JPH05299635A - 耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法 - Google Patents
耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法Info
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- JPH05299635A JPH05299635A JP4104766A JP10476692A JPH05299635A JP H05299635 A JPH05299635 A JP H05299635A JP 4104766 A JP4104766 A JP 4104766A JP 10476692 A JP10476692 A JP 10476692A JP H05299635 A JPH05299635 A JP H05299635A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ダイヤモンド薄膜を用いて形成され、
高温環境下で使用される電子デバイスに好適の耐熱性オ
ーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜を得る。 【構成】 ｐ型Ｓｉ基板１上に形成されたｐ型半導体ダ
イヤモンド薄膜２の表面には、Ｂが１．０×１０19乃至
１．８×１０23ｃｍ-3の密度で導入された高濃度Ｂドー
プ層３が設けられている。また、この高濃度Ｂドープ層
３上には、Ｂ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択された
少なくとも１種の元素が１．０×１０20乃至５．０×１
０22ｃｍ-3の濃度で導入されたｐ型Ｓｉからなる電極４
が選択的に形成されている。
高温環境下で使用される電子デバイスに好適の耐熱性オ
ーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜を得る。 【構成】 ｐ型Ｓｉ基板１上に形成されたｐ型半導体ダ
イヤモンド薄膜２の表面には、Ｂが１．０×１０19乃至
１．８×１０23ｃｍ-3の密度で導入された高濃度Ｂドー
プ層３が設けられている。また、この高濃度Ｂドープ層
３上には、Ｂ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択された
少なくとも１種の元素が１．０×１０20乃至５．０×１
０22ｃｍ-3の濃度で導入されたｐ型Ｓｉからなる電極４
が選択的に形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ダイヤモンド薄
膜を用いて形成され、高温環境下で使用される電子デバ
イスに好適の耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモン
ド薄膜及びその製造方法に関する。
膜を用いて形成され、高温環境下で使用される電子デバ
イスに好適の耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモン
ド薄膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、硬度が高く、熱伝導率
が高いと共に、耐熱性が優れており、耐放射線性及び耐
化学薬品性も優れている。また、近年、気相合成法（以
下、ＣＶＤ法という）によってダイヤモンドの薄膜化が
可能になり、ダイヤモンドコーティングされたスピーカ
ー用振動板及び半導体デバイス用ヒートシンク等が製造
されるようになった。
が高いと共に、耐熱性が優れており、耐放射線性及び耐
化学薬品性も優れている。また、近年、気相合成法（以
下、ＣＶＤ法という）によってダイヤモンドの薄膜化が
可能になり、ダイヤモンドコーティングされたスピーカ
ー用振動板及び半導体デバイス用ヒートシンク等が製造
されるようになった。
【０００３】不純物が導入されていないダイヤモンドは
電気絶縁体であるが、ダイヤモンドにホウ素（Ｂ）を導
入するとｐ型半導体になる。このダイヤモンドからなる
半導体は、バンドギャップが約５．４ｅＶと大きく、数
百℃の高温でも半導体的性質が失われないという長所を
有している。このため、半導体ダイヤモンド薄膜は、Ｓ
ｉ及びＧａＡｓ等の一般的な半導体を使用した電子デバ
イスに比して高温域で使用可能な電子デバイス用半導体
材料として期待されている。
電気絶縁体であるが、ダイヤモンドにホウ素（Ｂ）を導
入するとｐ型半導体になる。このダイヤモンドからなる
半導体は、バンドギャップが約５．４ｅＶと大きく、数
百℃の高温でも半導体的性質が失われないという長所を
有している。このため、半導体ダイヤモンド薄膜は、Ｓ
ｉ及びＧａＡｓ等の一般的な半導体を使用した電子デバ
イスに比して高温域で使用可能な電子デバイス用半導体
材料として期待されている。
【０００４】ところで、半導体ダイヤモンド薄膜を用い
て形成された電子デバイスを高温環境下において使用す
るためには、半導体ダイヤモンド薄膜の表面に、密着性
が高く、且つ、耐熱性が優れたオーミック電極を形成す
る必要がある。従来、半導体ダイヤモンド薄膜を用いた
電子デバイスにおいては、金属によりオーミック電極が
形成されている。
て形成された電子デバイスを高温環境下において使用す
るためには、半導体ダイヤモンド薄膜の表面に、密着性
が高く、且つ、耐熱性が優れたオーミック電極を形成す
る必要がある。従来、半導体ダイヤモンド薄膜を用いた
電子デバイスにおいては、金属によりオーミック電極が
形成されている。
【０００５】図５は、従来のオーミック電極を備えた電
子デバイス（サーミスタ）を示す断面図である（第５回
ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集、第 114頁、1991
年）。
子デバイス（サーミスタ）を示す断面図である（第５回
ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集、第 114頁、1991
年）。
【０００６】基板１１上には、不純物が導入されていな
いダイヤモンド薄膜（以下、アンドープダイヤモンド薄
膜という）１２が選択的に形成されており、このアンド
ープダイヤモンド薄膜１２上にはホウ素をドープしたダ
イヤモンド薄膜（以下、Ｂドープダイヤモンド薄膜とい
う）１３が選択的に形成されている。
いダイヤモンド薄膜（以下、アンドープダイヤモンド薄
膜という）１２が選択的に形成されており、このアンド
