JP2009044186A - リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板テーブルWTは基板Wの外周縁を取り囲む排液溝すなわち障壁40と、基板Wの上面と実質的に同じ平面に存在するセンサーのような別の対象20を取り囲む障壁100を備える。障壁40、100は基板Wを露光している間に液体供給システムからこぼれるすべての液体を収集することができるため、リソグラフィック投影装置の繊細なコンポーネントを汚染する危険が減少する。
【選択図】図5
Description
放射ビームを提供するようになされたイルミネータと、
放射ビームの断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを保持するようになされた支持構造と、
基板を保持するようになされた基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
投影システムと基板、基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、基板、基板テーブル若しくはその両方の局所領域に液体を供給するようになされた液体供給システムと
を備えたリソグラフィック装置であって、
基板テーブルが、液体を収集するようになされた、間隔を隔てて基板を取り囲んでいる障壁を備えたリソグラフィック装置が提供される。
投影システムと基板、基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、基板、基板テーブル若しくはその両方の局部領域に液体を提供するステップと、
パターン化された放射ビームを投影システムを使用して液体を介して基板の目標部分に投射するステップと、
間隔を隔てて基板を取り囲んでいる障壁を使用して液体を収集するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
−投影放射(たとえばUV放射)ビームPBを提供するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化デバイス(たとえばマスク)MAを支持するための、パターン化デバイスをアイテムPLに対して正確に位置決めするための第1の位置決めデバイスPMに接続された第1の支持構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
−基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、基板をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第2の位置決めデバイスに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化デバイスMAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイからなる)に画像化するための投影システム(たとえば屈折投影レンズ)PLと
を備えている。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
3.その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL イルミネータ
IN インテグレータ
MA マスク
M1、M2 マスク位置合せマーク
MT マスク・テーブル
P1、P2 基板位置合せマーク
PB 投影ビーム
PL 投影システム
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (27)
- 放射ビームを提供するようになされたイルミネータと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを保持するようになされた支持構造と、
基板を保持するようになされた基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
前記投影システムと前記基板、前記基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、前記基板、前記基板テーブル若しくはその両方の局所領域に液体を供給するようになされた液体供給システムとを備えたリソグラフィック装置であって、
前記基板テーブルが、液体を収集するようになされた、間隔を隔てて前記基板を取り囲んでいる障壁を備えたリソグラフィック装置。 - 前記障壁が、前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項1に記載の装置。
- 前記障壁の少なくとも一部が親液体材料若しくは被覆剤からなる、請求項1に記載の装置。
- 前記障壁が、前記基板テーブルの上面中に凹所をなした溝からなる、請求項1に記載の装置。
- 前記溝が、毛管作用によって前記溝に沿って前記液体を移送することができるようにサイズ化された、請求項4に記載の装置。
- 前記基板テーブルが、前記溝を介して前記上面と液体接触したチャンバをさらに備え、前記溝が連続したループを形成している、請求項4に記載の装置。
- 前記障壁から液体を除去するようになされた低圧供給装置をさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記低圧供給装置が複数の離散出口を備えた、請求項7に記載の装置。
- 前記低圧供給装置が前記液体供給システムとは無関係に動作する、請求項7に記載の装置。
- 前記障壁に沿った液体の移送を容易にするべく、前記障壁中に表面弾性波を発生するようになされた表面弾性波発生器をさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記表面弾性波発生器が圧電アクチュエータを備えた、請求項10に記載の装置。
- 前記障壁が、溝及び前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項1に記載の装置。
- 前記基板テーブルが、前記溝を介して前記上面と液体接触したチャンバを備えた、請求項12に記載の装置。
- 前記チャンバの少なくとも一部が前記突起中に形成された、請求項13に記載の装置。
- 前記障壁が、前記基板の外周縁を取り囲んでいる排液溝すなわち障壁の外側に向かって放射状に配置された、請求項1に記載の装置。
- 前記障壁が実質的に前記基板テーブルの外縁若しくは前記基板テーブルの一部分の周りに展開した、請求項1に記載の装置。
- 前記障壁が、前記基板テーブルの上面の前記基板によって覆われていない領域をさらに取り囲んでいる、請求項1に記載の装置。
- 前記障壁が、前記基板テーブルの上面に取り付けられた少なくとも1つのセンサ及び/又は前記液体供給システムを密閉するようになされたクロージャ部材をさらに取り囲んでいる、請求項1に記載の装置。
- 投影システムと基板、基板テーブル若しくはその両方の間の空間の少なくとも一部を充填するべく、前記基板、前記基板テーブル若しくはその両方の局部領域に液体を提供するステップと、
パターン化された放射ビームを前記投影システムを使用して前記液体を介して前記基板の目標部分に投射するステップと、
間隔を隔てて基板を取り囲んでいる障壁を使用して液体を収集するステップとを含むデバイス製造方法。 - 前記障壁が、前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項19に記載の方法。
- 前記障壁が、前記基板テーブルの上面中に凹所をなした溝からなる、請求項19に記載の方法。
- 低圧供給装置を使用して前記障壁から液体を除去するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記障壁から液体を除去するステップが、前記液体を提供するステップとは無関係に動作する、請求項22に記載の方法。
- 前記障壁に沿った液体の移送を容易にするべく、前記障壁中に表面弾性波を発生するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記障壁が、溝及び前記基板テーブルの上面から突出した突起からなる、請求項19に記載の方法。
- 前記基板テーブルが、少なくとも一部が前記突起中に形成された、前記溝を介して前記上面と液体接触しているチャンバを備えた、請求項25に記載の方法。
- 前記基板の外周縁を取り囲んでいる、前記障壁の内側に向かって放射状に配置された排液溝すなわち障壁を使用して液体を除去するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
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SG139736A1 (en) | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
SG2013077797A (en) | 2003-04-11 | 2017-02-27 | Nippon Kogaku Kk | Cleanup method for optics in immersion lithography |
KR20060009356A (ko) * | 2003-05-15 | 2006-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TWI503865B (zh) | 2003-05-23 | 2015-10-11 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TWI463533B (zh) | 2003-05-23 | 2014-12-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
KR20110110320A (ko) * | 2003-05-28 | 2011-10-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486827B1 (en) * | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3104396B1 (en) | 2003-06-13 | 2018-03-21 | Nikon Corporation | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101265450B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2013-05-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7236232B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
JP4697138B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
CN102944981A (zh) * | 2003-07-09 | 2013-02-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
KR101296501B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4524669B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 投影光学系の検査方法および検査装置 |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
