JP5725713B2 - 表面を含むダイヤモンド電子デバイス及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
・これらは、バルク成長基板材料で制御するのが困難であり得るため、純度が高く及び/又はより転位量が低い。
・ドープ剤濃度、例えば、基板を絶縁して隔離し、エピ層をドープして、活性デバイス領域を設けることができる。
・ヘテロエピタキシャル層の場合は、エピ層における基本材料が異なり得る。
・最も純度の高い材料を厚膜層に成長させることができるが、当該厚膜層の最終的な表面は、平坦でない。
・ダイヤモンドにおける任意の界面又は新たな成長の開始は、新たな転位の生成源になり得るため、界面の数が概して最小限になる。
・真の単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができないため、ダイヤモンド単結晶基板が常に使用される。ヘテロエピタキシャル材料は、ときには、例えば成長表面の視覚的検査から単結晶と記され得るが、互いに誤った方向に配向され、低角度境界によって隔てられた結晶の領域を依然保持する。
(a)表面が、合成による形成後に機械的処理されていないこと;
(b)表面が、エッチングされた表面、好ましくは等方性エッチングされた表面であること;
(c)表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度が、約0.014cm2を超える面積に対して測定された場合に約400cm−2未満であること;
(d)表面が、約1nm未満のRqを有すること;
(e)表面が、その真下に電荷担体の層を有する領域であって、導電性の、例えば水素末端{100}ダイヤモンド表面領域と通常呼ばれる領域を有し、該領域が好ましくは表面の全体に広がっていること;
(f)表面が、その真下に電荷担体の層を有さない領域を有し、絶縁性の、例えば酸素末端{100}ダイヤモンド表面と通常呼ばれる領域を有し、該領域が好ましくは表面の全体に広がっていること;及び
(g)表面が、1つ又は複数の金属被覆領域の下のダイヤモンド表面に電気的接触を与える1つ又は複数の金属被覆領域を有すること
のうちの少なくとも1つ、好ましくは少なくとも2つ、好ましくは少なくとも3つ、好ましくは4つ、好ましくは5つ、好ましくは6つ、好ましくは7つすべてを有するダイヤモンド電子デバイスを提供する。
エッチングされた表面は、表面から最小限の厚さの材料を除去することを指す。
・平滑であり、好ましくは最初に調製された表面より平滑であり、特にエッチングされた表面(Rq A)のRqが好ましくは約10nm未満、好ましくは約5nm未満、好ましくは約2nm未満、好ましくは1nm未満、好ましくは約0.5nm未満、好ましくは約0.3nm未満であるエッチングされた表面
・少なくとも約0.2μm、より好ましくは少なくとも約0.5μm、より好ましくは少なくとも約1.0μm、より好ましくは少なくとも約2μm、より好ましくは少なくとも約5μm、より好ましくは少なくとも約10μmを超える厚さの材料を除去すること。
・真性ダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンド、又はその逆などのダイヤモンドとダイヤモンドの界面、或いはドープ剤濃度が界面を通じて少なくとも約2倍、好ましくは少なくとも約5倍、好ましくは少なくとも約10倍、好ましくは少なくとも約20倍に変化する、ドーピング濃度が異なる2つのダイヤモンド層の間の界面。
・少なくとも1つの層における不純物濃度が約1015原子/cm3を超える、好ましくは約3×1015原子/cm3を超える、好ましくは約1016原子/cm3を超える、好ましくは約1017原子/cm3を超える、好ましくは約1018原子/cm3を超え、又は
界面における不純物濃度の変化が少なくとも約5倍、好ましくは少なくとも約10倍、好ましくは少なくとも約30倍、好ましくは少なくとも約100倍であり、好ましくは、不純物が水素以外であるように、
少なくとも1つの不純物の量が界面で変化するダイヤモンドとダイヤモンドの界面。
・ダイヤモンドと非ダイヤモンド極性材料の界面。
・ダイヤモンドと非ダイヤモンド誘電体。
