎｍ未満、より好ましくは約０．３ｎｍ未満である。
界面がエッチングによって形成される場合には、それは、第１のダイヤモンド層の表面の全体にわたって、又はフォトリソグラフィーなどの既知の技術を用いて表面にエッチングされた構造的特徴などの表面の一部に広がることができ、次いで表面のこの部分は、第１の表面を形成する。
界面がエッチングによって形成される場合には、界面は、好ましくは、電子デバイスの設計における機能性界面であり、好ましくは、最終デバイスの内側表面又は界面であると考えられる以下の界面の１つである。
・真性ダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンド、又はその逆などのダイヤモンドとダイヤモンドの界面、或いはドープ剤濃度が界面を通じて少なくとも約２倍、好ましくは少なくとも約５倍、好ましくは少なくとも約１０倍、好ましくは少なくとも約２０倍に変化する、ドーピング濃度が異なる２つのダイヤモンド層の間の界面。
・少なくとも１つの層における不純物濃度が１０１５原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約３×１０１５原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１６原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１７原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１８原子／ｃｍ３を超え、又は
界面における不純物濃度の変化が少なくとも約５倍、好ましくは少なくとも約１０倍、好ましくは少なくとも約３０倍、好ましくは少なくとも約１００倍であり、好ましくは、不純物が水素以外であるように、
少なくとも１つの不純物の量が界面で変化するダイヤモンドとダイヤモンドの界面。
・ダイヤモンドと非ダイヤモンド極性材料の界面。
・ダイヤモンドと非ダイヤモンド誘電体の界面。
界面がエッチングによって形成される場合には、より好ましくは、界面は、電子デバイスの設計における機能性界面であり、好ましくは、最終的なデバイスの内面又は界面と考えられる以下の界面の１つである。
・真性ダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンド、又はその逆などのダイヤモンドとダイヤモンドの界面、或いはドープ剤濃度が界面を通じて少なくとも約２倍、好ましくは少なくとも約５倍、好ましくは少なくとも約１０倍、好ましくは少なくとも約２０倍に変化する、ドーピング濃度が異なる２つのダイヤモンド層の間の界面。
・少なくとも１つの層における不純物濃度が１０１５原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約３×１０１５原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１６原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１７原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１８原子／ｃｍ３を超え、又は
界面における不純物濃度の変化が少なくとも約５倍、好ましくは少なくとも約１０倍、好ましくは少なくとも約３０倍、好ましくは少なくとも約１００倍であり、好ましくは、不純物が水素以外であるように、
少なくとも１つの不純物の量が界面で変化するダイヤモンドとダイヤモンドの界面。
・ダイヤモンドと非ダイヤモンド極性材料の界面。
界面がエッチングによって形成される場合には、より好ましくは、界面は、電子デバイスの設計における機能性界面であり、好ましくは、最終的なデバイスの内面又は界面と考えられる以下の界面の１つである。
・真性ダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンド、又はその逆などのダイヤモンドとダイヤモンドの界面、或いはドープ剤濃度が界面を通じて少なくとも約２倍、好ましくは少なくとも約５倍、好ましくは少なくとも約１０倍、好ましくは少なくとも約２０倍に変化する、ドーピング濃度が異なる２つのダイヤモンド層の間の界面。
・少なくとも１つの層における不純物濃度が１０１５原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約３×１０１５原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１６原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１７原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１８原子／ｃｍ３を超えるか、又は
界面における不純物濃度の変化が少なくとも約５倍、好ましくは少なくとも約１０倍、好ましくは少なくとも約３０倍、好ましくは少なくとも約１００倍であり、好ましくは、不純物が水素以外であるように、
少なくとも１つの不純物の量が界面で変化するダイヤモンドとダイヤモンドの界面。
