JP2005326838A - レジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
i線、g線等の紫外線のみならず、可視光線、KrF等のエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線(EUV)、X線、イオンビーム等の放射線にも感応する感放射線性レジスト組成物を提供する。簡単な製造工程で、高感度、高解像度、高耐熱性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性レジスト組成物を提供する。
【解決手段】
レジスト化合物(A)、酸発生剤(B)、及び酸架橋剤(C)を含む感放射線性レジスト組成物。レジスト化合物(A)は、(a)炭素数5〜45の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド、及び、炭素数6〜15であり1〜3個のフェノール性水酸基を有する化合物との縮合反応により製造されたポリフェノール化合物であり、かつ、(b)その分子量は300〜5000である。
【選択図】
無
Description
すなわち本発明は、
(a)炭素数5〜45の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド、及び、炭素数6〜15であり1〜3個のフェノール性水酸基を有する化合物との縮合反応により製造されたポリフェノール化合物であり、かつ
(b)分子量が300〜5000である
レジスト化合物(A)、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線(EUV)、X線、およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤(B)、及び、酸架橋剤(C)を含むことを特徴とする感放射線性レジスト組成物に関するものである。
本発明の感放射線性レジスト組成物は、レジスト化合物(A)、酸発生剤(B)、酸架橋剤(C)を含む。本発明におけるレジスト化合物(A)は、以下の条件(a)及び(b)を同時に満たす。
前記ポリフェノール化合物は、分子内に3級または4級炭素原子を有し、その3級または4級炭素原子に2個のフェノール類および1個以上の芳香環が結合している化学構造を有する。この化学構造により、長期間に渡って安定なアモルファス性(非晶性であり、結晶構造を取らない(取りにくい)性質)を付与することができ、レジスト材料としての、パターン形成に必要な成膜性、光透過性、溶剤可溶性、エッチング耐性に優れる等の特長を有する。
分子量は300〜5000であり、好ましくは300〜2000、さらに好ましくは300〜1000、特に好ましくは300〜699である。上記の範囲にすることにより良好な成膜性を付与することが可能となり、解像性、アルカリ現像性能を向上させることが出来る。
上記共役構造を有することにより、低分子化合物でありながら成膜性、高エッチング耐性、露光時の低アウトガス量、更に増感効果のため高感度等の性能が付与出来る。この増感効果は電子線、極端紫外線(EUV)などの放射線のエネルギーの一部を吸収し、次いで吸収されたエネルギーが酸発生剤に効率的に伝達することによるものと考えられる。
(式(1)中、
R2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、シアノ基またはニトロ基からなる群から選ばれる置換基であり;
R4は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基であり、R5は、ビフェニル構造、ターフェニル構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、またはピレン構造を有する炭素数10〜18の一価の置換基を表す;または、
R4はR5と共に、フルオレン構造、フェニルフルオレン構造、ジフェニルフルオレン構造、アセナフテン構造、1−ケトアセナフテン構造、9−ケト−9、10−ジヒドロフェナントレン構造、またはベンゾフェノン構造を有する炭素数10〜18の二価の置換基を表し;
p1、q1は0〜3の整数であり;
p2、q2は0〜4の整数であり;
1≦p1+p2≦5、1≦q1+q2≦5、1≦p1+q1≦6を満たす。但し、複数個のR2は、同一でも異なっていても良い。)
式(1)において、感度、解像度が向上するので、p1とq1はそれぞれ1であることが好ましい。
(式(2)中、R2、R4及びR5は前記と同様であり;
e1、f1は0〜2の整数であり;
e2、f2は0〜3の整数であり;
1≦e1+e2≦4、1≦f1+f2≦4、1≦e1+f1≦2を満たし;
Xは酸素原子または硫黄原子である。但し、複数個のR2は、同一でも異なっていても良い))。
式(2)において、感度、解像度が向上するので、f1とe1はそれぞれ1であることが好ましい。
で表される置換基であるのが好ましい。
上記式中、R3は、炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐アルキル基又は炭素数3〜12のシクロアルキル基である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が;シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられる。
p3は0〜4の整数であり、q3は0〜3の整数であり、0≦p3+q3≦7を満たす。r3は0〜2の整数である。複数個のR3、p3、q3、r3は、各々同一でも異なっていても良い。
で表されるのが好ましい。
上記式中、R3、p3、q3、及びr3は前記と同様であり、Yは、単結合またはカルボニル基であり、Zは、メチレン基またはカルボニル基である。複数個のR3、p3、q3は、各々同一でも異なっていても良い。