・真性ダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンド、又はその逆などのダイヤモンドとダイヤモンドの界面、或いはドープ剤濃度が界面を通じて少なくとも約2倍、好ましくは少なくとも約5倍、好ましくは少なくとも約10倍、好ましくは少なくとも約20倍に変化する、ドーピング濃度が異なる2つのダイヤモンド層の間の界面。
・少なくとも1つの層における不純物濃度が約1015原子/cm3を超える、好ましくは約3×1015原子/cm3を超える、好ましくは約1016原子/cm3を超える、好ましくは約1017原子/cm3を超える、好ましくは約1018原子/cm3を超え、又は
界面における不純物濃度の変化が少なくとも約5倍、好ましくは少なくとも約10倍、好ましくは少なくとも約30倍、好ましくは少なくとも約100倍であり、好ましくは、不純物が水素以外であるように、
少なくとも1つの不純物の量が界面で変化するダイヤモンドとダイヤモンドの界面。
・ダイヤモンドと非ダイヤモンド極性材料の界面。
・真性ダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンド、又はその逆などのダイヤモンドとダイヤモンドの界面、或いはドープ剤濃度が界面を通じて少なくとも約2倍、好ましくは少なくとも約5倍、好ましくは少なくとも約10倍、好ましくは少なくとも約20倍に変化する、ドーピング濃度が異なる2つのダイヤモンド層の間の界面。
・少なくとも1つの層における不純物濃度が約1015原子/cm3を超える、好ましくは約3×1015原子/cm3を超える、好ましくは約1016原子/cm3を超える、好ましくは約1017原子/cm3を超える、好ましくは約1018原子/cm3を超え、又は
界面における不純物濃度の変化が少なくとも約5倍、好ましくは少なくとも約10倍、好ましくは少なくとも約30倍、好ましくは少なくとも約100倍であり、好ましくは、不純物が水素以外であるように、
少なくとも1つの不純物の量が界面で変化するダイヤモンドとダイヤモンドの界面。
再成長による界面の形成は、デバイスの機能性界面を形成する表面からあらゆる損傷層を遠ざける効果を有するため有利である。
・両層が、好ましくは約1017原子/cm3を超える、好ましくは約1018原子/cm3を超える、好ましくは約1019原子/cm3を超える、好ましくは約1020原子/cm3を超える濃度でドープ剤を含み、好ましくは、層の間のホウ素ドーピングの差がデバイス性能に無関係であり、損傷層が、基本的に、あらゆる活性デバイス界面から離れた導電性ダイヤモンドの領域に封入されているホウ素ドープダイヤモンドとホウ素ドープダイヤモンドなどの導電性ドープダイヤモンドと導電性ドープダイヤモンドの界面。好ましくは、ドープ剤はホウ素である。
・層のそれぞれの側のダイヤモンドの特性が、電子デバイス設計における界面として作用するように設計されない界面に対して十分に類似している真性ダイヤモンドと真性ダイヤモンドなどのダイヤモンドとダイヤモンドの界面。好ましくは、真性ダイヤモンドは、国際公開第01/96633号パンフレットの開示による材料特性を有する高純度の真性ダイヤモンドを含む。
最初に表面をエッチングし、次いで薄層を再成長させて、第1の層の第1の表面及び続いて界面を形成するように、エッチングの技術と再成長の技術とを組み合わせることができる。この手法は、すべての機械的処理損傷を除去するのに十分な深さまでエッチングを完了させなかった場合にのみ一般的に有利である。しかし、それら2つの技術の組合せを使用することによって、最小限の表面損傷を有する界面を生成することが可能であることが認識される。これは、最初に損傷がエッチングによって除去され、次いで残留する損傷が薄いダイヤモンド層の成長によって機能性界面から遠ざけられたためである。
本発明の目的では、表面の粗さは、そのRq値で表される。Rqは、「平均二乗根」(又はRMS)粗さとしても知られる。Rqは、表面プロファイルの中心線又は平面からの平均二乗偏差の平方根で定義される。
Rq=√((y1 2+y2 2+...+yn 2)/n)
式中、y1 2等は、表面プロファイルの中心線又は平面からの平方偏差であり、nは、測定数である。
Ra=(|y1|+|y2|+....|yn|)/n
