JPH04240725A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH04240725A JPH04240725A JP3060821A JP6082191A JPH04240725A JP H04240725 A JPH04240725 A JP H04240725A JP 3060821 A JP3060821 A JP 3060821A JP 6082191 A JP6082191 A JP 6082191A JP H04240725 A JPH04240725 A JP H04240725A
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- etching
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- H01J2237/3348—Problems associated with etching control of ion bombardment energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ダイヤモンドを半導
体層として利用するダイオ−ド、トランジスタ、集積回
路などのダイヤモンドデバイスに応用できるダイヤモン
ドのエッチング方法に関する。
体層として利用するダイオ−ド、トランジスタ、集積回
路などのダイヤモンドデバイスに応用できるダイヤモン
ドのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは高温下、放射線下などの
苛酷な環境下で安定に動作するデバイス、また高出力で
の動作にも耐えらえるデバイスへの応用が強い期待を集
めている。ダイヤモンドはバンドギャップが５．５ｅＶ
と大きいため真性領域に相当する温度域はダイヤモンド
が熱的に安定な１４００℃以下には存在しない。従って
高温環境でも安定に動作する。またダイヤモンドは化学
的にも安定である。さらにダイヤモンドの熱伝導率は２
０Ｗ／ｃｍＫでＳｉの１０倍以上である。従って放熱性
にも優れている。さらにダイヤモンドはキャリヤの移動
度が大きい（電子移動度：２０００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ
、ホ−ル移動度：２１００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ 、３
００Ｋ）、誘電率が小さい（ε＝５．５）などの長所が
あり高速、高周波素子を作る素材とすることができる。 破壊電圧が大きい（Ｅ＝５×１０６ Ｖ／ｃｍ）という
特徴もあり、高周波大電力用のデバイスを作製すること
が期待されている。
苛酷な環境下で安定に動作するデバイス、また高出力で
の動作にも耐えらえるデバイスへの応用が強い期待を集
めている。ダイヤモンドはバンドギャップが５．５ｅＶ
と大きいため真性領域に相当する温度域はダイヤモンド
が熱的に安定な１４００℃以下には存在しない。従って
高温環境でも安定に動作する。またダイヤモンドは化学
的にも安定である。さらにダイヤモンドの熱伝導率は２
０Ｗ／ｃｍＫでＳｉの１０倍以上である。従って放熱性
にも優れている。さらにダイヤモンドはキャリヤの移動
度が大きい（電子移動度：２０００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ
、ホ−ル移動度：２１００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ 、３
００Ｋ）、誘電率が小さい（ε＝５．５）などの長所が
あり高速、高周波素子を作る素材とすることができる。 破壊電圧が大きい（Ｅ＝５×１０６ Ｖ／ｃｍ）という
特徴もあり、高周波大電力用のデバイスを作製すること
が期待されている。
【０００３】このようなデバイスを作製するためには基
板の表面に多様な膜を形成する技術が必要である。その
他に段差や溝を形成したり、不要な部分を削ったり、エ
ッチングしたりするエッチング技術が必要である。Ｓｉ
半導体については多様なエッチング技術が開発され目的
に応じて使い分けられる。化学的、物理的特性が違うの
で、ダイヤモンドに対してＳｉのエッチング技術をその
まま利用することはできない。
板の表面に多様な膜を形成する技術が必要である。その
他に段差や溝を形成したり、不要な部分を削ったり、エ
ッチングしたりするエッチング技術が必要である。Ｓｉ
半導体については多様なエッチング技術が開発され目的
に応じて使い分けられる。化学的、物理的特性が違うの
で、ダイヤモンドに対してＳｉのエッチング技術をその
まま利用することはできない。
【０００４】ダイヤモンドを加工するための技術として
イオンビ−ムを用いた方法が報告されている。Ｎ．Ｎ．
Ｅｆｒｅｍｏｗ ｅｔ ａｌ：Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ
．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ３（１）１９８５，ｐ４１６これ
はしかし大面積のダイヤモンドを加工するにはあまり実
用的ではない。
イオンビ−ムを用いた方法が報告されている。Ｎ．Ｎ．
Ｅｆｒｅｍｏｗ ｅｔ ａｌ：Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ
．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ３（１）１９８５，ｐ４１６これ