また、低Ｒｑを有するエッチングされたダイヤモンド表面は、好ましくは、露出エッチング試験によって確認される欠陥の数が１ｍｍ２当たり約１００個未満になるように、処理損傷が実質的にない。
本発明の脈絡において、「不純物」という用語は、本発明のダイヤモンドに意図的に又は偶発的に存在するｓｐ３結合炭素（ダイヤモンドとして結合された炭素）又は水素（及びそれらの同位体）以外の原子を指す。ドープ剤は、ダイヤモンドの電子特性を改質するために添加される当該不純物であり、ドープ剤を含む材料は、「ドープドダイヤモンド」と記される。本発明において意図的に存在する不純物の例は、担体源を提供するように添加されるため、ドープ剤であるホウ素である。本発明において偶発的に存在し得る不純物の例は、合成に使用されるガス源に存在する結果として、又はＣＶＤ合成系における残留ガスとして混入されたと考えられる窒素である。
二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を含む技術によって不純物濃度を測定することができる。ＳＩＭＳを用いて、バルク不純物濃度を求め、不純物の濃度の「深さプロファイルを」求めることができる。ＳＩＭＳの使用は、当該技術分野で良く知られており、例えば、ＳＩＭＳによるホウ素濃度の測定が、国際公開第０３／０５２１７４号パンフレットに開示されている。
再成長
再成長による界面の形成は、デバイスの機能性界面を形成する表面からあらゆる損傷層を遠ざける効果を有するため有利である。
界面が成長によって形成される場合には、マスキング技術を使用することによって、それを第１のダイヤモンド層の表面の一部に制限することができ、この部分は第１の表面に対応し、或いはより好ましくは、それは、第１のダイヤモンド層の表面の全体に広がることができ、この全表面は、第１の表面を形成する。
成長は、エッチングよりはるかに遅いプロセスであり、例えば約０．１μｍ／分に対して約１μｍ／時間であるため、層の厚さの制御のための範囲がより広くなる。
いくつかの状況において、再成長の技術は、具体的には機械的損傷の影響を再成長単独で十分に低減することが可能であるという点でエッチング技術より魅力的であり得る。このような状況の例は、電荷担体が緩衝層内を移動しない基板上への緩衝層の堆積であり得る。
再成長によって形成された界面は、新たな薄いダイヤモンド層を成長させることを意味し、次いでこの薄層の表面は、その成長した状態で第１の表面として使用される。
機械的に処理された表面と再成長層との間の界面は、好ましくは、電子デバイス設計における界面として作用するように設計された界面（機能性界面）を、機械処理損傷が存在する界面から離れて変位又は分離させるための材料の層を提供する以外に、デバイス設計の本質的な部分に（又は機能性界面として）それ自体寄与しない。
当該薄いダイヤモンド層は、好ましくは、ＣＶＤ合成によって成長し、巨視的な成長ステップの形成を制限するほど薄い。既に機械的に調製された表面上に成長したこの層の厚さは、約２０μｍ未満、好ましくは約１０μｍ未満、好ましくは約３μｍ未満、好ましくは約１μｍ未満、好ましくは約１００ｎｍ未満、好ましくは約５０ｎｍ未満、好ましくは約２０ｎｍ未満、好ましくは約１０ｎｍ未満である。
当該薄層は、単層成長技術、及び表面ステップの調製を制御するための軸外表面の使用を含むいくつかの技術を用いて調製され得るため、非常に平坦且つ平滑な表面を保持することができる。
薄層が成長する表面が｛００１｝面のミラー指数に近いミラー指数を有し、これが、ホモエピタキシャルＣＶＤダイヤモンド成長が最も容易に達成される表面である場合には、表面に対する法線は、｛００１｝又は｛１１１｝面に対する法線の好ましくは０°から約５°、好ましくは約０．５°から約１°である。表面が｛００１｝面に近い場合には、表面に対する法線は、好ましくは、｛００１｝面の極及び隣接する｛１０１｝面の極を通過する大円の約１０°以内である。
当該薄層は、高純度の真性ダイヤモンドを含むことができ、より好ましくは、国際公開第０１／９６６３３号パンフレットの開示による材料特性を有する高純度の真性ダイヤモンドを含む。
或いは、当該薄層は、導電性ドープダイヤモンド、例えばＢドープダイヤモンドを含むことができる。
この成長した薄層の表面は、第１の表面を形成し、約１０ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有するのが好ましい。したがって、この表面は、表面粗さが非常に低く、加えて、処理損傷がない。
その上にこの層を成長させることができる調製表面は、任意の形のダイヤモンドであり得るが、好ましくはＣＶＤ合成ダイヤモンド、好ましくはホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドである。
また、界面が再成長によって形成される場合には、好ましくは、界面は、最終的なデバイスの内面又は界面であると考えられる以下の界面の１つである。