式中、|y1|等は、表面プロファイルの中心線又は平面からの偏差の絶対値であり、nは、測定数である。
(i)典型的な金属顕微鏡を用いて反射光を使用して50倍の倍率で表面を調べて、表面特徴が存在しないことを確認すること、
(ii)表面を空気−ブタン炎に曝露することによって、ダイヤモンド表面を約10秒間の時間にわたって典型的には800℃から1000℃の温度まで昇温させること、
(iii)典型的な金属顕微鏡を用いて反射光を使用して50倍の倍率で表面を調べ、以下に記載の方法で、露出エッチングにより露出された損傷特徴を計数して、数密度を測定すること、
(iv)計数した欠陥の数密度が、前のサイクルで測定した数密度の150%以下、好ましくは120%以下である場合はすべての欠陥が露出されたと見なし、サイクルが再び繰り返されない場合は記録した測定値が最後の2つのサイクルの測定値の平均値であるという条件が満たされるまで、工程(ii)及び(iii)を繰り返し、欠陥の実測密度と前のサイクルの密度を比較することからなる。
(i)計数する欠陥を、特性決定されている表面上に投影された1mm×0.2mmの長方形の領域内に全体又は一部が含まれる、典型的な金属顕微鏡による50倍の倍率で目視可能な欠陥とし、
(ii)領域を特性決定すべき表面又は表面の一部にわたって無作為に選択し、無作為に配向させ、
(iii)最低限5つの当該領域において欠陥を計数し、
(iv)計数した欠陥の総数を調査した総面積で割って、1mm2当たりの欠陥で数密度を求めることによって欠陥の数密度を計算する。
ディテクタ1(外面)
平坦な表面を形成するための機械的手段を使用して、高純度基板を慎重に調製する。エッチング、好ましくは等方性エッチングを場合により用いて、機械的処理に起因する基板損傷層を除去し、(例えば、接触子として作用する)金属被覆又はさらなる成長に対してより良好な表面を提供する。薄い高純度層を、エッチングした表面の最上部(例えば20μm未満)に成長させ、最終的な表面を機械的処理によって引き起こされた損傷のない表面とする。好ましくは表面に構造(例えば接触子凹部)を付加するために、場合によりエッチング、好ましくはエッチングをこの表面上にも用いる。しかし、最も好ましくは成長している表面を使用する。外面との接触子、例えば金属接触子を使用する表面ディテクタを作製する。
ディテクタ2(内面及び外面)
平坦な表面を形成するための機械的手段を使用して、導電性ダイヤモンド(例えばホウ素ドープ)基板を慎重に調製する。さらにBドープ材料の薄層(例えば20μm未満、好ましくは5μm未満)を成長させて、成長した表面を生成し、或いは好ましくは等方性エッチングを用いてBドープ層をエッチングして、機械的損傷層を除去する。薄い高純度層を、エッチングした表面の最上部(例えば20μm未満)に成長させ、最終的な表面を機械的処理によって引き起こされた損傷のない表面とする。好ましくは表面に構造を付加するために、この表面にエッチング、好ましくは等方性エッチングを場合によって用いるが、最も好ましくは成長した表面を使用する。外面との接触子、例えば金属接触子を使用し、Bドープ層を第2の接触子として使用して、バルクディテクタを作製する。
ダイオード(上記ディテクタ2参照)
平坦な表面を形成するための機械的手段を使用して、導電性ダイヤモンド(例えばホウ素ドープ)基板を慎重に調製する。さらなるBドープ材料の薄層(例えば20μm未満、好ましくは5μm未満)をその上に成長させて、成長した表面を生成し、或いは好ましくは等方性エッチングを用いてBドープ層をエッチングして、機械的損傷層を除去し、或いはBドープ層をエッチングし、次いで再成長させる。薄い高純度層を最上部に成長させ(例えば20μm未満)、最終的な表面を機械的処理によって引き起こされる損傷のない表面とする。好ましくは表面に構造を付加するために、場合によりエッチング、好ましくは等方性エッチングをこの表面に加えるが、成長した表面を使用するのが好ましい。外面との接触子、例えば金属接触子を使用し、Bドープ層を第2の接触子として使用してバルクダイオードを作製する。端縁効果を考慮して、ダイオード構造、特に導電性接触領域の端縁付近のダイオード構造は、局所的な破壊電圧を超える電解集中効果を最小限にするための端縁終止技術を含むことができる。
表面トランジスタ
