JP2021044532A - 電子装置、電子装置の製造方法、およびリードフレーム - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 267
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 160
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 124
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 76
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 66
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
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- H01L23/49517—Additional leads
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- H01L23/49517—Additional leads
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Abstract
Description
付記1A.
第1電極パッドを有する電子部品と、
第1方向を向く表面を有し、当該表面に前記電子部品が搭載されたダイパッドと、
前記ダイパッドから離間した第1リードと、
前記ダイパッドおよび前記第1リードから離間した第2リードと、
前記第1電極パッドと前記第1リードとを導通させる第1接続部材と、
を備えており、
前記第1方向に見て、前記第1リードおよび前記第2リードは、前記ダイパッドよりも、前記第1方向に直交する第2方向の一方側に配置され、
前記第1リードは、第1パッド部および第1延出部を含んでおり、
前記第1パッド部は、前記第1接続部材が接合されており、
前記第1延出部は、前記第1方向に見て、前記第1パッド部から、前記ダイパッドと前記第2リードとの間まで延び出ている、電子装置。
付記2A.
前記第2リードは、前記電子部品から電気的に絶縁されている、付記1Aに記載の電子装置。
付記3A.
前記第1パッド部は、前記第1接続部材が接合された第1パッド主面を有し、
前記第1延出部は、前記第1パッド主面と同じ方向を向く第1延出面を有し、
前記第1延出面には、前記第1方向に窪んだ押さえ痕が形成されている、付記1Aまたは付記2Aに記載の電子装置。
付記4A.
前記ダイパッド、前記第1リードおよび前記第2リードから離間する第3リードと、第2接続部材と、をさらに備えており、
前記電子部品は、第2電極パッドを有し、前記第2接続部材は、前記第2電極パッドと前記第3リードとを導通させる、付記1Aないし付記3Aのいずれか1つに記載の電子装置。
付記5A.
前記第3リードは、前記第1方向に見て、前記ダイパッドよりも、前記第1リードおよび前記第2リードが配置された側に配置されている、付記4Aに記載の電子装置。
付記6A.
前記第3リードは、第2パッド部および第2延出部を含んでおり、
前記第2パッド部は、前記第2接続部材が接合されており、
前記第2延出部は、前記第2パッド部から、前記第1方向に見て前記ダイパッドと前記第2リードとの間まで延び出ている、付記5Aに記載の電子装置。
付記7A.
前記第2パッド部は、前記第2接続部材が接合された第2パッド主面を有し、
前記第2延出部は、前記第2パッド主面と同じ方向を向く第2延出面を有し、
前記第2延出面には、前記第1方向に窪んだ押さえ痕が形成されている、付記6Aに記載の電子装置。
付記8A.
前記電子部品を覆う樹脂部材をさらに備えており、
前記第1リードは、前記第1パッド部に繋がり、かつ、前記樹脂部材から露出する第1端子部を含み、
前記第3リードは、前記第2パッド部に繋がり、かつ、前記樹脂部材から露出する第2端子部を含んでいる、付記6Aまたは付記7Aに記載の電子装置。
付記9A.
前記第2リードは、前記樹脂部材から露出する第3端子部を含んでおり、
前記第3端子部は、前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向において、前記第1端子部と前記第2端子部との間に配置されている、付記8Aに記載の電子装置。
付記10A.
前記第1延出部と前記第2延出部とは、前記第3方向に見て、互いに重なる、付記9Aに記載の電子装置。
付記11A.
前記第2リードは、前記第3方向における中央部を有しており、この中央部は、前記第2方向に見て、前記第1延出部または前記第2延出部のいずれかに重なる、付記9Aまたは付記10Aに記載の電子装置。
付記12A.
前記第1リードと前記第3リードとは、前記第3方向の寸法が実質的に同じである、付記9Aないし付記11Aのいずれか1つに記載の電子装置。
付記13A.
前記第2リードは、前記第3端子部に繋がり且つ前記樹脂部材に覆われた第3パッド部を含んでいる、付記9Aないし付記12Aのいずれか1つに記載の電子装置。
付記14A.