・両層が、好ましくは約１０１７原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１８原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１９原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０２０原子／ｃｍ３を超える濃度でドープ剤を含み、好ましくは、層の間のホウ素ドーピングの差がデバイス性能に無関係であり、損傷層が、基本的に、あらゆる活性デバイス界面から離れた導電性ダイヤモンドの領域に封入されているホウ素ドープダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンドなどの導電性ドープダイヤモンドと導電性ドープダイヤモンドの界面。好ましくは、ドープ剤はホウ素である。
層のいずれか一方の側のダイヤモンドの特性が、電子デバイス設計における界面として作用するように設計されない界面に対して十分に類似している真性ダイヤモンドと真性ダイヤモンドなどのダイヤモンドとダイヤモンドの界面である。好ましくは、真性ダイヤモンドは、国際公開第０１／９６６３３号パンフレットの開示による材料特性を有する高純度の真性ダイヤモンドを含む。
より好ましくは、界面が再成長によって形成される場合には、界面は、両層が、好ましくは約１０１７原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１８原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０１９原子／ｃｍ３を超える、好ましくは約１０２０原子／ｃｍ３を超える濃度でドープ剤を含み、好ましくは、層の間のホウ素ドーピングの差がデバイス性能に無関係であり、損傷層が、基本的に、あらゆる活性デバイス界面から離れた導電性ダイヤモンドの領域に封入されている導電性ドープダイヤモンドと導電性ドープダイヤモンドの界面である。好ましくは、ドープ剤はホウ素である。
組合せ
最初に表面をエッチングし、次いで薄層を再成長させて、第１の層の第１の表面及び続いて界面を形成するように、エッチングの技術と再成長の技術とを組み合わせることができる。この手法は、すべての機械的処理損傷を除去するのに十分な深さまでエッチングを完了させなかった場合にのみ一般的に有利である。しかし、それら２つの技術の組合せを使用することによって、最小限の表面損傷を有する界面を生成することが可能であることが認識される。これは、最初に損傷がエッチングによって除去され、次いで残留する損傷が薄いダイヤモンド層の成長によって機能性界面から遠ざけられたためである。
第１の層は、第１の表面の領域に低い転位密度を有することが望ましい。特に、第１の層の第１の表面を破壊する転位の密度は、約０．０１４ｃｍ２を超える面積、好ましくは約０．１ｃｍ２を超える面積、好ましくは約０．２５ｃｍ２を超える面積、好ましくは約０．５ｃｍ２を超える面積、好ましくは約１ｃｍ２を超える面積、好ましくは約２ｃｍ２を超える面積に対して測定した場合に約４００ｃｍ−２未満、好ましくは約３００ｃｍ−２未満、好ましくは約２００ｃｍ−２未満、好ましくは約１００ｃｍ−２未満であることが望ましい。
転位密度の低いダイヤモンド及びダイヤモンド表面の調製及び特性決定方法は、国際公開第０１／９６６３３号パンフレット、国際公開第０１／９６６３４号パンフレット、国際公開第２００４／０２７１２３号パンフレット及び同時係属出願第ＰＣＴ／ＩＢ２００６／００３５３１号の先行技術に報告されている。転位密度の特性決定を行う好適な方法は、「露出プラズマエッチング」の使用及び「Ｘ線トポグラフィー」の使用である。
界面の１つの側を形成する第１の層の第１の表面は、成長した表面の成長後の機械的処理によって少なくとも約１ｎｍ、好ましくは少なくとも約２ｎｍ、好ましくは少なくとも約５ｎｍ、好ましくは少なくとも約１０ｎｍ、好ましくは少なくとも約２０ｎｍ、好ましくは少なくとも約５０ｎｍ、好ましくは少なくとも約１００ｎｍ、好ましくは少なくとも約２００ｎｍ、好ましくは少なくとも約５００ｎｍの深さまで導入された損傷が実質的にないことがさらに望ましい。微小破壊及び機械的に生成された点及び拡大された欠陥を含む当該損傷の存在は、担体の散乱及び閉込み、局部電場の摂動並びに破壊電場の分解を介してデバイス性能に悪影響を及ぼし得る。
ダイヤモンド、特に単結晶ＣＶＤダイヤモンドの場合は、このような欠陥が、従来のラッピング及び研磨技術などを使用することによる、成長した表面の機械的処理によって材料に導入され得る。これらの問題は、その硬質性及び脆性並びに利用可能な化学的及び物理的エッチング処理の数を制限するその化学的不活性に鑑みて、ダイヤモンドに特に関係がある。低い粗さを得るために電子表面を処理するための要件と、低い表面損傷を得るために電子表面を処理するための要件とは、全く異なる。これらの両方の特徴を示す電子界面の調製は、本発明のさらなる態様である。
一般に、厚い層の成長時に生じ得る非平面特徴の存在により、成長した状態の単結晶ＣＶＤダイヤモンドの厚い層は、第１の層としての使用に好適でなく、それらの表面は、第１の表面としての使用に好適でない。非平面特徴が存在すると、それらが下の表面に対してエピタキシャルであっても、同じ結晶学的特性を有さない表面が存在することになる。例えば、｛１１１｝面によって形成された表面に伴う小丘が｛００１｝表面に存在し得る。これは、後の成長において、異なる成長セクターの領域の存在を招き、異なる特性を有する領域を生成し得るため望ましくない。さらに、異なる成長セクターの領域間の境界は、デバイスの電子特性に有害な転位の源になり得る。したがって、表面が平坦であること、即ち上記に規定したＲｑを有し、表面特徴がないことを保証することが望ましい。