はしかし大面積のダイヤモンドを加工するにはあまり実
用的ではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｉのエッチングには
リアクテイブイオンエッチング法（ＲＩＥ）が用いられ
る。これは大面積のＳｉ基板のエッチングにも適してい
る。そこでリアクテイブイオンエッチングをダイヤモン
ドのエッチングにも応用したい。ダイヤモンドのエッチ
ングガスとして酸素を含むガスが適している。しかし酸
素プラズマを用いて通常のリアクテイブイオンエッチン
グ法でダイヤモンドを加工すると、ダイヤモンドの表面
に大きく凹凸が生ずる。このため凹凸の上にさらに膜を
積層してデバイス構造を作製することは困難であった。
リアクテイブイオンエッチング法（ＲＩＥ）が用いられ
る。これは大面積のＳｉ基板のエッチングにも適してい
る。そこでリアクテイブイオンエッチングをダイヤモン
ドのエッチングにも応用したい。ダイヤモンドのエッチ
ングガスとして酸素を含むガスが適している。しかし酸
素プラズマを用いて通常のリアクテイブイオンエッチン
グ法でダイヤモンドを加工すると、ダイヤモンドの表面
に大きく凹凸が生ずる。このため凹凸の上にさらに膜を
積層してデバイス構造を作製することは困難であった。
【０００６】この理由は明らかではないが、ひとつは酸
素プラズマの温度が高く酸素イオンの運動エネルギ−が
高くて酸素イオンがダイヤモンド結晶に強い衝撃力を及
ぼすということである。衝撃により表面が粗面化するの
である。あるいは酸素プラズマはランダムな熱運動をし
ておりエネルギ−や速度はバラバラである。そのためダ
イヤモンド表面に衝突したときのエッチング作用にバラ
ツキが生ずるということである。一様なエネルギ−、一
様な速度で酸素がダイヤモンド表面に衝突すれば平坦な
エッチングが可能であろうと考えられる。
素プラズマの温度が高く酸素イオンの運動エネルギ−が
高くて酸素イオンがダイヤモンド結晶に強い衝撃力を及
ぼすということである。衝撃により表面が粗面化するの
である。あるいは酸素プラズマはランダムな熱運動をし
ておりエネルギ−や速度はバラバラである。そのためダ
イヤモンド表面に衝突したときのエッチング作用にバラ
ツキが生ずるということである。一様なエネルギ−、一
様な速度で酸素がダイヤモンド表面に衝突すれば平坦な
エッチングが可能であろうと考えられる。
【０００７】しかしリアクテイブイオンエッチングの場
合は真空チャンバに対向電極を設けこれらの間に高周波
電界を印加して反応性ガスを励起しプラズマにするので
あるからプラズマ中のイオンのエネルギ−や速度を制御
するような手段がない。電界の強度はプラズマ生成効率
を左右するにしても酸素イオンのエネルギ−、速度を制
御できない。特性の優れたダイヤモンドデバイスを作製
できるように、凹凸を生ずることなく表面が平坦になる
ようにダイヤモンドをエッチングできる方法を提供する
ことが本発明の目的である。
合は真空チャンバに対向電極を設けこれらの間に高周波
電界を印加して反応性ガスを励起しプラズマにするので
あるからプラズマ中のイオンのエネルギ−や速度を制御
するような手段がない。電界の強度はプラズマ生成効率
を左右するにしても酸素イオンのエネルギ−、速度を制
御できない。特性の優れたダイヤモンドデバイスを作製
できるように、凹凸を生ずることなく表面が平坦になる
ようにダイヤモンドをエッチングできる方法を提供する
ことが本発明の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング方法
は、酸素を含むプラズマによりダイヤモンドをリアクテ
イブイオンエッチングする際、プラズマとダイヤモンド
の表面の間にポテンシャル制御用有孔金属板を設置し、
上記金属板に電圧を印加しプラズマ電位を制御しながら
エッチングすることを特徴とする。特に、制御用金属板
は網目構造で回転しているのが望ましい。
は、酸素を含むプラズマによりダイヤモンドをリアクテ
イブイオンエッチングする際、プラズマとダイヤモンド
の表面の間にポテンシャル制御用有孔金属板を設置し、
上記金属板に電圧を印加しプラズマ電位を制御しながら
エッチングすることを特徴とする。特に、制御用金属板
は網目構造で回転しているのが望ましい。
【０００９】金属板は酸素やハロゲンによって急激にエ
ッチングされないような材料で作るのが望ましい。Ｗ、
Ｔａ、などの高融点金属の板に孔を多数穿孔したもので
も良い。あるいは網目状の金属にセラミックやその他の
耐蝕性の絶縁体でコ−テイングした物であっても良い。
ッチングされないような材料で作るのが望ましい。Ｗ、
Ｔａ、などの高融点金属の板に孔を多数穿孔したもので
も良い。あるいは網目状の金属にセラミックやその他の
耐蝕性の絶縁体でコ−テイングした物であっても良い。
【００１０】酸素原子は、酸素原子を含む分子（Ｏ２
、Ｈ２ Ｏ、ＣＯ２ 等）によって導入される。塩素や
フッ素などのハロゲンはそれらを含む分子（ＣＣｌ４
、ＨＣｌ、ＣＦ４ 、ＨＦ等）によって導入される。エ
ッチングガスは酸素だけでなく、ハロゲンや、水素ガス
、不活性ガス等との混合ガスになっていても良い。とく
に酸素とＡｒの混合ガスが好ましい。基板温度は、１０
００℃までの間であり，低いほうが表面の荒れ方の程度
が少なくて好ましい。
、Ｈ２ Ｏ、ＣＯ２ 等）によって導入される。塩素や
フッ素などのハロゲンはそれらを含む分子（ＣＣｌ４
、ＨＣｌ、ＣＦ４ 、ＨＦ等）によって導入される。エ
ッチングガスは酸素だけでなく、ハロゲンや、水素ガス
、不活性ガス等との混合ガスになっていても良い。とく
