JP6571245B1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の端子部にめっき膜を形成する際のめっきムラの発生を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、リードフレームに設けられた複数の端子部に電気的に接続された複数の半導体チップを覆うと共に、端子部を露出させるように、樹脂で封止した封止体を形成する封止工程（ステップＳ１０８）と、封止体の端子部が露出する面とは反対側の表面を、フィルム部材に接着させる接着工程（ステップＳ１１０）と、フィルム部材に接着された封止体の複数の端子部から表面まで切断して、互いが離間していると共にフィルム部材に接着されている複数の分割封止体を形成する切断工程（ステップＳ１１２）と、複数の分割封止体がフィルム部材に接着された状態で、端子部の切断面に無電解めっきによりめっき膜をそれぞれ形成するめっき工程（ステップＳ１１４）とを有する。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

樹脂の封止部内に半導体チップが設けられた半導体装置は、封止部から露出する端子部を有する。この半導体装置においては、前記端子部を実装基板の電極部に接続するために、導電性材料から成る接合材（はんだ材等）が用いられる。そして、はんだ材の接合性を高めるために、半導体装置の端子部の露出面にめっき膜を形成する技術が記載されている（下記の特許文献１参照）。

特開２０１４−７２２３６号公報

上記の特許文献１では、リードフレームに載置された複数の半導体チップを樹脂で封止している樹脂封止体を切断して、複数の半導体装置を個片化する。そして、個片化した複数の半導体装置を、めっき液を収容する容器に投入し、アーム等でめっき液中の複数の半導体装置を揺動攪拌させている。
しかし、複数の半導体装置を揺動攪拌する場合には、容器内のめっき液中で半導体装置同士がくっついたりして、半導体装置の端子部にめっき膜が均一に形成されず、めっきムラが発生するという問題点がある。

そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の端子部にめっき膜を形成する際のめっきムラの発生を抑制することを目的とする。

本発明の一の態様においては、リードフレームに設けられた複数の端子部に電気的に接続された複数の半導体チップを覆うと共に、前記端子部を露出させるように、樹脂で封止した封止体を形成する封止工程と、前記封止体の前記端子部が露出する面とは反対側の反対面を、フィルムに接着させる接着工程と、前記フィルムに接着された前記封止体の前記複数の端子部から前記反対面まで切断して、互いが離間していると共に前記フィルムに接着されている複数の分割封止体を形成する切断工程と、前記複数の分割封止体が前記フィルムに接着された状態で、前記端子部の切断面に無電解めっきによりめっき膜をそれぞれ形成するめっき工程と、を有する、半導体装置の製造方法を提供する。

また、前記切断工程において、前記複数の端子部をそれぞれ２つに切断し、前記めっき工程において、切断されることで対向する一対の切断面にそれぞれめっき膜を形成することとしてもよい。

また、前記めっき工程において、容器内に収容された薬液に、前記複数の分割封止体が互いに離間した状態で接着された前記フィルムを浸して、前記切断面にめっき膜を形成することとしてもよい。

また、前記切断工程において、前記封止体を格子状に切断し、前記めっき工程において、格子状に切断されて分離された前記複数の分割封止体が前記フィルムに接着された状態で、前記切断面に前記めっき膜を形成することとしてもよい。

また、前記めっき工程において、前記端子部の切断面と、前記端子部の前記封止体から露出し前記切断面と繋がっている露出面とに、同時に前記めっき膜を形成することとしてもよい。

また、前記めっき工程において、前記無電解めっきを複数回行って、前記切断面に層状に複数のめっき膜を形成することとしてもよい。

また、前記めっき工程において、前記切断面に近いめっき膜の厚さが前記切断面から離れためっき膜の厚さよりも大きくなるように、前記切断面に複数のめっき膜を層状に形成することとしてもよい。

また、前記切断工程において、刃を用いて前記複数の端子部から前記反対面まで切断して、前記複数の分割封止体が互いに前記刃の厚さの幅だけ離間した状態にさせることとしてもよい。

また、前記めっき工程は、前記フィルムに接着された前記複数の分割封止体に対してプラズマ処理を行う前処理工程を含み、前記プラズマ処理後に、前記切断面に前記めっき膜を形成することとしてもよい。

また、前記めっき工程は、前記フィルムに接着された前記複数の分割封止体に対してエッジング処理を行う前処理工程を含み、前記エッジング処理後に、前記切断面に前記めっき膜を形成することとしてもよい。

また、前記封止工程において、複数のパッド部及び端子部を含むリードフレームの各パッド部に載置され、各パッド部の周囲に位置する前記端子部に電気的に接続された複数の半導体チップを覆うと共に、前記パッド部及び前記端子部を露出させるように、樹脂で封止した封止体を形成することとしてもよい。