逆に、電子表面がその上に調製されるダイヤモンド層は、処理及び取扱いに対して十分に剛性及び強靱性を有する必要があり、その結果として電子デバイスの作製は、通常は厚いダイヤモンド層から開始される。本発明において、厚いダイヤモンド層の成長表面から好適なダイヤモンド表面を製造するいくつかの方法が提供され、それらの処理工程は、該方法に含まれる。本発明の脈絡において、単結晶ＣＶＤ層は、その厚さが約２０μｍを超えるときに厚いと見なされる。
初めに、例えば露出エッチングからのフィードバックを使用することによって表面損傷を最小限にするように最適化された機械的ラッピング及び研磨処理を用いて、第１の表面を厚いダイヤモンド層上に調製することができる。当該技術は、例えば国際公開第０１／９６６３３号パンフレットに記載されている。当該表面は、低損傷レベルを有することができるが、デバイスから十分な性能を超える性能を得るために損傷を十分になくすことは見込まれない。
次いで、第１の表面を、化学的エッチング、又はイオンビームミリング、プラズマエッチング若しくはレーザ研磨、より好ましくはプラズマエッチングなどの他の形のエッチングを含むさらなる処理を用いることによって、上記の方法により表面損傷を最小限にするためにそれ自体最適化された、処理された表面、好ましくは機械的に処理された表面、好ましくは機械的に調製された表面から調製することができる。好ましくは、エッチング段階は、少なくとも約１０ｎｍ、好ましくは少なくとも約１００ｎｍ、より好ましくは少なくとも約１μｍ、より好ましくは少なくとも約２μｍ、より好ましくは少なくとも約５μｍ、より好ましくは少なくとも約１０μｍを除去する。好ましくは、エッチング段階は、約１００μｍ未満、好ましくは約５０μｍ未満、好ましくは約２０μｍ未満を除去する。このさらに処理された表面は、約１０ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有するのが好ましい。
或いは、第１の表面を処理された表面から、好ましくは機械的に処理された表面から、好ましくは上記方法を用いることによって表面損傷を最小限にするようにそれ自体最適化された機械的に調製された表面から、又は上記のものなどのエッチングされた表面から、好ましくはＣＶＤ法を用いてさらなるダイヤモンドの薄層を表面上に成長させることによって調製することができる。（再成長と称する）さらなるダイヤモンドの薄層の堆積前に、処理された表面は、約１０ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有する。（再成長と称する）さらなるダイヤモンドの薄層の堆積後に、新たな成長した再成長表面は、約１０ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有する。
第１の表面がプラズマエッチングによって調製される場合には、好ましくは、エッチングは、好ましくはハロゲン及び不活性ガスを含む気体混合物を使用するＩＣＰエッチングによって達成され、好ましくは不活性ガスはアルゴンであり、好ましくはハロゲンは塩素である。
電子デバイスは、ダイオードなどの２端末デバイスであってよい。
電子デバイスは、３端末トランジスタなどの少なくとも３つの端末を有することができる。
電子デバイスは、好ましくはトランジスタ、好ましくは電界効果トランジスタである。
本発明の一実施形態において、電子デバイスは、２つの固体材料の間に機能性界面を含み、界面は、好ましくは機械的処理され、続いて等方性エッチングされた単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面、及び第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層から形成され、第２の層は、固体の非金属であり、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択され、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は、約１０ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有する。
本発明の別の実施形態において、ダイヤモンド電子デバイスは、２つの固体材料の間に機能性界面を含み、界面は、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と、第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とから形成され、第２の層は、固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択され、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は約１ｎｍ未満のＲｑを有し、ダイヤモンド層の第１の表面は、単結晶ダイヤモンド層上に成長した、好ましくは、約２０μｍ未満、好ましくは約１０μｍ未満、好ましくは約３μｍ未満、好ましくは約１μｍ未満、好ましくは約１００ｎｍ未満、好ましくは約５０ｎｍ未満、好ましくは約２０ｎｍ未満、好ましくは約１０ｎｍ未満の厚さを有するダイヤモンド層の表面である。