前記電子部品は、第1半導体領域および第2半導体領域を有しており、
前記第1電極パッドは、前記第1半導体領域に導通し、
前記第2電極パッドは、前記第2半導体領域に導通する、付記4Aないし付記13Aのいずれか1つに記載の電子装置。
付記15A.
第4リードおよび第3接続部材をさらに備えており、
前記第4リードは、前記ダイパッド、前記第1リード、前記第2リードおよび前記第3リードから離間しており、
前記電子部品は、第3電極パッドを含んでおり、
前記第3接続部材は、前記第3電極パッドと前記第4リードとを導通させる、付記14Aに記載の電子装置。
付記16A.
前記電子部品は、第3半導体領域および第4半導体領域を有しており、
前記第3電極パッドは、前記第3半導体領域および前記第4半導体領域の少なくとも一方に導通する、付記15Aに記載の電子装置。
付記17A.
前記電子部品は、第1能動領域および第2能動領域を含んでおり、
前記第1半導体領域および前記第3半導体領域は、前記第1能動領域に形成されており、
前記第2半導体領域および前記第4半導体領域は、前記第2能動領域に形成されている、付記16Aに記載の電子装置。
付記18A.
前記第3電極パッドは、前記第3半導体領域に導通する第1部と、前記第4半導体領域に導通する第2部とを含み、
前記第3接続部材は、前記第1部と前記第4リードとを接続する第1部材と、前記第2部と前記第4リードとを接続する第2部材とを含む、付記17Aに記載の電子装置。
付記19A.
前記第1能動領域には、第1制御領域が形成されており、
前記第2能動領域には、第2制御領域が形成されており、
前記電子部品は、前記第1制御領域および前記第2制御領域に制御信号を出力する制御ICを含んでいる、付記17Aまたは付記18Aに記載の電子装置。
付記20A.
第5リードおよび第4接続部をさらに備えており、
前記第5リードは、前記ダイパッド、前記第1リード、前記第2リード、前記第3リードおよび前記第4リードから離間しており、
前記電子部品は、第4電極パッドを含んでおり、
前記第4接続部材は、前記第4電極パッドと前記第5リードとを導通させる、付記19Aに記載の電子装置。
付記21A.
前記第4接続部材は、前記第1接続部材よりも細い、付記20Aに記載の電子装置。
付記22A.
前記第4接続部材は、前記第2接続部材よりも細い、付記20Aまたは付記21Aに記載の電子装置。
付記23A.
前記電子部品は、第1半導体基板および第2半導体基板を含んでおり、
前記第1能動領域は、前記第1半導体基板に形成されており、
前記第2能動領域は、前記第2半導体基板に形成されている、付記17Aないし付記22Aのいずれか1つに記載の電子装置。
付記24A.
ダイパッド、第1リードおよび第2リードを含むリードフレームを準備する工程と、
第1方向を向く前記ダイパッドの表面に、第1電極パッドを含む電子部品を搭載する工程と、
前記第1電極パッドと前記第1リードとに第1接続部材を接合する接合工程と、
を有しており、
前記第1リードおよび前記第2リードは、前記第1方向に見て、前記ダイパッドよりも、前記第1方向に直交する第2方向の一方側に配置されており、
前記第1リードは、第1パッド部および第1延出部を含んでおり、
前記第1延出部は、前記第1方向に見て、前記第1パッド部から、前記ダイパッドと前記第2リードとの間まで延び出ており、
前記接合工程は、前記第1延出部をクランプ部材で押さえつつ、前記第1接続部材を前記第1パッド部に接合することを含む、電子装置の製造方法。
具体的には、パッド部412に形成された矩形フレーム状の溝は、直線状の第1溝415aと、それ以外の第1補助溝415eとからなる。電子装置B4の第1溝415aは、電子装置B1の第1溝415aに比べてy方向の寸法が小さい。第1補助溝415eは、第1溝415aと同様、パッド主面412aからz方向に凹む連続した溝であり、平面視において略C字状である。図36において、第1補助溝415eの上端は、第1溝415aの上端に繋がり、第1補助溝415eの下端は、第1溝415aの下端に繋がっている。第1押さえ痕419aは、第1溝415aと第1補助溝415eとで囲まれた矩形領域に形成されている。第1溝415aと第1補助溝415eとが、ワイヤ51のボンディング工程においてクランプ部材90の先端部分で押さえつけるための領域を示している。
付記1B.
少なくとも1つの電極パッドを有する電子部品と、
第1方向を向く表面を有し、当該表面に前記電子部品が搭載されたダイパッドと、
前記ダイパッドから離間したリードと、
前記電極パッドと前記リードとを導通させる接続部材と、
を備えており、
前記接続部材は、前記リードに接合されている接合部を備え、
前記リードは、
前記接合部が接合されたパッド主面と、
前記パッド主面から前記第1方向に凹む第1溝と、
前記パッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記第1溝に対して前記接合部とは反対側に配置された第1押さえ痕と、
を備えている、電子装置。
付記2B.
前記パッド主面は、前記第1溝に対して前記接合部とは反対側に位置する第1端縁を備えている、付記1Bに記載の電子装置。
付記3B.
前記第1溝は、前記第1端縁に平行である、付記2Bに記載の電子装置。
付記4B.
前記第1溝と前記第1端縁との間隔は、0.2mm以上1.0mm以下である、 付記2Bまたは3Bに記載の電子装置。
付記5B.
前記第1溝は、前記接続部材に平行である、付記2Bないし4Bのいずれか1つに記載の電子装置。
付記6B.
前記リードは、前記パッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記第1端縁と前記第1溝との間に形成された第1補助溝を備えている、付記2Bないし5Bのいずれか1つに記載の電子装置。
付記7B.
前記第1溝と前記第1補助溝とは平行である、付記6Bに記載の電子装置。
付記8B.
前記第1溝と前記第1補助溝とは交差する、付記6Bに記載の電子装置。
付記9B.
前記リードは、前記パッド主面から前記第1方向に凹む第1補助溝を備えており、前記第1補助溝および前記第1溝は、前記第1押さえ痕を囲む領域を規定している、付記1Bないし5Bのいずれか1つに記載の電子装置。
付記10B.
前記リードは、
前記パッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記接合部に対して前記第1溝とは反対側に配置された第2溝と、
前記パッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記第2溝に対して前記接合部とは反対側に配置された第2押さえ痕と、
を備えている、付記1Bないし9Bのいずれか1つに記載の電子装置。
付記11B.
前記接合部は、前記第1押さえ痕と前記第2押さえ痕とを結ぶ線分上に配置されている、付記10Bに記載の電子装置。
付記12B.
前記ダイパッドは、
前記電子部品が搭載されたダイパッド主面と、
前記ダイパッド主面から前記第1方向に凹む第3溝と、
前記ダイパッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記第3溝に対して前記電子部品とは反対側に配置された第3押さえ痕と、
を備えている、付記1Bないし11Bのいずれかに記載の電子装置。
付記13B.
前記ダイパッドは、
前記ダイパッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記電子部品に対して前記第3溝とは反対側に配置された第4溝と、
前記ダイパッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記第4溝に対して前記電子部品とは反対側に配置された第4押さえ痕と、
を備えている、付記12Bに記載の電子装置。
付記14B.
前記電子部品を覆う樹脂部材をさらに備えており、
前記リードは、
前記パッド主面を有するパッド部と、
前記パッド部に繋がり、かつ、前記樹脂部材から露出する端子部と、
を備えている、付記1Bないし13Bのいずれか1つに記載の電子装置。
付記15B.
前記端子部は、
前記第1方向において前記パッド主面と同じ側を向く端子主面と、
前記端子主面から前記第1方向に凹む第5溝と、
を備え、
前記第5溝は、前記樹脂部材によって覆われている、付記14Bに記載の電子装置。
付記16B.
前記パッド部は、前記パッド主面から前記第1方向に凹む第5溝を備え、
前記第5溝は、前記樹脂部材によって覆われている、付記14Bに記載の電子装置。
付記17B.
前記電子部品は、前記第1方向視において長状の導電層と、前記導電層を覆う絶縁性の保護膜とを含んでおり、
前記少なくとも1つの電極パッドは、前記保護膜に形成された開口から露出する前記導電層の一部によって形成されている、付記1Bないし16Bのいずれか1つに記載の電子装置。
付記18B.
追加の接続部材をさらに備えており、
前記保護膜には、前記導電層の複数の部分を露出させる複数の開口が形成されており、
前記導電層の前記複数の部分のうちの少なくとも2つが、前記追加の接続部材により互いに電気的に接続されている、付記17Bに記載の電子装置。
付記19B.
前記導電層は、前記保護膜から露出する3つの部分を含み、これら3つの部分は、前記追加の接続部材を介して互いに電気的に接続されている、付記18Bに記載の電子装置。
付記20B.
前記追加の接続部材は、単一のワイヤである、付記19Bに記載の電子装置。
付記21B.
第1方向を向く表面を有し、当該表面に電子部品が搭載されるダイパッドと、
接続部材を介して前記電子部品に接続されるリードと、
を備えており、
前記リードは、
前記接続部材が接合されるパッド主面と、
前記パッド主面から前記第1方向に凹む第1溝と、
前記パッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記第1溝に対して前記接続部材が接合される接合領域とは反対側に配置された第1押さえ痕と、
を備えている、リードフレーム。
付記22B.
ダイパッドおよびリードを含むリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッドの第1方向を向く表面に、電極パッドを有する電子部品を搭載する工程と、
前記電極パッドと前記リードとに接続部材を接合する接合工程と、
を備えており、
前記リードは、前記接続部材が接合されるパッド主面と、前記パッド主面から前記第1方向に凹む第1溝と、を備えており、
前記接合工程は、前記第1溝に対して前記接続部材が接合される接合領域とは反対側の領域を、クランプ部材で押さえた状態で、前記接続部材の接合を行うことを含む、電子装置の製造方法。
付記23B.
前記リードは、前記パッド主面から前記第1方向に凹み、かつ、前記接合領域に対して前記第1溝とは反対側に配置された第2溝を備えており、
前記接合工程は、前記第2溝に対して前記接合領域とは反対側の領域をクランプ部材で押さえることを含む、付記22Bに記載の電子装置の製造方法。
Claims (24)
- 第1電極パッドを有する電子部品と、
第1方向を向く表面を有し、当該表面に前記電子部品が搭載されたダイパッドと、
前記ダイパッドから離間した第1リードと、
前記ダイパッドおよび前記第1リードから離間した第2リードと、
前記第1電極パッドと前記第1リードとを導通させる第1接続部材と、
を備えており、
前記第1方向に見て、前記第1リードおよび前記第2リードは、前記ダイパッドよりも、前記第1方向に直交する第2方向の一方側に配置され、
前記第1リードは、第1パッド部および第1延出部を含んでおり、
前記第1パッド部は、前記第1接続部材が接合されており、
前記第1延出部は、前記第1方向に見て、前記第1パッド部から、前記ダイパッドと前記第2リードとの間まで延び出ている、電子装置。 - 前記第2リードは、前記電子部品から電気的に絶縁されている、請求項1に記載の電子装置。
- 前記第1パッド部は、前記第1接続部材が接合された第1パッド主面を有し、
前記第1延出部は、前記第1パッド主面と同じ方向を向く第1延出面を有し、
前記第1延出面には、前記第1方向に窪んだ押さえ痕が形成されている、請求項1または2に記載の電子装置。 - 前記ダイパッド、前記第1リードおよび前記第2リードから離間する第3リードと、第2接続部材と、をさらに備えており、
前記電子部品は、第2電極パッドを有し、前記第2接続部材は、前記第2電極パッドと前記第3リードとを導通させる、請求項1ないし3のいずれかに記載の電子装置。 - 前記第3リードは、前記第1方向に見て、前記ダイパッドよりも、前記第1リードおよび前記第2リードが配置された側に配置されている、請求項4に記載の電子装置。
- 前記第3リードは、第2パッド部および第2延出部を含んでおり、
前記第2パッド部は、前記第2接続部材が接合されており、
前記第2延出部は、前記第2パッド部から、前記第1方向に見て前記ダイパッドと前記第2リードとの間まで延び出ている、請求項5に記載の電子装置。 - 前記第2パッド部は、前記第2接続部材が接合された第2パッド主面を有し、
前記第2延出部は、前記第2パッド主面と同じ方向を向く第2延出面を有し、
前記第2延出面には、前記第1方向に窪んだ押さえ痕が形成されている、請求項6に記載の電子装置。 - 前記電子部品を覆う樹脂部材をさらに備えており、
前記第1リードは、前記第1パッド部に繋がり、かつ、前記樹脂部材から露出する第1端子部を含み、
前記第3リードは、前記第2パッド部に繋がり、かつ、前記樹脂部材から露出する第2端子部を含んでいる、 請求項6または7に記載の電子装置。 - 前記第2リードは、前記樹脂部材から露出する第3端子部を含んでおり、
前記第3端子部は、前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向において、前記第1端子部と前記第2端子部との間に配置されている、請求項8に記載の電子装置。 - 前記第1延出部と前記第2延出部とは、前記第3方向に見て、互いに重なる、請求項9に記載の電子装置。
- 前記第2リードは、前記第3方向における中央部を有しており、この中央部は、前記第2方向に見て、前記第1延出部または前記第2延出部のいずれかに重なる、請求項9または10に記載の電子装置。
- 前記第1リードと前記第3リードとは、前記第3方向の寸法が実質的に同じである、請求項9ないし11のいずれかに記載の電子装置。
- 前記第2リードは、前記第3端子部に繋がり且つ前記樹脂部材に覆われた第3パッド部を含んでいる、請求項9ないし12のいずれかに記載の電子装置。
- 前記電子部品は、第1半導体領域および第2半導体領域を有しており、
前記第1電極パッドは、前記第1半導体領域に導通し、
前記第2電極パッドは、前記第2半導体領域に導通する、請求項4ないし13のいずれかに記載の電子装置。 - 第4リードおよび第3接続部材をさらに備えており、
前記第4リードは、前記ダイパッド、前記第1リード、前記第2リードおよび前記第3リードから離間しており、
前記電子部品は、第3電極パッドを含んでおり、
前記第3接続部材は、前記第3電極パッドと前記第4リードとを導通させる、請求項14に記載の電子装置。 - 前記電子部品は、第3半導体領域および第4半導体領域をさらに有しており、
前記第3電極パッドは、前記第3半導体領域および前記第4半導体領域の少なくとも一方に導通する、請求項15に記載の電子装置。 - 前記電子部品は、第1能動領域および第2能動領域を含んでおり、
前記第1半導体領域および前記第3半導体領域は、前記第1能動領域に形成されており、
前記第2半導体領域および前記第4半導体領域は、前記第2能動領域に形成されている、請求項16に記載の電子装置。 - 前記第3電極パッドは、前記第3半導体領域に導通する第1部と、前記第4半導体領域に導通する第2部とを含み、
前記第3接続部材は、前記第1部と前記第4リードとを接続する第1部材と、前記第2部と前記第4リードとを接続する第2部材とを含む、請求項17に記載の電子装置。 - 前記第1能動領域には、第1制御領域が形成されており、
前記第2能動領域には、第2制御領域が形成されており、
前記電子部品は、前記第1制御領域および前記第2制御領域に制御信号を出力する制御ICを含んでいる、請求項17または18に記載の電子装置。 - 第5リードおよび第4接続部をさらに備えており、
前記第5リードは、前記ダイパッド、前記第1リード、前記第2リード、前記第3リードおよび前記第4リードから離間しており、
前記電子部品は、第4電極パッドを含んでおり、
前記第4接続部材は、前記第4電極パッドと前記第5リードとを導通させる、請求項19に記載の電子装置。 - 前記第4接続部材は、前記第1接続部材よりも細い、請求項20に記載の電子装置。
- 前記第4接続部材は、前記第2接続部材よりも細い、請求項20または21に記載の電子装置。
- 前記電子部品は、第1半導体基板および第2半導体基板を含んでおり、
前記第1能動領域は、前記第1半導体基板に形成されており、
前記第2能動領域は、前記第2半導体基板に形成されている、請求項17ないし22のいずれかに記載の電子装置。 - ダイパッド、第1リードおよび第2リードを含むリードフレームを準備する工程と、
第1方向を向く前記ダイパッドの表面に、第1電極パッドを含む電子部品を搭載する工程と、
前記第1電極パッドと前記第1リードとに第1接続部材を接合する接合工程と、を有しており、
前記第1リードおよび前記第2リードは、前記第1方向に見て、前記ダイパッドよりも、前記第1方向に直交する第2方向の一方側に配置されており、
前記第1リードは、第1パッド部および第1延出部を含んでおり、
前記第1延出部は、前記第1方向に見て、前記第1パッド部から、前記ダイパッドと前記第2リードとの間まで延び出ており、
前記接合工程は、前記第1延出部をクランプ部材で押さえつつ、前記第1接続部材を前記第1パッド部に接合することを含む、電子装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019056013 | 2019-03-25 | ||
JP2019056013 | 2019-03-25 | ||
JP2019160292 | 2019-09-03 | ||
JP2019160292 | 2019-09-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021044532A true JP2021044532A (ja) | 2021-03-18 |
Family
ID=72604738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020048055A Pending JP2021044532A (ja) | 2019-03-25 | 2020-03-18 | 電子装置、電子装置の製造方法、およびリードフレーム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11404356B2 (ja) |
JP (1) | JP2021044532A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024038746A1 (ja) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7238277B2 (ja) * | 2018-06-14 | 2023-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2807396B2 (ja) * | 1993-05-25 | 1998-10-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP3770763B2 (ja) * | 1999-12-07 | 2006-04-26 | ローム株式会社 | 電気機器駆動装置 |
KR100447869B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-09-08 | 삼성전자주식회사 | 다핀 적층 반도체 칩 패키지 및 이에 사용되는 리드 프레임 |
JP3812447B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2006-08-23 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 樹脂封止形半導体装置 |
JP2008294384A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-12-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
KR100881198B1 (ko) * | 2007-06-20 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이를 실장한 반도체 패키지 모듈 |
US8519545B2 (en) * | 2010-09-17 | 2013-08-27 | Infineon Technologies Ag | Electronic device comprising a chip disposed on a pin |
JP2012222185A (ja) | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | リードフレーム及びその製造方法、並びに該リードフレームを用いた半導体装置 |
JP6002461B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-10-05 | ローム株式会社 | 半導体装置および電子デバイス |
US8674487B2 (en) * | 2012-03-15 | 2014-03-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with lead extensions and related methods |
US9620439B2 (en) * | 2013-03-09 | 2017-04-11 | Adventive Ipbank | Low-profile footed power package |
US9576884B2 (en) * | 2013-03-09 | 2017-02-21 | Adventive Ipbank | Low profile leaded semiconductor package |
JP6352009B2 (ja) * | 2013-04-16 | 2018-07-04 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US9305898B2 (en) * | 2014-01-23 | 2016-04-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with combined power and ground ring structure |
JP6842274B2 (ja) * | 2016-10-13 | 2021-03-17 | ローム株式会社 | ワイヤボンディング構造および電子装置 |
-
2020
- 2020-03-18 JP JP2020048055A patent/JP2021044532A/ja active Pending
- 2020-03-23 US US16/827,049 patent/US11404356B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-11 US US17/717,875 patent/US20220238420A1/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024038746A1 (ja) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11404356B2 (en) | 2022-08-02 |
US20220238420A1 (en) | 2022-07-28 |
US20200312750A1 (en) | 2020-10-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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