また、前記封止工程において、前記端子部及び前記半導体チップをフィルムに接着させた状態で、前記封止体を形成し、前記半導体装置の製造方法は、前記封止体から前記フィルムを除去して、前記端子部及び前記半導体チップを前記封止体から露出させる除去工程を更に有し、前記接着工程において、前記封止体の前記端子部及び前記半導体チップが露出する面とは反対側の反対面を、フィルムに接着させることとしてもよい。

また、前記封止工程において、前記半導体チップに設けられたテープ部と前記端子部をフィルムに接着させた状態で、前記封止体を形成し、前記封止体から前記フィルムを除去して、前記端子部及び前記テープ部を前記封止体から露出させる除去工程を更に有し、前記接着工程において、前記封止体の前記端子部及び前記テープ部が露出する面とは反対側の反対面を、フィルムに接着させることとしてもよい。

本発明によれば、半導体装置の端子部にめっき膜を形成する際のめっきムラの発生を抑制できるという効果を奏する。

本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１の平面模式図である。 半導体装置１の底面模式図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 端子部３０と実装基板９０の電極部９２との接合状態を説明するための模式図である。 半導体装置１の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。 半導体装置１の製造工程を説明するための模式図である。 半導体装置１の製造工程を説明するための模式図である。 半導体装置１の製造工程を説明するための模式図である。 封止体１５０を格子状に切断した状態を説明するための模式図である。 めっき工程の詳細を説明するためのフローチャートである。 複数の分割封止体１５０Ａに対する無電解めっきを説明するための模式図である。 分割端子部１３０Ａに層状に形成されためっき膜１３４ａ〜１３４ｃを説明するための模式図である。 分割封止体１５０Ａの個片化の一例を説明するための模式図である。 第２の実施形態に係る半導体装置１の構成を説明するための模式図である。 第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。 第２の実施形態における製造工程の一部を説明するための模式図である。 第３の実施形態に係る半導体装置１の内部構成を説明するための模式図である。 第３の実施形態における製造工程の一部を説明するための模式図である。

［第１の実施形態］
＜半導体装置の構成＞
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成について、図１〜図４を参照しながら説明する。

図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１の平面模式図である。図２は、半導体装置１の底面模式図である。図３は、図１のＡ−Ａ断面図である。図４は、端子部３０と実装基板９０の電極部９２との接合状態を説明するための模式図である。なお、図１及び図２において、端子部３０の封止部５０の外縁から飛び出している部分は、後述するめっき膜（図３のめっき膜３４）の部分であり、分かり易くするためにめっき膜の厚さを大きくして模式的に示している。

半導体装置１は、例えば、ＱＦＮ（Quad flat no lead package）タイプのフラットリード・パッケージである。半導体装置１を平面視した際の形状は、図１に示すように矩形である。半導体装置１は、表面と、表面とは反対側の裏面と、４つの側面とを有する。半導体装置１は、図１〜図３に示すように、半導体チップ１０と、パッド部２０と、端子部３０と、ワイヤ４０と、封止部５０とを有する。

半導体チップ１０は、例えば、シリコンなどから成る半導体基板（半導体ウエハ）に半導体素子又は半導体集積回路を形成した後に、ダイシング等により半導体基板を分離したものである。半導体チップ１０は、図３に示すように、半導体装置１の内部中央側に配置されている。半導体チップ１０の表面には、集積回路が形成されている。半導体チップ１０の裏面は、例えば接着剤によってパッド部２０の上面に接合されている。

パッド部２０は、図３に示すように半導体装置１の底部中央に配置されており、半導体チップ１０が載置される部分である。パッド部２０は、図３に示すように、半導体チップ１０の下側に位置している。パッド部２０の表面は、半導体チップ１０の裏面に対向している。パッド部２０の裏面は、封止部５０によって封止されていない。なお、パッド部２０の裏面には、めっき膜２４が形成されている。

端子部３０は、図２に示すように、パッド部２０の周囲にパッド部２０から離間して配置されている。端子部３０は、半導体装置１の裏面の四辺にそれぞれ配置されている。端子部３０は、半導体装置１が実装基板９０（図４）に実装された際に、実装基板９０の電極部９２と電気的に接続されている。

ワイヤ４０は、図３に示すように、半導体チップ１０と端子部３０とを電気的に接続している。具体的には、ワイヤ４０は、半導体チップ１０の集積回路の電極と、端子部３０（具体的には、端子部３０のめっき膜３３）とを電気的に接続している。ワイヤ４０は、導電性を有し、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等を主成分とする金属材料からなる。

封止部５０は、図３に示すように、半導体チップ１０、パッド部２０の一部、端子部３０の一部、及びワイヤ４０を封止して、保護している。封止部５０は、例えば熱硬化性樹脂材料等の樹脂材料からなる。封止部５０は、平面視した際に矩形状であり、所定の厚さを有する。すなわち、封止部５０は、表面（上面）、表面と反対側の裏面（下面）と、４つの側面を有する。封止部５０の表面、裏面、側面が、それぞれ半導体装置１の表面、裏面、側面を形成している。