平坦な表面を形成するための機械的手段を使用して、高純度基板を慎重に調製する。場合によりエッチング、好ましくは等方性エッチングを用いて、機械的処理に起因する表面下損傷層を除去し、さらなる成長のためのより良好な表面を提供する。薄い高純度層を、エッチングした表面の最上部(例えば20μm未満)に成長させ、最終的な表面を成長した表面とすることで、機械的処理によって引き起こされた損傷のない表面とする。好ましくは表面に構造(例えば凹部)を付加するために、この表面にエッチング、好ましくは等方性エッチングを場合により用いるが、成長した表面を使用するのが好ましい。表面導電性を保証するためにダイヤモンドの正しい表面末端を保証するための工程を実施する。ダイヤモンド(100)面上において、これは、通常は水素末端又は酸素末端であり、通常は絶縁表面をもたらす。他の結晶配向については、好適な末端が異なり得る。外面との接触子、例えば金属接触子を使用して、表面FETなどの表面トランジスタを作製する。場合により電荷移動の領域、例えばトランジスタのゲート領域として作用するダイヤモンドの表面を有機化学種でさらに終端させて、表面が曝露される流体(気体又は液体)によってその動作が改質されるFETを提供することができる。
・ホウ素ドープ層を形成し、平面を宝石又は機械的処理によってドープダイヤモンド上に形成する再成長による。次いで、好ましくは、粗面化を最小限に抑えるように選択され、粗面化を最小限に抑えるために好ましくは層を十分に薄く、10nm〜20μmの厚さ範囲、より好ましくは100nm〜10μmの厚さ範囲、より好ましくは1μm〜10μmの厚さ範囲に維持して、機械的損傷を有する表面をドープされた導電性ダイヤモンドの2つの領域の間に封入する成長条件を用いてさらなる薄いBドープ層をこの層上に成長させる。次いで、高純度真性ダイヤモンド層を再成長した層の表面上に成長させ、この層は、好ましくは、国際公開第01/96633号パンフレットの開示による材料特性を有する高純度真性ダイヤモンドを含むため、ドープされた薄い導電性ダイヤモンド層と、ホウ素ドープ層内に封入された損傷層から変位したさらなる真性ダイヤモンドの層との間に損傷のない界面を形成する。
・導電性のドープダイヤモンド層を形成し、宝石又は機械的処理によって平面をドープダイヤモンド上に形成するエッチングによる。次いで、好ましくはプラズマエッチング、より好ましくはアルゴン/塩素プラズマエッチングを用いて表面をエッチングする。場合により、好ましくは、粗面化を最小限に抑えるように選択され、粗面化を最小限に抑えるために好ましくは層を十分に薄く、10nm〜20μmの厚さ範囲、より好ましくは100nm〜310μmの厚さ範囲、より好ましくは1μm〜10μmの厚さ範囲に維持する成長条件を用いてさらなる薄いBドープ層をこの層上に再成長させ得る。好ましくは、この任意の層を使用しない。次いで、高純度真性ダイヤモンド層を、エッチングした表面、又は任意の再成長層表面上に成長させ、この層は、好ましくは、国際公開第01/96633号パンフレットの開示による材料特性を有する高純度真性ダイヤモンドを含むため、導電性ダイヤモンド層とさらなる真性ダイヤモンドの層との間に損傷のない界面を形成する。
Claims (15)
- 単結晶ダイヤモンドの平面によって形成された機能性表面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、前記単結晶ダイヤモンドの平面は、Rqが10nm未満であり、前記表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度が0.014cm 2 を超える面積に対して測定された場合に400cm −2 未満である、前記ダイヤモンド電子デバイス。
- 単結晶ダイヤモンドの平面が、以下の特性:
(a)表面が、エッチングされた表面であること;
(b)表面が、1nm未満のRqを有すること;
(c)表面が、その真下に電荷担体の層を有する領域であって、水素末端{100}ダイヤモンド表面領域のような導電性と通常呼ばれる領域を有すること;
(d)表面が、その真下に電荷担体の層を有さない領域であって、酸素末端{100}ダイヤモンド表面のような絶縁性と通常呼ばれる領域を有すること;