ープダイヤモンド薄膜１２上にはホウ素をドープしたダ
イヤモンド薄膜（以下、Ｂドープダイヤモンド薄膜とい
う）１３が選択的に形成されている。
【０００７】このＢドープダイヤモンド薄膜１３上に
は、Ｔｉ膜１４ａ及びＡｕ膜１４ｂを積層してなる一対
の電極１４が相互に離隔して形成されている。
は、Ｔｉ膜１４ａ及びＡｕ膜１４ｂを積層してなる一対
の電極１４が相互に離隔して形成されている。
【０００８】Ｂドープダイヤモンド薄膜１３上に、Ｔｉ
及びＡｕを順次蒸着してＴｉ膜１４ａ及びＡｕ膜１４ｂ
を形成した後、熱処理を施すことにより、Ｂドープダイ
ヤモンド薄膜１３と電極１４との界面にＴｉＣ層が形成
される。これにより、密着性が高いオーミック電極を得
ることができる。
及びＡｕを順次蒸着してＴｉ膜１４ａ及びＡｕ膜１４ｂ
を形成した後、熱処理を施すことにより、Ｂドープダイ
ヤモンド薄膜１３と電極１４との界面にＴｉＣ層が形成
される。これにより、密着性が高いオーミック電極を得
ることができる。
【０００９】なお、Ｔｉは、酸素との親和力が強いた
め、大気中で容易に酸化する。このため、Ｔｉ膜１４ａ
上に保護膜としてＡｕ膜１４ｂを形成することにより、
Ｔｉ膜１４ａの酸化を防止している。
め、大気中で容易に酸化する。このため、Ｔｉ膜１４ａ
上に保護膜としてＡｕ膜１４ｂを形成することにより、
Ｔｉ膜１４ａの酸化を防止している。
【００１０】図６（ａ）は、従来の他のオーミック電極
を備えた電子デバイス（サーミスタ）を示す断面図、図
６（ｂ）は同じくその電極部分を示す部分拡大図である
（NEW DIAMOND Vol.5 ,No.2 、第32頁、1989年）。
を備えた電子デバイス（サーミスタ）を示す断面図、図
６（ｂ）は同じくその電極部分を示す部分拡大図である
（NEW DIAMOND Vol.5 ,No.2 、第32頁、1989年）。
【００１１】Ｓｉ3 Ｎ4 からなる基板２１上にはＢドー
プダイヤモンド薄膜２２が形成されている。また、この
Ｂドープダイヤモンド薄膜２２上にはＴｉ膜２３ａ、Ｍ
ｏ膜２３ｂ及びＡｕ膜２３ｃを順次積層してなる一対の
電極２３が相互に離隔して形成されている。
プダイヤモンド薄膜２２が形成されている。また、この
Ｂドープダイヤモンド薄膜２２上にはＴｉ膜２３ａ、Ｍ
ｏ膜２３ｂ及びＡｕ膜２３ｃを順次積層してなる一対の
電極２３が相互に離隔して形成されている。
【００１２】更に、電極２３間のＢドープダイヤモンド
薄膜２２上には、ＳｉＯ2 からなる保護膜２４が電極２
３上に若干延出して設けられている。そして、この保護
膜２４に覆われていない部分の電極２３上にはＮｉから
なるリード線２５が銀ペースト２６により接合されてい
る。
薄膜２２上には、ＳｉＯ2 からなる保護膜２４が電極２
３上に若干延出して設けられている。そして、この保護
膜２４に覆われていない部分の電極２３上にはＮｉから
なるリード線２５が銀ペースト２６により接合されてい
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のダイヤモンド薄膜を用いた半導体電子デバイス
には、いずれも高温で使用することが困難であるという
問題点がある。即ち、図５に示すように、Ｔｉ膜１４ａ
及びＡｕ膜１４ｂからなるオーミック電極１４において
は、約５００℃の温度でＴｉとＡｕとが相互に拡散し、
ＴｉがＡｕ膜１４ａの表面で酸化される。従って、図５
に示す構成のオーミック電極においては、高温で電極が
劣化してしまう。
た従来のダイヤモンド薄膜を用いた半導体電子デバイス
には、いずれも高温で使用することが困難であるという
問題点がある。即ち、図５に示すように、Ｔｉ膜１４ａ
及びＡｕ膜１４ｂからなるオーミック電極１４において
は、約５００℃の温度でＴｉとＡｕとが相互に拡散し、
ＴｉがＡｕ膜１４ａの表面で酸化される。従って、図５
に示す構成のオーミック電極においては、高温で電極が
劣化してしまう。
【００１４】図６（ａ），（ｂ）に示すように、Ｔｉ膜
２３ａとＡｕ膜２３ｃとの間にＭｏ膜２３ｂを設けた場
合は、ＴｉとＡｕとの相互拡散を防止することができ
て、上述の問題点を解消することができるものの、Ｍ
ｏ、Ｔｉ及びＡｕは、いずれもダイヤモンドに対し熱膨
張率が大きく異なるため、昇温及び降温が繰り返し行な
われるような環境で使用すると、電極にクラックが入っ
たり、又は電極が部分的に剥離する等の不都合が発生す
る。
２３ａとＡｕ膜２３ｃとの間にＭｏ膜２３ｂを設けた場
合は、ＴｉとＡｕとの相互拡散を防止することができ
て、上述の問題点を解消することができるものの、Ｍ
ｏ、Ｔｉ及びＡｕは、いずれもダイヤモンドに対し熱膨
張率が大きく異なるため、昇温及び降温が繰り返し行な
われるような環境で使用すると、電極にクラックが入っ
たり、又は電極が部分的に剥離する等の不都合が発生す
る。
【００１５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、良好なオーミック特性を得ることができる
と共に、電極の剥離及びクラックの発生を回避できて、
高温環境下で使用される電子デバイスに好適の耐熱性オ
ーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方
法を提供することを目的とする。
のであって、良好なオーミック特性を得ることができる
と共に、電極の剥離及びクラックの発生を回避できて、
高温環境下で使用される電子デバイスに好適の耐熱性オ
ーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る耐熱性オー
ミック電極を備えたダイヤモンド薄膜は、ｐ型半導体ダ
イヤモンド膜と、この半導体ダイヤモンド膜の表面に設
けられたホウ素ドープ層と、このホウ素ドープ層上に選
択的に形成されたｐ型Ｓｉからなる電極とを有し、前記
ホウ素ドープ層にはホウ素が１．０×１０19乃至１．８
×１０23ｃｍ-3の濃度で導入されており、前記電極に
は、Ｂ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択された少なく
とも１種の元素が１．０×１０20乃至５．０×１０22ｃ
ｍ-3の濃度で導入されていることを特徴とする。
ミック電極を備えたダイヤモンド薄膜は、ｐ型半導体ダ
イヤモンド膜と、この半導体ダイヤモンド膜の表面に設
けられたホウ素ドープ層と、このホウ素ドープ層上に選
択的に形成されたｐ型Ｓｉからなる電極とを有し、前記
ホウ素ドープ層にはホウ素が１．０×１０19乃至１．８
×１０23ｃｍ-3の濃度で導入されており、前記電極に