本発明の別の実施形態において、電子デバイスは、２つの固体材料の間に機能性界面を含み、界面は、好ましくは機械的処理され、続いて等方性エッチングされた単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と、第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とから形成され、第２の層は、固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択され、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は、約１０ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約１ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．５ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．３ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．２ｎｍ未満のＲｑ、好ましくは約０．１ｎｍ未満のＲｑを有し、ダイヤモンド層の第１の表面は、単結晶ダイヤモンド層上に成長した、好ましくは、約２０μｍ未満、好ましくは約１０μｍ未満、好ましくは約３μｍ未満、好ましくは約１μｍ未満、好ましくは約１００ｎｍ未満、好ましくは約５０ｎｍ未満、好ましくは約２０ｎｍ未満、好ましくは約１０ｎｍ未満の厚さを有するダイヤモンド層の表面である。
測定技術の定義
本発明の目的では、表面の粗さは、そのＲｑ値で表される。Ｒｑは、「二乗平均平方根」（又はＲＭＳ）粗さとしても知られる。Ｒｑは、表面プロファイルの中心線又は平面からの平均二乗偏差の平方根で定義される。
Ｒｑ＝√（（ｙ１ ２＋ｙ２ ２＋．．．＋ｙｎ ２）／ｎ）
式中、ｙ１ ２等は、表面プロファイルの中心線又は平面からの平方偏差であり、ｎは、測定数である。
表面をそのＲａ値（「平均粗さ」又は「中心線平均値」とも称する）で定量することもできる。
Ｒａ＝（｜ｙ１｜＋｜ｙ２｜＋．．．．｜ｙｎ｜）／ｎ
式中、｜ｙ１｜等は、表面プロファイルの中心線又は平面からの偏差の絶対値であり、ｎは、測定数である。
表面プロファイルの中心線又は平面からの偏差のガウス分布を有する表面については、Ｒｑの値＝１．２５×Ｒａである。
Ｒａ及びＲｑを線に沿って（一次元測定）又は領域に対して（二次元測定）測定することができる。領域測定は、本質的に、一連の平行線測定である。
本発明の目的では、Ｒｑ値は、通常は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）などの走査プローブ計測器を使用して、１μｍ×１μｍの領域又は２μｍ×２μｍの領域に対して測定される。特定の状況において、０．０８ｍｍ走査長に対して（又は表面の粗さに対する当該技術内で標準的なあらゆる長さに対して）スタイラス表面粗さ計を使用してＲｑを測定するのがより適切であると考えられる。
精密等方性熱露出エッチングを用いて表面下損傷の程度を明らかにし、定量化することができる。露出エッチングは、損傷ダイヤモンドの領域を優先的に酸化するため、当該領域を識別し、その後定量することを可能にする。機械的処理による表面下損傷を含む領域は、典型的には、露出エッチングによって暗色化又はさらには黒色化される。
露出エッチングは、
（ｉ）典型的な金属顕微鏡を用いて反射光を使用して５０倍の倍率で表面を調べて、表面特徴が存在しないことを確認すること、
（ｉｉ）表面を空気−ブタン炎に曝露することによって、ダイヤモンド表面を約１０秒間の時間にわたって典型的には約８００℃から約１０００℃の温度まで昇温させること、
（ｉｉｉ）典型的な金属顕微鏡を用いて反射光を使用して５０倍の倍率で表面を調べ、以下に記載の方法で、露出エッチングにより露出された損傷特徴を計数して、数密度を測定すること、
（ｉｖ）計数した欠陥の数密度が、前のサイクルで測定した数密度の１５０％以下、好ましくは１２０％以下である場合はすべての欠陥が露出されたと見なし、サイクルが再び繰り返されない場合は記録した測定値が最後の２つのサイクルの測定値の平均値であるという条件が満たされるまで、工程（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）を繰り返し、欠陥の実測密度と前のサイクルの密度を比較することからなる。
欠陥の数密度は、以下の方法によって測定される。
（ｉ）計数する欠陥を、特性決定されている表面上に投影された１ｍｍ×０．２ｍｍの長方形の領域内に全体又は一部が含まれる、典型的な金属顕微鏡による５０倍の倍率で目視可能な欠陥とし、
（ｉｉ）領域を特性決定すべき表面又は表面の一部にわたって無作為に選択し、無作為に配向させ、
（ｉｉｉ）最低限５つの当該領域において欠陥を計数し、
（ｉｖ）計数した欠陥の総数を調査した総面積で割って、１ｍｍ２当たりの欠陥で数密度を求めることによって欠陥の数密度を計算する。