封止部５０は、図３に示すように、端子部３０の底面３１ａ及び側面３１ｂが露出するように設けられている。端子部３０の底面３１ａ及び側面３１ｂには、めっき膜３４が形成されている。めっき膜３４は、複数の膜を積層した構成となっている。例えば、めっき膜３４は、Ｎｉ（ニッケル）の第１膜、Ｐｄ（パラジウム）の第２膜、Ａｕ（金）の第３膜の順に積層されており、第１膜が端子部３０の底面３１ａ及び側面３１ｂに接している。ただし、これに限定されず、第１膜、第２膜及び第３膜の金属は、他の金属であってもよい。また、上記では３つの膜が積層されていることとしたが、これに限定されず、例えば２つの膜（一例として、ＮＩの膜とＡｕの膜）が積層されてもよい。また、めっき膜３４は、一つの膜であってもよい。

めっき膜３４は、ここでは無電解めっきにより形成されている。そして、詳細は後述するが、半導体装置１の製造時に、半導体装置１（半導体チップ１０）を個片化する前に複数の半導体チップ１０を保持した状態で無電解めっきを行う。これにより、複数の半導体装置１のめっき膜３４を形成する際に、均一にめっきされるので、めっきムラの発生を抑制することができる。

端子部３０は、半導体装置１が実装基板９０に実装された際に、図４に示すように実装基板９０の電極部９２と電気的に接続されている。具体的には、端子部３０は、導電性を有するはんだ材９５を介して、電極部９２に電気的に接続されている。

図４では、端子部３０の底面３１ａ（図３）及び側面３１ｂ（図３）側が、はんだ材９５を介して電極部９２に接している。はんだ材９５は、例えば鉛フリーはんだ等から成る。半導体装置１においては、端子部３０の側面３１ｂにめっき膜３４を形成していることで、端子部３０の側面３１ｂにめっき膜３４を形成していない場合に比べて、はんだ材９５のフィレットの高さが大きくなり、この結果はんだ材９５の端子部３０に対する接合性（濡れ性）が高まる。

＜半導体装置の製造方法＞
半導体装置１の製造方法について、図５〜図１３を参照しながら説明する。以下では、上述した構成の半導体装置１が、複数製造される。

図５は、半導体装置１の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図６〜図８は、半導体装置１の製造工程を説明するための模式図である。なお、図６等では、説明の便宜上、リードフレーム１００の一部のみが示されている。以下では、図５に示す工程毎に詳細に説明する。

（フレーム準備工程：ステップＳ１０２）
まず、図６（ａ）に示すリードフレーム１００を準備する（ステップＳ１０２）。リードフレーム１００は、例えば銅を主成分とした金属製の枠組みである。リードフレーム１００は、図６（ａ）に示すように、複数のパッド部１２０と、複数の端子部１３０とを含む。パッド部１２０と端子部１３０は、互いに離間している。複数のパッド部１２０及び端子部１３０は、リードフレーム１００が切断されることで、複数の半導体装置１のパッド部２０及び端子部３０（図２参照）となる。

本実施形態では、準備したリードフレーム１００において、複数の端子部１３０の表面１３１ｃに図６（ｂ）に示すようにめっき膜１３３がそれぞれ形成されている。めっき膜１３３は、例えばＡｇペーストから成る。

（チップ載置工程：ステップＳ１０４）
次に、図６（ｃ）に示すように、リードフレーム１００上に半導体チップ１１０（半導体装置１の半導体チップ１０に該当する）を載置する（ステップＳ１０４）。具体的には、リードフレーム１００の複数のパッド部１２０の各々に、半導体チップ１１０をそれぞれ載置する。載置された複数の半導体チップ１１０は、それぞれパッド部１２０の表面と対向した状態で、接着剤によってパッド部１２０に接合される。

（接続工程：ステップＳ１０６）
次に、図６（ｄ）に示すように、パッド部１２０に載置された複数の半導体チップ１１０を、ワイヤ１４０（半導体装置１のワイヤ４０に該当する）を介して、それぞれパッド部１２０の周囲に位置する端子部１３０と電気的に接続させる（ステップＳ１０６）。具体的には、ワイヤ１４０は、半導体チップ１１０の集積回路の電極と、端子部１３０のめっき膜１３３とにはんだ接続される。これにより、一つの半導体チップ１１０が、周囲に位置する複数の端子部１３０とワイヤ１４０によって電気的に接続される。

（封止工程：ステップＳ１０８）
次に、図７（ａ）に示すように、複数のパッド部１２０の各々に載置された複数の半導体チップ１１０を樹脂で封止した封止体１５０を形成する（ステップＳ１０８）。例えば、複数の半導体チップ１１０が載置されたリードフレーム１００を金型成型機（不図示）にセットし、液状の封止樹脂を金型成型機に圧送して流し込み、リードフレーム１００の半導体チップ１１０が載置された側を封止樹脂で封止して、一つの封止体１５０を形成する。封止体１５０は、後に切断されて分割されることで、複数の半導体装置１の封止部５０（図３参照）になる。

