JP2009044186A - リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009044186A
JP2009044186A JP2008274721A JP2008274721A JP2009044186A JP 2009044186 A JP2009044186 A JP 2009044186A JP 2008274721 A JP2008274721 A JP 2008274721A JP 2008274721 A JP2008274721 A JP 2008274721A JP 2009044186 A JP2009044186 A JP 2009044186A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
barrier
substrate table
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008274721A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5202228B2 (ja
Inventor
Aleksey Yurievich Kolesnychenko
ユリーヴィチ コレスニーチェンコ アレクセイ
Johannes Jacobus Matheus Baselmans
ヤコブス マテウス バゼルマンス ヨハネス
Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders
ニコラース ラムベルテュス ドンデルス ショエルト
Alexander Hoogendam Christiaan
アレクサンダー ホーゲンダム クリスティアーン
Hans Jansen
ヤンセン ハンス
Johannes Sophia Maria Mertens Jeroen
ヨハネス ソフィア マリア メルテンス ジェロエン
Johannes Catharinus Hubertus Mulkens
キャサリヌス フーベルトゥス ムルケンス ヨハネス
Felix Godfried Peter Peeters
ゴッドフリート ペーター ペータース フェリックス
Bob Streefkerk
ストレーフケルク ボブ
Franciscus Johannes Herman Maria Teunissen
ヨハネス ヘルマン マリア テウニッセン フランシスクス
Santen Helmar Van
ファン サンテン ヘルマー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2009044186A publication Critical patent/JP2009044186A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5202228B2 publication Critical patent/JP5202228B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus

Abstract

【課題】 液浸液による汚染を防止するようになされた、液浸リソグラフィック装置の基板テーブルを提供する。
【解決手段】 基板テーブルWTは基板Wの外周縁を取り囲む排液溝すなわち障壁40と、基板Wの上面と実質的に同じ平面に存在するセンサーのような別の対象20を取り囲む障壁100を備える。障壁40、100は基板Wを露光している間に液体供給システムからこぼれるすべての液体を収集することができるため、リソグラフィック投影装置の繊細なコンポーネントを汚染する危険が減少する。
【選択図】図5