は、Ｂ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択された少なく
とも１種の元素が１．０×１０20乃至５．０×１０22ｃ
ｍ-3の濃度で導入されていることを特徴とする。
【００１７】本発明に係る耐熱性オーミック電極を備え
たダイヤモンド薄膜の製造方法は、ｐ型半導体ダイヤモ
ンド膜の表面にホウ素を１．０×１０19乃至１．８×１
０23ｃｍ-3の濃度で導入してホウ素ドープ層を形成する
工程と、このホウ素ドープ層上にｐ型Ｓｉからなる電極
を選択的に形成する工程とを有することを特徴とする。
たダイヤモンド薄膜の製造方法は、ｐ型半導体ダイヤモ
ンド膜の表面にホウ素を１．０×１０19乃至１．８×１
０23ｃｍ-3の濃度で導入してホウ素ドープ層を形成する
工程と、このホウ素ドープ層上にｐ型Ｓｉからなる電極
を選択的に形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明においては、電極がｐ型Ｓｉからなる。
Ｓｉは、下記表１に示すように、Ｍｏ、Ｔｉ及びＡｕ等
の金属に比して熱膨張係数が小さく、ダイヤモンドの熱
膨張係数との差が少ない。また、Ｓｉは、ダイヤモンド
と同様に共有結合物質であるので、Ｓｉからなる電極は
ダイヤモンド薄膜に対する密着性が優れている。このた
め、昇温及び降温を繰り返しても、電極の剥離及びクラ
ックの発生を回避することができる。
Ｓｉは、下記表１に示すように、Ｍｏ、Ｔｉ及びＡｕ等
の金属に比して熱膨張係数が小さく、ダイヤモンドの熱
膨張係数との差が少ない。また、Ｓｉは、ダイヤモンド
と同様に共有結合物質であるので、Ｓｉからなる電極は
ダイヤモンド薄膜に対する密着性が優れている。このた
め、昇温及び降温を繰り返しても、電極の剥離及びクラ
ックの発生を回避することができる。
【００１９】更に、大気中ではＳｉ膜の表面で酸化反応
が進行するが、この酸化反応により形成される酸化膜の
膜厚は極めて薄い。従って、Ｓｉからなる電極は、酸化
により劣化する虞れがない。
が進行するが、この酸化反応により形成される酸化膜の
膜厚は極めて薄い。従って、Ｓｉからなる電極は、酸化
により劣化する虞れがない。
【００２０】
【表１】
【００２１】なお、ｐ型Ｓｉからなる電極において、不
純物（Ｂ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択された少な
くとも１種の元素）の濃度が１．０×１０20ｃｍ-3未満
の場合は、抵抗率が１×１０-3Ω・ｃｍを超え、抵抗値
が大きくなると共に、オーミック接合を得ることができ
ない。従って、ｐ型Ｓｉからなる電極の不純物濃度は、
１．０×１０20ｃｍ-3以上であり、且つ、Ｓｉの原子密
度である５．０×１０22ｃｍ-3以下とする。これによ
り、良好なオーミック特性を示すと共に、抵抗値が小さ
く、高温においても抵抗率の変化が小さい電極を得るこ
とができる。なお、ｐ型Ｓｉからなる電極の不純物濃度
は、上述の範囲で可及的に高いことが好ましい。
純物（Ｂ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択された少な
くとも１種の元素）の濃度が１．０×１０20ｃｍ-3未満
の場合は、抵抗率が１×１０-3Ω・ｃｍを超え、抵抗値
が大きくなると共に、オーミック接合を得ることができ
ない。従って、ｐ型Ｓｉからなる電極の不純物濃度は、
１．０×１０20ｃｍ-3以上であり、且つ、Ｓｉの原子密
度である５．０×１０22ｃｍ-3以下とする。これによ
り、良好なオーミック特性を示すと共に、抵抗値が小さ
く、高温においても抵抗率の変化が小さい電極を得るこ
とができる。なお、ｐ型Ｓｉからなる電極の不純物濃度
は、上述の範囲で可及的に高いことが好ましい。
【００２２】また、その表面において活性化されたＢの
数が１．０×１０19ｃｍ-3以上であるホウ素ドープ層
（ｐ+ 層）は強く縮退している。このため、電極とホウ
素ドープ層との間に形成される空乏層の幅が狭くなり、
トンネル効果により電極とホウ素ドープ層との間でキャ
リアが容易に通過できるようになって、接触抵抗値が小
さいオーミック特性（印加電圧に対して電流が直線的に
変化する）を得ることができる。従って、ホウ素ドープ
層のＢ濃度は、１．０×１０19ｃｍ-3以上であり、且
つ、ダイヤモンドの原子密度である１．８×１０23ｃｍ
-3以下とする。なお、ホウ素ドープ層のＢ濃度は、上述
の範囲で可及的に高いことが好ましい。
数が１．０×１０19ｃｍ-3以上であるホウ素ドープ層
（ｐ+ 層）は強く縮退している。このため、電極とホウ
素ドープ層との間に形成される空乏層の幅が狭くなり、
トンネル効果により電極とホウ素ドープ層との間でキャ
リアが容易に通過できるようになって、接触抵抗値が小
さいオーミック特性（印加電圧に対して電流が直線的に
変化する）を得ることができる。従って、ホウ素ドープ
層のＢ濃度は、１．０×１０19ｃｍ-3以上であり、且
つ、ダイヤモンドの原子密度である１．８×１０23ｃｍ
-3以下とする。なお、ホウ素ドープ層のＢ濃度は、上述
の範囲で可及的に高いことが好ましい。
【００２３】本発明方法においては、気相合成法又はイ
オン注入法等により、半導体ダイヤモンド膜の表面にホ
ウ素を導入し、ホウ素ドープ層を形成する。ｐ型半導体
ダイヤモンド膜の電極が形成されるべき表面に高濃度の
Ｂがドーピングされたダイヤモンド層を気相合成により
形成すると、ｐ+ 層が得られる。また、ｐ型半導体ダイ
ヤモンド膜の電極が形成されるべき表面にＢ原子をイオ
ン注入すると、その表面でＢの濃度が高くなると共に格
子欠陥が生じ、多くの界面準位が形成される。この界面
準位を介して、半導体ダイヤモンド膜と電極との間で障
壁がないキャリアの移動が可能になる。
オン注入法等により、半導体ダイヤモンド膜の表面にホ
ウ素を導入し、ホウ素ドープ層を形成する。ｐ型半導体
ダイヤモンド膜の電極が形成されるべき表面に高濃度の
Ｂがドーピングされたダイヤモンド層を気相合成により
形成すると、ｐ+ 層が得られる。また、ｐ型半導体ダイ
ヤモンド膜の電極が形成されるべき表面にＢ原子をイオ
ン注入すると、その表面でＢの濃度が高くなると共に格
子欠陥が生じ、多くの界面準位が形成される。この界面
準位を介して、半導体ダイヤモンド膜と電極との間で障
壁がないキャリアの移動が可能になる。
【００２４】気相合成により形成されたＢドープダイヤ
モンド薄膜は、熱処理を行なうことにより昇温及び降温
での電気的特性の再現性が改善される（R.E.Harper, C.