１ｍｍ２未満の領域における欠陥の数密度を測定するために、全領域にわたる欠陥計数を単一の測定として完了することによって上記方法を適応させる。
機械的処理による残留損傷が実質的にないと考えられる表面について、本発明の方法によって調製された単結晶ＣＶＤダイヤモンドの表面に露出した欠陥の数密度は、１ｍｍ２当たり約１００未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約５０未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約２０未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約１０未満、好ましくは１ｍｍ２当たり約５未満である。
転位密度が低いダイヤモンド及びダイヤモンド表面の調製及び特性決定方法が、国際公開第０１／９６６３３号パンフレット、国際公開第０１／９６６３４号パンフレット、国際公開第２００４／０２７１２３号パンフレット及び同時係属出願第ＰＣＴ／ＩＢ２００６／００３５３１号の先行技術に報告されている。転位密度を特性決定する好適な方法は、「露出プラズマエッチング」の使用及びＸ線トポグラフィーの使用である。
本明細書に用いられているように、「約ｘ」という用語は、ｘそのものの値を含むことを意図する。
例として、ダイオードの場合は、好ましくは損傷のない界面機能性界面をドープされた導電性ダイヤモンドと真性ダイヤモンドとの間に形成し、以下の方法の１つによって形成する。
・ホウ素ドープ層を形成し、平面を宝石又は機械的処理によってドープダイヤモンド上に形成する再成長による。次いで、好ましくは、粗面化を最小限に抑えるように選択され、粗面化を最小限に抑えるために好ましくは層を十分に薄く、１０ｎｍ〜２０μｍの厚さ範囲、より好ましくは１００ｎｍ〜１０μｍの厚さ範囲、より好ましくは１μｍ〜１０μｍの厚さ範囲に維持して、機械的損傷を有する表面をドープされた導電性ダイヤモンドの２つの領域の間に封入する成長条件を用いてさらなる薄いＢドープ層をこの層上に成長させる。次いで、高純度真性ダイヤモンド層を再成長した層の表面上に成長させ、この層は、好ましくは、国際公開第０１／９６６３３号パンフレットの開示による材料特性を有する高純度真性ダイヤモンドを含むため、ドープされた薄い導電性ダイヤモンド層と、ホウ素ドープ層内に封入された損傷層から変位したさらなる真性ダイヤモンドの層との間に損傷のない界面を形成する。
・導電性のドープダイヤモンド層を形成し、宝石又は機械的処理によって平面をドープダイヤモンド上に形成するエッチングによる。次いで、好ましくはプラズマエッチング、より好ましくはアルゴン／塩素プラズマエッチングを用いて表面をエッチングする。場合により、好ましくは、粗面化を最小限に抑えるように選択され、粗面化を最小限に抑えるために好ましくは層を十分に薄く、１０ｎｍ〜２０μｍの厚さ範囲、より好ましくは１００ｎｍ〜３１０μｍの厚さ範囲、より好ましくは１μｍ〜１０μｍの厚さ範囲に維持する成長条件を用いてさらなる薄いＢドープ層をこの層上に再成長させ得る。好ましくは、この任意の層を使用しない。次いで、高純度真性ダイヤモンド層を、エッチングした表面、又は任意の再成長層表面上に成長させ、この層は、好ましくは、国際公開第０１／９６６３３号パンフレットの開示による材料特性を有する高純度真性ダイヤモンドを含むため、導電性ダイヤモンド層とさらなる真性ダイヤモンドの層との間に損傷のない界面を形成する。
或いは、上記ダイオード構造を、高導電性層を与えるホウ素が多量にドープされた層と、逆電圧ホールドオフを与えるホウ素が少量ドープされた層との間に形成することができる。
トランジスタの場合は、損傷のない表面が真性ダイヤモンドで調製されるように、好ましくは損傷のない界面をエッチング又は再成長によって形成する。好ましくは、損傷のない表面は、デバイスにおける一次電流と平行し、この電流は、主に、損傷のない表面に隣接する真性ダイヤモンド層において発生し、その電流は、典型的には１μｍ未満、より典型的には約１００ｎｍ未満まで界面に近接する。したがって、二次元の電荷担体ガスが存在し、「二次元電荷担体ガス」という用語の意味は、当該技術分野で通常理解されている通りであり、二次元電荷担体ガスは、損傷のない表面に隣接する真性ダイヤモンドに存在する。
本発明を純粋に例として以上に説明したこと、及び請求項に規定されている本発明の範囲内で細部の変更を加えることができることが勿論理解されるであろう。

Claims (38)

  1. ２つの固体材料の間に機能性界面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、該界面は、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とによって形成され、該第２の層は、固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであり、該単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は、Ｒｑが１０ｎｍ未満であり、以下の特性：
    （ａ）第１の表面が、エッチングされた表面であること；