Description

本発明は、リソグラフィック装置及びデバイス製造方法に関する。
リソグラフィック装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィック装置は、たとえば集積回路(IC)の製造に使用することができる。その場合、マスクなどのパターン化デバイスを使用してICの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射線感応材料(レジスト)の層を有する基板(たとえばシリコン・ウェハ)上の目標部分(たとえば1つ又は複数のダイ部分からなる)に画像化される。通常、1枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィック装置には、パターン全体を1回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向(「走査」方向)に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。
投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するべく、比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に、リソグラフィック投影装置内の基板を浸す方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを画像化することができることである。(また、液体の効果は、システムの有効NAが大きくなり、且つ、焦点深度が長くなることにあると見なすことができる。)固体粒子(たとえば水晶)が懸濁した水を始めとする他の液浸液も提案されている。
しかしながら、基板若しくは基板と基板テーブルを液体槽に浸す(たとえば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許US4,509,852号を参照されたい)ことは、走査露光の間、加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味しており、そのためにはモータを追加するか、或いはより強力なモータが必要であり、また、液体の攪乱により、望ましくない予測不可能な影響がもたらされることになる。
提案されている解決法の1つは、液体供給システムの場合、液体供給システムを使用して、基板の局部領域上のみ、及び投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を提供することである(基板の表面積は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広い)。参照によりその全体が本明細書に組み込まれているPCT特許出願公告第WO99/49504号に、そのために提案されている方法の1つが開示されている。図2及び3に示すように、液体は、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って、少なくとも1つの入口INによって基板に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも1つの出口OUTによって除去される。つまり、基板を最終エレメントの下を−X方向に走査する際に、最終エレメントの+X側で液体が供給され、−X側で除去される。図2は、入口INを介して液体が供給され、最終エレメントのもう一方の側で、低圧源に接続された出口OUTによって除去される構造を略図で示したものである。図2に示す図解では、液体は、必ずしもそれには限定されないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給されている。様々な配向及び数の入口及び出口を最終エレメントの周りに配置することが可能である。図3はその実施例の1つを示したもので、両側に出口を備えた4組の入口が、最終エレメントの周りに一定のパターンで提供されている。
液浸液がリソグラフィック装置の敏感な部品を汚染する状態で放置される場合、リソグラフィック装置内に液浸液を有することには問題があり、局所領域液体供給システムの場合、このような液体供給システムが故障すると、液浸液が容易にリークすることになるため、特に問題である。また、局所領域液体供給システムが有効でない場合、液浸液が基板テーブル上に残留し、基板テーブルの加速によって生成される力によって基板テーブルから離散することになる。
したがって、たとえば、液浸リソグラフィック投影装置内のコンポーネントの液体による汚染の危険を小さくすることが有利である。
一態様によれば、
放射ビームを提供するようになされたイルミネータと、
放射ビームの断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを保持するようになされた支持構造と、
基板を保持するようになされた基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
投影システムと基板、基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、基板、基板テーブル若しくはその両方の局所領域に液体を供給するようになされた液体供給システムと
を備えたリソグラフィック装置であって、
基板テーブルが、液体を収集するようになされた、間隔を隔てて基板を取り囲んでいる障壁を備えたリソグラフィック装置が提供される。
障壁を使用することにより、液体供給システムからこぼれた液体、或いは液体供給システムからリークした液体を収集し、リークした液体でリソグラフィック装置内のコンポーネントを汚染することなく再循環若しくは廃棄することができる。この障壁が占有する基板テーブル上の空間は極めてわずかである。加速しなければならない質量を可能な限り小さくするべく、可能な限り小さく構築される基板テーブル上に空間が限定されるため、これは有利である。
一実施例では、障壁は、基板テーブルの上面から突出した突起からなっている。これは、基板テーブルの加速によって生成される力による基板テーブルからの液体の飛散、或いは液体供給システム(たとえば、本明細書において説明する解決法のいずれかによる)の破局的故障による基板テーブルからの液体の飛散を防止するための単純な物理障壁である。
一実施例では、障壁の少なくとも一部が、親液体材料若しくは被覆剤からなっている。このような材料を使用して障壁を構築し、或いはこのような被覆剤を障壁に塗布することにより、障壁に粘着する液体の収集が促進される。
一実施例では、障壁は、基板テーブルの上面中に凹所をなしている溝からなっている。これには、基板テーブルの断面輪郭が基板の上面と概ね同じ水準の上面を有するという利点があり、したがって、たとえば基板を交換している間、基板テーブルと液体供給システム及び/又は投影システムの衝突を回避するために、基板テーブル若しくは液体供給システムを投影システムの光軸の方向へ移動させる必要がない。
一実施例では、溝は、毛管作用によって溝に沿って液体を移送することができるようにサイズ化されている。このようなサイズ化により、障壁によって収集された液体を、コンポーネントを何ら追加する必要なく、障壁から液体を移動させるようになされた低圧供給装置へ容易に移送することができる。基板テーブルは、溝を介して上面と液体接触したチャンバを備えることができる。溝は、連続した溝にすることができる。チャンバを使用することにより、溝の長さ全体に渡って真空流を均等化することができる。一実施例では、そのために必要なことは、ほんのいくつかの離散出口を使用することだけである。
一実施例では、障壁から液体を除去するための低圧供給装置を提供することができる。低圧供給装置は、溝若しくはチャンバに提供することができる個別離散低圧出口を備えることができる。
一実施例では、低圧供給装置は液体供給システムに無関係に動作している。この方法によれば、液体供給システムが故障し、液体がオーバフローした場合においても、障壁は動作を継続する。
障壁に沿って液体を移送する方法の1つは、障壁中に表面弾性波を発生するようになされた音波発生器を提供することである。一実施例では、これは、有利には極めて小形に構築することができる圧電アクチュエータを使用することによって提供される。
一実施例では、障壁は、溝及び基板テーブルの上面から突出した突起からなっている。この組合せの利点は、たとえば、基板テーブルの上面に沿って液体を高速で除去することができることである。突起は本質的にダムとして作用し、ダムに液体が蓄積すると、溝を介して排液される。突起中に任意選択で少なくとも部分的に形成することができる、溝を介して上面と液体接触したチャンバと組み合わせることにより、とりわけ有効な障壁が形成される。
一実施例では、障壁は、基板の外周縁を取り囲んでいる排液溝すなわち障壁の外側に向かって放射状に配置されている。基板の外周縁を取り囲んでいるこのような排液溝すなわち障壁は、基板の縁部分が露光され、局所領域液体供給システムが基板上及び基板テーブル上の両方の領域に同時に液体を供給する際に、基板と基板テーブルの間の間隙を介してリークする液体の量が少なくなるように提供される。基板の外周縁を取り囲んでいる排液溝すなわち障壁の実施例については、たとえば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願第10/705,804号を参照されたい。排液溝すなわち障壁からたまたまリークする液体は、障壁によって収集することができる。障壁は、本質的に基板テーブルの外縁若しくは基板テーブルの一部分の周りに展開している。したがって液体供給システムの基板テーブル上のいかなる相対位置においても、障壁を使用してこぼれた液体を収集することができる。障壁は、基板テーブル上面の基板で覆われていない領域をさらに取り囲むことができる。また、障壁は、基板テーブルの上面及び/又は液体供給システムを密閉するようになされたクロージャ部材に取り付けられた少なくとも1つのセンサをさらに取り囲むこともできる。センサは、アラインメントに使用されるトランスミッション・イメージ・センサであっても良い。クロージャ部材は、たとえば1枚の基板を露光した後、次の基板の露光に先立って基板を交換している間に液体供給システムに液体を充填するべく、液体供給システムの底部に接続するように設計された円板の形態にすることも可能である。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願第US10/705,785号に、クロージャ部材の典型的な実施例が開示されている。
