KR20190085002A - 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 - Google Patents

화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190085002A
KR20190085002A KR1020197015529A KR20197015529A KR20190085002A KR 20190085002 A KR20190085002 A KR 20190085002A KR 1020197015529 A KR1020197015529 A KR 1020197015529A KR 20197015529 A KR20197015529 A KR 20197015529A KR 20190085002 A KR20190085002 A KR 20190085002A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
formula
substituent
integer
Prior art date
Application number
KR1020197015529A
Other languages
English (en)
Inventor
마사토시 에치고
Original Assignee
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 filed Critical 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Publication of KR20190085002A publication Critical patent/KR20190085002A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C07C39/14—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings with at least one hydroxy group on a condensed ring system containing two rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C07C39/15—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings with all hydroxy groups on non-condensed rings, e.g. phenylphenol
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D311/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings
    • C07D311/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D311/78—Ring systems having three or more relevant rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G16/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00
    • C08G16/02—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00 of aldehydes
    • C08G16/0212—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00 of aldehydes with acyclic or carbocyclic organic compounds
    • C08G16/0218—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00 of aldehydes with acyclic or carbocyclic organic compounds containing atoms other than carbon and hydrogen
    • C08G16/0225—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00 of aldehydes with acyclic or carbocyclic organic compounds containing atoms other than carbon and hydrogen containing oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G16/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00
    • C08G16/02—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00 of aldehydes
    • C08G16/025—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00 of aldehydes with heterocyclic organic compounds
    • C08G16/0256—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers not provided for in the groups C08G4/00 - C08G14/00 of aldehydes with heterocyclic organic compounds containing oxygen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
    • C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
    • C08G8/20—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ with polyhydric phenols
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14—The ring being saturated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Abstract

본 발명은, 하기 식(0)으로 표시되는 특정 구조를 갖는 화합물, 이 화합물에서 유래하는 구성단위를 갖는 수지, 이 화합물 및/또는 이 수지를 함유하는 각종 조성물, 그리고 이 조성물을 이용한 각종 방법이다.

Description

화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법
본 발명은, 특정 구조를 갖는 화합물, 수지 및 이들을 함유하는 조성물에 관한 것이다. 또한, 이 조성물을 이용하는 패턴 형성방법(레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법)에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서, 포토레지스트재료를 이용한 리소그래피에 의한 미세가공이 행해지고 있으나, 최근, LSI의 고집적화와 고속도화에 수반하여, 패턴룰에 의한 추가적인 미세화가 요구되고 있다. 또한, 레지스트패턴 형성시에 사용하는 리소그래피용의 광원은, KrF엑시머레이저(248nm)에서 ArF엑시머레이저(193nm)로 단파장화되고 있으며, 극단자외광(EUV, 13.5nm)의 도입도 예상되고 있다.
그러나, 종래의 고분자계 레지스트재료를 이용하는 리소그래피에서는, 그 분자량이 1만~10만 정도로 크고, 분자량분포도 넓으므로, 패턴표면에 러프니스가 생겨 패턴치수의 제어가 곤란해지고, 미세화에 한계가 있다.
이에, 지금까지, 보다 해상성이 높은 레지스트패턴을 부여하기 위해, 여러가지 저분자량 레지스트재료가 제안되어 있다. 저분자량 레지스트재료는 분자사이즈가 작다는 점에서, 해상성이 높고, 러프니스가 작은 레지스트패턴을 부여할 것으로 기대된다.
현재, 이러한 저분자계 레지스트재료로서, 여러가지의 것이 알려져 있다. 예를 들어, 저분자량 다핵폴리페놀 화합물을 주성분으로 이용하는 알칼리현상형의 네가티브형 감방사선성 조성물(예를 들어, 하기 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조)이 제안되어 있으며, 고내열성을 갖는 저분자량 레지스트재료의 후보로서, 저분자량 환상폴리페놀 화합물을 주성분으로 이용하는 알칼리현상형의 네가티브형 감방사선성 조성물(예를 들어, 하기 특허문헌 3 및 비특허문헌 1 참조)도 제안되어 있다. 또한, 레지스트재료의 베이스 화합물로서, 폴리페놀 화합물이, 저분자량이면서 고내열성을 부여할 수 있고, 레지스트패턴의 해상성이나 러프니스의 개선에 유용한 것이 알려져 있다(예를 들어, 하기 비특허문헌 2 참조).
본 발명자들은, 에칭내성이 우수함과 함께, 용매에 가용이고 습식 프로세스가 적용 가능한 재료로서, 특정 구조의 화합물 및 유기용매를 함유하는 레지스트 조성물(예를 들어, 하기 특허문헌 4를 참조.)을 제안하고 있다.
또한, 레지스트패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제 혹은 현상 후에 레지스트패턴이 무너진다는 문제가 발생하므로, 레지스트의 박막화가 요망되게 된다. 그런데, 단순히 레지스트의 박막화를 행하면, 기판가공에 충분한 레지스트패턴의 막두께를 얻기가 어려워진다. 이에 따라, 레지스트패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공할 반도체 기판 사이에 레지스트 하층막을 제작하고, 이 레지스트 하층막에도 기판가공시의 마스크로서의 기능을 갖게 할 프로세스가 필요해졌다.
현재, 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서, 여러가지의 것이 알려져 있다. 예를 들어, 종래의 에칭속도가 빠른 레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막을 실현하는 것으로서, 소정의 에너지가 인가됨으로써 말단기가 탈리하여 설폰산잔기를 발생시키는 치환기를 적어도 갖는 수지성분과 용매를 함유하는 다층 레지스트 프로세스용 하층막 형성재료가 제안되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 5 참조). 또한, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막을 실현하는 것으로서, 특정한 반복단위를 갖는 중합체를 포함하는 레지스트 하층막재료가 제안되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 6 참조). 나아가, 반도체 기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막을 실현하는 것으로서, 아세나프틸렌류의 반복단위와, 치환 또는 비치환된 하이드록시기를 갖는 반복단위를 공중합하여 이루어지는 중합체를 포함하는 레지스트 하층막재료가 제안되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 7 참조).
한편, 이러한 종류의 레지스트 하층막에 있어서 높은 에칭내성을 갖는 재료로는, 메탄가스, 에탄가스, 아세틸렌가스 등을 원료에 이용한 CVD에 의해 형성된 아몰퍼스카본 하층막이 잘 알려져 있다. 그러나, 프로세스 상의 관점으로부터, 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스에서 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막재료가 요구되고 있다.
또한, 본 발명자들은, 에칭내성이 우수함과 함께, 내열성이 높고, 용매에 가용이고 습식 프로세스가 적용 가능한 재료로서, 특정 구조의 화합물 및 유기용매를 함유하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물(예를 들어, 하기 특허문헌 8을 참조.)을 제안하고 있다.
한편, 3층 프로세스에 있어서의 레지스트 하층막의 형성에 있어서 이용되는 중간층의 형성방법에 관해서는, 예를 들어, 실리콘질화막의 형성방법(예를 들어, 하기 특허문헌 9 참조)이나, 실리콘질화막의 CVD형성방법(예를 들어, 하기 특허문헌 10 참조)이 알려져 있다. 또한, 3층 프로세스용의 중간층재료로는, 실세스퀴옥산베이스의 규소 화합물을 포함하는 재료가 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 11 및 12 참조.).
나아가 광학부품 형성 조성물로서, 여러가지의 것이 제안되어 있으며, 예를 들어, 아크릴계 수지를 들 수 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 13~14 참조).
일본특허공개 2005-326838호 공보 일본특허공개 2008-145539호 공보 일본특허공개 2009-173623호 공보 국제공개 제2013/024778호 일본특허공개 2004-177668호 공보 일본특허공개 2004-271838호 공보 일본특허공개 2005-250434호 공보 국제공개 제2013/024779호 일본특허공개 2002-334869호 공보 국제공개 제2004/066377호 일본특허공개 2007-226170호 공보 일본특허공개 2007-226204호 공보 일본특허공개 2010-138393호 공보 일본특허공개 2015-174877호 공보
T.Nakayama, M.Nomura, K.Haga, M.Ueda: Bull. Chem. Soc. Jpn., 71, 2979(1998) 오카자키신지, 외 22명 「포토레지스트재료 개발의 신전개」 주식회사씨엠씨 출판, 2009년 9월, p.211-259
상기 서술한 바와 같이, 종래 수많은 레지스트용도용(向け) 리소그래피용 막형성 조성물 및 하층막용도용 리소그래피용 막형성 조성물이 제안되어 있는데, 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스를 적용할 수 있는 높은 용매용해성을 가질 뿐만 아니라, 내열성 및 에칭내성을 높은 차원으로 양립시킨 것은 없어, 새로운 재료의 개발이 요구되고 있다.
또한, 종래 수많은 광학부재용(向け) 조성물이 제안되어 있으나, 내열성, 투명성 및 굴절률을 높은 차원으로 양립시킨 것은 없어, 새로운 재료의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 안전용매에 대한 용해성이 높고, 내열성 및 에칭내성이 양호한 화합물 및 수지, 및 이것을 포함하는 조성물, 그리고, 상기 조성물을 이용한 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의검토를 거듭한 결과, 특정구조를 갖는 화합물 또는 수지를 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은, 다음과 같다.
