JP2007204307A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】異種単結晶基板の上に成長したダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の特性を改善し、単結晶に近づける方法を提供する。
【解決手段】異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、1カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。また、ステップフロー成長は比較的低メタン濃度、高温での成長により得ることができる。
【選択図】図1
【解決手段】異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、1カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。また、ステップフロー成長は比較的低メタン濃度、高温での成長により得ることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体デバイスや光学部品に用いるダイヤモンド単結晶の合成方法に関する技術である。
ダイヤモンドは高硬度、高熱伝導率の他、高い光透過率などの数多くの優れた性質を有することから、各種工具、光学部品として幅広く用いられている。また、きわめてバンドギャップが広く、電子移動度、絶縁破壊電圧にも優れていることから究極の半導体材料としても期待されている。そして今後さらに重要性が増すものと考えられる。
従来、ダイヤモンドは天然に産出されたものが工業用途として使用されていたが、現在では人工合成されたものが中心となっている。ダイヤモンド単結晶は現在工業的には、全てそれらが安定である数万気圧以上の圧力下で合成されている。このような高い圧力を発生する超高圧容器は非常に高価であり、大きさにも制限があるため、高温高圧法による大型の単結晶合成には限界がある。また、不純物として窒素(N)を含んだ黄色を呈するIb型のダイヤモンドについては1cm級のものが高圧合成法により合成、販売されているが、この程度の大きさがほぼ限界と考えられている。また、不純物のない無色透明なIIa型のダイヤモンドの大きさは、天然のものを除けば数mm程度以下のさらに小さなものに限られている。
近年、新しい単結晶合成法として期待されているのが、気相からのヘテロエピタキシャル成長である。好適な基板材料の上に、核発生条件(極めて初期の成長条件)及びそれに続く成長条件を最適化する試みが行われており、炭化珪素(特許文献1)やイリジウム(特許文献2)を基板として基板法線方向のX線半値幅が1度以下のダイヤモンド膜が得られるようになってきている。
しかしながら、こうした膜は、小さいとはいえ結晶方位ずれを含む膜であって、方位のずれたドメインの界面には欠陥が多数存在しており、電子デバイスへの適用を考えた場合には、より完全単結晶に近い結晶が望まれることは言うまでもない。
特開2004−299997
特開2005−335988
特許第3019468号(P3019468)
特許第3104433号(P3104433)
特開平10−167888号
本発明が解決しようとする問題点は、異種単結晶基板上に成長させたダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の欠陥の低減である。
本発明者は、ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させることで、凸部のドメインが拡大し欠陥の少ない領域を広げることができることを見出した。ここでステップフロー成長とは、結晶表面のテラスにおける2次元核発生頻度が小さくステップ端での成長が支配的となる成長であり、具体的にはダイヤモンドをメタン水素系から形成させる場合には低メタン濃度、高温の条件で成長させるとよい。また、凸部の形成は、公知の選択成長技術、もしく
は、選択エッチング技術により形成することができる。選択成長及び選択エッチングの方法としては、それぞれ、例えば特許文献3及び特許文献4に開示されている。本発明は、以下の構成を採用する。
は、選択エッチング技術により形成することができる。選択成長及び選択エッチングの方法としては、それぞれ、例えば特許文献3及び特許文献4に開示されている。本発明は、以下の構成を採用する。
(1)本発明は、ダイヤモンドの合成方法において、異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、1カ所もしくは複数の凸部を形成する工程を少なくとも1回含むことを特徴とするダイヤモンドの合成方法である。
ここで異種単結晶基板としては、ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の形成が可能な材料、例えば珪素、炭化珪素、イリジウム、酸化マグネシウム等を使用することができる。
また凸部を形成する工程は1回であっても、複数回であってもよい。また形成された凸部を起点としてステップフロー成長を行った後、更に凸部を形成する工程を繰り返しても良い。