他の態様によれば、
投影システムと基板、基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、基板、基板テーブル若しくはその両方の局部領域に液体を提供するステップと、
パターン化された放射ビームを投影システムを使用して液体を介して基板の目標部分に投射するステップと、
間隔を隔てて基板を取り囲んでいる障壁を使用して液体を収集するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
本明細書においては、リソグラフィック装置の、とりわけICの製造における使用が参照されているが、本明細書において説明するリソグラフィック装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール)或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ICを生成するべく複数回に渡って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外(UV)放射(たとえば波長が365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nmの放射)を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
本明細書に使用されている「パターン化デバイス」という用語は、投影ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができるデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。また、投影ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。通常、投影ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路中の特定の機能層に対応している。
パターン化デバイスは、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化デバイスの実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能LCDパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この方法によって反射ビームがパターン化される。パターン化デバイスのいずれの実施例においても、支持構造には、たとえば、必要に応じて固定若しくは移動可能にすることができ、且つ、たとえば投影システムに対してパターン化デバイスを確実に所望の位置に配置することができるフレーム若しくはテーブルが使用されている。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化デバイス」という用語の同義語と見なすことができる。
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、たとえば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
リソグラフィック装置は、場合によっては2つ(二重ステージ)以上の基板テーブル(及び/又は複数のマスク・テーブル)を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは1つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、1つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィック装置を略図で示したものである。このリソグラフィック装置は、
−投影放射(たとえばUV放射)ビームPBを提供するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化デバイス(たとえばマスク)MAを支持するための、パターン化デバイスをアイテムPLに対して正確に位置決めするための第1の位置決めデバイスPMに接続された第1の支持構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
−基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、基板をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第2の位置決めデバイスに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化デバイスMAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイからなる)に画像化するための投影システム(たとえば屈折投影レンズ)PLと
を備えている。
図に示すように、このリソグラフィック装置は、透過型(たとえば透過型マスクを使用した)タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィック装置は、反射型(たとえば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した)タイプの装置であっても良い。
イルミネータILは、放射源から放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィック装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィック装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び/又はビーム・エキスパンダを備えたビーム引渡しシステムを使用して放射源からイルミネータILへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィック装置の一構成要素である。放射源及びイルミネータILは、必要に応じてビーム引渡しシステムと共に放射システムと呼ぶことができる。
イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整手段AMを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び/又は内部ラジアル・エクステント(一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている)は調整が可能である。また、イルミネータILは、通常、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の様々なコンポーネントを備えている。イルミネータは、投影ビームPBと呼ばれる、所望する一様な強度分布をその断面に有する調整済み放射ビームを提供している。
マスク・テーブルMT上に保持されているマスクMAに投影ビームPBが入射する。マスクMAを透過した投影ビームPBは、投影ビームを基板Wの目標部分Cに集束させるレンズPLを通過する。基板テーブルWTは、第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF(たとえば干渉デバイス)を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なる目標部分Cを投影ビームPBの光路に配置することができる。同様に、第1の位置決めデバイスPM及びもう1つの位置センサ(図1には明確に示されていない)を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクMAを投影ビームPBの光路に対して正確に配置することができる。通常、対物テーブルMT及びWTの移動は、位置決めデバイスPM及びPWの一部を形成している長ストローク・モジュール(粗位置決め)及び短ストローク・モジュール(精密位置決め)を使用して実現されているが、ステッパの場合(スキャナではなく)、マスク・テーブルMTは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合せマークM1、M2及び基板位置合せマークP1、P2を使用して位置合せすることができる。
図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
3.その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
本発明の第1の実施例について、図5を参照して説明する。図には、基板Wを支持している基板テーブルWTが示されている。基板テーブルWTには、リソグラフィック装置に対して移動する、大まかな位置移動用に設計された下部部分と、該下部部分に対して移動する、正確な「短ストローク」位置決め用に設計された上部部分が利用されるタイプの基板テーブルを始めとする任意の種類の基板テーブルを使用することができる。また、基板テーブルWTは、チャックを開放可能に基板テーブルWTに取り付けることができ、且つ、該チャックが基板テーブルWTによって支持されるタイプの基板テーブルの1つであっても良い。以下の説明は、あらゆるタイプの基板テーブルWTに適用され、その記述は包括的なものである。
液浸リソグラフィに使用される基板テーブルWTは、基板Wの外周縁を取り囲む排液溝すなわち障壁40を備えることができる。排液溝すなわち障壁40は、基板Wの縁部分を露光している間に基板Wからこぼれる液浸液を回収することができるよう、低圧源に接続されている。このような排液溝すなわち障壁40の実施例については、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願第10/705,804号を参照されたい。
また、基板テーブルの上面には、基板Wの上面と実質的に同じ平面内に存在する別の対象20が配置されている。この別の対象20は、図6に示すセンサ24(たとえばトランスミッション・イメージ・センサ(TIS)及び/又はスポット(線量)センサを始めとするセンサ)或いはいわゆるクロージング・ディスク22を備えることができる。トランスミッション・イメージ・センサ24は、基板Wを基板テーブルWTに対して整列させている間、使用され、通常、投影システムを介して投影ビームPBによって照射される。クロージング・ディスク22は、通常、基板を交換している間、使用される。基板の露光が終了すると、基板テーブルWTから基板が除去され、新しい未露光基板Wに交換される。最終エレメント上のマークの乾燥を回避するためには、この期間の間、投影システムの最終エレメントが液体に浸された状態を維持することが有利であり、そのために、液体の破局的損失を招くことなく液体供給システムが動作状態を維持することができるよう、液体供給システムの下面に接続することができるクロージング・ディスク22が提供されている。クロージング・ディスクについては、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願第US10/705,785号に、より詳細に記載されている。