Johnston, N.G.Blamires, P.R.Chalker and I.M.Buckle
y-Golder，Surface and Coatings Technology ，vol.47
p.344(1991)）。また、Ｂが高濃度にイオン注入された
ｐ型半導体ダイヤモンドの電極が形成されるべき表面を
熱処理すると、イオン注入により発生した格子欠陥が減
少して結晶性が回復すると共に、高濃度に注入されたＢ
がアクセプターとして活性化される。従って、気相合成
法又はイオン注入法によりダイヤモンド薄膜の表面にホ
ウ素ドープ層を形成した後、例えば３００乃至１２００
℃の温度で熱処理を施すことが好ましい。
モンド薄膜は、熱処理を行なうことにより昇温及び降温
での電気的特性の再現性が改善される（R.E.Harper, C.
Johnston, N.G.Blamires, P.R.Chalker and I.M.Buckle
y-Golder，Surface and Coatings Technology ，vol.47
p.344(1991)）。また、Ｂが高濃度にイオン注入された
ｐ型半導体ダイヤモンドの電極が形成されるべき表面を
熱処理すると、イオン注入により発生した格子欠陥が減
少して結晶性が回復すると共に、高濃度に注入されたＢ
がアクセプターとして活性化される。従って、気相合成
法又はイオン注入法によりダイヤモンド薄膜の表面にホ
ウ素ドープ層を形成した後、例えば３００乃至１２００
℃の温度で熱処理を施すことが好ましい。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２６】図１は本発明の実施例に係る耐熱性オーミ
ック電極を備えたダイヤモンド薄膜を示す断面図であ
る。
ック電極を備えたダイヤモンド薄膜を示す断面図であ
る。
【００２７】ｐ型Ｓｉ基板１上にはＢドープダイヤモン
ド薄膜２が形成されている。このＢドープダイヤモンド
薄膜２の表面には高濃度Ｂドープ層３が設けられてい
る。この高濃度Ｂドープ層３には、Ｂが１．０×１０19
乃至１．８×１０23ｃｍ-3の濃度で導入されている。ま
た、この高濃度Ｂドープ層３上にはｐ型多結晶Ｓｉから
なる電極４が設けられている。この電極４には、Ｂ、Ａ
ｌ及びＧａからなる群から選択された少なくとも１種の
元素が１．０×１０20乃至５．０×１０22ｃｍ-3の濃度
で導入されている。なお、ｐ型Ｓｉ基板１の下面には、
オーミック電極５として銅板が接合されている。
ド薄膜２が形成されている。このＢドープダイヤモンド
薄膜２の表面には高濃度Ｂドープ層３が設けられてい
る。この高濃度Ｂドープ層３には、Ｂが１．０×１０19
乃至１．８×１０23ｃｍ-3の濃度で導入されている。ま
た、この高濃度Ｂドープ層３上にはｐ型多結晶Ｓｉから
なる電極４が設けられている。この電極４には、Ｂ、Ａ
ｌ及びＧａからなる群から選択された少なくとも１種の
元素が１．０×１０20乃至５．０×１０22ｃｍ-3の濃度
で導入されている。なお、ｐ型Ｓｉ基板１の下面には、
オーミック電極５として銅板が接合されている。
【００２８】本実施例において、電極４がｐ型Ｓｉから
なるため、電極４の熱膨張率とダイヤモンド薄膜２の熱
膨張率との差が少ない。従って、昇温及び降温を繰り返
しても、電極４の剥離及びクラック等の不都合の発生を
回避できる。
なるため、電極４の熱膨張率とダイヤモンド薄膜２の熱
膨張率との差が少ない。従って、昇温及び降温を繰り返
しても、電極４の剥離及びクラック等の不都合の発生を
回避できる。
【００２９】また、ダイヤモンド薄膜２の表面に設けら
れた高濃度Ｂドープ層３にはＢが１．０×１０19乃至
１．８×１０23ｃｍ-3の濃度で導入されていると共に、
電極４にはＢ、Ａｌ及びＧａ等の不純物が１．０×１０
20乃至５．０×１０22ｃｍ-3の濃度で導入されているた
め、オーミック接続を得ることができる。
れた高濃度Ｂドープ層３にはＢが１．０×１０19乃至
１．８×１０23ｃｍ-3の濃度で導入されていると共に、
電極４にはＢ、Ａｌ及びＧａ等の不純物が１．０×１０
20乃至５．０×１０22ｃｍ-3の濃度で導入されているた
め、オーミック接続を得ることができる。
【００３０】次に、本実施例に係る耐熱性オーミック電
極を備えたダイヤモンド薄膜の製造方法について説明す
る。
極を備えたダイヤモンド薄膜の製造方法について説明す
る。
【００３１】先ず、ｐ型Ｓｉ基板１を用意する。そし
て、ＣＶＤ法等により、このＳｉ基板１上にＢドープダ
イヤモンド薄膜２を形成する。次に、イオン注入法によ
り、このＢドープダイヤモンド薄膜２の表面にＢを注入
し、高濃度Ｂドープ層３を形成する。この高濃度Ｂドー
プ層３のＢ濃度は、１．０×１０19乃至１．８×１０23
ｃｍ-3とする。その後、３００乃至１２００℃の温度で
熱処理を施す。これにより、Ｂドープ層３に注入された
Ｂが活性化されると共に、Ｂドープ層３の結晶欠陥が減
少して、Ｂドープ層３の表面の結晶性が回復する。
て、ＣＶＤ法等により、このＳｉ基板１上にＢドープダ
イヤモンド薄膜２を形成する。次に、イオン注入法によ
り、このＢドープダイヤモンド薄膜２の表面にＢを注入
し、高濃度Ｂドープ層３を形成する。この高濃度Ｂドー
プ層３のＢ濃度は、１．０×１０19乃至１．８×１０23
ｃｍ-3とする。その後、３００乃至１２００℃の温度で
熱処理を施す。これにより、Ｂドープ層３に注入された
Ｂが活性化されると共に、Ｂドープ層３の結晶欠陥が減
少して、Ｂドープ層３の表面の結晶性が回復する。
【００３２】次に、この高濃度Ｂドープ層３上に多結晶
Ｓｉ膜を形成する。その後、このＳｉ膜にＢ等をイオン
注入し、熱処理を施して、Ｂ濃度が１．０×１０20乃至
５．０×１０22ｃｍ-3の導電性Ｓｉ膜を得る。次に、リ
ソグラフィ技術を使用し、この導電性Ｓｉ膜を所定のパ
ターンに成形して、電極４を得る。
Ｓｉ膜を形成する。その後、このＳｉ膜にＢ等をイオン
注入し、熱処理を施して、Ｂ濃度が１．０×１０20乃至
５．０×１０22ｃｍ-3の導電性Ｓｉ膜を得る。次に、リ
ソグラフィ技術を使用し、この導電性Ｓｉ膜を所定のパ
ターンに成形して、電極４を得る。
【００３３】次いで、Ｓｉ基板１の裏面にオーミック電
極５として銅板を接合する。これにより、図１に示す耐
熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜が完成す
る。
極５として銅板を接合する。これにより、図１に示す耐
熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜が完成す
る。
【００３４】次に、上述の耐熱性オーミック電極を備え
たダイヤモンド薄膜を実際に製造し、その特性を調べた
結果について、比較例と比較して説明する。
たダイヤモンド薄膜を実際に製造し、その特性を調べた