CN101644899B (zh) * | 2003-07-28 | 2012-02-22 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
CN102323724B (zh) | 2003-07-28 | 2014-08-13 | 株式会社尼康 | 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101303536B (zh) | 2003-08-29 | 2011-02-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件加工方法 |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101430508B (zh) | 2003-09-03 | 2011-08-10 | 株式会社尼康 | 为浸没光刻提供流体的装置和方法 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101335736B1 (ko) | 2003-09-29 | 2013-12-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
JP4335213B2 (ja) | 2003-10-08 | 2009-09-30 | 株式会社蔵王ニコン | 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法 |
KR101361892B1 (ko) | 2003-10-08 | 2014-02-12 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
TWI553701B (zh) | 2003-10-09 | 2016-10-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method |
EP3139214B1 (en) | 2003-12-03 | 2019-01-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
KR101281397B1 (ko) | 2003-12-15 | 2013-07-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
KR101111363B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2012-04-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법 |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101276392B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
KR101433496B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-08-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101202230B1 (ko) | 2004-07-12 | 2012-11-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006019124A1 (ja) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JPWO2006041091A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2008-05-15 | 株式会社ニコン | 露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材 |
US7119876B2 (en) | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7414699B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7365827B2 (en) * | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124359A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006080516A1 (ja) | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101258581B (zh) * | 2005-09-09 | 2011-05-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法 |
US7462429B2 (en) * | 2005-10-12 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Method and arrangement for correcting thermally-induced field deformations of a lithographically exposed substrate |
KR100659451B1 (ko) | 2005-11-18 | 2006-12-19 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 웨이퍼 밀봉 메카니즘을 가지는 개선된 이머전 리소그래피시스템 |
US7633073B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7420194B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8027019B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2037486A4 (en) * | 2006-05-18 | 2012-01-11 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD AND DEVICE, MAINTENANCE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US20070273856A1 (en) | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate |
US7532309B2 (en) * | 2006-06-06 | 2009-05-12 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid |
US20080043211A1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-21 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
TWI534561B (zh) | 2006-08-31 | 2016-05-21 | 尼康股份有限公司 | Mobile body drive system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, component manufacturing method, and method of determining |
TWI596444B (zh) | 2006-08-31 | 2017-08-21 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and device, and device manufacturing method |
KR101902723B1 (ko) | 2006-08-31 | 2018-09-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP3361317A1 (en) | 2006-09-01 | 2018-08-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
TWI434326B (zh) | 2006-09-01 | 2014-04-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method |
JP5089143B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
US8654305B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8514365B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8264662B2 (en) * | 2007-06-18 | 2012-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | In-line particle detection for immersion lithography |
TWI450047B (zh) | 2007-07-13 | 2014-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統、夾緊方法及晶圓台 |
US8705010B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-04-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
KR101614666B1 (ko) | 2007-07-18 | 2016-04-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치 |
KR100956221B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2010-05-04 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 |
KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
EP2131242A1 (en) | 2008-06-02 | 2009-12-09 | ASML Netherlands B.V. | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010140958A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US9312159B2 (en) * | 2009-06-09 | 2016-04-12 | Nikon Corporation | Transport apparatus and exposure apparatus |
JP5058305B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2012-10-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 液浸リソグラフィ装置、液体閉じ込め構造体、液浸リソグラフィ装置用の投影システムの最終エレメント、および基板テーブル |