障壁100は、基板W、排液溝40、クロージング・ディスク22及びトランスミッション・イメージ・センサ24を取り囲んでいる。また、障壁100は、基板テーブルWTの上面の他の領域を取り囲んでいる。障壁100は連続しており、実質的に基板テーブルWTの上面の外縁若しくは基板テーブルWTの上面の一部分に配置されている。障壁100は、物理的に基板テーブルWT(及び基板W)の上面の平面外に位置している。基板チャック及びテーブルを備えたタイプの基板テーブルWTの場合、障壁100は、チャックの外側の周りに配置するか、或いは基板テーブルの外側の周りに配置することができる。
この第1の実施例では、障壁100は、基板テーブルWTの上面中に凹所をなした溝110からなっている。溝110は連続したループ(円形であれ、非円形であれ)であるが、必ずしも連続したループである必要はない。溝110は、基板テーブルWTの上面から上に向かって突出した突起140を従えることができる。一実施例では、突起140は、溝110の外側に向かって放射状に配置されている。低圧供給装置が複数の離散出口120に取り付けられている。離散出口120は、一実施例では、液体供給システムに無関係の低圧供給装置に接続されており、したがって障壁100によって収集されるすべての液体を除去し、廃棄するか或いは任意選択で再循環させることができる。一実施例では、離散出口120を連続したループ(円形であれ、非円形であれ)にすることが可能である。
有利には、障壁100は、障壁100と接触する液体がすべて障壁100に引き付けられるよう、親液体材料を使用して構築されているか、或いは親液体被覆が施されており、したがってより有効に液体を収集することができる。
一実施例では、溝110は、断面がU字形になるように形成されており、溝の中の液体に毛管力が作用するようにサイズ化されている。したがって1つ又は複数の離散出口120まで液体を移送し、基板テーブルWTから液体を除去することができる。
障壁100に沿って液体を移送する代替は、障壁(たとえば溝)の表面上及び/又は表面の直ぐ下の時間変動変形すなわち振動である表面弾性波を発生することである。液体は、表面の時間変動変形によって移送される。表面弾性波は、圧電アクチュエータを備えることができる表面弾性波発生器によって発生することができる。この設計は極めてコンパクトであり、表面上で極めて局部的に表面弾性波を発生することができる。したがって表面弾性波が伝搬するのは障壁100の材料の表面に沿ってのみであるため、基板テーブル(若しくはチャック)に機械的なひずみが生じることはない。
次に、図6を参照して第2の実施例について説明するが、以下の説明を除き、第1の実施例と同じである。第2の実施例では、障壁100の対向するコーナに2つの収液凹所122が提供されている。この収液凹所122の形状は半球であり、その最も深く凹んだポイントに出口120を有している。溝110は、溝110の中のすべての液体が重力の力によって収液凹所122に向かって移動するよう、溝の長さに沿って僅かに傾斜している。当然、溝110は、毛管力によって収液凹所122に向かって液体が移動するようにサイズ化することができ、或いはその目的のために表面弾性波発生器を使用することができる。
次に、図7を参照して第3の実施例について説明するが、以下の説明を除き、第1の実施例と同じである。第3の実施例では、障壁100は、基板テーブルWTの外縁若しくは基板テーブルWTの一部分の周りに展開した連続した溝110からなっている。連続した溝110は、基板テーブル中に形成された、溝の断面積より広い断面積を有する連続した環状チャンバ130と流体連絡している。低圧源に接続された複数の離散出口120(若しくは連続した単一の出口120)は、チャンバ130と流体連絡している。この方法によれば、溝110内の低圧が溝の長さ全体に沿って均等化されるため、液体を排液システム中に強制する力が障壁100の長さ全体に沿って等しくなる。
他の実施例の場合と同様であるが、排液溝40とは対照的に、障壁100は、基板Wが基板テーブルWT上の基板Wに指定された領域に配置されると、基板Wと間隔を隔てている。
第4の実施例は、次に図8を参照して説明する点を除いて第3の実施例と同じである。第4の実施例は、たとえば、基板テーブルWTの上面で高速度を有する液体を最適除去するために設計されている。液体は、基板テーブルが投影システムの光軸に直角の平面内を高速で移動すると、基板テーブル上に高速度を展開する。
第4の実施例の障壁100は、基板テーブルWTの上面から上に向かって突出した突起140からなっている。突起140は、実質的に基板テーブルWTの外縁若しくは基板テーブルWTの一部分で、基板テーブルWTの外縁若しくは基板テーブルWTの一部分の周りに展開している。突起140中に溝110が形成され、基板テーブルWTの上面に実質的に直角に展開している前述の実施例の溝とは対照的に、基板テーブルWTの上面に実質的に平行に水平方向に展開している。しかしながらこの第4の実施例の場合も他の実施例と同様、溝110は、基板テーブルWTの上面に対して任意の角度にすることができる。第4の実施例の場合、液体が突起140の放射状の内面に対して強制されると、図8に示すように、左から右への基板テーブルWTの加速によって、溝110を介して液体を強制するための有効な力が液体に働くため、溝110は水平角度であることが好ましい。
図に示す突起140の内面は、基板テーブルWTの上面に対して直角をなしている。放射状の内面に対して液体が蓄積する際に、液体が突起140の頂部を越えて強制される可能性が少なくなるため、突起140が基板テーブルWTの上面に張り出すことになる角度(つまり内側に向かって角度が付けられていること)が有利ではあるが、機械加工のためには、突起140の内面が基板テーブルWTの上面に対して直角をなしていることが恐らく最も容易な形状であると思われる。
第4の実施例のチャンバ130は、少なくともその一部が突起140中に形成されている。必ずしもその必要はないが、チャンバ130の少なくとも一部を突起140中に形成することにより、より容易に製造することができる。実際、チャンバ130全体を突起140の内部に形成することも可能であり、この方法によれば、たとえば、基板テーブルWTの上面ににかわ付けされるか或いは取り付けられる、断面の形状がU字形の環状リングで障壁100を形成することができる。他の形状及び断面も可能であることは明らかであろう。
上で説明した使用モードの組合せ及び/又はその変形形態若しくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
提案されているもう1つの液浸リソグラフィ解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って展開したシール部材を備えた液体供給システムを提供することである。シール部材は、Z方向(光軸の方向)における若干の相対移動が存在する可能性があるが、投影システムに対して実質的にXY平面内に静止している。シール部材と基板の表面の間にシールが形成される。このシールは、ガス・シールなどの非接触シールであることが好ましい。たとえば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願第US10/705,783号に、このようなシステムが開示されている。
図4は、局所液体供給システムを使用した他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムPLの両側の2つの溝入口INによって供給され、入口INの外側に向かって放射状に配置された複数の離散出口OUTによって除去される。入口IN及びOUTは、投射される投影ビームが通過する孔が中心に穿たれたプレートに配置することができる。液体は、投影システムPLの一方の側の1つの溝入口INによって供給され、投影システムPLのもう一方の側の複数の離散出口OUTによって除去され、それにより投影システムPLと基板Wの間に液体の薄膜の流れが形成される。使用する入口INと出口OUTの組合せの選択は、基板Wが移動する方向によって決まる(入口INと出口OUTの他の組合せは非活動状態である)。
参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願第03257072.3号に、二重ステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための2つの基板テーブルを備えている。液浸液が存在しない第1の位置で、基板テーブルを使用して水準測定が実施され、液浸液が存在している第2の位置で、基板テーブルを使用して露光が実施されている。この装置は、別法として、第1の位置と第2の位置の間を移動する1つの基板テーブルのみを有することも可能である。
本発明は、あらゆる液浸リソグラフィ装置に適用することができ、それらに限定されないが、とりわけ上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。以上の説明は、本発明の制限を意図したものではない。
本発明の一実施例によるリソグラフィック装置を示す図である。 本発明に従って使用することができる液体供給システムの断面図である。 図2に示す液体供給システムの平面図である。 本発明の一実施例による液体供給システム・シール部材の一実施例を示す図である。 本発明の第1の実施例による障壁の断面図である。 本発明の第2の実施例による障壁の平面図である。 本発明の第3の実施例による障壁の断面図である。 本発明の第4の実施例による障壁の断面図である。
符号の説明
AM 調整手段
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL イルミネータ
IN インテグレータ
MA マスク
M1、M2 マスク位置合せマーク
MT マスク・テーブル
P1、P2 基板位置合せマーク
PB 投影ビーム
PL 投影システム
W 基板
WT 基板テーブル

