JP2008294384A5

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Publication number: JP2008294384A5
Application number: JP2007162684A
Authority: JP
Filing date: 2007-06-20
Publication date: 2011-07-14

Claims

（ａ）チップ搭載部、および前記チップ搭載部とは電気的に分離された第１リードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）第１パッドが配置された主面、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを前記チップ搭載部上に搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの前記第１パッドと金属リボンの一端とをボンディングツールを用いて電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記リードフレームの前記第１リードと前記金属リボンの他端とを前記ボンディングツールを用いて電気的に接続する工程と、
を有し、
前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程とは、それぞれ別々に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程で用いる前記ボンディングツールと、前記（ｄ）工程で用いる前記ボンディングツールは、同一のボンディングツールであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップの前記第１パッドと前記金属リボンとが接続された第１接続部が形成され、
前記（ｄ）工程では、前記リードフレームの前記第１リードと前記金属リボンとが接続された第２接続部が形成され、
前記（ｃ）工程では、さらに前記半導体チップの前記第１パッドと前記金属リボンとが接続された第３接続部が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３接続部は、前記第１接続部と前記第２接続部との間に位置するように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属リボンは複数本であって、前記（ｃ）工程および前記（ｄ）工程において、前記ボンディングツールは、前記複数本の金属リボンを同時にボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数本の金属リボンのそれぞれの幅は等しいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属リボンは、アルミニウムリボンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップは第２パッドをさらに有し、
前記リードフレームは、前記チップ搭載部とは電気的に分離された第２リードをさらに有し、
前記（ｄ）工程の後に、前記半導体チップの前記第２パッドと前記リードフレームの前記第２リードとは、金属ワイヤにより接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属ワイヤは、金線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
（ｅ）前記半導体チップ、前記第１リードの一部、前記チップ搭載部の一部、および前記金属リボンをモールドレジンで封止する工程と、
（ｆ）前記リードフレームから前記モールドレジンの外側に露出した前記第１リードの他の部分を切断する工程と、
（ｇ）前記第１リードをガルウイング形状に成形する工程と、
をさらに有する半導体装置の製造方法。
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程において、前記チップ搭載部は、前記モールドレジンから前記チップ搭載部の裏面が露出するように前記モールドレジンにより封止されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップには、パワーＭＯＳＦＥＴが形成されており、
前記半導体チップの前記第１パッドはソースパッドであり、
前記半導体チップの前記第２パッドはゲートパッドであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ソースパッドは、前記ゲートパッドよりも広い面積を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの裏面は、前記パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの裏面は、前記チップ搭載部上に銀ペーストを介して接着されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記銀ペーストの弾性率（Ｐａ）は、Ｐａ＜２．６×Ａｇペーストの接着厚さ／Ａｌリボン超音波ボンディング可能変位×Ａｇペーストの剪断強度
なる関係を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記Ａｇペーストの弾性率は０．２〜５．３ＧＰａの範囲であり、剪断強度は８．５ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。