(式(3)中、
R2、R4は前記と同様であり;
R6は、ビフェニル構造、ターフェニル構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、またはピレン構造を有する炭素数10〜18の二価の置換基を表し;または、R6は2個のR4と共に、フルオレン構造、フェニルフルオレン構造、ジフェニルフルオレン構造、アセナフテン構造、1−ケトアセナフテン構造、9−ケト−9、10−ジヒドロフェナントレン、またはベンゾフェノン構造を有する炭素数10〜18の四価の置換基を表し;
m1、n1、o1、l1は0〜3の整数であり;
m2、n2、o2、l2は0〜4の整数であり;
1≦m1+m2≦5、1≦n1+n2≦5、1≦o1+o2≦5、1≦l1+l2≦5、1≦m1+n1+o1+l1≦6を満たす。但し、複数個のR2は、同一でも異なっていても良い。)
式(3)において、感度、解像度が向上するので、l1、m1、n1、o1はそれぞれ1であることが好ましい。
(式(4)中、R2、R4、R6、Xは前記と同様であり;
a1、b1、c1、d1は0〜2の整数であり;
a2、b2、c2、d2は0〜3の整数であり;
1≦a1+a2≦4、1≦b1+b2≦4、1≦c1+c2≦4、1≦d1+d2≦4、1≦a1+b1+c1+d1≦4を満たす。但し、複数個のR2、R4は、各々同一でも異なっていても良い))。
式(4)において、感度、解像度が向上するので、a1、b1、c1、d1はそれぞれ1であることが好ましい。
前記レジスト化合物(A)は、酸増幅型化合物であり、酸が共存すると、酸架橋剤とレジスト化合物(A)が、分子間、または分子内で架橋し、アルカリ不溶物となる。酸が共存しない部分は、アルカリ可溶物となるため、アルカリ現像可能なネガ型レジストとして利用できる。酸の発生方法は特に限定はしないが、例えば、酸発生剤を共存させることにより紫外線、高エネルギー等の放射線露光部に酸が発生する。
すなわち、本発明では、系内に酸が発生すれば、酸の発生方法は限定されない。g線、i線などの紫外線の代わりにエキシマレーザーを使用すれば、より微細加工が可能であるし、また高エネルギー線として電子線、極端紫外線(EUV)、X線、イオンビームを使用すれば更に微細加工が可能である。
前記式(40)で示される化合物は、モノクロロイソシアヌール酸、モノブロモイソシアヌール酸、ジクロロイソシアヌール酸、ジブロモイソシアヌール酸、トリクロロイソシアヌール酸、およびトリブロモイソシアヌール酸からなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
で表わされる置換基、−Ra−C(=O)−Rb−、−Ra−C(=O)−O−Rb−、−Ra−C(=O)−NH−Rb−、又は−Rc−O−Rd−(但し、RaとRbは同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立して単結合又は炭素数1〜3のアルキレン基を表し、RaとRbの炭素数の合計は0〜3であり;RcとRdは同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立して単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基を表し、RcとRdの炭素数の合計は0〜4である)であり、Y29は水素原子、炭素原子数1〜3のアルキル基、または炭素原子数6〜10のアリール基であり、X29およびX30は、それぞれ下記式(44):
式(44)中、Z32はそれぞれ独立に、炭素原子数1〜3のアルキル基、炭素原子数3〜10のシクロアルキル基、または炭素原子数6〜10のアリール基であり、R32は炭素原子数1〜3のアルキル基、炭素原子数3〜10のシクロアルキル基、または炭素原子数1〜3のアルコキシル基であり、rは0〜3の整数である。)
で示される基である。
本発明のレジスト組成物に、放射線照射により光酸発生剤から生じた酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を制御する作用等を有する酸拡散制御剤を配合しても良い。この様な酸拡散制御剤を使用することにより、レジスト組成物の貯蔵安定性が向上し、また解像度が向上するとともに、放射線照射前の引き置き時間、放射線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
で表される化合物(以下、「含窒素化合物(I)」という。)、同一分子内に窒素原子を2個有するジアミノ化合物(以下、「含窒素化合物(II)」という。)、窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体(以下、「含窒素化合物(III)」という。)、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環式化合物等を挙げることができる。尚、上記酸拡散制御剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
溶解制御剤は、レジスト化合物(A)がアルカリ等の現像液に対する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を制御して現像時の溶解速度を適度に減少させる作用を有する成分である。このような溶解制御剤としては、レジスト被膜の焼成、放射線照射、現像等の工程において化学変化しないものが好ましい。