Claims (27)

  1. 放射ビームを提供するようになされたイルミネータと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを保持するようになされた支持構造と、
    基板を保持するようになされた基板テーブルと、
    パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
    前記投影システムと前記基板、前記基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、前記基板、前記基板テーブル若しくはその両方の局所領域に液体を供給するようになされた液体供給システムとを備えたリソグラフィック装置であって、
    前記基板テーブルが、液体を収集するようになされた、間隔を隔てて前記基板を取り囲んでいる障壁を備えたリソグラフィック装置。
  2. 前記障壁が、前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項1に記載の装置。
  3. 前記障壁の少なくとも一部が親液体材料若しくは被覆剤からなる、請求項1に記載の装置。
  4. 前記障壁が、前記基板テーブルの上面中に凹所をなした溝からなる、請求項1に記載の装置。
  5. 前記溝が、毛管作用によって前記溝に沿って前記液体を移送することができるようにサイズ化された、請求項4に記載の装置。
  6. 前記基板テーブルが、前記溝を介して前記上面と液体接触したチャンバをさらに備え、前記溝が連続したループを形成している、請求項4に記載の装置。
  7. 前記障壁から液体を除去するようになされた低圧供給装置をさらに備えた、請求項1に記載の装置。
  8. 前記低圧供給装置が複数の離散出口を備えた、請求項7に記載の装置。
  9. 前記低圧供給装置が前記液体供給システムとは無関係に動作する、請求項7に記載の装置。
  10. 前記障壁に沿った液体の移送を容易にするべく、前記障壁中に表面弾性波を発生するようになされた表面弾性波発生器をさらに備えた、請求項1に記載の装置。
  11. 前記表面弾性波発生器が圧電アクチュエータを備えた、請求項10に記載の装置。
  12. 前記障壁が、溝及び前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項1に記載の装置。
  13. 前記基板テーブルが、前記溝を介して前記上面と液体接触したチャンバを備えた、請求項12に記載の装置。
  14. 前記チャンバの少なくとも一部が前記突起中に形成された、請求項13に記載の装置。
  15. 前記障壁が、前記基板の外周縁を取り囲んでいる排液溝すなわち障壁の外側に向かって放射状に配置された、請求項1に記載の装置。
  16. 前記障壁が実質的に前記基板テーブルの外縁若しくは前記基板テーブルの一部分の周りに展開した、請求項1に記載の装置。
  17. 前記障壁が、前記基板テーブルの上面の前記基板によって覆われていない領域をさらに取り囲んでいる、請求項1に記載の装置。
  18. 前記障壁が、前記基板テーブルの上面に取り付けられた少なくとも1つのセンサ及び/又は前記液体供給システムを密閉するようになされたクロージャ部材をさらに取り囲んでいる、請求項1に記載の装置。
  19. 投影システムと基板、基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、前記基板、前記基板テーブル若しくはその両方の局部領域に液体を提供するステップと、
    パターン化された放射ビームを前記投影システムを使用して前記液体を介して前記基板の目標部分に投射するステップと、
    間隔を隔てて基板を取り囲んでいる障壁を使用して液体を収集するステップとを含むデバイス製造方法。
  20. 前記障壁が、前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項19に記載の方法。
  21. 前記障壁が、前記基板テーブルの上面中に凹所をなした溝からなる、請求項19に記載の方法。
  22. 低圧供給装置を使用して前記障壁から液体を除去するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
  23. 前記障壁から液体を除去するステップが、前記液体を提供するステップとは無関係に動作する、請求項22に記載の方法。
  24. 前記障壁に沿った液体の移送を容易にするべく、前記障壁中に表面弾性波を発生するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
  25. 前記障壁が、溝及び前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項19に記載の方法。
  26. 前記基板テーブルが、少なくとも一部が前記突起中に形成された、前記溝を介して前記上面と液体接触しているチャンバを備えた、請求項25に記載の方法。
  27. 前記基板の外周縁を取り囲んでいる、前記障壁の内側に向かって放射状に配置された排液溝すなわち障壁を使用して液体を除去するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
JP2008274721A 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP5202228B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/823,777 US7898642B2 (en) 2004-04-14 2004-04-14 Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10/823777 2004-04-14

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005115241A Division JP4376203B2 (ja) 2004-04-14 2005-04-13 リソグラフィック装置

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011192774A Division JP5300945B2 (ja) 2004-04-14 2011-09-05 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2012014835A Division JP5529903B2 (ja) 2004-04-14 2012-01-27 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009044186A true JP2009044186A (ja) 2009-02-26
JP5202228B2 JP5202228B2 (ja) 2013-06-05

Family

ID=34940711

Family Applications (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005115241A Expired - Fee Related JP4376203B2 (ja) 2004-04-14 2005-04-13 リソグラフィック装置
JP2008274721A Expired - Fee Related JP5202228B2 (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2008274725A Active JP5179317B2 (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置
JP2008274728A Expired - Fee Related JP5027092B2 (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2008274726A Expired - Fee Related JP5027091B2 (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2008274716A Pending JP2009044185A (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2011192774A Active JP5300945B2 (ja) 2004-04-14 2011-09-05 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2012014835A Expired - Fee Related JP5529903B2 (ja) 2004-04-14 2012-01-27 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005115241A Expired - Fee Related JP4376203B2 (ja) 2004-04-14 2005-04-13 リソグラフィック装置

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008274725A Active JP5179317B2 (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置
JP2008274728A Expired - Fee Related JP5027092B2 (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2008274726A Expired - Fee Related JP5027091B2 (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2008274716A Pending JP2009044185A (ja) 2004-04-14 2008-10-24 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2011192774A Active JP5300945B2 (ja) 2004-04-14 2011-09-05 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2012014835A Expired - Fee Related JP5529903B2 (ja) 2004-04-14 2012-01-27 リソグラフィック装置及びデバイス製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (9) US7898642B2 (ja)
EP (1) EP1586948B1 (ja)
JP (8) JP4376203B2 (ja)
KR (1) KR100695554B1 (ja)
CN (2) CN101520611B (ja)
DE (1) DE602005000696T2 (ja)
SG (1) SG116611A1 (ja)
TW (2) TWI427427B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011171733A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Asml Netherlands Bv 基板テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するための方法