に酸素とＡｒの混合ガスが好ましい。基板温度は、１０
００℃までの間であり，低いほうが表面の荒れ方の程度
が少なくて好ましい。
【００１１】
【作用】本発明は、プラズマとダイヤモンドの間に有孔
金属板を設けこれに電圧を印加してプラズマポテンシャ
ルを制御し、酸素やハロゲンのプラズマが直接にダイヤ
モンドに接触しないようにしている。酸素やハロゲンは
プラズマ中では多くの場合イオンになる。そこで金属板
を設置すると交流電界がシールドされて酸素、ハロゲン
イオンを含むプラズマを排除できる。しかし完全に排除
したのではダイヤモンドをエッチングできない。酸素ラ
ジカルが少しずつダイヤモンド表面に到達しなければな
らない。
金属板を設けこれに電圧を印加してプラズマポテンシャ
ルを制御し、酸素やハロゲンのプラズマが直接にダイヤ
モンドに接触しないようにしている。酸素やハロゲンは
プラズマ中では多くの場合イオンになる。そこで金属板
を設置すると交流電界がシールドされて酸素、ハロゲン
イオンを含むプラズマを排除できる。しかし完全に排除
したのではダイヤモンドをエッチングできない。酸素ラ
ジカルが少しずつダイヤモンド表面に到達しなければな
らない。
【００１２】金属板には孔が開いているから、金属板の
電位を調整してダイヤモンド表面に到達する酸素イオン
の量を調整することができる。この場合、金属板とダイ
ヤモンドを保持する電極の間にはプラズマ塊のような空
間電荷が存在しないので、この間に形成される電界は、
電極形状と電極電圧によって一義的に決定される。この
点がプラズマの存在する空間と異なる。また金属板の近
傍では酸素イオンの速度が０に近くなる（負電圧を加え
ているから）から此れ以後の運動は電界によって支配さ
れる。このような理由から金属板とダイヤモンドを保持
する電極の間の電界が面方向に一様に決まるのでダイヤ
モンド表面に衝突する酸素イオンの速度方向やエネルギ
−が一様になる。この為エッチング作用が面内で均一に
なる。従ってダイヤモンドの表面に凹凸が生じない。
電位を調整してダイヤモンド表面に到達する酸素イオン
の量を調整することができる。この場合、金属板とダイ
ヤモンドを保持する電極の間にはプラズマ塊のような空
間電荷が存在しないので、この間に形成される電界は、
電極形状と電極電圧によって一義的に決定される。この
点がプラズマの存在する空間と異なる。また金属板の近
傍では酸素イオンの速度が０に近くなる（負電圧を加え
ているから）から此れ以後の運動は電界によって支配さ
れる。このような理由から金属板とダイヤモンドを保持
する電極の間の電界が面方向に一様に決まるのでダイヤ
モンド表面に衝突する酸素イオンの速度方向やエネルギ
−が一様になる。この為エッチング作用が面内で均一に
なる。従ってダイヤモンドの表面に凹凸が生じない。
【００１３】金属板に印加する電圧は直流でも良いし交
流でも良い。金属板は孔があればいいのであるが、イオ
ンが通り易いように網目構造にすると良い。しかし網目
が大きいと形成される電界が一様になり難いのである程
度細かい方が良い。しかしそれでもエッチング速度が面
内で均一にならないようであれば、金属板を回転し電界
が時間平均をとれば一様になるという様にする。
流でも良い。金属板は孔があればいいのであるが、イオ
ンが通り易いように網目構造にすると良い。しかし網目
が大きいと形成される電界が一様になり難いのである程
度細かい方が良い。しかしそれでもエッチング速度が面
内で均一にならないようであれば、金属板を回転し電界
が時間平均をとれば一様になるという様にする。
【００１４】本発明が適用される半導体性ダイヤモンド
は、天然或は人工の（高圧合成法）バルク単結晶であっ
ても、気相合成法による薄膜多結晶あるいは薄膜単結晶
（エピタキシャル膜）であっても良く、その効果は変わ
らない。
は、天然或は人工の（高圧合成法）バルク単結晶であっ
ても、気相合成法による薄膜多結晶あるいは薄膜単結晶
（エピタキシャル膜）であっても良く、その効果は変わ
らない。
【００１５】気相合成法によりダイヤモンド薄膜を成長
させる方法としては、■直流または交流電界により放電
を起こし、原料ガスを活性化する方法■ 熱電子放射
材を加熱し、原料ガスを活性化する方法■ ダイヤモ
ンドを成長させる表面をイオンで衝撃する方法■ レ
−ザ−や紫外線などの光で原料ガスを励起する方法■
原料ガスを燃焼させる方法等いろいろな方法があるが
何れの方法で成長させたダイヤモンド膜に対しても本発
明のエッチング方法を利用できる。
させる方法としては、■直流または交流電界により放電
を起こし、原料ガスを活性化する方法■ 熱電子放射
材を加熱し、原料ガスを活性化する方法■ ダイヤモ
ンドを成長させる表面をイオンで衝撃する方法■ レ
−ザ−や紫外線などの光で原料ガスを励起する方法■
原料ガスを燃焼させる方法等いろいろな方法があるが
何れの方法で成長させたダイヤモンド膜に対しても本発
明のエッチング方法を利用できる。
【００１６】
【実施例】［実施例■］ 人工のダイヤモンド基板（
Ｉｂ）上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、次の
ような条件でダイヤモンド薄膜を成長させた。 Ｈ２ 流量 １００ ｓ
ｃｃｍＣＨ４ 流量
６ ｓｃｃｍＢ２ Ｈ６ 流量（１０ｐｐｍ）５
ｓｃｃｍ圧力
４０ Ｔｏｒｒマイクロ波パワ− ３０
０ Ｗ放電時間
２ ｈこうして出来た膜は、（１００）基板上に５
０００Å程度成長していた。電子線回折法で膜は（１０
０）方向にエピタキシャル成長していることが確認され
た。この薄膜試料に、１×１０−６Ｔｏｒｒの真空度で