封止体１５０は、長方体形状となっており、図７（ａ）に示すように封止体１５０の裏面１５２ｂ側にパッド部１２０及び端子部１３０が位置する。封止体１５０は、複数の半導体チップ１１０及びワイヤ１４０を覆っている。一方で、封止体１５０は、リードフレーム１００のパッド部１２０の裏面と端子部１３０の裏面１３１ａとが裏面１５２ｂから露出するように、形成されている。

（接着工程：ステップＳ１１０）
次に、図７（ｂ）に示すように、封止体１５０の表面１５２ａ（すなわち、パッド部１２０及び端子部１３０が配置された裏面１５２ｂとは反対側の反対面）を、フィルム部材１６０に接着させる（ステップＳ１１０）。例えば、フィルム部材１６０の表面に形成された接着層（不図示）に、封止体１５０の表面１５２ａを接着させる。この際、図７（ａ）に示す状態の封止体１５０を上下反転させて、封止体１５０の表面１５２ａを、フィルム部材１６０に接着させる。なお、封止体１５０の裏面１５２ｂ（パッド部１２０及び端子部１３０側）は、接着されていない。

フィルム部材１６０は、図７（ｂ）に示すように薄膜であり、封止体１５０よりも広範囲に設けられている。なお、フィルム部材１６０は、当該フィルム部材１６０よりも大きい樹脂製の支持部材（不図示）に支持されている。また、フィルム部材１６０の接着層は、例えばＵＶ硬化型の接着剤から成る。このため、フィルム部材１６０の接着層にＵＶ（紫外線）を照射することで、フィルム部材１６０の接着層の粘着力が低下し、封止体１５０がフィルム部材１６０から剥離しやすくなる。

（切断工程：ステップＳ１１２）
次に、図７（ｃ）に示すダイサー２００を用いて、フィルム部材１６０に接着された封止体１５０の裏面１５２ｂから表面１５２ａに向かって、封止体１５０を切断する（ステップＳ１１２）。具体的には、隣接するパッド部１２０の間に位置する端子部１３０から表面１５２ａまで、ダイサー２００の刃で切断する。これにより、図８（ａ）に示すように、封止体１５０が、複数の分割封止体１５０Ａに分割される。

この際、隣接するパッド部１２０の間に位置する端子部１３０を２つに切断しながら、封止体１５０を切断する。具体的には、端子部１３０を真ん中で切断して２つに分割する。ここでは、分割後の２つの端子部１３０のうち左側の端子部１３０を左側端子部と呼び、右側の端子部１３０を右側端子部と呼ぶ。左側端子部１３０は、左側に位置する分割封止体１５０Ａの端子部となり、右側端子部１３０は、右側に位置する分割封止体１５０Ａの端子部となる。

封止体１５０を切断する際には、図８（ａ）に示すように、フィルム部材１６０はダイサー２００によって切断されない。このため、封止体１５０から分割された複数の分割封止体１５０Ａも、それぞれフィルム部材１６０に接着されている。このように、本実施形態では、封止体１５０がフィルム部材１６０に接着された状態を維持するように、封止体１５０を切断する。

また、ダイサー２００による封止体１５０の切断箇所（別言すれば、隣接する分割封止体１５０Ａの間）には、図８（ａ）に示すように空隙部１５４が形成される。空隙部１５４は、隣接する分割封止体１５０Ａの間に形成される。空隙部１５４の幅は、ダイサー２００の刃の厚さとほぼ同じ大きさである。

図８（ａ）には、２つの分割封止体１５０Ａが示されているが、実際には、封止体１５０を多数（３つ以上）の分割封止体１５０Ａに分割させる。例えば、一つの封止体１５０をダイサー２００によって格子状に切断することで、図９に示すようにフィルム部材１６０上に多数の分割封止体１５０Ａが規則的に整列された状態となる。

図９は、封止体１５０を格子状に切断した状態を説明するための模式図である。図９に示す太線が、空隙部１５４の位置を示す。空隙部１５４は、隣接する分割封止体１５０Ａの間で互いに直交するように形成されている。そして、多数の分割封止体１５０Ａは、それぞれフィルム部材１６０に接着されている。

（めっき工程：ステップＳ１１４）
次に、図８（ｂ）に示すように、複数の分割封止体１５０Ａがフィルム部材１６０に接着された状態で、複数の分割封止体１５０Ａの端子部１３０に、それぞれめっき膜１３４を形成する（ステップＳ１１４）。例えば、分割端子部１３０Ａの切断面１３１ｂ（図８（ａ））に、無電解めっきによりめっき膜１３４を形成する。すなわち、隣接する２つの分割封止体１５０Ａの間の空隙部１５４において、互いに対向する一対の切断面１３１ｂに、それぞれめっき膜１３４を形成する。