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG150388A1 (en) * 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101381538B1 (ko) * 2003-02-26 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
SG2013077797A (en) 2003-04-11 2017-02-27 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
KR20060009356A (ko) * 2003-05-15 2006-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TWI463533B (zh) 2003-05-23 2014-12-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
KR20110110320A (ko) * 2003-05-28 2011-10-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3104396B1 (en) 2003-06-13 2018-03-21 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101265450B1 (ko) * 2003-06-19 2013-05-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7236232B2 (en) * 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
JP4697138B2 (ja) * 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
CN102944981A (zh) * 2003-07-09 2013-02-27 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101296501B1 (ko) * 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4524669B2 (ja) * 2003-07-25 2010-08-18 株式会社ニコン 投影光学系の検査方法および検査装置
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
CN101644899B (zh) * 2003-07-28 2012-02-22 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
CN102323724B (zh) 2003-07-28 2014-08-13 株式会社尼康 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101303536B (zh) 2003-08-29 2011-02-09 株式会社尼康 曝光装置和器件加工方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101430508B (zh) 2003-09-03 2011-08-10 株式会社尼康 为浸没光刻提供流体的装置和方法
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101335736B1 (ko) 2003-09-29 2013-12-02 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP4335213B2 (ja) 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
KR101361892B1 (ko) 2003-10-08 2014-02-12 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI553701B (zh) 2003-10-09 2016-10-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method
EP3139214B1 (en) 2003-12-03 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101281397B1 (ko) 2003-12-15 2013-07-02 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
KR101111363B1 (ko) * 2003-12-15 2012-04-12 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101257960B1 (ko) 2004-06-04 2013-04-24 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
KR101433496B1 (ko) 2004-06-09 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2006019124A1 (ja) * 2004-08-18 2006-02-23 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPWO2006041091A1 (ja) * 2004-10-12 2008-05-15 株式会社ニコン 露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) * 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006080516A1 (ja) 2005-01-31 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101258581B (zh) * 2005-09-09 2011-05-11 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法
US7462429B2 (en) * 2005-10-12 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Method and arrangement for correcting thermally-induced field deformations of a lithographically exposed substrate
KR100659451B1 (ko) 2005-11-18 2006-12-19 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 밀봉 메카니즘을 가지는 개선된 이머전 리소그래피시스템
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7420194B2 (en) * 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027019B2 (en) 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2037486A4 (en) * 2006-05-18 2012-01-11 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND DEVICE, MAINTENANCE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US20070273856A1 (en) 2006-05-25 2007-11-29 Nikon Corporation Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate
US7532309B2 (en) * 2006-06-06 2009-05-12 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid
US20080043211A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
TWI534561B (zh) 2006-08-31 2016-05-21 尼康股份有限公司 Mobile body drive system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, component manufacturing method, and method of determining
TWI596444B (zh) 2006-08-31 2017-08-21 尼康股份有限公司 Exposure method and device, and device manufacturing method
KR101902723B1 (ko) 2006-08-31 2018-09-28 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP3361317A1 (en) 2006-09-01 2018-08-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
TWI434326B (zh) 2006-09-01 2014-04-11 尼康股份有限公司 Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8514365B2 (en) * 2007-06-01 2013-08-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8264662B2 (en) * 2007-06-18 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-line particle detection for immersion lithography
TWI450047B (zh) 2007-07-13 2014-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統、夾緊方法及晶圓台
US8705010B2 (en) 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
KR101614666B1 (ko) 2007-07-18 2016-04-21 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치
KR100956221B1 (ko) * 2007-10-12 2010-05-04 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치용 서셉터
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
EP2131242A1 (en) 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010140958A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US9312159B2 (en) * 2009-06-09 2016-04-12 Nikon Corporation Transport apparatus and exposure apparatus
JP5058305B2 (ja) * 2009-06-19 2012-10-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 液浸リソグラフィ装置、液体閉じ込め構造体、液浸リソグラフィ装置用の投影システムの最終エレメント、および基板テーブル
NL2005322A (en) 2009-09-11 2011-03-14 Asml Netherlands Bv A shutter member, a lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2365390A3 (en) 2010-03-12 2017-10-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8760630B2 (en) 2011-01-01 2014-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method of manufacturing device
CN102736433A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 上海微电子装备有限公司 一种工件台漏水保护装置
JP2018101719A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 株式会社ディスコ 排水機構
JP6473899B1 (ja) 2017-12-29 2019-02-27 株式会社I・Pソリューションズ 複合コードパターン、生成装置、読み取り装置、方法およびプログラム