結果について、比較例と比較して説明する。
【００３５】実施例１ 先ず、基板１として、抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ未満で
あり、縦が２０ｍｍ、横が１０ｍｍの低抵抗ｐ型Ｓｉ基
板１を用意した。そして、この基板１の表面をダイヤモ
ンドペーストで約１時間研磨した。
あり、縦が２０ｍｍ、横が１０ｍｍの低抵抗ｐ型Ｓｉ基
板１を用意した。そして、この基板１の表面をダイヤモ
ンドペーストで約１時間研磨した。
【００３６】次に、マイクロ波ＣＶＤ法を用いて、ｐ型
Ｓｉ基板１上に、厚さが約４μｍのＢドープダイヤモン
ド薄膜２を形成した。なお、ドーピングガスとしては、
Ｈ2希釈したＢ2 Ｈ6 （ジボラン）ガスを用い、その濃
度は１．０ｐｐｍとした。また、このときの基板温度は
８００℃、ガス圧は３５Ｔｏｒｒ、合成時間は１４時間
である。
Ｓｉ基板１上に、厚さが約４μｍのＢドープダイヤモン
ド薄膜２を形成した。なお、ドーピングガスとしては、
Ｈ2希釈したＢ2 Ｈ6 （ジボラン）ガスを用い、その濃
度は１．０ｐｐｍとした。また、このときの基板温度は
８００℃、ガス圧は３５Ｔｏｒｒ、合成時間は１４時間
である。
【００３７】次に、イオン注入法により、Ｂドープダイ
ヤモンド薄膜２の表面にＢをイオン注入して、高濃度Ｂ
ドープ層３を形成した。このときのイオン注入条件は、
加速電圧が５０ｋＶ、注入密度が１．０×１０14ｃｍ-2
である。これにより、高濃度Ｂドープ層３のＢドーピン
グ濃度は１．０×１０19ｃｍ-3となる。
ヤモンド薄膜２の表面にＢをイオン注入して、高濃度Ｂ
ドープ層３を形成した。このときのイオン注入条件は、
加速電圧が５０ｋＶ、注入密度が１．０×１０14ｃｍ-2
である。これにより、高濃度Ｂドープ層３のＢドーピン
グ濃度は１．０×１０19ｃｍ-3となる。
【００３８】次に、真空中において９５０℃の温度で３
０分間熱処理を行ない、高濃度Ｂドープ層３中のドーパ
ントを活性化させた。その後、熱処理によってダイヤモ
ンド表面に生じたグラファイトを除去するために、クロ
ム酸と濃硫酸との混液で洗浄し、表面不純物除去のため
に、王水洗浄及びＲＣＡ洗浄を行なった。
０分間熱処理を行ない、高濃度Ｂドープ層３中のドーパ
ントを活性化させた。その後、熱処理によってダイヤモ
ンド表面に生じたグラファイトを除去するために、クロ
ム酸と濃硫酸との混液で洗浄し、表面不純物除去のため
に、王水洗浄及びＲＣＡ洗浄を行なった。
【００３９】次に、スパッタリング法を用いて、高濃度
Ｂドープ層３上に、厚さが１μｍの非晶質Ｓｉ膜及び厚
さが０．２μｍのＳｉＯ2 膜を順次形成した。
Ｂドープ層３上に、厚さが１μｍの非晶質Ｓｉ膜及び厚
さが０．２μｍのＳｉＯ2 膜を順次形成した。
【００４０】次に、真空中において９５０℃の温度で１
時間熱処理を施し、前記非晶質Ｓｉ膜を多結晶化した。
そして、イオン注入法により、この多結晶Ｓｉ膜にＢを
ドーピングした。このときのＢ注入条件は、加速電圧が
２００ｋＶ、注入密度が１．０×１０16ｃｍ-2である。
これにより、多結晶Ｓｉ膜のＢドーピング濃度は１．０
×１０20ｃｍ-3となる。
時間熱処理を施し、前記非晶質Ｓｉ膜を多結晶化した。
そして、イオン注入法により、この多結晶Ｓｉ膜にＢを
ドーピングした。このときのＢ注入条件は、加速電圧が
２００ｋＶ、注入密度が１．０×１０16ｃｍ-2である。
これにより、多結晶Ｓｉ膜のＢドーピング濃度は１．０
×１０20ｃｍ-3となる。
【００４１】次に、真空中において９５０℃の温度で１
時間熱処理を施した。その後、ＨＦを用いて前記ＳｉＯ
2 膜を除去した後、リソグラフィ技術を用いたエッチン
グ法により前記多結晶Ｓｉ膜を選択的にエッチングし
て、厚さが１μｍ、直径が１００μｍのｐ型多結晶Ｓｉ
電極４を得た。
時間熱処理を施した。その後、ＨＦを用いて前記ＳｉＯ
2 膜を除去した後、リソグラフィ技術を用いたエッチン
グ法により前記多結晶Ｓｉ膜を選択的にエッチングし
て、厚さが１μｍ、直径が１００μｍのｐ型多結晶Ｓｉ
電極４を得た。
【００４２】次いで、ｐ型Ｓｉ基板１の裏面に銀ペース
トで銅板を接着して、オーミック電極５を設けた。これ
により、実施例１の供試体（電極を備えたダイヤモンド
薄膜）を得た。
トで銅板を接着して、オーミック電極５を設けた。これ
により、実施例１の供試体（電極を備えたダイヤモンド
薄膜）を得た。
【００４３】比較例１ Ｂドープ層３形成時におけるＢのイオン注入密度を９．
０×１０13ｃｍ-2とした以外は上述の実施例１と同様に
して、比較例１に係る供試体を形成した。この供試体の
高濃度Ｂドープ層３におけるＢ濃度は９．０×１０18ｃ
ｍ-3である。
０×１０13ｃｍ-2とした以外は上述の実施例１と同様に
して、比較例１に係る供試体を形成した。この供試体の
高濃度Ｂドープ層３におけるＢ濃度は９．０×１０18ｃ
ｍ-3である。
【００４４】比較例２ 電極４形成時における多結晶Ｓｉ膜中へのＢ注入密度を
９．０×１０15ｃｍ-2とした以外は実施例１と同様にし
て、比較例２に係る供試体を形成した。この供試体のＳ
ｉ電極４におけるＢ濃度は、９．０×１０19ｃｍ-3であ
る。
９．０×１０15ｃｍ-2とした以外は実施例１と同様にし
て、比較例２に係る供試体を形成した。この供試体のＳ
ｉ電極４におけるＢ濃度は、９．０×１０19ｃｍ-3であ
る。
【００４５】これらの実施例１及び比較例１，２の電流
−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）をプローバを用いて測定し
た。
−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）をプローバを用いて測定し
た。
【００４６】図２は、横軸に印加電圧をとり、縦軸に電
流値をとって、実施例１及び比較例１，２の室温におけ
るＩ−Ｖ特性を示すグラフ図である。また、図３は実施
例１及び比較例１，２を大気中で６００℃にまで昇温
し、この温度に保持してＩ−Ｖ特性を測定した結果を示
すグラフ図である。更に、図４は、実施例１及び比較例
１，２を大気中において６００℃の温度で３時間保持し
た後、室温まで降温しＩ−Ｖ特性を測定した結果を示す
グラフ図である。
流値をとって、実施例１及び比較例１，２の室温におけ
るＩ−Ｖ特性を示すグラフ図である。また、図３は実施
例１及び比較例１，２を大気中で６００℃にまで昇温
し、この温度に保持してＩ−Ｖ特性を測定した結果を示
すグラフ図である。更に、図４は、実施例１及び比較例
１，２を大気中において６００℃の温度で３時間保持し
た後、室温まで降温しＩ−Ｖ特性を測定した結果を示す
グラフ図である。
【００４７】この図２乃至図４に示すように、実施例１
は、いずれの場合もＩ−Ｖ特性が直線性を有しており、