溶解促進剤は、レジスト化合物(A)のアルカリ等の現像液に対する溶解性が低すぎる場合に、その溶解性を高めて、現像時のレジスト化合物(A)の溶解速度を適度に増大させる作用を有する成分である。前記溶解促進剤としては、例えば、ベンゼン環を2〜6程度有する低分子量のフェノール性化合物を挙げることができ、具体的には、例えば、ビスフェノール類、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン等を挙げることができる。これらの溶解促進剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
増感剤は、照射された放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤(B)に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、レジストの見掛けの感度を向上させる成分である。このような増感剤としては、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセチル類、ピレン類、フェノチアジン類、フルオレン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。
界面活性剤は、本発明のレジスト組成物の塗布性やストリエーション、レジストの現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤は、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでもよい。好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤は、感放射線性レジスト組成物の製造に用いる溶剤との親和性がよく、より効果がある。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等が挙げられるが、特に限定はされない。市販品としては、以下商品名で、エフトップ(ジェムコ社製)、メガファック(大日本インキ化学工業社製)、フロラード(住友スリーエム社製)、アサヒガード、サーフロン(以上、旭硝子社製)、ペポール(東邦化学工業社製)、KP(信越化学工業社製)、ポリフロー(共栄社油脂化学工業社製)等を挙げることができる。
更に、本発明のネガ型感放射線性レジスト組成物には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、上記酸拡散制御剤、溶解促進剤、溶解制御剤、増感剤、及び界面活性剤以外の添加剤を1種又は2種以上配合することができる。そのような添加剤としては、例えば、染料、顔料、及び接着助剤等が挙げられる。例えば、染料又は顔料を配合すると、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できるので好ましい。また、接着助剤を配合すると、基板との接着性を改善することができるので好ましい。更に、他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には4−ヒドロキシ−4’−メチルカルコン等を挙げることができる。
また、本発明の目的を阻害しない範囲で、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線(EUV)、X線およびイオンビーム照射あるいはこれにより誘起される化学反応により架橋反応を起こす架橋反応性基であるビニル基、アリル基、シンナモイル基、ビニルシリル基、エポキシ基、クロロメチル基、ハロゲン化フェニル基を有する化合物および/または樹脂を含むことができる。架橋反応性基を有する化合物および/または樹脂としては、特に限定されないが、前記アルカリ水溶液に可溶である化合物および/または樹脂と、架橋反応性基導入試剤を塩基触媒下で反応させて製造される化合物および/または重合体、あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。ここで云う架橋反応性基導入試剤とは、架橋反応性基を有する酸、酸塩化物、酸無水物、ジカーボネートなどのカルボン酸誘導体化合物やアルキルハライド等を云う。これらの中で、酸塩化物が特に好ましい。これらは一種以上を用いても良い。
(A)3〜96.9重量%、(B)0.1〜30重量%、(C)0.3〜96.9重量%((A)+(B)+(C)=100重量%)が好ましく、
(A)65〜96.9重量%、(B)0.1〜32重量%、(C)0.3〜34.9重量%、((A)+(B)+(C)=100重量%)がより好ましく、
(A)70〜96.9重量%、(B)0.1〜27重量%、(C)3.0〜29.9重量%、((A)+(B)+(C)=100重量%)がさら好ましく、
(A)80〜96.9重量%、(B)0.1〜17重量%、(C)3.0〜19.9重量%((A)+(B)+(C)=100重量%)が特に好ましく、
(A)90〜96.9重量%、(B)0.1〜7重量%、(C)3.0〜9.9重量%、((A)+(B)+(C)=100重量%)が最も好ましい。上記範囲内にすることで、感度、解像度、アルカリ現像性等の性能に優れる。
第3表−1、第3表−2記載のレジスト化合物(A)、酸発生剤(B)、酸架橋剤(C)、溶媒を均一溶液としたのち、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製メンブランフィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。得られたレジスト組成物をシリコンウエハーに回転塗布し、レジスト膜を形成した。得られた各レジスト膜の成膜性を第5表−1、第5表−2に示す。
レジスト化合物(A)の安全溶媒への溶解度試験を23℃で行った。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、2−ヘプタノン、アニソール、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、および乳酸エチルから選択され、かつ、一番溶解する溶媒への溶解量を、下記基準で評価した。