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH10154659A (ja) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JP2005101488A (ja) * 2002-12-10 2005-04-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005183709A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像方法
JP2005183656A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc 露光装置
JP2005191557A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005243686A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Ebara Corp 露光装置および露光方法
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005302880A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Canon Inc 液浸式露光装置
JP2006523027A (ja) * 2003-04-10 2006-10-05 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
JP4353179B2 (ja) * 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4415939B2 (ja) * 2003-06-13 2010-02-17 株式会社ニコン 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4552853B2 (ja) * 2003-05-15 2010-09-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (226)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE221563C (ja)
DE242880C (ja)
DE224448C (ja)
DE206607C (ja)
US743119A (en) * 1902-12-16 1903-11-03 James Henry Watson Jr Combined ruler and blotter.
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573976A (en) 1967-11-17 1971-04-06 United Carr Inc Method of making coaxial cable
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD221583B1 (de) 1984-02-15 1987-08-26 Werk Fernsehelektronik Veb Schaltungsanordnung zur erzeugung einer unsymmetrischen vergleichssaegezahnspannung
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6266326A (ja) 1985-09-19 1987-03-25 Fujitsu Ltd 日本語デ−タ整列処理方式
JPS6265326U (ja) 1985-10-16 1987-04-23
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (ja) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (ja) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH0652707B2 (ja) * 1988-10-11 1994-07-06 キヤノン株式会社 面位置検出方法
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04306915A (ja) 1991-04-04 1992-10-29 Nec Corp レベル変換回路
US5121258A (en) 1991-08-12 1992-06-09 Eastman Kodak Company Apparatus for anhysteretic duplication of a flexible magnetic disk
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06181167A (ja) 1992-10-14 1994-06-28 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いてデバイスを製造する方法及び該方法に用いるフォトマスク
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5826043A (en) 1995-06-07 1998-10-20 Ast Research, Inc. Docking station with serially accessed memory that is powered by a portable computer for identifying the docking station
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JP2872162B2 (ja) 1996-11-28 1999-03-17 埼玉日本電気株式会社 無音報知および可聴報知機能を有する携帯無線機
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10258249A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JPH10266319A (ja) 1997-03-19 1998-10-06 Ishida Tekko Kk コンクリート溝開口部の蓋体受け枠構造体
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US20040221844A1 (en) * 1997-06-17 2004-11-11 Hunt Peter John Humidity controller
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH1140484A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルキャップ、基板処理装置用カップおよび排液配管
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1505699A (en) 1997-12-12 1999-07-05 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
DE19813168A1 (de) 1998-03-25 1999-09-30 Siemens Ag Verfahren zur Datenübertragung, Codierer sowie Decodierer
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO2000008339A1 (de) 1998-08-06 2000-02-17 Mannesmann Rexroth Ag Hydro-transformator
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000147788A (ja) * 1998-11-11 2000-05-26 Sony Corp 現像装置
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2001091840A (ja) 1999-09-20 2001-04-06 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡システム
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
SE518807C2 (sv) * 1999-11-09 2002-11-26 Koncentra Verkst S Ab Förfarande och anordning för att belägga ett kolvringsämne med ett skikt samt kolvring försedd med ett påvärmt beläggningsskikt
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
JP2001320837A (ja) * 2000-05-02 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 電源装置およびそれを用いた液処理装置
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
US6618209B2 (en) 2000-08-08 2003-09-09 Olympus Optical Co., Ltd. Optical apparatus
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US6897941B2 (en) * 2001-11-07 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
JP2003173975A (ja) 2001-12-05 2003-06-20 Sony Corp 反応管のベーキング方法及び気相成長装置
JP3945569B2 (ja) * 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7017017B2 (en) 2002-11-08 2006-03-21 Intel Corporation Memory controllers with interleaved mirrored memory modes
KR100585476B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101349876B (zh) * 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) * 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
AU2003302830A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP2004193262A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Tokyo Electron Ltd 絶縁性材料および絶縁膜形成方法
CN1717776A (zh) 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
SG150388A1 (en) * 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
FR2848317B1 (fr) 2002-12-10 2007-04-27 France Telecom Procede de controle d'un titre d'autorisation d'acces a un service ou d'acquisition d'un produit
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
WO2004053696A1 (ja) 2002-12-11 2004-06-24 Fujitsu Limited バックアップシステム,バックアップ制御装置,バックアップデータ管理方法,バックアップ制御プログラムおよび同プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体
DE60326384D1 (de) 2002-12-13 2009-04-09 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
US6786579B2 (en) * 2002-12-18 2004-09-07 Xerox Corporation Device for dispensing particulate matter and system using the same
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
WO2004057590A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
WO2004063955A2 (en) 2002-12-26 2004-07-29 Sap Aktiengesellschaft Integrating logistic and financial control of projects
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
EP1437668B1 (de) 2003-01-08 2006-11-15 Rolf Krause Verfahren zur bargeldlosen Zahlung von Waren oder Dienstleistungen unter Verwendung eines Mobilfunkendgerätes
ES2237256B1 (es) 2003-01-13 2006-02-01 Servicios Tecnologicos Para La Peritacion, S.L. Sistema de peritaje virtual.
JP2004264880A (ja) 2003-01-14 2004-09-24 Hitachi Ltd 受注支援システムおよび受注支援方法
AU2003900153A0 (en) 2003-01-15 2003-01-30 Super Internet Site System Pty Ltd Spatial marketing system
JPWO2004063957A1 (ja) 2003-01-15 2006-05-18 株式会社ルネサステクノロジ 企業間データ連携システム
JP4363179B2 (ja) 2003-01-23 2009-11-11 タカタ株式会社 エアバッグ及びエアバッグ装置
TWI247339B (en) * 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101431938B1 (ko) * 2003-04-10 2014-08-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
EP2950148B1 (en) 2003-04-10 2016-09-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
SG2013077797A (en) 2003-04-11 2017-02-27 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
EP1614000B1 (en) 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus
CN1809536A (zh) 2003-04-24 2006-07-26 麦克公司 Akt活性抑制剂
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
JP4697138B2 (ja) * 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
CN102323724B (zh) 2003-07-28 2014-08-13 株式会社尼康 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
JP4492239B2 (ja) * 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2005057636A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Crt表示装置
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
WO2005020299A1 (ja) * 2003-08-21 2005-03-03 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
CN101303536B (zh) * 2003-08-29 2011-02-09 株式会社尼康 曝光装置和器件加工方法
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
KR101345020B1 (ko) * 2003-08-29 2013-12-26 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1513032A1 (fr) 2003-09-02 2005-03-09 The Swatch Group Management Services AG Objet à carcasse métallique comprenant un module électronique pour la mémorisation d'informations, et module électronique pour un tel objet
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
CN101430508B (zh) 2003-09-03 2011-08-10 株式会社尼康 为浸没光刻提供流体的装置和方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
JP4513299B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4515209B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
TWI361450B (en) 2003-10-31 2012-04-01 Nikon Corp Platen, stage device, exposure device and exposure method
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
EP3392713A1 (en) 2003-10-31 2018-10-24 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005054963A1 (ja) 2003-12-02 2005-06-16 Fujitsu Limited アラーム発生時刻制御方法、電子機器及びコンピュータプログラム
ZA200605473B (en) * 2003-12-03 2007-12-27 Commw Scient Ind Res Org Processes for the production of packaging material for transporting and storing perishable goods
EP3139214B1 (en) * 2003-12-03 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
US20050123856A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 Roberts David H. Process for the manufacture of flexographic printing plates
KR101281397B1 (ko) 2003-12-15 2013-07-02 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP4600286B2 (ja) * 2003-12-16 2010-12-15 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
FR2864743B1 (fr) 2003-12-24 2006-03-03 Sagem Procede de generation de base de temps dans un telephone mobile
JP2005191394A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
ATE467902T1 (de) * 2004-01-05 2010-05-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
JP2005209705A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4513590B2 (ja) * 2004-02-19 2010-07-28 株式会社ニコン 光学部品及び露光装置
JP2005242080A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Victor Co Of Japan Ltd ワイヤグリッドポラライザ
JP2005259870A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2005268700A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005302860A (ja) 2004-04-08 2005-10-27 Nikon Corp 極短紫外線光学系用光学素子及び極短紫外線露光装置
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006022616A1 (en) 2004-07-21 2006-03-02 Alltech, Inc. Methods and compositions for controlling parasitic infections of animals
WO2006015283A2 (en) 2004-07-29 2006-02-09 Threshold Pharmaceuticals, Inc. Treatment of benign prostatic hyperplasia
US20060026755A1 (en) 2004-08-05 2006-02-09 Bain Colin C Patient lift with integrated foot push pad
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006022266A1 (ja) 2004-08-25 2006-03-02 Kureha Corporation 収縮性積層フィルム及びその製造方法
PE20060653A1 (es) 2004-08-31 2006-09-27 Glaxo Group Ltd Derivados triciclicos condensados como moduladores del receptor 5-ht1
WO2006024325A1 (en) 2004-08-31 2006-03-09 Freescale Semiconductor, Inc. Method for estimating power consumption
JP4667025B2 (ja) 2004-12-03 2011-04-06 日本ミクロコーティング株式会社 研磨スラリー及び方法
JP2006173527A (ja) 2004-12-20 2006-06-29 Sony Corp 露光装置
JP4381317B2 (ja) 2005-01-31 2009-12-09 株式会社東芝 コンテンツ再生装置、コンテンツ再生方法及びプログラム
JP2006243686A (ja) 2005-02-04 2006-09-14 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JP4655718B2 (ja) 2005-03-25 2011-03-23 日本電気株式会社 コンピュータシステム及びその制御方法
CN101452103B (zh) 2007-11-30 2011-03-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 镜头模组