(2)本発明は、前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面の凸部が、レーザー加工もしくはエッチングにより該表面の一部を残し除去することによって形成されたことを特徴とする前記(1)記載のダイヤモンドの合成方法である。
ここで異種単結晶基板としては、ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の形成が可能な材料、例えば珪素、炭化珪素、イリジウム、酸化マグネシウム等を使用することができる。
また凸部を形成する工程は1回であっても、複数回であってもよい。また形成された凸部を起点としてステップフロー成長を行った後、更に凸部を形成する工程を繰り返しても良い。
(2)本発明は、前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面の凸部が、レーザー加工もしくはエッチングにより該表面の一部を残し除去することによって形成されたことを特徴とする前記(1)記載のダイヤモンドの合成方法である。
(3)本発明は、前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面の凸部が、選択成長により形成されたことを特徴とする上記(1)又は(2)に記載されたダイヤモンドの合成方法である。
(4)本発明は、前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面が、(100)表面もしくは(100)表面から5度以内の表面であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれか一に記載されたダイヤモンドの合成方法である。ダイヤモンドを成長させる結晶成長面が、(001)面ないし(001)面から5度以内の面であれば、該結晶面に、気相合成法によりダイヤモンドが良好、平滑にエピタキシャル成長を長時間にわたって維持することができるが、(100)表面から±5度を超えると、膜厚が厚くなるにつれて、ごくわずかな不純物(例えば窒素)によりステップバンチングによるマクロなステップの形成が起こり、均一な成膜が困難になるからである。さらに3度以内であることがより好ましい。
(4)本発明は、前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面が、(100)表面もしくは(100)表面から5度以内の表面であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれか一に記載されたダイヤモンドの合成方法である。ダイヤモンドを成長させる結晶成長面が、(001)面ないし(001)面から5度以内の面であれば、該結晶面に、気相合成法によりダイヤモンドが良好、平滑にエピタキシャル成長を長時間にわたって維持することができるが、(100)表面から±5度を超えると、膜厚が厚くなるにつれて、ごくわずかな不純物(例えば窒素)によりステップバンチングによるマクロなステップの形成が起こり、均一な成膜が困難になるからである。さらに3度以内であることがより好ましい。
(5)本発明は、前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜表面に形成される凸部の高さが、3μm以上100μm以下であることを特徴とする上記(1)〜(4)のいずれか一に記載されたダイヤモンドの合成方法である。
ここで凸部の高さが3μm未満では、ステップフロー成長による高品質領域の拡大が遅いために効率が悪く、また100μmを超えると凸部の側面から非エピタキシャルな成長が発生してしまうことが多いからである。また、高品質なダイヤモンド膜を成長させる際に一般的に用いられるマイクロ波プラズマCVD法を本発明に用いる場合、100μmを超える段差があると、電界の集中により試料上での均一な成長条件が実現できなくなる。さらに凸部の高さが20μm以上80μm以下であることが、より好ましい。
(6)前記凸部を起点としてステップフロー成長によりダイヤモンド膜を形成する工程を有する請求項1〜5のいずれかに記載のダイヤモンドの合成方法である。凸部形成に続く成長がステップフロー条件である場合は、高品質領域が拡大するため好ましい。例えば、メタン水素系から形成させる場合においては、基板温度800℃〜1000℃ではメタン濃度2%以下、基板温度1000℃以上ではメタン濃度6%以下が好適である。ここでメタン濃度は原料ガス内のメタンの分子数比である。
ここで凸部の高さが3μm未満では、ステップフロー成長による高品質領域の拡大が遅いために効率が悪く、また100μmを超えると凸部の側面から非エピタキシャルな成長が発生してしまうことが多いからである。また、高品質なダイヤモンド膜を成長させる際に一般的に用いられるマイクロ波プラズマCVD法を本発明に用いる場合、100μmを超える段差があると、電界の集中により試料上での均一な成長条件が実現できなくなる。さらに凸部の高さが20μm以上80μm以下であることが、より好ましい。