(e)表面が、1つ又は複数の金属被覆領域の下のダイヤモンド表面に電気的接触を与える前記1つ又は複数の金属被覆領域を有すること;及び
(f)表面が、合成による形成後に機械的処理されていないこと
のうちの少なくとも1つを有する、請求項1に記載のダイヤモンド電子デバイス。 - 請求項1に記載のダイヤモンド電子デバイスであって、単結晶ダイヤモンドの平面が、(a)乃至(c)の特性の少なくとも一つと(d)乃至(f)の特性の少なくとも一つを有している、前記ダイヤモンド電子デバイス。
- 単結晶ダイヤモンドの平面によって形成された機能性表面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、前記単結晶ダイヤモンドの平面は、機械的処理されていて、10nm未満のRqを有しており、前記表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度が0.014cm 2 を超える面積に対して測定された場合に400cm −2 未満であり、前記単結晶ダイヤモンドの平面は、機械的処理による残留損傷が実質的にない、前記ダイヤモンド電子デバイス。
- 機能性平面における露出エッチングによって露出した欠陥の数密度が1mm2当たり100未満である、請求項4に記載のダイヤモンド電子デバイス。
- 全不純物濃度(水素及びその同位体を除く)が1ppm未満である真性ダイヤモンド層をさらに含む、請求項1から5までのいずれか一項に記載のダイヤモンドデバイス。
- 平面がエッチングされた表面である、請求項1から6までのいずれか一項に記載のダイヤモンド電子デバイス。
- エッチングされた表面が等方性エッチングされた表面である、請求項7に記載のダイヤモンド電子デバイス。
- 単結晶ダイヤモンドの表面が、単結晶ダイヤモンド層上で成長したダイヤモンド層の表面であって、単結晶ダイヤモンド層上で成長した前記ダイヤモンド層が20ミクロン未満の厚さを有する、請求項1から8のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 単結晶ダイヤモンドの表面が、少なくとも1nmの深さまで、成長した表面の成長後の機械的処理によって導入された損傷が実質的にない、請求項1から9までのいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 請求項1から10までのいずれか一項に記載の表面が、外側のダイヤモンド表面である電子デバイス。
- (i)20μmを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、
(ii)10nm未満の表面粗さRqを有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第1の表面を調製すること、及び
(iii)ダイヤモンド層の第1の表面をエッチングして、10nm未満の表面粗さRqを有する機能性表面を形成し、前記機能性表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度は0.014cm 2 を超える面積に対して測定された場合に400cm −2 未満であること
を含むダイヤモンド電子デバイスの製造方法。 - (i)20μmを超える厚さを有するダイヤモンド層を設けること、
(ii)10nm未満の表面粗さRqを有するように機械的手段によってダイヤモンド層の第1の表面を調製すること、及び
(iii)第1の表面上にダイヤモンドの薄層であって、20μm未満の厚さを有するものを成長させて、10nm未満の表面粗さRqを有する機能性表面を形成し、前記機能性表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度は0.014cm 2 を超える面積に対して測定された場合に400cm −2 未満であること
を含むダイヤモンド電子デバイスの製造方法。 - エッチングが等方性エッチングである、請求項12に記載の方法。
- ダイヤモンド層がホウ素ドープされた単結晶ダイヤモンドである、請求項12から14までのいずれか一項に記載の方法。
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