分割端子部１３０Ａの切断面１３１ｂにめっき膜１３４を形成する際に、分割端子部１３０Ａの裏面１３１ａ（すなわち、図８（ａ）に示すように分割封止体１５０Ａから露出し切断面１３１ｂに繋がっている露出面）にも、同時にめっき膜１３４を形成してもよい。すなわち、裏面１３１ａと切断面１３１ｂを、無電解めっきにより同時にめっき膜１３４を形成する。このように分割端子部１３０Ａの複数の面に同時にめっき膜１３４を形成することで、効率的に分割端子部１３０Ａにめっき膜１３４を形成できる。

ここで、分割端子部１３０Ａへのめっき膜１３４の形成方法について、図１０を参照しながら説明する。

図１０は、めっき工程の詳細を説明するためのフローチャートである。
まず、めっき処理を行う前に、めっき膜１３４を形成する部分（分割端子部１３０Ａ）に前処理１を行う（ステップＳ１３２）。前処理１として、例えば、プラズマ処理やエッジング処理等の表面処理が行われる。

プラズマ処理として、例えばプラズマビームを分割端子部１３０Ａ（図８（ａ））に照射して、分割端子部１３０Ａの表面に存在する異物油膜等を洗浄する。このようにプラズマ処理（例えば、酸素プラズマ処理）を行うことで、切断等に起因して分割端子部１３０Ａの切断面１３１ｂや裏面１３１ａに付着している付着物（異物等）を除去できる。この結果、分割端子部１３０Ａの切断面１３１ｂや裏面１３１ａにめっき膜１３４を密着させやすくなるので、めっき膜１３４を適切に形成できる。

エッジング処理として、分割端子部１３０Ａに防食処理を行う。このようにエッジング処理を行うことで、切断面１３１ｂや裏面１３１ａにめっき膜１３４を形成した後に発生しうるバリの高さを抑制できる。また、分割端子部１３０Ａの切断面１３１ｂや裏面１３１ａにめっき膜１３４を密着させやすくなる。

次に、前処理２を行う（ステップＳ１３４）。前処理２として、めっき膜１３４を形成する部分（分割端子部１３０Ａ）に、例えばアルカリ脱脂を行う。具体的には、分割端子部１３０Ａの表面の油脂を除去する。

次に、分割封止体１５０Ａに対して無電解めっき処理を行う（ステップＳ１３６）。すなわち、上述した前処理１、２が行われた分割端子部１３０Ａにめっき膜１３４を形成する。ここでは、格子状に切断されて分離された複数の分割封止体１５０Ａがフィルム部材１６０に接着された状態で、分割端子部１３０Ａにめっき膜１３４を形成する。

図１１は、複数の分割封止体１５０Ａに対する無電解めっきを説明するための模式図である。無電解めっき処理の際には、複数の分割封止体１５０Ａが接着されたフィルム部材１６０を、図１１に示すように容器３００内の薬液であるめっき液３０２に浸して、分割端子部１３０Ａにめっき膜１３４を形成する。この際、複数の分割封止体１５０Ａがフィルム部材１６０に接着されているため、分割封止体１５０Ａの姿勢が変動せず、分割封止体１５０Ａ同士がくっついたりする恐れがない。このため、複数の分割封止体１５０Ａの分割端子部１３０Ａにめっき膜１３４が均一に形成されやすくなり、めっきムラの発生を抑制できる。なお、めっき液３０２に浸してめっき膜１３４を形成した後に、めっき液３０２を除去するため、水洗及び水切りを行う。

本実施形態では、図１１に示す分割封止体１５０Ａに対する無電解めっき処理と乾燥処理が、交互に複数回行われる。これにより、分割端子部１３０Ａのめっき膜１３４として、層状に複数のめっき膜が形成される。例えば、図１２に示すように、分割端子部１３０Ａに、３層のめっき膜１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃが形成される。

図１２は、分割端子部１３０Ａに層状に形成されためっき膜１３４ａ〜１３４ｃを説明するための模式図である。図１２には、隣接する２つの分割端子部１３０Ａの裏面１３１ａ及び切断面１３１ｂに、それぞれめっき膜１３４ａ〜１３４ｃが形成されている。２つの分割端子部１３０Ａには、それぞれ、第１めっき膜１３４ａ、第２めっき膜１３４ｂ、第３めっき膜１３４ｃの順に形成される。すなわち、１回目の無電解めっき処理により第１めっき膜１３４ａが形成され、２回目の無電解めっき処理により第２めっき膜１３４ｂが形成され、３回目の無電解めっき処理により第３めっき膜１３４ｃが形成される。