良好なオーミック特性を示した。また、実施例１は、室
温〜６００℃における昇温及び降温を大気中で１０回繰
り返しても、電極４が剥離したり、又はクラックが発生
することはなかった。一方、比較例１，２は、いずれも
Ｉ−Ｖ特性がＳ字型となり、オーミック特性を得ること
ができなかった。
は、いずれの場合もＩ−Ｖ特性が直線性を有しており、
良好なオーミック特性を示した。また、実施例１は、室
温〜６００℃における昇温及び降温を大気中で１０回繰
り返しても、電極４が剥離したり、又はクラックが発生
することはなかった。一方、比較例１，２は、いずれも
Ｉ−Ｖ特性がＳ字型となり、オーミック特性を得ること
ができなかった。
【００４８】実施例２ 先ず、実施例１と同様にして、ｐ型Ｓｉ基板上にＢドー
プダイヤモンド薄膜を形成した。
プダイヤモンド薄膜を形成した。
【００４９】次に、マイクロ波ＣＶＤ法を用いて、この
Ｂドープダイヤモンド薄膜の表面に、厚さが０．２μｍ
の高濃度Ｂドープ層を形成した。なお、ドーピングガス
には、Ｈ2 希釈したＢ2 Ｈ6 ガスを用い、その濃度は
５．０ｐｐｍとした。また、反応ガスには、ＣＨ4 とＨ
2 との混合ガスを用い、ＣＨ4 濃度は０．５％とした。
基板温度は８００℃、ガス圧は３５Ｔｏｒｒ、合成時間
は１時間である。これにより、Ｂドープ層のＢ濃度は
１．０×１０19ｃｍ-3となる。
Ｂドープダイヤモンド薄膜の表面に、厚さが０．２μｍ
の高濃度Ｂドープ層を形成した。なお、ドーピングガス
には、Ｈ2 希釈したＢ2 Ｈ6 ガスを用い、その濃度は
５．０ｐｐｍとした。また、反応ガスには、ＣＨ4 とＨ
2 との混合ガスを用い、ＣＨ4 濃度は０．５％とした。
基板温度は８００℃、ガス圧は３５Ｔｏｒｒ、合成時間
は１時間である。これにより、Ｂドープ層のＢ濃度は
１．０×１０19ｃｍ-3となる。
【００５０】次に、真空中において５００℃の温度で１
時間アニール処理を施した。その後、熱処理によってダ
イヤモンド薄膜の表面に発生したグラファイトを除去す
るために、クロム酸と濃硫酸との混液で洗浄し、表面不
純物除去のために王水及びＲＣＡ洗浄を行なった。
時間アニール処理を施した。その後、熱処理によってダ
イヤモンド薄膜の表面に発生したグラファイトを除去す
るために、クロム酸と濃硫酸との混液で洗浄し、表面不
純物除去のために王水及びＲＣＡ洗浄を行なった。
【００５１】次に、高周波プラズマＣＶＤ法を用いて、
厚さが１μｍのＢドープ非晶質Ｓｉ半導体膜を高濃度Ｂ
ドープ層上に形成した。反応ガスにはＳｉＨ4 とＨ2 と
の混合ガスを用い、ＳｉＨ4 濃度は１％とした。ドーピ
ングガスにはＢ2 Ｈ6 ガスを用い、その濃度は０．５％
とした。また、基板温度は８０℃、ガス圧は０．２５Ｔ
ｏｒｒ、合成時間は４時間である。これにより、この非
晶質Ｓｉ膜のＢドーピング濃度は１．０×１０20ｃｍ-3
となる。
厚さが１μｍのＢドープ非晶質Ｓｉ半導体膜を高濃度Ｂ
ドープ層上に形成した。反応ガスにはＳｉＨ4 とＨ2 と
の混合ガスを用い、ＳｉＨ4 濃度は１％とした。ドーピ
ングガスにはＢ2 Ｈ6 ガスを用い、その濃度は０．５％
とした。また、基板温度は８０℃、ガス圧は０．２５Ｔ
ｏｒｒ、合成時間は４時間である。これにより、この非
晶質Ｓｉ膜のＢドーピング濃度は１．０×１０20ｃｍ-3
となる。
【００５２】次に、スパッタリング法を用いて、この非
晶質Ｓｉ膜上に厚さが０．２μｍのＳｉＯ2 膜を形成し
た。
晶質Ｓｉ膜上に厚さが０．２μｍのＳｉＯ2 膜を形成し
た。
【００５３】次に、真空中において９５０℃の温度で１
時間アニール処理を行なうことにより、前記非晶質Ｓｉ
膜を多結晶化した。その後、ＨＦを用いて、前記ＳｉＯ
2 膜を除去し、リソグラフィ技術を用いたエッチング法
により多結晶Ｓｉ膜をエッチングして、厚さが１μｍ、
直径が１００μｍのｐ型多結晶Ｓｉ電極を得た。
時間アニール処理を行なうことにより、前記非晶質Ｓｉ
膜を多結晶化した。その後、ＨＦを用いて、前記ＳｉＯ
2 膜を除去し、リソグラフィ技術を用いたエッチング法
により多結晶Ｓｉ膜をエッチングして、厚さが１μｍ、
直径が１００μｍのｐ型多結晶Ｓｉ電極を得た。
【００５４】次いで、ｐ型Ｓｉ基板１の裏面に、オーミ
ック電極として銅板を銀ペーストで接着した。これによ
り、実施例２に係る供試体を得た。
ック電極として銅板を銀ペーストで接着した。これによ
り、実施例２に係る供試体を得た。
【００５５】この実施例２の供試体のＩ−Ｖ特性をプロ
ーバを用いて測定した。その結果、実施例２の供試体
は、実施例１の供試体と略同様の良好なオーミック特性
を示した。また、昇温及び降温を繰り返し行なっても、
電極の剥離及びクラックは発生しなかった。
ーバを用いて測定した。その結果、実施例２の供試体
は、実施例１の供試体と略同様の良好なオーミック特性
を示した。また、昇温及び降温を繰り返し行なっても、
電極の剥離及びクラックは発生しなかった。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る耐熱性
オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜においては、
ｐ型半導体ダイヤモンド膜の表面に所定のホウ素濃度の
ホウ素ドープ層が設けられており、このホウ素ドープ層
上にｐ型Ｓｉからなる電極が形成されているから、良好
なオーミック特性を有すると共に、昇温及び降温を繰り
返しても剥離及びクラック等の不都合が発生しない。従
って、本発明は、高温環境下で使用する電子デバイスに
極めて有用である。
オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜においては、
ｐ型半導体ダイヤモンド膜の表面に所定のホウ素濃度の
ホウ素ドープ層が設けられており、このホウ素ドープ層
上にｐ型Ｓｉからなる電極が形成されているから、良好
なオーミック特性を有すると共に、昇温及び降温を繰り
返しても剥離及びクラック等の不都合が発生しない。従
って、本発明は、高温環境下で使用する電子デバイスに
極めて有用である。
【００５７】また、本発明方法においては、ｐ型半導体
ダイヤモンド膜の表面にホウ素を所定量導入してホウ素
ドープ層を形成し、このホウ素ドープ層上にｐ型Ｓｉか
らなる電極を選択的に形成するから、上述の構成の耐熱
性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜を容易に製
造することができる。
ダイヤモンド膜の表面にホウ素を所定量導入してホウ素
ドープ層を形成し、このホウ素ドープ層上にｐ型Ｓｉか
らなる電極を選択的に形成するから、上述の構成の耐熱
性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜を容易に製
造することができる。
