JP2008258411A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 半導体チップと、
   前記半導体チップの周囲に配置されて、前記半導体チップの側面と交差する方向に延び、少なくとも前記半導体チップから遠い側の端部が実装基板に接合されるリードとを含み、
   前記リードにおける前記半導体チップから遠い側の端部には、前記実装基板に対する接合面およびこの接合面に直交する一平面からなる端面が形成されており、
   前記接合面には、第１金属めっき層が直接接して形成されており、
   前記端面には、前記第１金属めっき層とは異なる純金属からなる第２金属めっき層が直接接して形成されている、半導体装置。
2. 前記半導体チップを支持し、前記実装基板に対して接合される下面を有するダイパッドをさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記ダイパッドの下面には、前記第１金属めっき層と同じ金属からなる第３金属めっき層が直接接して形成されており、
   前記第１金属めっき層および前記第３金属めっき層が、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｐｄのいずれかからなる、請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記リードは、前記ダイパッドとの対向方向に長尺な形状に形成され、本体部と、前記ダイパッド側の端部に前記ダイパッドとの対向方向に凸状な抜け止め部とを有している、請求項２または３に記載の半導体装置。
5. 前記第２金属めっき層の厚さが、３μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
6. 前記第２金属めっき層の厚さが、１μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 前記第２金属めっき層は、融点が２６０℃以下の純金属からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 前記第２金属めっき層が、ＳｎまたはＩｎからなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
9. 前記ダイパッドは、本体部と、当該本体部の周囲を取り囲み、当該本体部よりも薄い抜け止め部とを有している、請求項２〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
10. 前記リードは、前記ダイパッドの各側面と直交する各方向における両側に、それぞれ同数ずつ設けられている、請求項２〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
11. 前記リードが、銅または４２アロイを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
12. 前記ダイパッドの表面における前記半導体チップを支持する部分の面積が、当該表面における露出面積よりも大きい、請求項２〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
13. ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されて、前記ダイパッドとの対向方向に延びるリードと、前記リードの前記ダイパッドから遠い側の端部が接続された支持部とを一体的に備えるリードフレームを用い、
    前記ダイパッド上に半導体チップをダイボンディングし、前記半導体チップと前記リードとをボンディングワイヤで電気的に接続するボンディング工程と、
    前記ボンディング工程後、前記リードにおける前記ボンディングワイヤが接続される第１面と反対側の第２面が封止樹脂から露出するように、前記半導体チップを前記リードフレームとともに前記封止樹脂により封止する封止工程と、
    前記封止工程後、前記リードの露出した第２面に、電解めっき法により、第１金属めっき層を形成するめっき工程と、
    前記支持部および前記支持部上の前記封止樹脂を除去し、前記リードの第２面に直交するする第３面を、前記封止樹脂から露出させる除去工程と、
    前記リードの露出した第３面に、無電解めっき法により、前記第１金属めっき層とは異なる純金属からなる第２金属めっき層を形成するめっき工程とを含む、半導体装置の製造方法。
14. 前記除去工程は、ダイシングソーを用いた切断により、前記支持部および前記支持部上の前記封止樹脂を除去する工程であり、
    前記第２金属をめっきする工程前に、前記除去工程時に前記リードに生じたばりをエッチングにより除去するためのエッチング工程を含む、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。