    （ｂ）第１の表面を破壊する第１のダイヤモンド層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；
    （ｃ）界面に平行し、界面から５０μｍ以内の第２の層内に存在する観念上の又は実際の表面を破壊する第２の層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；及び
    （ｄ）第１の表面が１ｎｍ未満のＲｑを有すること
    のうちの少なくとも１つを有するダイヤモンド電子デバイス。
  2. 単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面が、機械的処理された表面である、請求項１に記載の電子デバイス。
  3. ２つの固体材料の間に機能性界面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、該界面は、機械的処理された単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と、第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とによって形成され、該第２の層は、固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであり、該単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は、１０ｎｍ未満のＲｑを有し、該単結晶ダイヤモンドの第１の層の平面は、機械的処理による残留損傷が実質的にないダイヤモンド電子デバイス。
  4. 機能性平面における露出エッチングによって露出した欠陥の数密度が１ｍｍ２当たり１００未満である、請求項２に記載の電子デバイス。
  5. 第１のダイヤモンド層の第１の表面がエッチングされた表面である、請求項１から４までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  6. エッチングされた第１の表面が、等方性エッチングされた表面である、請求項５に記載の電子デバイス。
  7. 第１の表面が、ハロゲン及び不活性ガスを含むガス混合物を使用して等方性エッチングされた、請求項６に記載の電子デバイス。
  8. エッチングが、第１のダイヤモンド層の第１の表面から少なくとも０．２μｍを除去した、請求項５から７までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  9. エッチングが、宝石処理の最終段階で使用された最大粗粒子サイズの少なくとも０．２倍を除去した、請求項８に記載の電子デバイス。
  10. 単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面が、第１の表面を破壊する第１のダイヤモンド層の転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満である、請求項１から９までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  11. 単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面が、界面に平行し、界面から５０μｍ以内の第２の層内に存在する観念上の又は実際の表面を破壊する第２の層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満である、請求項１から１０までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  12. 第１のダイヤモンド層の第１の表面が、５ｎｍ未満のＲｑを有する、請求項１から１１までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  13. 単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面が、１ｎｍ未満のＲｑを有する、請求項１２に記載の電子デバイス。
  14. 指定した（ａ）〜（ｄ）の特性のうちの少なくとも２つを有する、請求項１に記載の電子デバイス。
  15. 指定した（ａ）〜（ｄ）の特性のうちの少なくとも３つを有する、請求項１に記載の電子デバイス。
  16. 指定した（ａ）〜（ｄ）の特性のうちの４つすべてを有する、請求項１に記載の電子デバイス。
  17. ダイヤモンド層の第１の表面が、単結晶ダイヤモンド層上で成長したダイヤモンド層の表面である、請求項１から１６までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  18. 成長したダイヤモンド層が、２０ミクロン未満の厚さを有する、請求項１７に記載の電子デバイス。