○:1wt%以上溶解した
△:0.1wt%以上〜1wt%未満溶解した
×:溶解しなかった
(2)レジスト膜の成膜性評価
レジスト組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターで回転塗布し、レジスト膜を形成し、その後110℃のホットプレートで3分間加熱し、10×10mm角のレジスト被膜を、下記基準で評価した。
○:表面性良好
×:一部、白化もしくは表面に凹凸が生じた
(3)レジストパターンの5μmL&S
現像後のレジストパターンを光学顕微鏡で観察し、5μmのラインアンドスペースの形成の有無を確認し、下記基準で評価した。
○:確認
×:確認できず
(4)エッチング耐性
5μmのラインアンドスペースの得られたパターンに対して、エッチングガスとしてテトラフルオロメタンを用い、70sccm、50W、20Paのエッチング条件で、RIEエッチング装置を用いて、ドライエッチングを行い、レジストパターンのエッチングレートを求めた。結果をレジスト化合物としてポリヒドロキシスチレン(PHS)を用いた場合のエッチングレートと比較した。
○:エッチングレートがPHSの1/1.3以下
△:エッチングレートがPHSの1/1.1〜1/1.2
×:エッチングレートがPHSと同等
(5)表面ラフネス
シリコンウェハー上に塗布したレジスト膜を、静置法により、23℃、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38%水溶液に、膜厚が半分になるまで浸漬した。その後、水で30秒間洗浄し、乾燥して、レジスト膜の表面粗さを走査型プローブ顕微鏡で観察し、自重平均面粗さ(Rms)にて評価した。
○:Rms<0.5nm
△:0.5nm≦Rms<1.0nm
×:Rms≧1.0nm
21-1:ポリヒドロキシスチレン(Mw=8000)(関東化学(株))
21-2:ポリヒドロキシスチレン(Mw=12000)(関東化学(株))
21-3:カリックス(4)レゾルシナレン(合成法は特開2002-328473記載)
21-4:PH-1(TPPA 1100-3C(本州化学工業(株)))
21-5:PH-2(TPHAP940-P(本州化学工業(株)))
21-6:PH-3(合成法は特開2004-334106記載)
酸発生剤(B)
PAG-1:1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸ナトリウム(東京化成工業(株))
PAG-2:ジフェニルヨードニウムトリフルオロスルホネート(みどり化学(株))
PAG-3:ジフェニルキサントン−2−イルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
架橋剤(C)
C-1:ニカラックMW−100LM(三和化学(株))
C-2:ニカラックN−2702(三和化学(株))
C-3:2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール(東京化成工業(株))
その他の添加剤(D)
PHS-1:ポリヒドロキシスチレン(Mw=8000)(関東化学(株))
PHS-2:ポリヒドロキシスチレン(Mw=12000)(関東化学(株))
溶媒
S-1:プロピレングリコールモノメチルモノアセテート(東京化成工業(株))
S-2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(東京化成工業(株))
S-3:酢酸ブチル(関東化学(株))
S-4:プロピオン酸エチル(東京化成工業(株))
S-5:乳酸エチル(関東化学(株))
Claims (35)
- (a)炭素数5〜45の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド、及び、炭素数6〜15であり1〜3個のフェノール性水酸基を有する化合物との縮合反応により製造されたポリフェノール化合物であり、かつ
(b)分子量が300〜5000である
レジスト化合物(A)、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線(EUV)、X線、およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤(B)、及び、酸架橋剤(C)を含むことを特徴とする感放射線性レジスト組成物。 - 前記レジスト化合物(A)が、少なくとも2個のベンゼン環および/またはヘテロ原子の非結合電子対が関与する共役構造を含む請求項1記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記共役構造が、ビフェニル構造、ターフェニル構造、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、フルオレン構造、フェニルフルオレン構造、ジフェニルフルオレン構造、アセナフテン構造、1−ケトアセナフテン構造、9−ケト−9,10−ジヒドロフェナントレン構造、ベンゾフェノン構造、キサンテン構造、およびチオキサンテン構造からなる群より選ばれた少なくとも1つの構造である請求項2記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記レジスト化合物(A)が、(a)共役構造を有する、炭素数5〜45の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド、および、共役構造を有さない、炭素数6〜15であり1〜3個のフェノール性水酸基を含有する化合物との縮合反応により製造されたポリフェノール化合物である請求項2又は3に記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記共役構造が、縮合環である請求項2〜4のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記レジスト化合物(A)が、下記式(1):
(式(1)中、
R2は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、シアノ基、およびニトロ基からなる群から選ばれる置換基を表し;
R4は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基であり、R5は、ビフェニル構造、ターフェニル構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、またはピレン構造を有する炭素数10〜18の一価の置換基を表す;または、R4はR5と共に、フルオレン構造、フェニルフルオレン構造、ジフェニルフルオレン構造、アセナフテン構造、1−ケトアセナフテン構造、9−ケト−9,10−ジヒドロフェナントレン構造、またはベンゾフェノン構造を有する炭素数10〜18の二価の置換基を表し;
p1、q1は0〜3の整数であり;
p2、q2は0〜4の整数であり;
1≦p1+p2≦5、1≦q1+q2≦5、1≦p1+q1≦6であり;複数個のR2は、同一でも異なっていても良い)
で表されることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。 - 前記炭素数5〜45の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドが、ジケトンまたはジアルデヒドである請求項1〜5のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記レジスト化合物(A)が、下記式(3):
(式中、
R2は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、シアノ基、およびニトロ基からなる群から選ばれる置換基を表し;
R4は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基であり;
R6は、ビフェニル構造、ターフェニル構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、またはピレン構造を有する炭素数10〜18の一価の置換基を表す;または、R6は2個のR4と共に、フルオレン構造、フェニルフルオレン構造、ジフェニルフルオレン構造、アセナフテン構造、1−ケトアセナフテン構造、9−ケト−9,10−ジヒドロフェナントレン、またはベンゾフェノン構造を有する炭素数10〜18の四価の置換基を表し;
m1、n1、o1、l1は0〜3の整数であり;
m2、n2、o2、l2は0〜4の整数であり;
1≦m1+m2≦5、1≦n1+n2≦5、1≦o1+o2≦5、1≦l1+l2≦5、1≦m1+n1+o1+l1≦6を満たし、
複数個のR2は同一でも異なっていても良い)
で表されることを特徴とする請求項1〜5及び9のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。 - 前記レジスト化合物(A)中、R2がメチル基である請求項6〜8及び10〜26のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記レジスト化合物(A)を2種以上含むことを特徴とする請求項1〜27のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。
- 固形成分1〜80重量%および溶媒成分20〜99重量%からなる請求項1〜29のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記固形成分が、レジスト化合物(A)3〜96.9重量%、酸発生剤(B)0.1〜30重量%、酸架橋剤(C)3〜65重量%、任意成分(D)0〜93.9重量%からなる請求項30に記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記固形成分が、レジスト化合物(A)65〜96.9重量%、酸発生剤(B)0.1〜30重量%、酸架橋剤(C)0.3〜34.9重量%、任意成分(D)0〜30重量%からなる請求項30に記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記固形成分が、レジスト化合物(A)65〜96.9重量%、酸発生剤(B)0.1〜30重量%、酸架橋剤(C)0.6〜30重量%からなる請求項30に記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記レジスト化合物(A)が、F<3.0を満たす(Fは、全原子数/(全炭素原子数−全酸素原子数)を表す)請求項1〜33のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。
- 前記レジスト化合物(A)が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、2−ヘプタノン、アニソール、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、または乳酸エチルに23℃で1重量%以上溶解することを特徴とする請求項1〜34のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物。
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