(6)前記凸部を起点としてステップフロー成長によりダイヤモンド膜を形成する工程を有する請求項1〜5のいずれかに記載のダイヤモンドの合成方法である。凸部形成に続く成長がステップフロー条件である場合は、高品質領域が拡大するため好ましい。例えば、メタン水素系から形成させる場合においては、基板温度800℃〜1000℃ではメタン濃度2%以下、基板温度1000℃以上ではメタン濃度6%以下が好適である。ここでメタン濃度は原料ガス内のメタンの分子数比である。
本発明により、電子デバイスに適用可能な欠陥の少ないダイヤモンド単結晶によるダイヤモンド膜を提供することができる。
以下に、本発明に係るダイヤモンドの合成方法の実施の形態の一例について、図面を参照して説明する。
ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な基板(例えば酸化マグネシウム(100)上に成膜されたイリジウム)を用意し、これに核発生を生じさせる。核発生の方法としては、バイアス処理(Yugoら)と呼ばれる公知の方法を用い、当該基板の面方位に好適な
配向条件(たとえば(100)配向条件)にて成長させる。このときに得られているダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜には、図1(a)に示すように、微小ではあるが面方位が乱れており、それに対応してさまざまな欠陥が含まれている。
ここで、このダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜に対して表面の鏡面加工を行う。エピ成長後の表面が、後述する工程に支障がない程度に平坦である場合は、この研磨工程は省略してもかまわない。
ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な基板(例えば酸化マグネシウム(100)上に成膜されたイリジウム)を用意し、これに核発生を生じさせる。核発生の方法としては、バイアス処理(Yugoら)と呼ばれる公知の方法を用い、当該基板の面方位に好適な
配向条件(たとえば(100)配向条件)にて成長させる。このときに得られているダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜には、図1(a)に示すように、微小ではあるが面方位が乱れており、それに対応してさまざまな欠陥が含まれている。
ここで、このダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜に対して表面の鏡面加工を行う。エピ成長後の表面が、後述する工程に支障がない程度に平坦である場合は、この研磨工程は省略してもかまわない。
さらに、フォトマスクあるいはメタルマスク等を用いてパターン形成することで、選択成長、あるいは選択エッチングを用い特定の領域Aが突出して凸部となるようにダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面を加工する(図1(b))。
かかる工程によって、凸部を膜の中央に1カ所、あるいは、周期的に複数箇所形成することが望ましく、1つの凸部のサイズはおおむね30〜300μmΦ、高さ3〜100μmが好ましい。凸部を形成した試料に対して、凸領域が側方に広がるような成長モードでの成長[図1(c)]を行う。
本発明者らは、以上の工程により凸部の周囲に欠陥の少ない単結晶領域を形成することができることを見いだした。なお、ダイヤモンドの合成工程において、ダイヤモンドへテロエピタキシャル膜上に凸部を形成し、続けてステップフロー成長する工程を複数回行っても良い。
かかる工程によって、凸部を膜の中央に1カ所、あるいは、周期的に複数箇所形成することが望ましく、1つの凸部のサイズはおおむね30〜300μmΦ、高さ3〜100μmが好ましい。凸部を形成した試料に対して、凸領域が側方に広がるような成長モードでの成長[図1(c)]を行う。
本発明者らは、以上の工程により凸部の周囲に欠陥の少ない単結晶領域を形成することができることを見いだした。なお、ダイヤモンドの合成工程において、ダイヤモンドへテロエピタキシャル膜上に凸部を形成し、続けてステップフロー成長する工程を複数回行っても良い。
十分成長した後には、表面を再研磨してもよいし、必ずしも研磨せずに用いることも可能である。
本発明の着眼点は、ステップフローによる欠陥の水平移動にある。凸部領域が拡大する際[図1(c)]には、凸部はステップの供給源として働くから、凸部から周囲にステップが放出されることになる。ステップフロー成長において、表面に露出した欠陥は、ステップの下流域に移動するので、凸部周囲には欠陥の少ない領域が形成されることになる。
本発明の着眼点は、ステップフローによる欠陥の水平移動にある。凸部領域が拡大する際[図1(c)]には、凸部はステップの供給源として働くから、凸部から周囲にステップが放出されることになる。ステップフロー成長において、表面に露出した欠陥は、ステップの下流域に移動するので、凸部周囲には欠陥の少ない領域が形成されることになる。