【図１】本発明の実施例に係る耐熱性オーミック電極を
備えたダイヤモンド薄膜を示す断面図である。
備えたダイヤモンド薄膜を示す断面図である。
【図２】実施例及び比較例の室温におけるＩ−Ｖ特性を
示すグラフ図である。
示すグラフ図である。
【図３】実施例及び比較例を大気中で６００℃の温度に
まで昇温し、この温度に保持してＩ−Ｖ特性を測定した
結果を示すグラフ図である。
まで昇温し、この温度に保持してＩ−Ｖ特性を測定した
結果を示すグラフ図である。
【図４】実施例及び比較例を大気中で６００℃の温度に
３時間保持した後、室温まで降温してＩ−Ｖ特性を測定
した結果を示すグラフ図である。
３時間保持した後、室温まで降温してＩ−Ｖ特性を測定
した結果を示すグラフ図である。
【図５】従来のオーミック電極を備えた電子デバイス
（サーミスタ）を示す断面図である。
（サーミスタ）を示す断面図である。
【図６】（ａ）は従来の他のオーミック電極を備えた電
子デバイス（サーミスタ）を示す断面図、（ｂ）は同じ
くその電極部分を示す部分拡大図である。
子デバイス（サーミスタ）を示す断面図、（ｂ）は同じ
くその電極部分を示す部分拡大図である。
１，１１，２１；基板 ２，１３，２２；Ｂドープダイヤモンド薄膜 ３；高濃度Ｂドープ層 ４，５，１４，２３；電極 １２；アンドープダイヤモンド薄膜 ２４；保護膜 ２５；リード線
フロントページの続き (72)発明者 小橋 宏司 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 ｐ型半導体ダイヤモンド膜と、この半導
体ダイヤモンド膜の表面に設けられたホウ素ドープ層
と、このホウ素ドープ層上に選択的に形成されたｐ型Ｓ
ｉからなる電極とを有し、前記ホウ素ドープ層にはホウ
素が１．０×１０19乃至１．８×１０23ｃｍ-3の濃度で
導入されており、前記電極には、Ｂ、Ａｌ及びＧａから
なる群から選択された少なくとも１種の元素が１．０×
１０20乃至５．０×１０22ｃｍ-3の濃度で導入されてい
ることを特徴とする耐熱性オーミック電極を備えたダイ
ヤモンド薄膜。 - 【請求項２】 ｐ型半導体ダイヤモンド膜の表面にホウ
素を１．０×１０19乃至１．８×１０23ｃｍ-3の濃度で
導入してホウ素ドープ層を形成する工程と、このホウ素
ドープ層上にｐ型Ｓｉからなる電極を選択的に形成する
工程とを有することを特徴とする耐熱性オーミック電極
を備えたダイヤモンド薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記ホウ素ドープ層は、気相合成法及び
イオン注入法のうちのいずれか一方の方法により形成す
ることを特徴とする請求項２に記載の耐熱性オーミック
電極を備えたダイヤモンド薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記ホウ素ドープ層を形成する工程と前
記ｐ型Ｓｉからなる電極を形成する工程との間に、３０
０乃至１２００℃の温度で熱処理を施す工程を有するこ
とを特徴とする請求項３に記載の耐熱性オーミック電極
を備えたダイヤモンド薄膜の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4104766A JPH05299635A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法 |
| DE4313042A DE4313042C2 (de) | 1992-04-23 | 1993-04-21 | Diamantschichten mit hitzebeständigen Ohmschen Elektroden und Herstellungsverfahren dafür |
| GB9308260A GB2266623B (en) | 1992-04-23 | 1993-04-21 | Diamond films with heat-resisting ohmic electrodes and its fabrication method |
| US08/050,614 US5309000A (en) | 1992-04-23 | 1993-04-22 | Diamond films with heat-resisting ohmic electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4104766A JPH05299635A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299635A true JPH05299635A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14389606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4104766A Pending JPH05299635A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5309000A (ja) |
| JP (1) | JPH05299635A (ja) |
| DE (1) | DE4313042C2 (ja) |
| GB (1) | GB2266623B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200110A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
| JP2010516600A (ja) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | エレメント シックス リミテッド | 高一様性のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンド材料 |
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| DE69529712T2 (de) * | 1994-08-03 | 2003-10-23 | Sumitomo Electric Industries | Kühlkörper aus synthetischer Diamantschicht |
| US5874775A (en) * | 1994-08-03 | 1999-02-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond heat sink including microchannel therein and methods for manufacturing diamond heat sinks |