アルミニウムを真空蒸着してメタルマスクとした。この
試料を図１の装置によってエッチングした。マスクで覆
われていない部分がエッチングされる。
Ｉｂ）上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、次の
ような条件でダイヤモンド薄膜を成長させた。 Ｈ２ 流量 １００ ｓ
ｃｃｍＣＨ４ 流量
６ ｓｃｃｍＢ２ Ｈ６ 流量（１０ｐｐｍ）５
ｓｃｃｍ圧力
４０ Ｔｏｒｒマイクロ波パワ− ３０
０ Ｗ放電時間
２ ｈこうして出来た膜は、（１００）基板上に５
０００Å程度成長していた。電子線回折法で膜は（１０
０）方向にエピタキシャル成長していることが確認され
た。この薄膜試料に、１×１０−６Ｔｏｒｒの真空度で
アルミニウムを真空蒸着してメタルマスクとした。この
試料を図１の装置によってエッチングした。マスクで覆
われていない部分がエッチングされる。
【００１７】図１は本発明で用いるリアクテイブイオン
エッチング装置の概略を示す。真空チャンバ１の中に上
下に対向して電極２、電極３が設けられる。上方が接地
電極であり、下方が高周波電圧の印加される電極である
。真空チャンバ１には原料ガスを導入するガス導入口４
と、廃ガスを排除するための真空排気装置につながった
排気口５とが設けられる。電極２には高周波電源６とマ
ッチングボックス７とが直列に接続される。電極２の上
にダイヤモンド試料８が戴置される。
エッチング装置の概略を示す。真空チャンバ１の中に上
下に対向して電極２、電極３が設けられる。上方が接地
電極であり、下方が高周波電圧の印加される電極である
。真空チャンバ１には原料ガスを導入するガス導入口４
と、廃ガスを排除するための真空排気装置につながった
排気口５とが設けられる。電極２には高周波電源６とマ
ッチングボックス７とが直列に接続される。電極２の上
にダイヤモンド試料８が戴置される。
【００１８】本発明ではさらに電極２の直上方に有孔金
属板９を設置している。これは金属板に多数の孔を穿っ
た物でも良い。また網目条であっても良い。側方は円筒
板１０になっており、下端にガイド１１が設けられる。 円筒板１０が水平の有孔金属板を支持する。円筒板１０
がガイド１１により回転可能に支持される。有孔金属板
９には電極１２により制御電圧が印加される。有孔金属
板９または円筒板１０の側方には回転機構１３が設置さ
れる。
属板９を設置している。これは金属板に多数の孔を穿っ
た物でも良い。また網目条であっても良い。側方は円筒
板１０になっており、下端にガイド１１が設けられる。 円筒板１０が水平の有孔金属板を支持する。円筒板１０
がガイド１１により回転可能に支持される。有孔金属板
９には電極１２により制御電圧が印加される。有孔金属
板９または円筒板１０の側方には回転機構１３が設置さ
れる。
【００１９】有孔金属板９または円筒板１０には周囲に
歯車１４が取り付けてある。回転機構１３に連結された
歯車１５が前記歯車１４に噛み合っている。電源１６に
より回転機構１３が回転しこれが歯車１５を回転させる
。これに歯車１４が噛み合っているから有孔金属板９と
円筒板１０とが回転する。この装置で電極２と３の間に
高周波電界を印加する。ガス導入口４からエッチングガ
スが導入される。この場合は酸素ガスのみを用いた。 有孔金属板９には適当な負の電圧を印加した。
歯車１４が取り付けてある。回転機構１３に連結された
歯車１５が前記歯車１４に噛み合っている。電源１６に
より回転機構１３が回転しこれが歯車１５を回転させる
。これに歯車１４が噛み合っているから有孔金属板９と
円筒板１０とが回転する。この装置で電極２と３の間に
高周波電界を印加する。ガス導入口４からエッチングガ
スが導入される。この場合は酸素ガスのみを用いた。 有孔金属板９には適当な負の電圧を印加した。
【００２０】図３は制御用の有孔金属板９を用いてエッ
チングした後のダイヤモンドの表面を示す。この試料は
平坦なところで表面粗さが３０Å以内であった。図４に
制御用の有孔金属板９を用いずにエッチングしたダイヤ
モンド試料の表面を示す。平坦面においても細かい凹凸
が沢山あることが分かる。これは酸素プラズマが表面を
ランダムに強く叩くからである。これによって本発明の
効果が良く分かる。また酸素に、ＨＣｌ、ＣＦ４ など
のガスを添加しても効果は変わらなかった。
チングした後のダイヤモンドの表面を示す。この試料は
平坦なところで表面粗さが３０Å以内であった。図４に
制御用の有孔金属板９を用いずにエッチングしたダイヤ
モンド試料の表面を示す。平坦面においても細かい凹凸
が沢山あることが分かる。これは酸素プラズマが表面を
ランダムに強く叩くからである。これによって本発明の
効果が良く分かる。また酸素に、ＨＣｌ、ＣＦ４ など
のガスを添加しても効果は変わらなかった。
【００２１】［実施例 ２］高圧合成法によって作っ
たＩＩｂ 型人工ダイヤモンドを基板に用いて実施例１
と同じようにエッチングを行った。基板の寸法は２ｍｍ
×１．５ｍｍ×０．３ｍｍである。実施例１と同じよう
に、この基板の上にアルミニウムマスクを蒸着した試料
と、基板の上にイオンプレ−テイング法でＳｉＯ２ マ
スクを形成した試料とを用意した。そして図１の装置で
同様に酸素を含むプラズマによってエッチングした。制
御用の有孔金属板９を用いる。エッチングの結果表面粗
さは３０Å以下であった。本発明において制御用有孔金
属板９の作用はマスクが金属でも絶縁体でも同様に有効
だということである。
たＩＩｂ 型人工ダイヤモンドを基板に用いて実施例１
と同じようにエッチングを行った。基板の寸法は２ｍｍ