１回目、２回目及び３回目の無電解めっき処理を行う際のめっき液は、それぞれ異なり、これにより、第１めっき膜１３４ａ、第２めっき膜１３４ｂ及び第３めっき膜１３４ｃは、それぞれ異なる金属から成る。例えば、第１めっき膜１３４ａはＮｉであり、第２めっき膜１３４ｂはＰｄであり、第３めっき膜１３４ｃはＡｕである。また、３つのめっき膜１３４ａ〜１３４ｃの厚さは、第１めっき膜１３４ａ、第２めっき膜１３４ｂ、第３めっき膜１３４ｃの順に大きい。すなわち、分割端子部１３０Ａに近いめっき膜が、分割端子部１３０Ａから離れためっき膜よりも大きくなっている。

分割封止体１５０Ａの分割端子部１３０Ａへの３つのめっき膜１３４ａ〜１３４ｃの形成が完了されると（ステップＳ１３８：Ｙｅｓ）、分割端子部１３０Ａにめっき膜１３４が形成された分割封止体１５０Ａに対して、乾燥処理を行う（ステップＳ１４０）。例えば、分割封止体１５０Ａに対して、超音波洗浄して乾燥させる。これにより、図５のステップＳ１１４のめっき工程が終了する。

なお、上記では、分割端子部１３０Ａへのめっき膜１３４の形成方法について説明したが、パッド部１２０の分割封止体１５０Ａから露出する面のめっき膜も同様に形成される。具体的には、分割端子部１３０Ａと共にパッド部１２０にも、めっき膜１２４（図８（ｂ））が一緒に形成される。
また、上記では、分割端子部１３０Ａの切断面１３１ｂと裏面１３１ａに無電解めっきでめっき膜１３４が形成されることとしたが、これに限定されない。例えば、裏面１３１ａについては、切断面１３１ｂとは別の工程でめっき膜を形成してもよい。

（後工程：ステップＳ１１６）
次に、めっき膜１３４が形成された複数の分割封止体１５０Ａを、それぞれフィルム部材１６０から分離させる（ステップＳ１１６）。例えば、図１３に示すように、フィルム部材１６０に接着されていた複数の分割封止体１５０Ａを、フィルム部材１６０からそれぞれピックアップするように分離させてもよい。

図１３は、分割封止体１５０Ａの個片化の一例を説明するための模式図である。まず、図１３（ａ）に示すように、フィルム部材１６０の下方からフィルム部材１６０にＵＶ（紫外線）を照射する。これにより、フィルム部材１６０の表面の接着層が固化して、接着層の接着力が低下する。分割封止体１５０Ａをフィルム部材１６０に接着させる接着層の接着力が低下することで、図１３（ｂ）に示すように、分割封止体１５０Ａを上方にピックアップできる。このようにピックアップされた分割封止体１５０Ａが、それぞれ半導体装置１となる。すなわち、複数の半導体装置１が製造されることになる。

なお、上記では、複数の分割封止体１５０Ａをフィルム部材１６０からピックアップすることとしたが、これに限定されない。例えば、フィルム部材１６０に接着されていた複数の分割封止体１５０Ａをバラ落としして、半導体装置１を取得してもよい。

＜第１の実施形態における効果＞
上述した半導体装置１の製造方法においては、封止体１５０の複数の端子部１３０から封止体１５０の表面１５２ａまで切断して、互いが離間していると共にフィルム部材１６０に接着されている複数の分割封止体１５０Ａを形成する。そして、複数の分割封止体１５０Ａがフィルム部材１６０にそれぞれ接着された状態で、各分割封止体１５０Ａの分割端子部１３０Ａの切断面１３１ｂに無電解めっきによりめっき膜１３４を形成する。
これにより、封止体１５０から切断された複数の分割封止体１５０Ａは、それぞれフィルム部材１６０に接着された状態で無電解めっきを施される。すなわち、複数の分割封止体１５０Ａは、互いの姿勢が変動しない状態で無電解めっきを施される。このため、無電解めっきの際に分割封止体１５０Ａ同士がくっついたりすることが無いので、複数の分割封止体１５０Ａの分割端子部１３０Ａに対してめっき膜１３４が均一に形成されやすくなる。この結果、分割端子部１３０Ａに形成されるめっき膜１３４にめっきムラが発生することを抑制できる。

［第２の実施形態］
＜半導体装置の構成＞
本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成について、図１４を参照しながら説明する。
図１４は、第２の実施形態に係る半導体装置１の構成を説明するための模式図である。図１４（ａ）には半導体装置１の内部構成が示され、図１４（ｂ）には端子部３０と実装基板９０の電極部９２との接合状態を説明するための模式図である。

第２の実施形態においては、半導体装置１の半導体チップ１０がパッド部（図３のパッド部２０）に載置されていない点で、第１の実施形態に係る半導体装置１の構成と異なる。
図１４（ａ）に示すように、半導体チップ１０の裏面１２は、封止部５０によって覆われていない。半導体チップ１０の裏面１２は、封止部５０の裏面と同一面上に位置する。半導体チップ１０の裏面１２には、めっき膜１４が形成されている。めっき膜１４は、封止部５０の裏面よりも下方に突出している。

端子部３０は、半導体装置１が実装基板９０に実装された際に、図１４（ｂ）に示すように実装基板９０の電極部９２と電気的に接続されている。具体的には、導電性を有するはんだ材９５を介して、電極部９２に電気的に接続されている。そして、第２の実施形態でも、第１の実施形態と同様に、端子部３０の底面３１ａ及び側面３１ｂにめっき膜３４が形成されている。これにより、はんだ材９５のフィレットの高さが大きくなり、この結果はんだ材９５の端子部３０の対する接合性（濡れ性）が高まる。
上述した構成以外の半導体装置１の構成は、第１の実施形態と同様であるので、詳細な説明を省略する。

＜半導体装置の製造方法＞
図１５は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図１６は、第２の実施形態における製造工程の一部を説明するための模式図である。

第２の実施形態では、まず、リードフレーム１００、半導体チップ１１０、及びフィルム４００を準備する（ステップＳ２０２）。そして、図１６（ａ）に示すように、準備したリードフレーム１００をフィルム４００上に載置する。フィルム４００には例えば接着剤が塗布されているので、リードフレーム１００はフィルム４００に固定される。第１の実施形態のリードフレーム１００はパッド部１２０を有していたが、第２の実施形態のリードフレーム１００はパッド部１２０を有しない。フィルム４００に固定されたリードフレーム１００の端子部１３０の表面１３１ｃには、図１６（ｂ）に示すようにめっき膜１３３が形成される。

次に、フィルム４００上に半導体チップ１１０（図１４の半導体チップ１０に対応）を載置する（ステップＳ２０４）。具体的には、図１６（ｂ）に示すように、端子部１３０（図１４の端子部３０に対応）の間に半導体チップ１１０が位置するように、半導体チップ１１０をフィルム４００に固定する。
その後、第１の実施形態で説明したステップＳ１０６の接続工程及びステップＳ１０８の封止工程を経ることで、図１６（ｃ）に示すようにフィルム４００上に一つの封止体１５０が形成される。すなわち、封止体１５０の裏面１５２ｂがフィルム４００に接している。

次に、フィルム４００を封止体１５０から除去する。（ステップＳ２０６）。これにより、図１６（ｄ）に示すように、端子部１３０の裏面１３１ａと、半導体チップ１１０の裏面１１２が、封止体１５０から露出することになる。
その後、第１の実施形態で説明したステップＳ１１０の接着工程〜ステップＳ１１６の後工程を経ることで、図１４（ａ）に示す半導体装置１が製造される。すなわち、封止体１５０の端子部１３０を切断した後に、フィルム部材１６０に接着させた状態で無電解めっきを行う。
これにより、第１の実施形態と同様に、半導体装置１の端子部３０のめっき膜３４（図１４）を形成する際に、均一にめっきされるので、めっきムラの発生を抑制することができる。

［第３の実施形態］
第３の実施形態では、半導体チップ１０の裏面１２に接着テープが貼り付けられている点で、第２の実施形態の半導体装置１の構成と異なる。

図１７は、第３の実施形態に係る半導体装置１の内部構成を説明するための模式図である。図１７（ａ）には半導体装置１の内部構成が示され、図１７（ｂ）には端子部３０と実装基板９０の電極部９２との接合状態を説明するための模式図である。

第３の実施形態では、図１７（ａ）に示すように半導体チップ１０の裏面１２にテープ部である接着テープ１６が貼り付けられており、かつ裏面１２側にめっき膜が形成されていない点で、図１４に示す第２の実施形態の半導体装置１の構成と異なる。そして、接着テープ１６の裏面は、封止部５０の裏面と同一面上に位置する。上記以外の構成は、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様であるので、詳細な説明を省略する。

第３の実施形態でも、図１７（ｂ）に示すように、端子部３０の底面３１ａ及び側面３１ｂにめっき膜３４が形成されている。これにより、はんだ材９５のフィレットの高さが大きくなり、この結果はんだ材９５の端子部３０の対する接合性（濡れ性）が高まる。

第３の実施形態では、第２の実施形態で説明した製造方法（図１５のフローチャート）で半導体装置１が製造される。
図１８は、第３の実施形態における製造工程の一部を説明するための模式図である。図１８に示す製造工程は、図１６に示す製造工程に対応している。

半導体チップ１１０の載置工程（図１６のステップＳ２０４）の際には、図１８（ｂ）に示すように、半導体チップ１１０の裏面１１２の接着テープ１１６が、フィルム４００に接着されることで、半導体チップ１１０がフィルム４００に固定されている。