| JP3501552B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2004-03-02 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド電極 |
| US6082200A (en) * | 1997-09-19 | 2000-07-04 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Electronic device and method of use thereof |
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| US6517902B2 (en) | 1998-05-27 | 2003-02-11 | Camco International (Uk) Limited | Methods of treating preform elements |
| DE10043511A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Kompositstruktur für elektronische Mikrosysteme sowie Verfahren zur Herstellung der Kompositstruktur |
| DE10220360B4 (de) * | 2002-05-07 | 2006-09-21 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Verwendung eines elektrischen Widerstands-Bauelementes auf Diamantbasis |
| US20060163584A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Robert Linares | Boron-doped diamond semiconductor |
| JP5488602B2 (ja) * | 2009-07-22 | 2014-05-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極 |
| US9605359B2 (en) * | 2014-10-07 | 2017-03-28 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Thermal diffusion doping of diamond |
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| JPH0358480A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極 |
| JPH03105974A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Kobe Steel Ltd | 多結晶ダイヤ薄膜合成によるシヨツトキー・ダイオードの製作法 |
| JP2730271B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1998-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP2836790B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1998-12-14 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜へのオーミック電極形成方法 |
| US5173761A (en) * | 1991-01-28 | 1992-12-22 | Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center | Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer |
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-
1992
- 1992-04-23 JP JP4104766A patent/JPH05299635A/ja active Pending
-
1993
- 1993-04-21 DE DE4313042A patent/DE4313042C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-21 GB GB9308260A patent/GB2266623B/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 US US08/050,614 patent/US5309000A/en not_active Expired - Lifetime
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| US8362492B2 (en) | 2007-01-22 | 2013-01-29 | Diamond Microwave Devices Limited | Electronic field effect devices and methods for their manufacture |
| US9034200B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-19 | Element Six Limited Technologies Limited | Plasma etching of diamond surfaces |
| US10011491B2 (en) | 2007-01-22 | 2018-07-03 | Element Six Technologies Limited | Plasma etching of diamond surfaces |
| JP2009200110A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4313042C2 (de) | 1995-06-29 |
| US5309000A (en) | 1994-05-03 |
| GB9308260D0 (en) | 1993-06-02 |
| GB2266623A (en) | 1993-11-03 |
| GB2266623B (en) | 1995-11-15 |
| DE4313042A1 (de) | 1993-10-28 |
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