×１．５ｍｍ×０．３ｍｍである。実施例１と同じよう
に、この基板の上にアルミニウムマスクを蒸着した試料
と、基板の上にイオンプレ−テイング法でＳｉＯ２ マ
スクを形成した試料とを用意した。そして図１の装置で
同様に酸素を含むプラズマによってエッチングした。制
御用の有孔金属板９を用いる。エッチングの結果表面粗
さは３０Å以下であった。本発明において制御用有孔金
属板９の作用はマスクが金属でも絶縁体でも同様に有効
だということである。
【００２２】［実施例 ３］実施例１と同じ試料を用
いて酸素を含むプラズマによってエッチングした。但し
装置は図２に示すものを用いた。図２に於いて真空チャ
ンバ１に電極２、３が上下に対向するように設置される
。 電極３は接地電極である。電極２が試料を載せてエッチ
ングする電極となる。真空チャンバ１にはガス導入口４
と排気口５とが設けられる。有孔金属板１９は円筒板２
０の上に絶縁体２１を介して固定されている。有孔金属
板１９は金属板に多数の穴を穿孔したものでも良いし金
網状でも良い。下側の電極２の軸が回転軸２２となって
いる。これは有孔金属板を回転するのとエッチング作用
を均一にする事において等価である。チャンバ壁には回
転軸２２を軸受し真空を保持するための軸受２３が設け
られる。
いて酸素を含むプラズマによってエッチングした。但し
装置は図２に示すものを用いた。図２に於いて真空チャ
ンバ１に電極２、３が上下に対向するように設置される
。 電極３は接地電極である。電極２が試料を載せてエッチ
ングする電極となる。真空チャンバ１にはガス導入口４
と排気口５とが設けられる。有孔金属板１９は円筒板２
０の上に絶縁体２１を介して固定されている。有孔金属
板１９は金属板に多数の穴を穿孔したものでも良いし金
網状でも良い。下側の電極２の軸が回転軸２２となって
いる。これは有孔金属板を回転するのとエッチング作用
を均一にする事において等価である。チャンバ壁には回
転軸２２を軸受し真空を保持するための軸受２３が設け
られる。
【００２３】回転軸２２には歯車２４が取り付けられる
。これに噛合う歯車２５がこれを回転する。正電源２６
は下電極２に正電圧を印加する。円筒板２０は接地され
これの上端近くにカバ−２７が取り付けてある。カバ−
２７は有孔金属板１９を囲みこの近傍での電気力線を有
孔金属板に直角に近くなるようにする。マッチングボッ
クス２８とＲＦ電源２９が有孔金属板１９に接続される
。ガス導入口から酸素を含むガスが導入されこれがＲＦ
電界の作用でプラズマとなり電極２の上の試料８に衝突
するのであるが、有孔金属板１９で減速され一様なエネ
ルギ−で入射するのでエッチングされたダイヤモンドの
表面が凹凸の少ない平坦面になる。この結果は実施例１
と同じく表面粗さが３０Å以下であった。
。これに噛合う歯車２５がこれを回転する。正電源２６
は下電極２に正電圧を印加する。円筒板２０は接地され
これの上端近くにカバ−２７が取り付けてある。カバ−
２７は有孔金属板１９を囲みこの近傍での電気力線を有
孔金属板に直角に近くなるようにする。マッチングボッ
クス２８とＲＦ電源２９が有孔金属板１９に接続される
。ガス導入口から酸素を含むガスが導入されこれがＲＦ
電界の作用でプラズマとなり電極２の上の試料８に衝突
するのであるが、有孔金属板１９で減速され一様なエネ
ルギ−で入射するのでエッチングされたダイヤモンドの
表面が凹凸の少ない平坦面になる。この結果は実施例１
と同じく表面粗さが３０Å以下であった。
【００２４】
【発明の効果】ダイヤモンドを平坦にエッチングするド
ライエッチング方法が従来存在しなかったが本発明によ
り表面粗さの少ないダイヤモンドエッチングが可能とな
るので、大電力素子、高周波素子、耐環境素子として有
望なダイヤモンドのダイオ−ドやトランジスタ、集積回
路を作製する場合に極めて有効である。
ライエッチング方法が従来存在しなかったが本発明によ
り表面粗さの少ないダイヤモンドエッチングが可能とな
るので、大電力素子、高周波素子、耐環境素子として有
望なダイヤモンドのダイオ−ドやトランジスタ、集積回
路を作製する場合に極めて有効である。
【図１】本発明で用いるエッチング装置の断面図。
【図２】本発明で用いる他のエッチング装置の断面図。
【図３】本発明の方法に従って制御用有孔金属板を用い
て、エッチングした後のダイヤモンド表面の顕微鏡観察
図。
て、エッチングした後のダイヤモンド表面の顕微鏡観察
図。
【図４】制御用有孔金属板を用いず、エッチングした後
のダイヤモンド表面の顕微鏡観察図。
のダイヤモンド表面の顕微鏡観察図。
１ 真空チャンバ
２ 電極
３ 電極
４ ガス導入口
５ 排気口
６ 交流電源
７ マッチングボックス
８ 試料
９ 有孔金属板
１０ 円筒板
１１ ガイド
１２ 電源
１３ 回転機構
１４ 歯車
１５ 歯車
１６ 電源
１９ 有孔金属板
２０ 円筒板
２１ 絶縁体
２２ 回転軸
２３ 軸受
２４ 歯車
２５ 歯車
２６ 電源
２７ カバ−
２８ マッチングボックス
２９ ＲＦ電源
Claims (3)
- 【請求項１】 酸素を含むプラズマによりダイヤモン
ドをリアクテイブイオンエッチングする際、プラズマと
ダイヤモンドの表面の間にポテンシャル制御用金属板を
設置し、上記金属板に電圧を印加しプラズマ電位を制御
しながらエッチングすることを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項２】 真空チャンバの中に対向する電極を設
け一つの電極にダイヤモンドを設置し、電極間に励起電
圧を印加し、電極間に酸素を導入してこれをプラズマと
し、酸素を含むプラズマによりダイヤモンドをリアクテ