その後、第２の実施形態で説明したステップＳ１０６の接続工程〜ステップＳ２０６の除去工程を経ることで、図１８（ｄ）に示すように、端子部１３０の裏面１３１ａと、半導体チップ１１０の接着テープ１１６が、封止体１５０から露出することになる。
その後、第１の実施形態で説明したステップＳ１１０の接着工程〜ステップＳ１１６の後工程を経ることで、図１７（ａ）に示す半導体装置１が製造される。これにより、第１の実施形態と同様に、半導体装置１の端子部３０のめっき膜３４（図１７）を形成する際に、均一にめっきされるので、めっきムラの発生を抑制することができる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、装置の分散・統合の具体的な実施の形態は、以上の実施の形態に限られず、その全部又は一部について、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。また、複数の実施の形態の任意の組み合わせによって生じる新たな実施の形態も、本発明の実施の形態に含まれる。組み合わせによって生じる新たな実施の形態の効果は、もとの実施の形態の効果を合わせ持つ。

１ 半導体装置
１００ リードフレーム
１１０ 半導体チップ
１１６ 接着テープ
１２０ パッド部
１３０ 端子部
１３０Ａ 分割端子部
１３１ａ 裏面
１３１ｂ 切断面
１３１ｃ 表面
１３４ めっき膜
１３４ａ 第１めっき膜
１３４ｂ 第２めっき膜
１３４ｃ 第３めっき膜
１５０ 封止体
１５０Ａ 分割封止体
１５２ａ 表面
１５２ｂ 裏面
１６０ フィルム部材
２００ ダイサー
３００ 容器
３０２ めっき液
４００ フィルム

Claims (12)

1. リードフレームに設けられた複数の端子部に電気的に接続された複数の半導体チップを覆うと共に、前記端子部を露出させるように、樹脂で封止した封止体を形成する封止工程と、
   前記封止体の前記端子部が露出する面とは反対側の反対面を、フィルムに接着させる接着工程と、
   前記フィルムに接着された前記封止体の前記複数の端子部から前記反対面まで切断して、互いが離間していると共に前記フィルムに接着されている複数の分割封止体を形成する切断工程と、
   容器内に収容された薬液に、前記複数の分割封止体が互いに離間した状態で接着された前記フィルムを浸して、前記端子部の切断面に無電解めっきによりめっき膜をそれぞれ形成するめっき工程と、
   を有する、半導体装置の製造方法。
2. 前記切断工程において、前記複数の端子部をそれぞれ２つに切断し、
   前記めっき工程において、切断されることで対向する一対の切断面にそれぞれめっき膜を形成する、
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記切断工程において、前記封止体を格子状に切断し、
   前記めっき工程において、格子状に切断されて分離された前記複数の分割封止体が前記フィルムに接着された状態で、前記切断面に前記めっき膜を形成する、
   請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記めっき工程において、前記端子部の切断面と、前記端子部の前記封止体から露出し前記切断面と繋がっている露出面とに、同時に前記めっき膜を形成する、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記めっき工程において、前記無電解めっきを複数回行って、前記切断面に層状に複数のめっき膜を形成する、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記めっき工程において、前記切断面に近いめっき膜の厚さが前記切断面から離れためっき膜の厚さよりも大きくなるように、前記切断面に複数のめっき膜を層状に形成する、
   請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記切断工程において、刃を用いて前記複数の端子部から前記反対面まで切断して、前記複数の分割封止体が互いに前記刃の厚さの幅だけ離間した状態にさせる、
   請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記めっき工程は、
   前記フィルムに接着された前記複数の分割封止体に対してプラズマ処理を行う前処理工程を含み、
   前記プラズマ処理後に、前記切断面に前記めっき膜を形成する、
   請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記めっき工程は、
   前記フィルムに接着された前記複数の分割封止体に対してエッジング処理を行う前処理工程を含み、
   前記エッジング処理後に、前記切断面に前記めっき膜を形成する、
   請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記封止工程において、
    複数のパッド部及び端子部を含むリードフレームの各パッド部に載置され、各パッド部の周囲に位置する前記端子部に電気的に接続された複数の半導体チップを覆うと共に、前記パッド部及び前記端子部を露出させるように、樹脂で封止した封止体を形成する、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記封止工程において、前記端子部及び前記半導体チップをフィルムに接着させた状態で、前記封止体を形成し、
    前記封止体から前記フィルムを除去して、前記端子部及び前記半導体チップを前記封止体から露出させる除去工程を更に有し、
    前記接着工程において、前記封止体の前記端子部及び前記半導体チップが露出する面とは反対側の反対面を、フィルムに接着させる、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記封止工程において、前記半導体チップに設けられたテープ部と前記端子部をフィルムに接着させた状態で、前記封止体を形成し、
    前記封止体から前記フィルムを除去して、前記端子部及び前記テープ部を前記封止体から露出させる除去工程を更に有し、
    前記接着工程において、前記封止体の前記端子部及び前記テープ部が露出する面とは反対側の反対面を、フィルムに接着させる、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
    

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