  19. 第１のダイヤモンド層の第１の表面が、少なくとも１ｎｍの深さまで、成長した表面の成長後の機械的処理によって導入された損傷が実質的にない、請求項１から１８までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  20. 第１の表面を破壊する第１のダイヤモンド層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に３００ｃｍ−２未満である、請求項１から１９までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  21. 界面に平行し、界面から５０μｍ以内の第２の層内に存在する観念上の又は実際の表面を破壊する第２の層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に３００ｃｍ−２未満である、請求項１から２０までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  22. 前記界面が、ダイヤモンドとダイヤモンドの界面である、請求項１から２１までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  23. 前記界面が、ダイヤモンドと極性材料の界面である、請求項１から２１までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  24. 前記界面が、ダイヤモンドと誘電体の界面である、請求項１から２１までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  25. 前記界面の一方の側のダイヤモンドが真性ダイヤモンドであり、前記界面の他方の側のダイヤモンドがホウ素ドープダイヤモンドである、請求項２３に記載の電子デバイス。
  26. 前記界面のそれぞれの側のダイヤモンドが、不純物量に５倍を超える差がある、請求項２３に記載の電子デバイス。
  27. 前記界面の両側のダイヤモンドが、ドープされたダイヤモンドであり、ドーピングのレベルが、前記界面のそれぞれの側で少なくとも２倍異なる、請求項２３に記載の電子デバイス。
  28. ダイヤモンドがＣＶＤダイヤモンドである、請求項１から２７までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  29. ２端末デバイスである、請求項１から２８までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  30. ３端末デバイスである、請求項１から２９までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
  31. 実質的に以上に記載又は例示した通りの本発明による電子デバイス。
  32. ダイヤモンド電子デバイスを製造するための方法であって、
    （ｉ）約２０μｍを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、
    （ｉｉ）約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第１の表面を調製すること、
    （ｉｉｉ）ダイヤモンド層の第１の表面をエッチングして、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有する平坦な第１の表面を形成すること、及び
    （ｉｖ）第２の層をダイヤモンド層の平坦な第１の表面に、ダイヤモンド層と第２の層との間に機能性界面を形成するように形成することであって、第２の層が固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであることを含む方法。
  33. ダイヤモンド電子デバイスを製造するための方法であって、
    （ｉ）約２０μｍを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、
    （ｉｉ）約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第１の表面を調製すること、
    （ｉｉｉ）好ましくは約２０μｍ未満の厚さを有するダイヤモンドの薄層をダイヤモンド層の第１の表面に成長させて、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲｑを有する平坦な第１の表面を形成すること、及び
    （ｉｖ）第２の層をダイヤモンド層の平坦な第１の表面に、ダイヤモンド層と第２の層との間に機能性界面を形成するように形成することであって、第２の層が固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであることを含む方法。
  34. エッチングが等方性エッチングである、請求項３２に記載の方法。
  35. 工程（ｉｉｉ）において少なくとも約１０ｎｍが除去される、請求項３２又は請求項３４に記載の方法。
  36. ダイヤモンド層が単結晶ダイヤモンドである、請求項３２から３５までのいずれか一項に記載の方法。
  37. 単結晶ダイヤモンドがホウ素ドープされる、請求項３６に記載の方法。
  38. 第１の表面上のダイヤモンドの薄層が２０μｍ未満の厚さを有する、請求項３３に記載の方法。
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