イブイオンエッチングする際、プラズマとダイヤモンド
の表面の間に網目構造で回転しているポテンシャル制御
用金属板を設置し上記金属板に電圧を印加しプラズマ電
位を制御しながらエッチングすることを特徴とするエッ
チング方法。 - 【請求項３】 真空チャンバの中に対向する電極を設
け一つの電極にダイヤモンドを設置し、電極間に励起電
圧を印加し、電極間に酸素を導入してこれをプラズマと
し、酸素を含むプラズマによりダイヤモンドをリアクテ
イブイオンエッチングする際、プラズマとダイヤモンド
の表面の間に網目構造のポテンシャル制御用金属板を設
置し、上記金属板に電圧を印加してプラズマ電位を制御
しダイヤモンドを設置した電極を回転させながらエッチ
ングすることを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3060821A JPH04240725A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | エッチング方法 |
| EP92300481A EP0496564B1 (en) | 1991-01-24 | 1992-01-20 | Method and apparatus for etching diamond with plasma |
| DE69218271T DE69218271T2 (de) | 1991-01-24 | 1992-01-20 | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmaätzung von Diamant |
| US07/824,091 US5417798A (en) | 1991-01-24 | 1992-01-22 | Etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3060821A JPH04240725A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240725A true JPH04240725A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=13153404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3060821A Pending JPH04240725A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | エッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5417798A (ja) |
| EP (1) | EP0496564B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04240725A (ja) |
| DE (1) | DE69218271T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
| JP2007061212A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Kai R & D Center Co Ltd | 刃体の刃縁の成形方法 |
| JP2014064612A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Nagata Seiki Co Ltd | 鋭利部を備える医療用・衛生用器具の製造方法および製造装置 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683939A (en) * | 1993-04-02 | 1997-11-04 | Harris Corporation | Diamond insulator devices and method of fabrication |
| US5559367A (en) * | 1994-07-12 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | Diamond-like carbon for use in VLSI and ULSI interconnect systems |
| US6077787A (en) * | 1995-09-25 | 2000-06-20 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Method for radiofrequency wave etching |
| US5693241A (en) * | 1996-06-18 | 1997-12-02 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Atmospheric pressure method and apparatus for removal of organic matter with atomic and ionic oxygen |
| US6013191A (en) * | 1997-10-27 | 2000-01-11 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Method of polishing CVD diamond films by oxygen plasma |