1サイクルの工程により欠陥の少ない領域は拡大するが、基板が1インチ程度以上に大きい場合でも複数回の工程により逐次高品質な領域を拡大することにより基板全面に広げることが可能となる。また、複数の凸部を形成し、それらを起点としたステップフロー成長を起こさせる場合にはそれに対応した複数の高品質領域が形成される。ただし、その場合には高品質領域の界面に結晶性の悪い領域が残ることになる。
(実施例1)
まず、直径が5mmΦの立方晶SiCがSi(100)基板上に成長した基板を準備した。
この基板のSiC膜上にYugoらと同様の方法でダイヤモンドの核を成長させた。SiC膜表面に生成した核の密度は1×109個/cm2程度であった。次に、この基板をチャンバ内に戻し3時間(100)配向成長させた。このときの条件はメタン濃度4%、基板温度800℃であった。その結果、SiC膜の表面に厚さ3μmのダイヤモンド膜が成長した。SEMでダイヤモンド膜を観察したところ、ダイヤモンドの結晶方位はSiC膜の結晶方位とほぼ一致していることがわかった。次に、同じ条件で無機材研型のMPCVD法により50μmの厚みの膜を形成した。
まず、直径が5mmΦの立方晶SiCがSi(100)基板上に成長した基板を準備した。
この基板のSiC膜上にYugoらと同様の方法でダイヤモンドの核を成長させた。SiC膜表面に生成した核の密度は1×109個/cm2程度であった。次に、この基板をチャンバ内に戻し3時間(100)配向成長させた。このときの条件はメタン濃度4%、基板温度800℃であった。その結果、SiC膜の表面に厚さ3μmのダイヤモンド膜が成長した。SEMでダイヤモンド膜を観察したところ、ダイヤモンドの結晶方位はSiC膜の結晶方位とほぼ一致していることがわかった。次に、同じ条件で無機材研型のMPCVD法により50μmの厚みの膜を形成した。
この膜の中央に0.1mmΦ×30μmtのダイヤモンド片を載せ、エキシマレーザを用いてエッチングを行った。ダイヤモンド片を除去した後、段差計で測定すると、22μmの段差であることがわかった。
続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で20μm成長させた。その結果、急峻な段差はなくなり凸部はおおむね1.4mm角の正方形領域及びそれに続く斜面に拡大していた。
続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で20μm成長させた。その結果、急峻な段差はなくなり凸部はおおむね1.4mm角の正方形領域及びそれに続く斜面に拡大していた。
この試料を、H2O3%、水素97%の導入ガスで、基板温度900℃でマイクロ波プ
ラズマによりエッチングを行ったところ、逆四角錐状のエッチピットが形成されたが、上記の正方形領域の中央約0.7mmΦの領域はピットの密度が基板平均の1/4程度であった。
ラズマによりエッチングを行ったところ、逆四角錐状のエッチピットが形成されたが、上記の正方形領域の中央約0.7mmΦの領域はピットの密度が基板平均の1/4程度であった。
(実施例2)
実施例1と同様に直径が5mmΦの立方晶SiCがSi(100)基板上に成長した基板を用意した。実施例1と同一条件で核を発生させ、成長させることにより50μmの厚みのヘテロエピタキシャル膜を形成した。
この膜の中央部に0.1mmΦ×30μmtのダイヤモンド片4個を2mm間隔で載せ、エキシマレーザを用いてエッチングを行った。ダイヤモンド片を除去した後、段差計で測定すると、20μmの段差の凸部が4カ所に形成されていることがわかった。
続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で20μm成長させた。その結果、いずれの凸部からも急峻な段差はなくなり1.4mm角の正方形領域及びそれに続く斜面に拡大していた。
この試料を、H2O3%、水素97%の導入ガスで、基板温度900℃でマイクロ波プ
ラズマによりエッチングを行ったところ、逆四角錐状のエッチピットが形成されたが、上記の正方形領域の中央約0.7mmΦの領域はピットの密度が基板平均の1/4程度、また正方形領域の間の部分はピットの密度が基板平均の1.5倍程度であった。
実施例1と同様に直径が5mmΦの立方晶SiCがSi(100)基板上に成長した基板を用意した。実施例1と同一条件で核を発生させ、成長させることにより50μmの厚みのヘテロエピタキシャル膜を形成した。
この膜の中央部に0.1mmΦ×30μmtのダイヤモンド片4個を2mm間隔で載せ、エキシマレーザを用いてエッチングを行った。ダイヤモンド片を除去した後、段差計で測定すると、20μmの段差の凸部が4カ所に形成されていることがわかった。
続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で20μm成長させた。その結果、いずれの凸部からも急峻な段差はなくなり1.4mm角の正方形領域及びそれに続く斜面に拡大していた。
この試料を、H2O3%、水素97%の導入ガスで、基板温度900℃でマイクロ波プ