NL2005322A (en) | 2009-09-11 | 2011-03-14 | Asml Netherlands Bv | A shutter member, a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2365390A3 (en) | 2010-03-12 | 2017-10-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8760630B2 (en) | 2011-01-01 | 2014-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
CN102736433A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-10-17 | 上海微电子装备有限公司 | 一种工件台漏水保护装置 |
JP2018101719A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社ディスコ | 排水機構 |
JP6473899B1 (ja) | 2017-12-29 | 2019-02-27 | 株式会社I・Pソリューションズ | 複合コードパターン、生成装置、読み取り装置、方法およびプログラム |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH10255319A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JP2005101488A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2005183709A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2005191557A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2005243686A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Ebara Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005302880A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP2006523027A (ja) * | 2003-04-10 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
JP4353179B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4415939B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-02-17 | 株式会社ニコン | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4552853B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (226)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
US743119A (en) * | 1902-12-16 | 1903-11-03 | James Henry Watson Jr | Combined ruler and blotter. |
GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573976A (en) | 1967-11-17 | 1971-04-06 | United Carr Inc | Method of making coaxial cable |
US3573975A (en) * | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
ATE1462T1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) * | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD221583B1 (de) | 1984-02-15 | 1987-08-26 | Werk Fernsehelektronik Veb | Schaltungsanordnung zur erzeugung einer unsymmetrischen vergleichssaegezahnspannung |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6266326A (ja) | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Fujitsu Ltd | 日本語デ−タ整列処理方式 |
JPS6265326U (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS62121417U (ja) | 1986-01-24 | 1987-08-01 | ||
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63157419U (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-14 | ||
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH0652707B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 面位置検出方法 |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04306915A (ja) | 1991-04-04 | 1992-10-29 | Nec Corp | レベル変換回路 |
US5121258A (en) | 1991-08-12 | 1992-06-09 | Eastman Kodak Company | Apparatus for anhysteretic duplication of a flexible magnetic disk |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06181167A (ja) | 1992-10-14 | 1994-06-28 | Canon Inc | 像形成方法及び該方法を用いてデバイスを製造する方法及び該方法に用いるフォトマスク |
JPH06181157A (ja) | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Nikon Corp | 低発塵性の装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5826043A (en) | 1995-06-07 | 1998-10-20 | Ast Research, Inc. | Docking station with serially accessed memory that is powered by a portable computer for identifying the docking station |
US6104687A (en) * | 1996-08-26 | 2000-08-15 | Digital Papyrus Corporation | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
JPH10116760A (ja) | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 露光装置及び基板保持装置 |
JP2872162B2 (ja) | 1996-11-28 | 1999-03-17 | 埼玉日本電気株式会社 | 無音報知および可聴報知機能を有する携帯無線機 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10258249A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
JPH10266319A (ja) | 1997-03-19 | 1998-10-06 | Ishida Tekko Kk | コンクリート溝開口部の蓋体受け枠構造体 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US20040221844A1 (en) * | 1997-06-17 | 2004-11-11 | Hunt Peter John | Humidity controller |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH1140484A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ノズルキャップ、基板処理装置用カップおよび排液配管 |
JPH11166990A (ja) | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
DE19813168A1 (de) | 1998-03-25 | 1999-09-30 | Siemens Ag | Verfahren zur Datenübertragung, Codierer sowie Decodierer |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
WO2000008339A1 (de) | 1998-08-06 | 2000-02-17 | Mannesmann Rexroth Ag | Hydro-transformator |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000147788A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-26 | Sony Corp | 現像装置 |
TWI242111B (en) * | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP2001091840A (ja) | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡システム |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
SE518807C2 (sv) * | 1999-11-09 | 2002-11-26 | Koncentra Verkst S Ab | Förfarande och anordning för att belägga ett kolvringsämne med ett skikt samt kolvring försedd med ett påvärmt beläggningsskikt |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
JP2001272604A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
JP2001320837A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 電源装置およびそれを用いた液処理装置 |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
US6618209B2 (en) | 2000-08-08 | 2003-09-09 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical apparatus |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
US6897941B2 (en) * | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
JP2003173975A (ja) | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Sony Corp | 反応管のベーキング方法及び気相成長装置 |
JP3945569B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2007-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 現像装置 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
TWI242691B (en) | 2002-08-23 | 2005-11-01 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6954993B1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
US7017017B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-03-21 | Intel Corporation | Memory controllers with interleaved mirrored memory modes |
KR100585476B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1429188B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101349876B (zh) * | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI255971B (en) * | 2002-11-29 | 2006-06-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
AU2003302830A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
JP2004193262A (ja) | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 絶縁性材料および絶縁膜形成方法 |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
SG150388A1 (en) * | 2002-12-10 | 2009-03-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
FR2848317B1 (fr) | 2002-12-10 | 2007-04-27 | France Telecom | Procede de controle d'un titre d'autorisation d'acces a un service ou d'acquisition d'un produit |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1571696A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-03-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
WO2004053696A1 (ja) | 2002-12-11 | 2004-06-24 | Fujitsu Limited | バックアップシステム,バックアップ制御装置,バックアップデータ管理方法,バックアップ制御プログラムおよび同プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体 |
DE60326384D1 (de) | 2002-12-13 | 2009-04-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
US6786579B2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-09-07 | Xerox Corporation | Device for dispensing particulate matter and system using the same |
US7514699B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
WO2004057590A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
WO2004063955A2 (en) | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Sap Aktiengesellschaft | Integrating logistic and financial control of projects |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
EP1437668B1 (de) | 2003-01-08 | 2006-11-15 | Rolf Krause | Verfahren zur bargeldlosen Zahlung von Waren oder Dienstleistungen unter Verwendung eines Mobilfunkendgerätes |
ES2237256B1 (es) | 2003-01-13 | 2006-02-01 | Servicios Tecnologicos Para La Peritacion, S.L. | Sistema de peritaje virtual. |
JP2004264880A (ja) | 2003-01-14 | 2004-09-24 | Hitachi Ltd | 受注支援システムおよび受注支援方法 |
AU2003900153A0 (en) | 2003-01-15 | 2003-01-30 | Super Internet Site System Pty Ltd | Spatial marketing system |
JPWO2004063957A1 (ja) | 2003-01-15 | 2006-05-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 企業間データ連携システム |
JP4363179B2 (ja) | 2003-01-23 | 2009-11-11 | タカタ株式会社 | エアバッグ及びエアバッグ装置 |
TWI247339B (en) * | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
KR101431938B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
EP2950148B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-09-21 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
SG2013077797A (en) | 2003-04-11 | 2017-02-27 | Nippon Kogaku Kk | Cleanup method for optics in immersion lithography |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
SG139736A1 (en) | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
EP1614000B1 (en) | 2003-04-17 | 2012-01-18 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus |
CN1809536A (zh) | 2003-04-24 | 2006-07-26 | 麦克公司 | Akt活性抑制剂 |
JP4025683B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486827B1 (en) * | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4084710B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4084712B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
JP4697138B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
CN102323724B (zh) | 2003-07-28 | 2014-08-13 | 株式会社尼康 | 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
JP4492239B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2005057636A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Crt表示装置 |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
WO2005020299A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
CN101303536B (zh) * | 2003-08-29 | 2011-02-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件加工方法 |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
KR101345020B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2013-12-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
EP1513032A1 (fr) | 2003-09-02 | 2005-03-09 | The Swatch Group Management Services AG | Objet à carcasse métallique comprenant un module électronique pour la mémorisation d'informations, et module électronique pour un tel objet |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
CN101430508B (zh) | 2003-09-03 | 2011-08-10 | 株式会社尼康 | 为浸没光刻提供流体的装置和方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
JP4513299B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4515209B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
TWI361450B (en) | 2003-10-31 | 2012-04-01 | Nikon Corp | Platen, stage device, exposure device and exposure method |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
EP3392713A1 (en) | 2003-10-31 | 2018-10-24 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and method |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
WO2005054953A2 (en) | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005054963A1 (ja) | 2003-12-02 | 2005-06-16 | Fujitsu Limited | アラーム発生時刻制御方法、電子機器及びコンピュータプログラム |
ZA200605473B (en) * | 2003-12-03 | 2007-12-27 | Commw Scient Ind Res Org | Processes for the production of packaging material for transporting and storing perishable goods |
EP3139214B1 (en) * | 2003-12-03 | 2019-01-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
US20050123856A1 (en) | 2003-12-05 | 2005-06-09 | Roberts David H. | Process for the manufacture of flexographic printing plates |
KR101281397B1 (ko) | 2003-12-15 | 2013-07-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
JP4600286B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
FR2864743B1 (fr) | 2003-12-24 | 2006-03-03 | Sagem | Procede de generation de base de temps dans un telephone mobile |
JP2005191394A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
ATE467902T1 (de) * | 2004-01-05 | 2010-05-15 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
JP2005209705A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4513590B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 光学部品及び露光装置 |
JP2005242080A (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Victor Co Of Japan Ltd | ワイヤグリッドポラライザ |
JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005268700A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005302860A (ja) | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Nikon Corp | 極短紫外線光学系用光学素子及び極短紫外線露光装置 |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006022616A1 (en) | 2004-07-21 | 2006-03-02 | Alltech, Inc. | Methods and compositions for controlling parasitic infections of animals |
WO2006015283A2 (en) | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Threshold Pharmaceuticals, Inc. | Treatment of benign prostatic hyperplasia |
US20060026755A1 (en) | 2004-08-05 | 2006-02-09 | Bain Colin C | Patient lift with integrated foot push pad |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006022266A1 (ja) | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Kureha Corporation | 収縮性積層フィルム及びその製造方法 |
PE20060653A1 (es) | 2004-08-31 | 2006-09-27 | Glaxo Group Ltd | Derivados triciclicos condensados como moduladores del receptor 5-ht1 |
WO2006024325A1 (en) | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for estimating power consumption |
JP4667025B2 (ja) | 2004-12-03 | 2011-04-06 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 研磨スラリー及び方法 |
JP2006173527A (ja) | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sony Corp | 露光装置 |
JP4381317B2 (ja) | 2005-01-31 | 2009-12-09 | 株式会社東芝 | コンテンツ再生装置、コンテンツ再生方法及びプログラム |
JP2006243686A (ja) | 2005-02-04 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
JP4655718B2 (ja) | 2005-03-25 | 2011-03-23 | 日本電気株式会社 | コンピュータシステム及びその制御方法 |
CN101452103B (zh) | 2007-11-30 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镜头模组 |
-
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2019
- 2019-03-15 US US16/354,432 patent/US10705432B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH10255319A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JP2005101488A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP4353179B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2006523027A (ja) * | 2003-04-10 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
JP4552853B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4415939B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-02-17 | 株式会社ニコン | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2005191557A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2005183709A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2005243686A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Ebara Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2005302880A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011171733A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Asml Netherlands Bv | 基板テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するための方法 |
US9488919B2 (en) | 2010-02-17 | 2016-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a method involving an encoder plate |
US10203612B2 (en) | 2010-02-17 | 2019-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus |
US10649346B2 (en) | 2010-02-17 | 2020-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus |
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