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH10154659A (ja) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JP2005101488A (ja) * 2002-12-10 2005-04-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4353179B2 (ja) * 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2006523027A (ja) * 2003-04-10 2006-10-05 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
JP4552853B2 (ja) * 2003-05-15 2010-09-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4415939B2 (ja) * 2003-06-13 2010-02-17 株式会社ニコン 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005191557A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005183656A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc 露光装置
JP2005183709A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像方法
JP2005243686A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Ebara Corp 露光装置および露光方法
JP2005302880A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Canon Inc 液浸式露光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011171733A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Asml Netherlands Bv 基板テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するための方法
US9488919B2 (en) 2010-02-17 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Substrate table, a lithographic apparatus and a method involving an encoder plate
US10203612B2 (en) 2010-02-17 2019-02-12 Asml Netherlands B.V. Substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus
US10649346B2 (en) 2010-02-17 2020-05-12 Asml Netherlands B.V. Substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009033200A (ja) 2009-02-12
US8755033B2 (en) 2014-06-17
US9207543B2 (en) 2015-12-08
US20180246418A1 (en) 2018-08-30
US10234768B2 (en) 2019-03-19
TW200921295A (en) 2009-05-16
US9829799B2 (en) 2017-11-28
US20170153557A1 (en) 2017-06-01
CN101520611B (zh) 2013-06-05
US7898642B2 (en) 2011-03-01
JP2005303316A (ja) 2005-10-27
CN1684001A (zh) 2005-10-19
JP2009060127A (ja) 2009-03-19
KR20060045679A (ko) 2006-05-17
KR100695554B1 (ko) 2007-03-14
JP5300945B2 (ja) 2013-09-25
JP2012084926A (ja) 2012-04-26
CN101520611A (zh) 2009-09-02
US20160085161A1 (en) 2016-03-24
SG116611A1 (en) 2005-11-28
US10705432B2 (en) 2020-07-07
US20110116061A1 (en) 2011-05-19
US9989861B2 (en) 2018-06-05
US20190212662A1 (en) 2019-07-11
CN100495214C (zh) 2009-06-03
TW200604755A (en) 2006-02-01
TWI312911B (en) 2009-08-01
JP5027092B2 (ja) 2012-09-19
JP4376203B2 (ja) 2009-12-02
US8704998B2 (en) 2014-04-22
JP5202228B2 (ja) 2013-06-05
DE602005000696T2 (de) 2008-01-24
EP1586948B1 (en) 2007-03-14
JP5027091B2 (ja) 2012-09-19
EP1586948A1 (en) 2005-10-19
US20180081282A1 (en) 2018-03-22
JP5529903B2 (ja) 2014-06-25
US9568840B2 (en) 2017-02-14
JP5179317B2 (ja) 2013-04-10
US20120013867A1 (en) 2012-01-19
JP2009044185A (ja) 2009-02-26
JP2011249854A (ja) 2011-12-08
US20050231694A1 (en) 2005-10-20
TWI427427B (zh) 2014-02-21
DE602005000696D1 (de) 2007-04-26
JP2009033201A (ja) 2009-02-12
US20140253890A1 (en) 2014-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5027091B2 (ja) リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP4157146B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4959737B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR100767089B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4954139B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4921454B2 (ja) 液浸リソグラフィ
EP1528432B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120127

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120308

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5202228

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees