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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4248953B2 (ja) 2003-06-30 2009-04-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
JP4989437B2 (ja) * 2007-12-14 2012-08-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7646089B2 (en) * 2008-05-15 2010-01-12 Fujitsu Limited Semiconductor package, method for manufacturing a semiconductor package, an electronic device, method for manufacturing an electronic device
US20110024896A1 (en) * 2008-07-07 2011-02-03 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device
US7884444B2 (en) * 2008-07-22 2011-02-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a transformer on chip
JP5341435B2 (ja) * 2008-08-26 2013-11-13 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置
JP2010080925A (ja) * 2008-08-26 2010-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP5271778B2 (ja) * 2009-04-10 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5553766B2 (ja) * 2009-09-08 2014-07-16 パナソニック株式会社 半導体装置とその製造方法
US8581378B2 (en) * 2009-09-29 2013-11-12 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2011064817A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 パナソニック株式会社 半導体装置とその製造方法
JP2012015202A (ja) 2010-06-29 2012-01-19 On Semiconductor Trading Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR101444629B1 (ko) * 2010-11-16 2014-09-26 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 소자, 반도체 장치 및 반도체 소자의 제조 방법
JP5714916B2 (ja) * 2011-01-12 2015-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5866774B2 (ja) * 2011-02-25 2016-02-17 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US8354733B2 (en) * 2011-03-04 2013-01-15 International Rectifier Corporation IGBT power semiconductor package having a conductive clip
CN102163562B (zh) * 2011-03-18 2012-09-19 聚信科技有限公司 一种功率半导体管芯的安装方法和同步降压转换器
US9230928B2 (en) * 2011-09-12 2016-01-05 Conexant Systems, Inc. Spot plated leadframe and IC bond pad via array design for copper wire
US20160277017A1 (en) * 2011-09-13 2016-09-22 Fsp Technology Inc. Snubber circuit
CN102361025B (zh) * 2011-10-28 2012-10-03 深圳市气派科技有限公司 一种高密度集成电路封装结构、封装方法以及集成电路
JP5943795B2 (ja) * 2012-09-26 2016-07-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5879238B2 (ja) * 2012-09-26 2016-03-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール
DE102012019391A1 (de) * 2012-10-02 2014-04-03 Infineon Technologies Ag Leitungshalbleitergehäuse mit redundanter Funktionalität
JP6161251B2 (ja) * 2012-10-17 2017-07-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5512845B2 (ja) * 2013-02-25 2014-06-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9515172B2 (en) 2014-01-28 2016-12-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same
KR102199986B1 (ko) * 2014-02-17 2021-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
US9780061B2 (en) * 2014-05-26 2017-10-03 Infineon Technologies Ag Molded chip package and method of manufacturing the same
JP6374225B2 (ja) * 2014-06-02 2018-08-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および電子装置
US9852928B2 (en) * 2014-10-06 2017-12-26 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages and modules with integrated ferrite material
KR101644913B1 (ko) * 2015-01-08 2016-08-04 (주) 루트세미콘 초음파 용접을 이용한 반도체 패키지 및 제조 방법
JP6520437B2 (ja) * 2015-06-12 2019-05-29 富士電機株式会社 半導体装置
DE102016112289B4 (de) * 2016-07-05 2020-07-30 Danfoss Silicon Power Gmbh Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2018061711A1 (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置および製造方法
JP6698499B2 (ja) * 2016-11-15 2020-05-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6901902B2 (ja) * 2017-04-27 2021-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20190109061A1 (en) * 2017-10-11 2019-04-11 Texas Instruments Incorporated Edge Bend for Isolation Packages
DE102019101326A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung, die erste und zweite Kontaktschichten enthält, und Herstellungsverfahren
JP7137955B2 (ja) * 2018-04-05 2022-09-15 ローム株式会社 半導体装置
US11251300B2 (en) * 2018-04-19 2022-02-15 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
DE102018207308B4 (de) * 2018-05-09 2020-07-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit integriertem shunt-widerstand und verfahren zu dessen herstellung
CN110544675A (zh) * 2018-05-29 2019-12-06 株式会社加藤电器制作所 半导体模块
US10777489B2 (en) 2018-05-29 2020-09-15 Katoh Electric Co., Ltd. Semiconductor module
CN110544681A (zh) * 2018-05-29 2019-12-06 株式会社加藤电器制作所 半导体模块
WO2019229828A1 (ja) * 2018-05-29 2019-12-05 新電元工業株式会社 半導体モジュール
US11955440B2 (en) 2018-09-12 2024-04-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with detection conductor
JP6498829B1 (ja) * 2018-09-19 2019-04-10 株式会社加藤電器製作所 半導体モジュール
JP6457144B1 (ja) * 2018-09-19 2019-01-23 株式会社加藤電器製作所 半導体モジュール
CN117878082A (zh) 2018-10-09 2024-04-12 罗姆股份有限公司 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN110001436A (zh) * 2019-03-07 2019-07-12 浙江叶尼塞电气有限公司 一种全新大功率充电桩智能防反装置
JP7548714B2 (ja) * 2019-03-25 2024-09-10 ローム株式会社 電子装置、電子装置の製造方法、およびリードフレーム
US10630080B1 (en) * 2019-06-28 2020-04-21 Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. Super-fast transient response (STR) AC/DC Converter for high power density charging application
WO2021002132A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07 富士電機株式会社 半導体モジュールの回路構造
JP7359581B2 (ja) * 2019-07-10 2023-10-11 株式会社デンソー 半導体装置
JP7156230B2 (ja) * 2019-10-02 2022-10-19 株式会社デンソー 半導体モジュール
JP7266508B2 (ja) * 2019-10-21 2023-04-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP7334655B2 (ja) * 2020-03-06 2023-08-29 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7339933B2 (ja) * 2020-09-11 2023-09-06 株式会社東芝 半導体装置
JP7438071B2 (ja) * 2020-09-15 2024-02-26 株式会社東芝 半導体装置
CN111933606B (zh) * 2020-09-16 2021-08-03 苏州日月新半导体有限公司 集成电路装置及其封装方法
JP7422696B2 (ja) * 2021-02-09 2024-01-26 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7630321B2 (ja) * 2021-03-22 2025-02-17 ローム株式会社 半導体装置
JP7653305B2 (ja) 2021-06-02 2025-03-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2023026389A1 (ja) * 2021-08-25 2023-03-02 株式会社オートネットワーク技術研究所 車載用の半導体スイッチ装置
CN117795673A (zh) * 2021-08-25 2024-03-29 株式会社自动网络技术研究所 车载用的半导体开关装置
US12224230B2 (en) * 2021-09-16 2025-02-11 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices
CN115881762A (zh) * 2021-09-26 2023-03-31 苏州东微半导体股份有限公司 Igbt功率器件
CN114496966A (zh) * 2021-12-31 2022-05-13 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 条带结构、连接片结构以及封装结构
CN115295510A (zh) * 2022-09-06 2022-11-04 日月新半导体(威海)有限公司 半导体分立器件封装件
JPWO2024116933A1 (enExample) * 2022-12-02 2024-06-06
JPWO2024190426A1 (enExample) * 2023-03-15 2024-09-19
CN118763060A (zh) * 2024-09-02 2024-10-11 广东气派科技有限公司 一种mosfet的封装结构

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274755A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Hitachi Ltd 樹脂封止半導体装置とその製造方法
KR100266726B1 (ko) * 1995-09-29 2000-09-15 기타지마 요시토시 리드프레임과 이 리드프레임을 갖춘 반도체장치
US6692989B2 (en) * 1999-10-20 2004-02-17 Renesas Technology Corporation Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof
US6084264A (en) 1998-11-25 2000-07-04 Siliconix Incorporated Trench MOSFET having improved breakdown and on-resistance characteristics
US20010001494A1 (en) 1999-04-01 2001-05-24 Christopher B. Kocon Power trench mos-gated device and process for forming same
JP2000349221A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Sharp Corp リードフレームおよびそれを用いた半導体デバイス
JP3898459B2 (ja) * 2001-04-18 2007-03-28 加賀東芝エレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20040217488A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Luechinger Christoph B. Ribbon bonding
JP4248953B2 (ja) * 2003-06-30 2009-04-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
JP2006032873A (ja) * 2004-07-22 2006-02-02 Toshiba Corp ストラップボンディング装置及びストラップボンディング方法
JP2007129182A (ja) * 2005-05-11 2007-05-24 Toshiba Corp 半導体装置
JP4842118B2 (ja) * 2006-01-24 2011-12-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4916745B2 (ja) * 2006-03-28 2012-04-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

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