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  1. ２つの固体材料の間に機能性界面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、該界面は、単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とによって形成され、該第２の層は、固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであり、該単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は、Ｒｑが１０ｎｍ未満であり、以下の特性：
    （ａ）第１の表面が、エッチングされた表面であること；
    （ｂ）第１の表面を破壊する第１のダイヤモンド層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；
    （ｃ）界面に平行し、界面から５０μｍ以内の第２の層内に存在する観念上の又は実際の表面を破壊する第２の層における転位の密度が、０．０１４ｃｍ２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ−２未満であること；及び
    （ｄ）第１の表面が１ｎｍ未満のＲｑを有すること
    のうちの少なくとも１つを有するダイヤモンド電子デバイス。
  2. 単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面が、機械的処理された表面である、請求項１に記載の電子デバイス。
  3. ２つの固体材料の間に機能性界面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、該界面は、機械的処理された単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面と、第１のダイヤモンド層の第１の表面に形成された第２の層とによって形成され、該第２の層は、固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであり、該単結晶ダイヤモンドの第１の層の平坦な第１の表面は、１０ｎｍ未満のＲｑを有し、該単結晶ダイヤモンドの第１の層の平面は、機械的処理による残留損傷が実質的にないダイヤモンド電子デバイス。
  4. 第１のダイヤモンド層の第１の表面がエッチングされた表面である、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  5. 第１のダイヤモンド層の第１の表面が等方性エッチングされた表面である、請求項４に記載の電子デバイス。
  6. ダイヤモンド層の第１の表面が、単結晶ダイヤモンド層上で成長したダイヤモンド層の表面である、請求項１から５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  7. 成長したダイヤモンド層が、２０ミクロン未満の厚さを有する、請求項６に記載の電子デバイス。
  8. 第１のダイヤモンド層の第１の表面が、少なくとも１ｎｍの深さまで、成長した表面の成長後の機械的処理によって導入された損傷が実質的にない、請求項１から７のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  9. 前記界面の一方の側のダイヤモンドが真性ダイヤモンドであり、前記界面の他方の側のダイヤモンドがホウ素ドープダイヤモンドである、請求項１から８のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  10. ダイヤモンド電子デバイスを製造するための方法であって、
    （ｉ）約２０μｍを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、
    （ｉｉ）約１０ｎｍ未満の表面粗さＲ ｑ を有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第１の表面を調製すること、
    （ｉｉｉ）ダイヤモンド層の第１の表面をエッチングして、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲ ｑ を有する平坦な第１の表面を形成すること、及び
    （ｉｖ）第２の層をダイヤモンド層の平坦な第１の表面に、ダイヤモンド層と第２の層との間に機能性界面を形成するように形成することであって、第２の層が固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであることを含む方法。
  11. ダイヤモンド電子デバイスを製造するための方法であって、
    （ｉ）約２０μｍを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、
    （ｉｉ）約１０ｎｍ未満の表面粗さＲ ｑ を有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第１の表面を調製すること、
    （ｉｉｉ）好ましくは約２０μｍ未満の厚さを有するダイヤモンドの薄層をダイヤモンド層の第１の表面に成長させて、約１０ｎｍ未満の表面粗さＲ ｑ を有する平坦な第１の表面を形成すること、及び
    （ｉｖ）第２の層をダイヤモンド層の平坦な第１の表面に、ダイヤモンド層と第２の層との間に機能性界面を形成するように形成することであって、第２の層が固体の非金属であって、ダイヤモンド、極性材料及び誘電体から選択されるものであることを含む方法。
  12. エッチングが等方性エッチングである、請求項１０に記載の方法。
  13. ハロゲン及び不活性ガスを含む気体混合物が等方性エッチングで使用される、請求項１２に記載の方法。
  14. ダイヤモンド層がホウ素ドープされた単結晶ダイヤモンドである、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
  15. 第１の表面上のダイヤモンドの薄層が２０μｍ未満の厚さを有する、請求項１１に記載の方法。
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