ラズマによりエッチングを行ったところ、逆四角錐状のエッチピットが形成されたが、上記の正方形領域の中央約0.7mmΦの領域はピットの密度が基板平均の1/4程度、また正方形領域の間の部分はピットの密度が基板平均の1.5倍程度であった。
(比較例1)
直径が5mmΦの立方晶SiCがSi基板上に成長した基板を用意した。このSi基板は(100)から<011>方向に6度傾いた基板であった。実施例1と同一条件での核発生、成長により50μmの厚みのヘテロエピタキシャル膜を形成した。
この膜の中央に0.1mmΦ×30μmtのダイヤモンド片を載せ、エキシマレーザを用いてエッチングを行った。ダイヤモンド片を除去した後、段差計で測定すると、18μmの段差であることがわかった。
続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で20μm成長させた。その結果、急峻な段差はなくなったが、表面には<011>方位の多数のマクロステップが形成されていた。
直径が5mmΦの立方晶SiCがSi基板上に成長した基板を用意した。このSi基板は(100)から<011>方向に6度傾いた基板であった。実施例1と同一条件での核発生、成長により50μmの厚みのヘテロエピタキシャル膜を形成した。
この膜の中央に0.1mmΦ×30μmtのダイヤモンド片を載せ、エキシマレーザを用いてエッチングを行った。ダイヤモンド片を除去した後、段差計で測定すると、18μmの段差であることがわかった。
続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で20μm成長させた。その結果、急峻な段差はなくなったが、表面には<011>方位の多数のマクロステップが形成されていた。
(実施例3)
まず、直径が1インチΦの酸化マグネシウム(MgO)からなる基板を準備した。この基板の表面は酸化マグネシウムの(100)面であった。この基板の温度を950℃とし、スパッタ法により基板表面にイリジウム膜を成長させた。イリジウム膜の厚さは0.4μmであった。
まず、直径が1インチΦの酸化マグネシウム(MgO)からなる基板を準備した。この基板の表面は酸化マグネシウムの(100)面であった。この基板の温度を950℃とし、スパッタ法により基板表面にイリジウム膜を成長させた。イリジウム膜の厚さは0.4μmであった。
この基板のイリジウム膜上に特許文献5と同様の方法でダイヤモンドの核を成長させた。イリジウム膜表面に生成した核の密度は1×109個/cm2程度であった。次に、この基板をチャンバ内に戻した。フィラメントと電極を同じ電位とし、チャンバの圧力100Torr、メタンの流量2sccm、水素の流量500sccm、基板の温度を790℃とし、この条件で3時間ダイヤモンド膜を成膜した。その結果、イリジウム膜の表面に厚さ2〜3μmのダイヤモンド膜が成長した。SEMでダイヤモンド膜を観察したところ、
ダイヤモンドの結晶方位はイリジウム膜の結晶方位とほぼ一致していることがわかった。次に、モード変換型のMPCVD法により150μmの厚みの膜を形成した。試料を取り出す際に、MgO基板は剥離したので、裏面の一部にイリジウムが残ったダイヤモンドの上にさらに同条件で300μmの成膜を行った。
ダイヤモンドの結晶方位はイリジウム膜の結晶方位とほぼ一致していることがわかった。次に、モード変換型のMPCVD法により150μmの厚みの膜を形成した。試料を取り出す際に、MgO基板は剥離したので、裏面の一部にイリジウムが残ったダイヤモンドの上にさらに同条件で300μmの成膜を行った。
基板の中央と周辺部の成長速度の差により周辺部は最大50μm高くなっていたが、これを研磨加工により平坦化させた。
基板中央をフォトリソ、プラズマエッチング工程を経て、基板中央に0.15mmΦ×80μmの凸部を形成した。続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で300μm成長させた。その結果、基板表面には約12mm角の凸部、及びそれに続く幅2.5mmの斜面が形成され、急峻な段差はなくなっていた。さらに300μmの成長を行ったところ、表面上には凸部は見られなくなった。
基板中央をフォトリソ、プラズマエッチング工程を経て、基板中央に0.15mmΦ×80μmの凸部を形成した。続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で300μm成長させた。その結果、基板表面には約12mm角の凸部、及びそれに続く幅2.5mmの斜面が形成され、急峻な段差はなくなっていた。さらに300μmの成長を行ったところ、表面上には凸部は見られなくなった。
この試料の表面を約300μm研磨加工により除去し、H2O3%、水素97%の導入
ガスで、基板温度900℃でマイクロ波プラズマによりエッチングを行ったところ、逆四角錐状のエッチピットが形成されたが、中央約7mm角の領域はピットの密度が基板平均の1/5程度であった。
ガスで、基板温度900℃でマイクロ波プラズマによりエッチングを行ったところ、逆四角錐状のエッチピットが形成されたが、中央約7mm角の領域はピットの密度が基板平均の1/5程度であった。
この試料に対して基板中央をフォトリソ、プラズマエッチング工程を経て、基板中央に6.35mm角×100μmの凸部を形成した。続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で300μm成長させた。
H2O3%、水素97%の導入ガスで、基板温度900℃でマイクロ波プラズマにより
エッチングを行ったところ、中央約15mm角の領域はエッチピットの密度が基板平均の1/4程度であった。
H2O3%、水素97%の導入ガスで、基板温度900℃でマイクロ波プラズマにより
エッチングを行ったところ、中央約15mm角の領域はエッチピットの密度が基板平均の1/4程度であった。
(比較例2)
実施例3と同様に、酸化マグネシウム(100)面にイリジウム膜を成長させ、さらにダイヤモンドを2回にわけて計450μm厚に成長させた。基板の中央と周辺部の成長速度の差により周辺部は最大60μm高くなっていたが、これを研磨加工により平坦化させた。
基板中央をフォトリソ、プラズマエッチング工程を経て、基板中央に0.15mmΦ×200μmの凸部を形成した。続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で300μm成長させた。その結果、基板中央は多結晶成分が存在していることがSEM観察により確認された。
実施例3と同様に、酸化マグネシウム(100)面にイリジウム膜を成長させ、さらにダイヤモンドを2回にわけて計450μm厚に成長させた。基板の中央と周辺部の成長速度の差により周辺部は最大60μm高くなっていたが、これを研磨加工により平坦化させた。
基板中央をフォトリソ、プラズマエッチング工程を経て、基板中央に0.15mmΦ×200μmの凸部を形成した。続けてMPCVD法によりメタン濃度0.75%、基板温度970℃で300μm成長させた。その結果、基板中央は多結晶成分が存在していることがSEM観察により確認された。
本発明はダイヤモンド単結晶の高品質化を可能とするものであり、ダイヤモンドの電子デバイス応用に有効である。
Claims (6)
- ダイヤモンドの合成方法において、異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、1カ所もしくは複数の凸部を形成する工程を少なくとも1回有することを特徴とするダイヤモンドの合成方法。
- 前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面の凸部が、レーザー加工もしくはエッチングにより該表面の一部を残し除去することによって形成されたことを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドの合成方法。
- 前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面の凸部が、選択成長により形成されたことを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドの合成方法。
- 前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の表面が、(100)表面もしくは(100)表面から5度以内の表面であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一に記載されたダイヤモンドの合成方法。
- 前記ダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜表面に形成される凸部の高さが、3μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一に記載されたダイヤモンドの合成方法。
- 前記凸部を起点としてステップフロー成長によりダイヤモンド膜を形成する工程を有する請求項1〜5のいずれかに記載のダイヤモンドの合成方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009242214A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Kobe Steel Ltd | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
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2006
- 2006-02-01 JP JP2006024197A patent/JP2007204307A/ja active Pending
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JP2009242214A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Kobe Steel Ltd | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
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