| US6521081B2 (en) * | 1997-12-05 | 2003-02-18 | Tegal Corporation | Deposition shield for a plasma reactor |
| KR20010032824A (ko) * | 1997-12-05 | 2001-04-25 | 테갈 코퍼레이션 | 증착 실드를 갖는 플라즈마 리액터 |
| JP2000169961A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
| JP4714309B2 (ja) * | 1998-12-11 | 2011-06-29 | サーフィス テクノロジー システムズ ピーエルシー | プラズマ加工装置 |
| US6652763B1 (en) * | 2000-04-03 | 2003-11-25 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus for large-scale diamond polishing |
| US6440219B1 (en) * | 2000-06-07 | 2002-08-27 | Simplus Systems Corporation | Replaceable shielding apparatus |
| US20020185226A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-12-12 | Lea Leslie Michael | Plasma processing apparatus |
| US6504307B1 (en) * | 2000-11-30 | 2003-01-07 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Application of variable bias voltage on a cylindrical grid enclosing a target |
| KR20030028296A (ko) * | 2001-09-28 | 2003-04-08 | 학교법인 한양학원 | 플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브제조방법 |
| US7556740B2 (en) * | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| US7556741B2 (en) * | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| WO2005042064A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Ventracor Limited | Improved blood pump comprising polymeric components |
| US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
| KR100823949B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-04-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 포토마스크 플라즈마 에칭 방법 및 장치 |
| EP2044610B1 (en) * | 2006-07-20 | 2012-11-28 | SPP Process Technology Systems UK Limited | Plasma sources |
| JP5675099B2 (ja) | 2006-07-20 | 2015-02-25 | エスピーティーエス テクノロジーズ イーティー リミティド | イオンソース |
| EP2044609B1 (en) | 2006-07-20 | 2011-01-12 | SPP Process Technology Systems UK Limited | Ion deposition apparatus |
| US7909961B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| WO2008090511A1 (en) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Element Six Limited | Plasma etching of diamond surfaces |
| DE102008053254A1 (de) | 2008-10-25 | 2010-04-29 | Ab Solut Chemie Gmbh | Verfahren zum substratschonenden Entfernen von Hartstoffschichten |
| US20150020974A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Psk Inc. | Baffle and apparatus for treating surface of baffle, and substrate treating apparatus |
| JP6498383B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2019-04-10 | サンスター株式会社 | 不織布シート、細胞培養足場材、及び、不織布シートの製造方法 |
| CN116926494A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-10-24 | 深圳市博源碳晶科技有限公司 | 一种金刚石铜基复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852325B2 (ja) * | 1979-12-14 | 1983-11-22 | 富士通株式会社 | プラズマエッチング処理方法および処理装置 |
| JPS5687672A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-16 | Anelva Corp | Dry etching apparatus |
| JPS5694745A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Sony Corp | Plasma treatment device |
| US4349409A (en) * | 1980-05-12 | 1982-09-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for plasma etching |
| DE3046629C2 (de) * | 1980-12-11 | 1985-04-04 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Verfahren zur Herstellung von Isolatoroberflächen |
| JPS583635A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | プラズマ中化学気相成長装置 |
| JPS5946031A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
| US4496449A (en) * | 1983-12-16 | 1985-01-29 | Colromm, Inc. | Electron beam etching of integrated circuit structures |
| JPS63175427A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS63220525A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド半導体のエツチング方法 |
| JPS6428922A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Citizen Watch Co Ltd | Dry etching device |
| JPH01246116A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 針状，繊維状，多孔質状ダイヤモンドまたはそれらの集合体の製造法 |
| JP2763172B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1998-06-11 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 |
| JPH04240725A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エッチング方法 |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP3060821A patent/JPH04240725A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-20 EP EP92300481A patent/EP0496564B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-20 DE DE69218271T patent/DE69218271T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-22 US US07/824,091 patent/US5417798A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
| JP2007061212A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Kai R & D Center Co Ltd | 刃体の刃縁の成形方法 |
| JP2014064612A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Nagata Seiki Co Ltd | 鋭利部を備える医療用・衛生用器具の製造方法および製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0496564A1 (en) | 1992-07-29 |
| DE69218271T2 (de) | 1997-06-26 |
| US5417798A (en) | 1995-05-23 |
| EP0496564B1 (en) | 1997-03-19 |
| DE69218271D1 (de) | 1997-04-24 |
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