<1>
하기 식(0)으로 표시되는, 화합물.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식(0) 중, RY는, 수소원자, 탄소수 1~30의 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기이고,
RZ는, 탄소수 1~60의 N가의 기 또는 단결합이고,
RT는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, RT의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
X는, 단결합, 산소원자, 황원자 또는 무가교이고,
m은, 각각 독립적으로 0~9의 정수이고, 여기서, m의 적어도 1개는 1~9의 정수이고,
N은, 1~4의 정수이고, N이 2 이상의 정수인 경우, N개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
r은, 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)
<2>
상기 식(0)으로 표시되는 화합물이 하기 식(1)로 표시되는 화합물인, 상기 <1>에 기재된 화합물.
[화학식 2]
Figure pct00002
(식(1) 중, R0은, 상기 RY와 동의이고,
R1은, 탄소수 1~60의 n가의 기 또는 단결합이고,
R2~R5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2~R5의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
m2 및 m3은, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
m4 및 m5는, 각각 독립적으로, 0~9의 정수이고,
단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고,
n은 상기 N과 동의이고, 여기서, n이 2 이상의 정수인 경우, n개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
p2~p5는, 상기 r과 동의이다.)
<3>
상기 식(0)으로 표시되는 화합물이 하기 식(2)로 표시되는 화합물인, 상기 <1>에 기재된 화합물.
[화학식 3]
Figure pct00003
(식(2) 중, R0A는, 상기 RY와 동의이고,
R1A는, 탄소수 1~60의 nA가의 기 또는 단결합이고,
R2A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
nA는, 상기 N과 동의이고, 여기서, nA가 2 이상의 정수인 경우, nA개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
XA는, 상기 X와 동의이고,
m2A는, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m2A는 1~7의 정수이고,
qA는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.)
<4>
상기 식(1)로 표시되는 화합물이 하기 식(1-1)로 표시되는 화합물인, 상기 <2>에 기재된 화합물.
[화학식 4]
Figure pct00004
(식(1-1) 중, R0, R1, R4, R5, n, p2~p5, m4 및 m5는, 상기와 동의이고,
R6~R7은, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기이고,
R10~R11은, 각각 독립적으로, 수소원자이고,
여기서, R4~R7의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
m6 및 m7은, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이고,
단, m4, m5, m6 및 m7은 동시에 0이 되는 일은 없다.)
<5>
상기 식(1-1)로 표시되는 화합물이 하기 식(1-2)로 표시되는 화합물인, 상기 <4>에 기재된 화합물.
[화학식 5]
Figure pct00005
(식(1-2) 중, R0, R1, R6, R7, R10, R11, n, p2~p5, m6 및 m7은, 상기와 동의이고,
R8~R9는, 상기 R6~R7과 동의이고,
R12~R13은, 상기 R10~R11과 동의이고,
m8 및 m9는, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
단, m6, m7, m8 및 m9는 동시에 0이 되는 일은 없다.)
<6>
상기 식(2)로 표시되는 화합물이 하기 식(2-1)로 표시되는 화합물인, 상기 <3>에 기재된 화합물.
[화학식 6]
Figure pct00006
(식(2-1) 중, R0A, R1A, nA, qA 및 XA는, 상기 식(2)에서 설명한 것과 동의이다.
R3A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기이고,
R4A는, 각각 독립적으로, 수소원자이고,
여기서, R3A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
m6A는, 각각 독립적으로, 0~5의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m6A는 1~5의 정수이다.)
<7>
상기 <1>에 기재된 화합물에서 유래하는 단위구조를 갖는, 수지.
<8>
하기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는, 상기 <7>에 기재된 수지.
[화학식 7]
Figure pct00007
(식(3) 중, L은, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕실렌기 또는 단결합이고, 상기 알킬렌기, 상기 아릴렌기, 상기 알콕실렌기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
R0은, 상기 RY와 동의이고,
R1은, 탄소수 1~60의 n가의 기 또는 단결합이고,
R2~R5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
m2 및 m3은, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
m4 및 m5는, 각각 독립적으로, 0~9의 정수이고,
단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, R2~R5의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다.)
<9>
하기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는, 상기 <7>에 기재된 수지.
[화학식 8]
Figure pct00008
(식(4) 중, L은, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕실렌기 또는 단결합이고, 상기 알킬렌기, 상기 아릴렌기, 상기 알콕실렌기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
R0A는, 상기 RY와 동의이고,
R1A는, 탄소수 1~30의 nA가의 기 또는 단결합이고,
R2A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
nA는, 상기 N과 동의이고, 여기서, nA가 2 이상의 정수인 경우, nA개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
XA는, 상기 X와 동의이고,
m2A는, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m2A는 1~6의 정수이고,
qA는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.)
<10>
상기 <1>~<6> 중 어느 하나에 기재된 화합물 및 상기 <7>~<9> 중 어느 하나에 기재된 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 조성물.
<11>
용매를 추가로 함유하는, 상기 <10>에 기재된 조성물.
<12>
산발생제를 추가로 함유하는, 상기 <10> 또는 상기 <11>에 기재된 조성물.
<13>
산가교제를 추가로 함유하는, 상기 <10>~<12> 중 어느 하나에 기재된 조성물.
<14>
리소그래피용 막형성에 이용되는, 상기 <10>~<13> 중 어느 하나에 기재된 조성물.
<15>
광학부품 형성에 이용되는, 상기 <10>~<13> 중 어느 하나에 기재된 조성물.
<16>
기판 상에, 상기 <14>에 기재된 조성물을 이용하여 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 공정을 포함하는, 레지스트패턴 형성방법.
<17>
기판 상에, 상기 <14>에 기재된 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 상기 하층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 공정을 포함하는, 레지스트패턴 형성방법.
<18>
기판 상에, 상기 <14>에 기재된 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 상기 하층막 상에, 레지스트 중간층막재료를 이용하여 중간층막을 형성하고, 상기 중간층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 그 후, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 중간층막을 에칭하고, 얻어진 중간층막패턴을 에칭마스크로 하여 상기 하층막을 에칭하고, 얻어진 하층막패턴을 에칭마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 기판에 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 회로패턴 형성방법.
본 발명에 따르면, 안전용매에 대한 용해성이 높고, 내열성 및 에칭내성이 양호한 화합물 및 수지, 및 이것을 포함하는 조성물, 그리고, 상기 조성물을 이용한 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시의 형태(이하 「본 실시형태」라고도 한다.)에 대하여 설명한다. 한편, 이하의 실시의 형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명은 그 실시의 형태만으로 한정되지 않는다.
본 실시형태는, 후술하는 식(0)으로 표시되는 화합물, 또는, 해당 화합물에서 유래하는 단위구조를 갖는 수지를 포함한다. 본 실시형태에 있어서의 화합물 및 수지는, 습식 프로세스가 적용가능하며, 내열성, 안전용매에 대한 용해성 및 에칭내성이 우수한 포토레지스트 및 포토레지스트용 하층막을 형성하기 위해 유용하며, 리소그래피용 막형성에 유용한 조성물 및 이 조성물을 이용한 패턴 형성방법 등에 이용할 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 조성물은, 내열성 및 용매용해성이 높은, 특정구조를 갖는 화합물 또는 수지를 포함하고 있으므로, 고온베이크시의 막의 열화가 억제되고, 산소플라즈마에칭 등에 대한 에칭내성도 우수한 레지스트 및 하층막을 형성할 수 있다. 더하여, 하층막을 형성한 경우, 레지스트층과의 밀착성도 우수하므로, 우수한 레지스트패턴을 형성할 수 있다.
나아가, 본 실시형태에 있어서의 조성물은, 굴절률이 높고, 또한 저온에서부터 고온까지의 광범위한 열처리에 의해 착색이 억제되는 점에서, 각종 광학형성 조성물로서도 유용하다.
《화합물 및 수지》
본 실시형태의 화합물은, 하기 식(0)으로 표시된다.
[화학식 9]
Figure pct00009
(식(0) 중, RY는, 수소원자, 탄소수 1~30의 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기이고,
RZ는, 탄소수 1~60의 N가의 기 또는 단결합이고,
RT는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, RT의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
X는, 단결합, 산소원자, 황원자 또는 무가교이고,
m은, 각각 독립적으로 0~9의 정수이고, 여기서, m의 적어도 1개는 1~9의 정수이고,
N은, 1~4의 정수이고, N이 2 이상의 정수인 경우, N개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
r은, 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)
RY는, 수소원자, 탄소수 1~30의 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기이다. 알킬기는, 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기를 이용할 수 있다. RY가, 수소원자, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기인 점에서, 내열성이 비교적 높고, 용매용해성도 우수하다.
RY는, 화합물의 산화분해를 억제하여 착색을 억제하고, 내열성 및 용매용해성을 향상시키는 관점으로부터, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기인 것이 바람직하다.
Rz는 탄소수 1~60의 N가의 기 또는 단결합이고, 이 Rz를 개재하여 각각의 방향환이 결합하고 있다. N은, 1~4의 정수이고, N이 2 이상의 정수인 경우, N개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있다. 한편, 상기 N가의 기란, N=1일 때에는, 탄소수 1~60의 알킬기, N=2일 때에는, 탄소수 1~30의 알킬렌기, N=3일 때에는, 탄소수 2~60의 알칸프로파일기, N=4일 때에는, 탄소수 3~60의 알칸테트라일 기인 것을 나타낸다. 상기 N가의 기로는, 예를 들어, 직쇄상 탄화수소기, 분지상 탄화수소기 또는 지환식 탄화수소기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 지환식 탄화수소기에 대해서는, 유교지환식 탄화수소기도 포함된다. 또한, 상기 N가의 탄화수소기는, 지환식 탄화수소기, 이중결합, 헤테로원자 혹은 탄소수 6~60의 방향족기를 갖고 있을 수도 있다.
RT는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있다. 또한, RT의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 본 실시형태의 화합물은, 상기 식(0) 중의 RT의 적어도 1개가, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기임에 따라, 안전용매에 대한 용해성이 높고, 내열성 및 에칭내성이 우수하다. 한편, 상기 알킬기, 알케닐기 및 알콕시기는, 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 기일 수도 있다.
X는, 단결합, 산소원자, 황원자 또는 무가교인 것을 나타낸다. X가 산소원자 또는 황원자인 경우, 높은 내열성을 발현하는 경향이 있으므로 바람직하고, 산소원자인 것이 보다 바람직하다. X는, 용해성의 관점으로부터는, 무가교인 것이 바람직하다.
또한, m은, 각각 독립적으로 0~9의 정수이고, m의 적어도 1개는 1~9의 정수이다.
식(0) 중, 나프탈렌구조로 나타나는 부위는, r=0인 경우에는 단환구조이고, r=1인 경우에는 이환구조이고, r=2인 경우에는 삼환구조가 된다. r은, 각각 독립적으로 0~2의 정수이다. 상기 서술한 m은, r로 결정되는 환구조에 따라 그 수치범위가 결정된다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 비교적 저분자량이면서도, 그 구조는 강직하고, 또한, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기가 고온에서 가교반응을 일으킴에 따라 높은 내열성을 가지므로, 고온베이크 조건에서도 사용가능하다. 또한, 분자 중에 3급탄소 또는 4급탄소를 갖고 있으며, 결정성이 억제되어, 리소그래피용 막 제조에 사용할 수 있는 리소그래피용 막형성 조성물로서 호적하게 사용된다.
또한, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 안전용매에 대한 용해성이 높고, 내열성 및 에칭내성이 양호하며, 이것을 포함하는 본 실시형태의 리소그래피용 레지스트 형성 조성물은 양호한 레지스트패턴형상을 부여한다.
나아가, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 비교적 저분자량이고 저점도인 점에서, 단차를 갖는 기판(특히, 미세한 스페이스나 홀패턴 등)이어도, 그 단차의 구석까지 균일하게 충전시키면서, 막의 평탄성을 높이는 것이 용이하다. 따라서, 이것을 포함하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물은, 매립 및 평탄화특성이 비교적 양호하다. 또한, 비교적 높은 탄소농도를 갖는 화합물인 점에서, 높은 에칭내성도 갖는다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 방향족 밀도가 높기 때문에 굴절률이 높고, 또한 저온에서부터 고온까지의 광범위한 열처리에 의해 착색이 억제되는 점에서, 각종 광학부품 형성 조성물에 함유시키는 화합물로서도 유용하다. 상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 화합물의 산화분해를 억제하여 착색을 억제하고, 내열성 및 용매용해성을 향상시키는 관점으로부터, 4급탄소를 갖는 것이 바람직하다. 광학부품은, 필름상, 시트상으로 사용되는 것 외에, 플라스틱렌즈(프리즘렌즈, 렌티큘러렌즈, 마이크로렌즈, 프레넬렌즈, 시야각제어렌즈, 콘트라스트향상렌즈 등), 위상차필름, 전자파실드용 필름, 프리즘, 광파이버, 플렉서블프린트배선용 솔더레지스트, 도금레지스트, 다층프린트배선판용 층간절연막, 감광성 광도파로로서 유용하다.
[식(1)로 표시되는 화합물]
본 실시형태에 있어서의 화합물은, 하기 식(1)로 표시되는 것이 바람직하다. 식(1)로 표시되는 화합물은, 내열성이 높고, 용매용해성도 높은 경향이 있다.
[화학식 10]
Figure pct00010
(식(1) 중, R0은, 상기 RY와 동의이고,
R1은, 탄소수 1~60의 n가의 기 또는 단결합이고,
R2~R5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기로 치환된 기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2~R5의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고, m2 및 m3은, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
m4 및 m5는, 각각 독립적으로, 0~9의 정수이고,
단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고,
n은 상기 N과 동의이고, 여기서, n이 2 이상의 정수인 경우, n개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
p2~p5는, 상기 r과 동의이다.)
R0은, 상기 RY와 동의이다.
R1은 탄소수 1~60의 n가의 기 또는 단결합이고, 이 R1을 개재하여 각각의 방향환이 결합하고 있다. n은 상기 N과 동의이고, n이 2 이상의 정수인 경우, n개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있다. 한편, 상기 n가의 기란, n=1일 때에는, 탄소수 1~60의 알킬기, n=2일 때에는, 탄소수 1~60의 알킬렌기, n=3일 때에는, 탄소수 2~60의 알칸프로파일기, n=4일 때에는, 탄소수 3~60의 알칸테트라일 기인 것을 나타낸다. 상기 n가의 기로는, 예를 들어, 직쇄상 탄화수소기, 분지상 탄화수소기 또는 지환식 탄화수소기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 지환식 탄화수소기에 대해서는, 유교지환식 탄화수소기도 포함된다. 또한, 상기 n가의 탄화수소기는, 지환식 탄화수소기, 이중결합, 헤테로원자 혹은 탄소수 6~60의 방향족기를 갖고 있을 수도 있다.
R2~R5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있다. 또한, R2~R5의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 상기 알킬기, 알케닐기 및 알콕시기는, 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 기일 수도 있다.
m2 및 m3은, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고, m4 및 m5는, 각각 독립적으로, 0~9의 정수이다. 단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없다. p2~p5는 각각 독립적으로 상기 r과 동의이다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 비교적 저분자량이면서도, 그 구조는 강직하고, 또한, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기가 고온에서 가교반응을 일으킴으로써 높은 내열성을 가지므로, 고온베이크 조건에서도 사용가능하다. 또한, 분자 중에 3급탄소 또는 4급탄소를 갖고 있으며, 결정성이 억제되어, 리소그래피용 막 제조에 사용할 수 있는 리소그래피용 막형성 조성물로서 호적하게 사용된다.
또한, 상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 안전용매에 대한 용해성이 높고, 내열성 및 에칭내성이 양호하며, 이것을 포함하는 본 실시형태의 리소그래피용 레지스트 형성 조성물은 양호한 레지스트패턴형상을 부여한다.
나아가, 상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 비교적 저분자량이고 저점도인 점에서, 단차를 갖는 기판(특히, 미세한 스페이스나 홀패턴 등)이어도, 그 단차의 구석까지 균일하게 충전시키면서, 막의 평탄성을 높이는 것이 용이하다. 따라서, 이것을 포함하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물은, 매립 및 평탄화특성이 비교적 양호하다. 또한, 상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 비교적 높은 탄소농도를 갖는 화합물인 점에서, 높은 에칭내성도 갖는다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 방향족 밀도가 높기 때문에 굴절률이 높고, 또한 저온에서부터 고온까지의 광범위한 열처리에 의해 착색이 억제되는 점에서, 각종 광학부품 형성 조성물에 함유시키는 화합물로서도 유용하다. 상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 화합물의 산화분해를 억제하여 착색을 억제하고, 내열성 및 용매용해성을 향상시키는 관점으로부터, 4급탄소를 갖는 것이 바람직하다. 광학부품은, 필름상, 시트상으로 사용되는 것 외에, 플라스틱렌즈(프리즘렌즈, 렌티큘러렌즈, 마이크로렌즈, 프레넬렌즈, 시야각제어렌즈, 콘트라스트향상렌즈 등), 위상차필름, 전자파실드용 필름, 프리즘, 광파이버, 플렉서블프린트배선용 솔더레지스트, 도금레지스트, 다층프린트배선판용 층간절연막, 감광성 광도파로로서 유용하다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 가교의 용이함과 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 하기 식(1-1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 11]
Figure pct00011
식(1-1) 중, R0, R1, R4, R5, n, p2~p5, m4 및 m5는, 상기와 동의이고, R6~R7은, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기이고, R10~R11은, 각각 독립적으로, 수소원자이다.
여기서, R4~R7의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고, m6 및 m7은, 각각 독립적으로 0~7의 정수이다. 단, m4, m5, m6 및 m7은 동시에 0이 되는 일은 없다.
또한, 상기 식(1-1)로 표시되는 화합물은, 추가적인 가교의 용이함과 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 하기 식(1-2)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 12]
Figure pct00012
식(1-2) 중, R0, R1, R6, R7, R10, R11, n, p2~p5, m6 및 m7은, 상기와 동의이고, R8~R9는, 상기 R6~R7과 동의이고, R12~R13은, 상기 R10~R11과 동의이다. m8 및 m9는, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이다. 단, m6, m7, m8 및 m9는 동시에 0이 되는 일은 없다.
또한, 원료의 공급성의 관점으로부터, 상기 식(1-2)로 표시되는 화합물은, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 13]
Figure pct00013
상기 식(1a) 중, R0~R5, m2~m5 및 n은, 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다.
상기 식(1a)로 표시되는 화합물은, 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 하기 식(1b)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 14]
Figure pct00014
상기 식(1b) 중, R0, R1, R4, R5, m4, m5, n은 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이고, R6, R7, R10, R11, m6, m7은 상기 식(1-1)에서 설명한 것과 동의이다.
상기 식(1b)로 표시되는 화합물은, 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 하기 식(1c)로 표시되는 화합물인 것이 더욱 바람직하다.
[화학식 15]
Figure pct00015
상기 식(1c) 중, R0, R1, R6~R13, m6~m9, n은 상기 식(1-2)에서 설명한 것과 동의이다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물의 구체예를 이하에 예시하나, 식(0)으로 표시되는 화합물은, 여기서 열거한 구체예로 한정되는 것은 아니다.
[화학식 16]
Figure pct00016
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 17]
Figure pct00017
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 18]
Figure pct00018
[화학식 19]
Figure pct00019
[화학식 20]
Figure pct00020
[화학식 21]
Figure pct00021
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 22]
Figure pct00022
[화학식 23]
Figure pct00023
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 24]
Figure pct00024
[화학식 25]
Figure pct00025
[화학식 26]
Figure pct00026
[화학식 27]
Figure pct00027
[화학식 28]
Figure pct00028
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 29]
Figure pct00029
[화학식 30]
Figure pct00030
[화학식 31]
Figure pct00031
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 32]
Figure pct00032
[화학식 33]
Figure pct00033
[화학식 34]
Figure pct00034
[화학식 35]
Figure pct00035
[화학식 36]
Figure pct00036
[화학식 37]
Figure pct00037
[화학식 38]
Figure pct00038
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 39]
Figure pct00039
[화학식 40]
Figure pct00040
[화학식 41]
Figure pct00041
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
[화학식 42]
Figure pct00042
[화학식 43]
Figure pct00043
[화학식 44]
Figure pct00044
[화학식 45]
Figure pct00045
[화학식 46]
Figure pct00046
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RT’는 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, m은 각각 독립적으로, 1~6의 정수이다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물의 구체예를, 추가로 이하에 예시하나, 여기서 열거한 것으로 한정되지 않는다.
[화학식 47]
Figure pct00047
[화학식 48]
Figure pct00048
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RY’, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RY, RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 49]
Figure pct00049
[화학식 50]
Figure pct00050
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 51]
Figure pct00051
[화학식 52]
Figure pct00052
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, RY’, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RY, RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 53]
Figure pct00053
[화학식 54]
Figure pct00054
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이다. 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 55]
Figure pct00055
[화학식 56]
Figure pct00056
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이다. 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 57]
Figure pct00057
[화학식 58]
Figure pct00058
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이다. 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 59]
Figure pct00059
[화학식 60]
Figure pct00060
[화학식 61]
Figure pct00061
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이다. 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 62]
Figure pct00062
[화학식 63]
Figure pct00063
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이다. 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 64]
Figure pct00064
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 65]
Figure pct00065
[화학식 66]
Figure pct00066
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 67]
Figure pct00067
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 68]
Figure pct00068
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 69]
Figure pct00069
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 70]
Figure pct00070
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 71]
Figure pct00071
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 72]
Figure pct00072
[화학식 73]
Figure pct00073
[화학식 74]
Figure pct00074
[화학식 75]
Figure pct00075
[화학식 76]
Figure pct00076
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 77]
Figure pct00077
[화학식 78]
Figure pct00078
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 79]
Figure pct00079
[화학식 80]
Figure pct00080
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 81]
Figure pct00081
[화학식 82]
Figure pct00082
[화학식 83]
Figure pct00083
[화학식 84]
Figure pct00084
[화학식 85]
Figure pct00085
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 86]
Figure pct00086
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 87]
Figure pct00087
[화학식 88]
Figure pct00088
상기 식 중, X는, 상기 식(0)에서 설명한 것과 동의이고, 또한, RZ’는 상기 식(0)에서 설명한 RZ와 동의이다. 나아가, OR4A의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR4A」에서 하나의 기호를 나타낸다.
이하에, 상기 식(1)로 표시되는 화합물의 구체예를 예시하나, 여기서 열거한 것으로 한정되지 않는다.
[화학식 89]
Figure pct00089
[화학식 90]
Figure pct00090
[화학식 91]
Figure pct00091
[화학식 92]
Figure pct00092
[화학식 93]
Figure pct00093
[화학식 94]
Figure pct00094
[화학식 95]
Figure pct00095
[화학식 96]
Figure pct00096
[화학식 97]
Figure pct00097
[화학식 98]
Figure pct00098
상기 화합물 중, R2, R3, R4, R5는 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다. m2 및 m3은 0~6의 정수이고 m4 및 m5는 0~7의 정수이다.
단, R2, R3, R4, R5로부터 선택되는 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. m2, m3, m4, m5가 동시에 0이 되는 일은 없다.
[화학식 99]
Figure pct00099
[화학식 100]
Figure pct00100
[화학식 101]
Figure pct00101
[화학식 102]
Figure pct00102
[화학식 103]
Figure pct00103
[화학식 104]
Figure pct00104
[화학식 105]
Figure pct00105
[화학식 106]
Figure pct00106
상기 화합물 중, R2, R3, R4, R5는 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다. m2 및 m3은 0~6의 정수이고 m4 및 m5는 0~7의 정수이다.
단, R2, R3, R4, R5로부터 선택되는 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. m2, m3, m4, m5가 동시에 0이 되는 일은 없다.
[화학식 107]
Figure pct00107
[화학식 108]
Figure pct00108
[화학식 109]
Figure pct00109
[화학식 110]
Figure pct00110
상기 화합물 중, R2, R3, R4, R5는 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다. m2 및 m3은 0~6의 정수이고 m4 및 m5는 0~7의 정수이다.
단, R2, R3, R4, R5로부터 선택되는 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고, m2, m3, m4, m5가 동시에 0이 되는 일은 없다.
[화학식 111]
Figure pct00111
[화학식 112]
Figure pct00112
[화학식 113]
Figure pct00113
[화학식 114]
Figure pct00114
[화학식 115]
Figure pct00115
상기 화합물 중, R2, R3, R4, R5는 상기 식(1)에서 설명한 것과 동의이다. m2 및 m3은 0~6의 정수이고 m4 및 m5는 0~7의 정수이다.
단, R2, R3, R4, R5로부터 선택되는 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고, m2, m3, m4, m5가 동시에 0이 되는 일은 없다.
상기 식(1)로 표시되는 화합물은, 추가적인 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 하기 식(BisF-1)~(BisF-5), (BiF-1)~(BiF-5)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하다(구체예 중의 R10~R13은 상기 서술한 것과 동의이다).
[화학식 116]
Figure pct00116
[화학식 117]
Figure pct00117
[화학식 118]
Figure pct00118
[화학식 119]
Figure pct00119
[화학식 120]
Figure pct00120
[화학식 121]
Figure pct00121
[화학식 122]
Figure pct00122
[화학식 123]
Figure pct00123
[화학식 124]
Figure pct00124
[화학식 125]
Figure pct00125
상기 (BisF-1)~(BisF-5) 및 식(BiF-1)~(BiF-5) 중, R6’~R9’는, 각각 독립적으로, 수소원자, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기 또는 티올기이고, 여기서, R6’~R9’의 적어도 1개는 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고, R10~R13은 상기 식(1c)에서 설명한 것과 동의이다.
이하, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물의 구체예를 추가로 예시하나, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 여기서 열거한 구체예로 한정되는 것은 아니다.
[화학식 126]
Figure pct00126
상기 식 중, R0, R1, n은 상기 식(1-1)에서 설명한 것과 동의이고, R10’ 및 R11’는 상기 식(1-1)에서 설명한 R10 및 R11과 동의이고, R4’ 및 R5’는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르본산기, 티올기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, R4’ 및 R5’의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고, m4’ 및 m5’는, 1~9의 정수이고, m10’ 및 m11’는 0~8의 정수이고, m4’+m10’ 및 m4’+m11’는 각각 독립적으로 1~9의 정수이다.
R0은, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 피레닐기, 비페닐기, 헵타센기를 들 수 있다.
R4’ 및 R5’는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 피레닐기, 비페닐기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기, 펜틸옥시메틸기, 하이드록시메틸기를 들 수 있다.
상기 R0, R4’, R5’의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 127]
Figure pct00127
[화학식 128]
Figure pct00128
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다. R16은, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬렌기, 탄소수 6~30의 2가의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 2가의 알케닐기이다.
R16은, 예를 들어, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로펜기, 부텐기, 펜텐기, 헥센기, 헵텐기, 옥텐기, 노넨기, 데센기, 운데센기, 도데센기, 트리아콘텐기, 시클로프로펜기, 시클로부텐기, 시클로펜텐기, 시클로헥센기, 시클로헵텐기, 시클로옥텐기, 시클로노넨기, 시클로데센기, 시클로운데센기, 시클로도데센기, 시클로트리아콘텐기, 2가의 노보닐기, 2가의 아다만틸기, 2가의 페닐기, 2가의 나프틸기, 2가의 안트라센기, 2가의 피렌기, 2가의 비페닐기, 2가의 헵타센기, 2가의 비닐기, 2가의 알릴기, 2가의 트리아콘테닐기를 들 수 있다.
상기 R16의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 129]
Figure pct00129
[화학식 130]
Figure pct00130
[화학식 131]
Figure pct00131
[화학식 132]
Figure pct00132
[화학식 133]
Figure pct00133
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
R14는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 티올기이고, m14는 0~5의 정수이다. m14’는 0~4의 정수이고, m14는 0~5의 정수이다.
R14는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 피레닐기, 비페닐기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기를 들 수 있다.
상기 R14의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 134]
Figure pct00134
상기 식 중, R0, R4’, R5’, m4’, m5’, m10’, m11’는 상기와 동의이고, R1’는, 탄소수 1~60의 기이다.
[화학식 135]
Figure pct00135
[화학식 136]
Figure pct00136
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다. R14는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 티올기이고, m14는 0~5의 정수이고, m14’는 0~4의 정수이고, m14”는 0~3의 정수이다.
R14는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 피레닐기, 비페닐기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기를 들 수 있다.
상기 R14의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 137]
Figure pct00137
[화학식 138]
Figure pct00138
[화학식 139]
Figure pct00139
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
R15는, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 티올기이다.
R15는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 피레닐기, 비페닐기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기를 들 수 있다.
상기 R15의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 140]
Figure pct00140
[화학식 141]
Figure pct00141
[화학식 142]
Figure pct00142
[화학식 143]
Figure pct00143
[화학식 144]
Figure pct00144
[화학식 145]
Figure pct00145
[화학식 146]
Figure pct00146
[화학식 147]
Figure pct00147
[화학식 148]
Figure pct00148
[화학식 149]
Figure pct00149
[화학식 150]
Figure pct00150
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 원료의 입수성의 관점으로부터, 더욱 바람직하게는 이하에 표시되는 화합물이다.
[화학식 151]
Figure pct00151
[화학식 152]
Figure pct00152
[화학식 153]
Figure pct00153
[화학식 154]
Figure pct00154
[화학식 155]
Figure pct00155
[화학식 156]
Figure pct00156
[화학식 157]
Figure pct00157
[화학식 158]
Figure pct00158
[화학식 159]
Figure pct00159
[화학식 160]
Figure pct00160
[화학식 161]
Figure pct00161
[화학식 162]
Figure pct00162
[화학식 163]
Figure pct00163
[화학식 164]
Figure pct00164
[화학식 165]
Figure pct00165
[화학식 166]
Figure pct00166
[화학식 167]
Figure pct00167
[화학식 168]
Figure pct00168
[화학식 169]
Figure pct00169
[화학식 170]
Figure pct00170
[화학식 171]
Figure pct00171
[화학식 172]
Figure pct00172
[화학식 173]
Figure pct00173
[화학식 174]
Figure pct00174
[화학식 175]
Figure pct00175
[화학식 176]
Figure pct00176
[화학식 177]
Figure pct00177
[화학식 178]
Figure pct00178
[화학식 179]
Figure pct00179
[화학식 180]
Figure pct00180
[화학식 181]
Figure pct00181
[화학식 182]
Figure pct00182
[화학식 183]
Figure pct00183
[화학식 184]
Figure pct00184
[화학식 185]
Figure pct00185
[화학식 186]
Figure pct00186
[화학식 187]
Figure pct00187
[화학식 188]
Figure pct00188
[화학식 189]
Figure pct00189
[화학식 190]
Figure pct00190
[화학식 191]
Figure pct00191
[화학식 192]
Figure pct00192
[화학식 193]
Figure pct00193
[화학식 194]
Figure pct00194
[화학식 195]
Figure pct00195
[화학식 196]
Figure pct00196
[화학식 197]
Figure pct00197
[화학식 198]
Figure pct00198
[화학식 199]
Figure pct00199
[화학식 200]
Figure pct00200
[화학식 201]
Figure pct00201
[화학식 202]
Figure pct00202
[화학식 203]
Figure pct00203
[화학식 204]
Figure pct00204
[화학식 205]
Figure pct00205
[화학식 206]
Figure pct00206
[화학식 207]
Figure pct00207
[화학식 208]
Figure pct00208
[화학식 209]
Figure pct00209
[화학식 210]
Figure pct00210
[화학식 211]
Figure pct00211
[화학식 212]
Figure pct00212
[화학식 213]
Figure pct00213
[화학식 214]
Figure pct00214
[화학식 215]
Figure pct00215
[화학식 216]
Figure pct00216
[화학식 217]
Figure pct00217
[화학식 218]
Figure pct00218
[화학식 219]
Figure pct00219
[화학식 220]
Figure pct00220
[화학식 221]
Figure pct00221
[화학식 222]
Figure pct00222
[화학식 223]
Figure pct00223
[화학식 224]
Figure pct00224
[화학식 225]
Figure pct00225
[화학식 226]
Figure pct00226
[화학식 227]
Figure pct00227
[화학식 228]
Figure pct00228
[화학식 229]
Figure pct00229
[화학식 230]
Figure pct00230
[화학식 231]
Figure pct00231
[화학식 232]
Figure pct00232
[화학식 233]
Figure pct00233
[화학식 234]
Figure pct00234
[화학식 235]
Figure pct00235
[화학식 236]
Figure pct00236
[화학식 237]
Figure pct00237
[화학식 238]
Figure pct00238
[화학식 239]
Figure pct00239
[화학식 240]
[화학식 241]
Figure pct00241
[화학식 242]
Figure pct00242
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
나아가 상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 식은, 에칭내성의 관점으로부터 이하의 구조가 바람직하다.
[화학식 243]
Figure pct00243
[화학식 244]
Figure pct00244
[화학식 245]
Figure pct00245
[화학식 246]
Figure pct00246
[화학식 247]
Figure pct00247
상기 식 중, R0A는 상기 식 RY와 동의이고, R1A’는 RZ와 동의이고, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
[화학식 248]
Figure pct00248
[화학식 249]
Figure pct00249
[화학식 250]
Figure pct00250
[화학식 251]
Figure pct00251
[화학식 252]
Figure pct00252
[화학식 253]
Figure pct00253
상기 식 중, R0A는 상기 식 RY와 동의이고, R1A’는 RZ와 동의이고, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다. R14는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 티올기이고, m14’는 0~4의 정수이다.
R14는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기를 들 수 있다.
상기 R14의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 254]
Figure pct00254
[화학식 255]
Figure pct00255
[화학식 256]
Figure pct00256
[화학식 257]
Figure pct00257
[화학식 258]
Figure pct00258
[화학식 259]
Figure pct00259
[화학식 260]
Figure pct00260
[화학식 261]
Figure pct00261
[화학식 262]
Figure pct00262
[화학식 263]
Figure pct00263
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
R15는, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 티올기이다.
R15는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기를 들 수 있다.
상기 R15의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 264]
Figure pct00264
[화학식 265]
Figure pct00265
[화학식 266]
Figure pct00266
[화학식 267]
Figure pct00267
[화학식 268]
Figure pct00268
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
R16은, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬렌기, 탄소수 6~30의 2가의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 2가의 알케닐기이다.
R16은, 예를 들어, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로펜기, 부텐기, 펜텐기, 헥센기, 헵텐기, 옥텐기, 노넨기, 데센기, 운데센기, 도데센기, 트리아콘텐기, 시클로프로펜기, 시클로부텐기, 시클로펜텐기, 시클로헥센기, 시클로헵텐기, 시클로옥텐기, 시클로노넨기, 시클로데센기, 시클로운데센기, 시클로도데센기, 시클로트리아콘텐기, 2가의 노보닐기, 2가의 아다만틸기, 2가의 페닐기, 2가의 나프틸기, 2가의 안트라센기, 2가의 헵타센기, 2가의 비닐기, 2가의 알릴기, 2가의 트리아콘테닐기를 들 수 있다.
상기 R16의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 269]
Figure pct00269
[화학식 270]
Figure pct00270
[화학식 271]
Figure pct00271
[화학식 272]
Figure pct00272
[화학식 273]
Figure pct00273
[화학식 274]
Figure pct00274
[화학식 275]
Figure pct00275
[화학식 276]
Figure pct00276
[화학식 277]
Figure pct00277
[화학식 278]
Figure pct00278
[화학식 279]
Figure pct00279
[화학식 280]
Figure pct00280
[화학식 281]
Figure pct00281
[화학식 282]
Figure pct00282
[화학식 283]
Figure pct00283
[화학식 284]
Figure pct00284
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
R14는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 티올기이고, m14’는 0~4의 정수이다.
R14는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기를 들 수 있다.
상기 R14의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 285]
Figure pct00285
[화학식 286]
Figure pct00286
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
R14는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6~30의 아릴기, 또는 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 티올기이고, m14는 0~5의 정수이다.
R14는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리아콘틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 시클로운데실기, 시클로도데실기, 시클로트리아콘틸기, 노보닐기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 헵타센기, 비닐기, 알릴기, 트리아콘테닐기, 메톡시기, 에톡시기, 트리아콘틱시기, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 티올기를 들 수 있다.
상기 R14의 각 예시는, 이성체를 포함한다. 예를 들어, 부틸기에는, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기가 포함된다.
[화학식 287]
Figure pct00287
[화학식 288]
Figure pct00288
[화학식 289]
Figure pct00289
[화학식 290]
Figure pct00290
[화학식 291]
Figure pct00291
[화학식 292]
Figure pct00292
[화학식 293]
Figure pct00293
[화학식 294]
Figure pct00294
[화학식 295]
Figure pct00295
[화학식 296]
Figure pct00296
[화학식 297]
Figure pct00297
[화학식 298]
Figure pct00298
[화학식 299]
Figure pct00299
[화학식 300]
Figure pct00300
[화학식 301]
Figure pct00301
[화학식 302]
Figure pct00302
[화학식 303]
Figure pct00303
[화학식 304]
Figure pct00304
[화학식 305]
Figure pct00305
[화학식 306]
Figure pct00306
[화학식 307]
Figure pct00307
[화학식 308]
Figure pct00308
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
상기 화합물은, 내열성의 관점으로부터, 디벤조크산텐골격을 갖는 것이 바람직하다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 원료의 입수성의 관점으로부터, 더욱 바람직하게는 이하에 표시되는 화합물이다.
[화학식 309]
Figure pct00309
[화학식 310]
Figure pct00310
[화학식 311]
Figure pct00311
[화학식 312]
Figure pct00312
[화학식 313]
Figure pct00313
[화학식 314]
Figure pct00314
[화학식 315]
Figure pct00315
[화학식 316]
Figure pct00316
[화학식 317]
Figure pct00317
[화학식 318]
Figure pct00318
[화학식 319]
Figure pct00319
[화학식 320]
Figure pct00320
[화학식 321]
Figure pct00321
[화학식 322]
Figure pct00322
[화학식 323]
Figure pct00323
[화학식 324]
Figure pct00324
[화학식 325]
Figure pct00325
[화학식 326]
Figure pct00326
[화학식 327]
Figure pct00327
[화학식 328]
Figure pct00328
[화학식 329]
Figure pct00329
[화학식 330]
Figure pct00330
[화학식 331]
Figure pct00331
[화학식 332]
Figure pct00332
[화학식 333]
Figure pct00333
[화학식 334]
Figure pct00334
[화학식 335]
Figure pct00335
[화학식 336]
Figure pct00336
[화학식 337]
Figure pct00337
[화학식 338]
Figure pct00338
[화학식 339]
Figure pct00339
[화학식 340]
Figure pct00340
[화학식 341]
Figure pct00341
[화학식 342]
Figure pct00342
[화학식 343]
Figure pct00343
[화학식 344]
Figure pct00344
[화학식 345]
Figure pct00345
[화학식 346]
Figure pct00346
[화학식 347]
Figure pct00347
[화학식 348]
Figure pct00348
[화학식 349]
Figure pct00349
[화학식 350]
Figure pct00350
[화학식 351]
Figure pct00351
[화학식 352]
Figure pct00352
[화학식 353]
Figure pct00353
[화학식 354]
Figure pct00354
[화학식 355]
Figure pct00355
[화학식 356]
Figure pct00356
[화학식 357]
Figure pct00357
[화학식 358]
Figure pct00358
[화학식 359]
Figure pct00359
[화학식 360]
Figure pct00360
[화학식 361]
Figure pct00361
[화학식 362]
Figure pct00362
[화학식 363]
Figure pct00363
[화학식 364]
Figure pct00364
[화학식 365]
Figure pct00365
[화학식 366]
Figure pct00366
[화학식 367]
Figure pct00367
[화학식 368]
Figure pct00368
[화학식 369]
Figure pct00369
[화학식 370]
Figure pct00370
[화학식 371]
Figure pct00371
[화학식 372]
Figure pct00372
[화학식 373]
Figure pct00373
[화학식 374]
Figure pct00374
상기 식 중, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
상기 식은, 내열성의 관점으로부터 디벤조크산텐골격을 갖는 화합물이 바람직하다.
상기 식(0)에 기재된 화합물은, 원료입수성의 관점으로부터 이하의 구조가 바람직하다.
[화학식 375]
Figure pct00375
[화학식 376]
Figure pct00376
[화학식 377]
Figure pct00377
[화학식 378]
Figure pct00378
[화학식 379]
Figure pct00379
[화학식 380]
Figure pct00380
[화학식 381]
Figure pct00381
상기 식 중, R0A는 상기 식 RY와 동의이고, R1A’는 RZ와 동의이고, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
상기 식은, 내열성의 관점으로부터 크산텐골격을 갖는 화합물이 바람직하다.
[화학식 382]
Figure pct00382
[화학식 383]
Figure pct00383
[화학식 384]
Figure pct00384
[화학식 385]
Figure pct00385
[화학식 386]
Figure pct00386
[화학식 387]
Figure pct00387
[화학식 388]
Figure pct00388
[화학식 389]
Figure pct00389
[화학식 390]
Figure pct00390
[화학식 391]
Figure pct00391
[화학식 392]
Figure pct00392
[화학식 393]
Figure pct00393
[화학식 394]
Figure pct00394
[화학식 395]
Figure pct00395
[화학식 396]
Figure pct00396
[화학식 397]
Figure pct00397
[화학식 398]
Figure pct00398
[화학식 399]
Figure pct00399
[화학식 400]
Figure pct00400
[화학식 401]
Figure pct00401
[화학식 402]
Figure pct00402
[화학식 403]
Figure pct00403
[화학식 404]
Figure pct00404
[화학식 405]
Figure pct00405
[화학식 406]
Figure pct00406
[화학식 407]
Figure pct00407
[화학식 408]
Figure pct00408
[화학식 409]
Figure pct00409
[화학식 410]
Figure pct00410
[화학식 411]
Figure pct00411
[화학식 412]
Figure pct00412
[화학식 413]
Figure pct00413
[화학식 414]
Figure pct00414
[화학식 415]
Figure pct00415
[화학식 416]
Figure pct00416
[화학식 417]
Figure pct00417
[화학식 418]
Figure pct00418
[화학식 419]
Figure pct00419
[화학식 420]
Figure pct00420
[화학식 421]
Figure pct00421
[화학식 422]
Figure pct00422
[화학식 423]
Figure pct00423
[화학식 424]
Figure pct00424
[화학식 425]
Figure pct00425
[화학식 426]
Figure pct00426
[화학식 427]
Figure pct00427
[화학식 428]
Figure pct00428
[화학식 429]
Figure pct00429
[화학식 430]
Figure pct00430
[화학식 431]
Figure pct00431
[화학식 432]
Figure pct00432
[화학식 433]
Figure pct00433
[화학식 434]
Figure pct00434
[화학식 435]
Figure pct00435
[화학식 436]
Figure pct00436
[화학식 437]
Figure pct00437
[화학식 438]
Figure pct00438
[화학식 439]
Figure pct00439
[화학식 440]
Figure pct00440
[화학식 441]
Figure pct00441
[화학식 442]
Figure pct00442
[화학식 443]
Figure pct00443
[화학식 444]
Figure pct00444
[화학식 445]
Figure pct00445
[화학식 446]
Figure pct00446
[화학식 447]
Figure pct00447
[화학식 448]
Figure pct00448
[화학식 449]
Figure pct00449
[화학식 450]
Figure pct00450
[화학식 451]
Figure pct00451
[화학식 452]
Figure pct00452
[화학식 453]
Figure pct00453
[화학식 454]
Figure pct00454
[화학식 455]
Figure pct00455
[화학식 456]
Figure pct00456
[화학식 457]
Figure pct00457
[화학식 458]
Figure pct00458
[화학식 459]
Figure pct00459
[화학식 460]
Figure pct00460
[화학식 461]
Figure pct00461
[화학식 462]
Figure pct00462
[화학식 463]
Figure pct00463
[화학식 464]
Figure pct00464
[화학식 465]
Figure pct00465
[화학식 466]
Figure pct00466
[화학식 467]
Figure pct00467
[화학식 468]
Figure pct00468
[화학식 469]
Figure pct00469
[화학식 470]
Figure pct00470
[화학식 471]
Figure pct00471
[화학식 472]
Figure pct00472
[화학식 473]
Figure pct00473
[화학식 474]
Figure pct00474
[화학식 475]
Figure pct00475
[화학식 476]
Figure pct00476
[화학식 477]
Figure pct00477
[화학식 478]
Figure pct00478
[화학식 479]
Figure pct00479
[화학식 480]
Figure pct00480
[화학식 481]
Figure pct00481
[화학식 482]
Figure pct00482
[화학식 483]
Figure pct00483
[화학식 484]
Figure pct00484
[화학식 485]
Figure pct00485
[화학식 486]
Figure pct00486
상기 식 중, R14, R15, R16, m14, m14’는 상기와 동의이고, OR10, OR11, OR12 및 OR13은 상기 식(0)에서 설명한 RT와 동의이고, 여기에서의 「O」는 산소원자를 의미하는 것이 아니며, 단순히 기호(알파벳)를 나타내고, 「OR10」, 「OR11」, 「OR12」 및 「OR13」은, 각각 하나의 기호를 나타낸다.
(식(5)로 표시되는 화합물)
상기 식(0)으로 표시되는 화합물의 원료로는, 예를 들어, 폴리페놀원료를 이용할 수 있고, 예를 들어, 하기 식(5)로 표시되는 화합물을 이용할 수 있다.
[화학식 487]
Figure pct00487
(식(5) 중, R5A는, 탄소수 1~60의 N가의 기 또는 단결합이고,
m10은, 각각 독립적으로 1~3의 정수이고
NB는, 1~4의 정수이고, NB가 2 이상의 정수인 경우, N개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있다.)
상기 서술한 식(5)의 화합물의 폴리페놀원료로는, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤이 이용되고, 예를 들어 이하의 구조를 들 수 있다.
[화학식 488]
Figure pct00488
[화학식 489]
Figure pct00489
[화학식 490]
Figure pct00490
[화학식 491]
Figure pct00491
[화학식 492]
Figure pct00492
[화학식 493]
Figure pct00493
[화학식 494]
Figure pct00494
[화학식 495]
Figure pct00495
[화학식 496]
Figure pct00496
[화학식 497]
Figure pct00497
[화학식 498]
Figure pct00498
[화학식 499]
Figure pct00499
[화학식 500]
Figure pct00500
[화학식 501]
Figure pct00501
[화학식 502]
Figure pct00502
[화학식 503]
Figure pct00503
[화학식 504]
Figure pct00504
상기 식 중, R1A’는 RZ와 동의이고, R14, R15, R16, m14, m14’는 상기와 동의이다.
[식(0)으로 표시되는 화합물의 제조방법]
본 실시형태에 있어서의 식(0)으로 표시되는 화합물은, 공지의 수법을 응용하여 적당히 합성할 수 있고, 그 합성수법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 식(1)로 표시되는 화합물을 예로 들면, 식(0)으로 표시되는 화합물은 이하와 같이 합성할 수 있다.
예를 들어, 식(1)로 표시되는 화합물은, 상압하, 비페놀류, 비나프톨류 또는 비안트라센올류와, 대응하는 알데히드류 또는 케톤류를 산촉매하에서 중축합반응시키고, 식(1)의 전구체물질을 얻은 후, 염기성촉매의 존재하에서, 상압하, 상기 전구체물질, 포름알데히드를 반응시킴으로써, 상기 식(1)로 표시되는, 하이드록시메틸기를 포함하는 화합물을 얻을 수 있다.
또한 반응시에 탄소수 1~4의 알코올을 이용하면, 상기 식(1)로 표시되는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기를 포함하는 화합물을 얻을 수 있다.
또한, 필요에 따라, 가압하에서 행할 수도 있다.
상기 비페놀류로는, 예를 들어, 비페놀, 메틸비페놀, 메톡시비나프톨 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비페놀을 이용하는 것이 원료의 안정공급성의 점에서 보다 바람직하다.
상기 비나프톨류로는, 예를 들어, 비나프톨, 메틸비나프톨, 메톡시비나프톨 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비나프톨을 이용하는 것이, 탄소원자농도를 높이고, 내열성을 향상시키는 점에서 보다 바람직하다.
상기 비안트라센올류로는, 예를 들어, 비안트라센올, 메틸비안트라센올, 메톡시비안트라센올 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비안트라센올을 이용하는 것이, 탄소원자농도를 높이고, 내열성을 향상시키는 점에서 보다 바람직하다.
상기 알데히드류로는, 예를 들어, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, 페닐프로필알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 벤즈알데히드, 페닐아세트알데히드, 페닐프로필알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 시클로헥실벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄을 이용하는 것이, 높은 내열성을 부여하는 관점으로부터 바람직하고, 벤즈알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 시클로헥실벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄을 이용하는 것이, 높은 에칭내성을 부여하는 관점으로부터 보다 바람직하다.
상기 케톤류로는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로부탄온, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 노보난온, 트리시클로헥사논, 트리시클로데칸온, 아다만탄온, 플루오레논, 벤조플루오레논, 아세나프텐퀴논, 아세나프테논, 안트라퀴논, 아세토페논, 디아세틸벤젠, 트리아세틸벤젠, 아세토나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐, 벤조페논, 디페닐카르보닐벤젠, 트리페닐카르보닐벤젠, 벤조나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 노보난온, 트리시클로헥사논, 트리시클로데칸온, 아다만탄온, 플루오레논, 벤조플루오레논, 아세나프텐퀴논, 아세나프테논, 안트라퀴논, 아세토페논, 디아세틸벤젠, 트리아세틸벤젠, 아세토나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐, 벤조페논, 디페닐카르보닐벤젠, 트리페닐카르보닐벤젠, 벤조나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐을 이용하는 것이, 높은 내열성을 부여하는 관점으로부터 바람직하고, 아세토페논, 디아세틸벤젠, 트리아세틸벤젠, 아세토나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐, 벤조페논, 디페닐카르보닐벤젠, 트리페닐카르보닐벤젠, 벤조나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐을 이용하는 것이, 높은 에칭내성을 부여하는 관점으로부터 보다 바람직하다.
상기 알데히드류 또는 케톤류로는, 방향족을 갖는 알데히드 또는 방향족을 갖는 케톤을 이용하는 것이, 높은 내열성 및 높은 에칭내성을 겸비하는 관점으로부터 바람직하다.
상기 반응에 이용하는 산촉매에 대해서는, 공지의 것으로부터 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 산촉매로는, 무기산이나 유기산이 널리 알려져 있으며, 예를 들어, 염산, 황산, 인산, 브롬화수소산, 불산 등의 무기산; 옥살산, 말론산, 석신산, 아디프산, 세바스산, 구연산, 푸마르산, 말레산, 포름산, p-톨루엔설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로메탄설폰산, 벤젠설폰산, 나프탈렌설폰산, 나프탈렌디설폰산 등의 유기산; 염화아연, 염화알루미늄, 염화철, 삼불화붕소 등의 루이스산; 혹은 규텅스텐산, 인텅스텐산, 규몰리브덴산 또는 인몰리브덴산 등의 고체산 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들 중에서도, 제조 상의 관점으로부터, 유기산 및 고체산이 바람직하고, 입수의 용이함이나 취급용이함 등의 제조 상의 관점으로부터, 염산 또는 황산을 이용하는 것이 바람직하다. 한편, 산촉매에 대해서는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 산촉매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가서는 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대해, 0.01~100질량부인 것이 바람직하다.
상기 반응시에는, 반응용매를 이용할 수도 있다. 반응용매로는, 이용하는 알데히드류 또는 케톤류와, 비페놀류, 비나프톨류 또는 비안트라센디올류와의 반응이 진행되는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 공지의 것 중에서 적당히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르 또는 이들의 혼합용매 등이 예시된다. 한편, 용매는, 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 이들 용매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가서는 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대해 0~2000질량부의 범위인 것이 바람직하다. 나아가, 상기 반응에 있어서의 반응온도는, 반응원료의 반응성에 따라 적당히 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않으나, 통상 10~200℃의 범위이다.
본 실시형태에 있어서의 식(1)로 표시되는 화합물을 얻기 위해서는, 반응온도는 높은 편이 바람직하고, 구체적으로는 60~200℃의 범위가 바람직하다. 한편, 반응방법은, 공지의 수법을 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 비페놀류, 비나프톨류 또는 비안트라센디올류, 알데히드류 또는 케톤류, 촉매를 일괄로 투입하는 방법이나, 비페놀류, 비나프톨류 또는 비안트라센디올류나 알데히드류 또는 케톤류를 촉매존재하에서 적하해 가는 방법이 있다. 중축합반응 종료 후, 얻어진 화합물의 단리는, 상법에 따라 행할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 계 내에 존재하는 미반응원료나 촉매 등을 제거하기 위해, 반응솥의 온도를 130~230℃까지 상승시키고, 1~50mmHg 정도에서 휘발분을 제거하는 등의 일반적 수법을 채용함으로써, 목적물인 화합물을 얻을 수 있다.
바람직한 반응조건으로는, 알데히드류 또는 케톤류 1몰에 대해, 비페놀류, 비나프톨류 또는 비안트라센디올류를 1.0몰~과잉량, 및 산촉매를 0.001~1몰 사용하고, 상압에서, 50~150℃에서 20분간~100시간 정도 반응시키는 것을 들 수 있다.
반응 종료 후, 공지의 방법에 의해 목적물을 단리할 수 있다. 예를 들어, 반응액을 농축하고, 순수를 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행하여 분리시키고, 얻어진 고형물을 여과하고, 건조시킨 후, 컬럼크로마토에 의해, 부생성물과 분리정제하고, 용매유거, 여과, 건조를 행하여 목적물인 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다.
폴리페놀 화합물에 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 도입하는 방법은 공지이다. 예를 들어, 이하와 같이 하여, 폴리페놀 화합물에 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 도입할 수 있다.
예를 들어, 메탄올, 에탄올 등의 유기용매 중, 염기성촉매의 존재하에서, 상기 폴리페놀 화합물 1몰에 대해, 포름알데히드를 0.1~100몰을 0~150℃에서 0.5~20시간 정도 반응시킨다. 이어서, 용매농축, 여과, 메탄올 등의 알코올류로의 세정, 수세, 여과에 의한 분리 후, 건조시킴으로써 적어도 1개의 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 갖는 화합물이 얻어진다.
탄소수 2~5의 알콕시메틸기를 포함하는 화합물은, 예를 들어, 메탄올, 에탄올 등의 유기용매 중, 염기성촉매의 존재하에서, 상기 서술한 적어도 1개의 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 갖는 화합물 1몰에 대해, 탄소수 1~4의 포화지방족 알코올 0.1~100몰을, 0~150℃에서 0.5~20시간 정도 반응시킨다. 이어서, 용매농축, 여과, 메탄올 등의 알코올류로의 세정, 수세, 여과에 의한 분리 후, 건조시킴으로써 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기를 포함하는 1가의 기를 갖는 화합물이 얻어진다.
한편, 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 도입할 타이밍에 대해서는, 비나프톨류와 알데히드류 또는 케톤류와의 축합반응 후뿐만 아니라, 축합반응의 전단계여도 된다. 또한, 후술하는 수지의 제조를 행한 후에 행해도 된다.
본 실시형태에 있어서, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기는, 라디칼 또는 산/알칼리의 존재하에서 반응하며, 도포용매나 현상액에 사용되는 산, 알칼리 또는 유기용매에 대한 용해성이 변화한다. 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기는, 더욱 고감도·고해상도의 패턴 형성을 가능하게 하기 위해, 라디칼 또는 산/알칼리의 존재하에서 연쇄적으로 반응을 일으키는 성질을 갖는 것이 바람직하다.
[식(0)으로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지]
상기 식(0)으로 표시되는 화합물은, 리소그래피용 막형성 조성물로서, 그대로 사용할 수 있다. 또한, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지로서도 사용할 수 있다. 환언하면, 본 실시형태의 수지는 상기 식(0)으로 표시되는 화합물에서 유래하는 단위구조를 갖는 수지이다. 예를 들어, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물과 가교반응성이 있는 화합물을 반응시켜 얻어지는 수지로서도 사용할 수 있다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지로는, 예를 들어, 이하의 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지를 들 수 있다. 즉, 본 실시형태의 조성물은, 하기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지를 함유하는 것일 수도 있다.
[화학식 505]
Figure pct00505
(식(3) 중, L은, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕실렌기 또는 단결합이고, 상기 알킬렌기, 상기 아릴렌기, 상기 알콕실렌기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
R0은, 상기 RY와 동의이고,
R1은, 탄소수 1~60의 n가의 기 또는 단결합이고,
R2~R5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
m2 및 m3은, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
m4 및 m5는, 각각 독립적으로, 0~9의 정수이고,
단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, R2~R5의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다.)
식(3) 중, L은, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕실렌기 또는 단결합이다. 상기 알킬렌기, 상기 아릴렌기, 상기 알콕실렌기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있다. 상기 알킬렌기, 알콕실렌기는, 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 기일 수 있다.
식(3) 중, R0, R1, R2~R5, m2 및 m3, m4 및 m5, p2~p5, n은 상기 식(1)에 있어서의 것과 동의이다. 단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, R2~R5의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다.
[식(0)으로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지의 제조방법]
본 실시형태의 수지는, 예를 들어, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물을 가교반응성이 있는 화합물과 반응시킴으로써 얻어진다. 가교반응성이 있는 화합물로는, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물을 올리고머화 또는 폴리머화할 수 있는 것인 한, 공지의 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 그 구체예로는, 예를 들어, 알데히드, 케톤, 카르본산, 카르본산할라이드, 할로겐함유 화합물, 아미노 화합물, 이미노 화합물, 이소시아네이트, 불포화탄화수소기함유 화합물 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지의 구체예로는, 예를 들어, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물을 가교반응성이 있는 화합물인 알데히드 및/또는 케톤과의 축합반응 등에 의해 노볼락화한 수지를 들 수 있다.
여기서, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물을 노볼락화할 때에 이용하는 알데히드로는, 예를 들어, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, 페닐프로필알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 케톤으로는, 상기 케톤류를 들 수 있다. 이들 중에서도, 포름알데히드가 보다 바람직하다. 한편, 이들 알데히드 및/또는 케톤류는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 상기 알데히드 및/또는 케톤류의 사용량은, 특별히 한정되지 않으나, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물 1에 대해, 0.2~5몰이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~2몰이다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물과 알데히드 및/또는 케톤과의 축합반응에 있어서는, 산촉매를 이용할 수도 있다. 여기서 사용하는 산촉매에 대해서는, 공지의 것으로부터 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 산촉매로는, 무기산이나 유기산이 널리 알려져 있으며, 예를 들어, 염산, 황산, 인산, 브롬화수소산, 불산 등의 무기산; 옥살산, 말론산, 석신산, 아디프산, 세바스산, 구연산, 푸마르산, 말레산, 포름산, p-톨루엔설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로메탄설폰산, 벤젠설폰산, 나프탈렌설폰산, 나프탈렌디설폰산 등의 유기산; 염화아연, 염화알루미늄, 염화철, 삼불화붕소 등의 루이스산; 혹은 규텅스텐산, 인텅스텐산, 규몰리브덴산 또는 인몰리브덴산 등의 고체산 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들 중에서도, 제조 상의 관점으로부터, 유기산 및 고체산이 바람직하고, 입수의 용이함이나 취급용이함 등의 제조 상의 관점으로부터, 염산 또는 황산이 바람직하다. 한편, 산촉매에 대해서는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 산촉매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가서는 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대해, 0.01~100질량부인 것이 바람직하다. 단, 인덴, 하이드록시인덴, 벤조푸란, 하이드록시안트라센, 아세나프틸렌, 비페닐, 비스페놀, 트리스페놀, 디시클로펜타디엔, 테트라하이드로인덴, 4-비닐시클로헥센, 노보나디엔, 5-비닐노보나-2-엔, α-피넨, β-피넨, 리모넨 등의 비공역이중결합을 갖는 화합물과의 공중합반응인 경우는, 반드시 알데히드류가 필요하지는 않다.
상기 식(0)으로 표시되는 화합물과 알데히드 및/또는 케톤과의 축합반응에 있어서, 반응용매를 이용할 수도 있다. 이 중축합에 있어서의 반응용매로는, 공지의 것 중에서 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 테트라하이드로푸란, 디옥산 또는 이들의 혼합용매 등이 예시된다. 한편, 용매는, 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 이들 용매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가서는 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대해 0~2000질량부의 범위인 것이 바람직하다. 나아가, 반응온도는, 반응원료의 반응성에 따라 적당히 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 통상 10~200℃의 범위이다. 한편, 반응방법은, 공지의 수법을 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물, 알데히드 및/또는 케톤류, 촉매를 일괄로 투입하는 방법이나, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물이나 알데히드 및/또는 케톤류를 촉매존재하에서 적하해 가는 방법을 들 수 있다.
중축합반응 종료 후, 얻어진 화합물의 단리는, 상법에 따라 행할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 계 내에 존재하는 미반응원료나 촉매 등을 제거하기 위해, 반응솥의 온도를 130~230℃까지 상승시키고, 1~50mmHg 정도에서 휘발분을 제거하는 등의 일반적 수법을 채용함으로써, 목적물인 노볼락화한 수지를 얻을 수 있다.
여기서, 상기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물의 단독중합체일 수도 있는데, 다른 페놀류와의 공중합체일 수도 있다. 여기서 공중합 가능한 페놀류로는, 예를 들어, 페놀, 크레졸, 디메틸페놀, 트리메틸페놀, 부틸페놀, 페닐페놀, 디페닐페놀, 나프틸페놀, 레조르시놀, 메틸레조르시놀, 카테콜, 부틸카테콜, 메톡시페놀, 메톡시페놀, 프로필페놀, 피로갈롤, 티몰 등을 드는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다.
또한, 상기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 서술한 다른 페놀류 이외에, 중합가능한 모노머와 공중합시킨 것일 수도 있다. 이러한 공중합모노머로는, 예를 들어, 나프톨, 메틸나프톨, 메톡시나프톨, 디하이드록시나프탈렌, 인덴, 하이드록시인덴, 벤조푸란, 하이드록시안트라센, 아세나프틸렌, 비페닐, 비스페놀, 트리스페놀, 디시클로펜타디엔, 테트라하이드로인덴, 4-비닐시클로헥센, 노보나디엔, 비닐노보나엔, 피넨, 리모넨 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 한편, 상기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 식(1)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 페놀류와의 2원 이상의(예를 들어, 2~4원계) 공중합체여도, 상기 식(1)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 공중합모노머와의 2원 이상(예를 들어, 2~4원계) 공중합체여도, 상기 식(1)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 페놀류와 상기 서술한 공중합모노머와의 3원 이상의(예를 들어, 3~4원계) 공중합체여도 관계없다.
한편, 상기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지의 분자량은, 특별히 한정되지 않으나, 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량(Mw)이 500~30,000인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 750~20,000이다. 또한, 가교효율을 높임과 함께 베이크 중의 휘발성분을 억제하는 관점으로부터, 상기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 분산도(중량평균분자량Mw/수평균분자량Mn)가 1.2~7의 범위 내인 것이 바람직하다. 한편, 상기 Mn은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 구할 수 있다.
상기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 습식 프로세스의 적용이 보다 용이해지는 등의 관점으로부터, 용매에 대한 용해성이 높은 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 이들 수지는, 1-메톡시-2-프로판올(PGME) 및/또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 용매로 하는 경우, 해당 용매에 대한 용해도가 10질량% 이상인 것이 바람직하다. 여기서, PGME 및/또는 PGMEA에 대한 용해도는, 「수지의 질량÷(수지의 질량+용매의 질량)×100(질량%)」이라 정의된다. 예를 들어, 상기 수지 10g이 PGMEA 90g에 대해 용해되는 경우는, 상기 수지의 PGMEA에 대한 용해도는, 「10질량% 이상」이 되고, 용해되지 않는 경우는, 「10질량% 미만」이 된다.
[식(2)로 표시되는 화합물]
본 실시형태의 화합물은, 하기 식(2)로 표시되는 것이 바람직하다. 식(2)로 표시되는 화합물은, 내열성이 높고, 용매용해성도 높은 경향이 있다.
[화학식 506]
Figure pct00506
(식(2) 중, R0A는, 상기 RY와 동의이고,
R1A는, 탄소수 1~30의 nA가의 기 또는 단결합이고,
R2A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
nA는, 상기 N과 동의이고, 여기서, nA가 2 이상의 정수인 경우, nA개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
XA는, 상기 X와 동의이고,
m2A는, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m2A는 1~7의 정수이고,
qA는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.)
식(2) 중, R0A는, 상기 RY와 동의이다.
R1A는, 탄소수 1~60의 nA가의 기 또는 단결합이다. nA는 상기 N과 동의이고, 1~4의 정수이다. 식(2) 중, nA가 2 이상의 정수인 경우, nA개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있다.
한편, 상기 nA가의 기란, nA=1일 때에는, 탄소수 1~60의 알킬기, nA=2일 때에는, 탄소수 1~30의 알킬렌기, nA=3일 때에는, 탄소수 2~60의 알칸프로파일기, nA=4일 때에는, 탄소수 3~60의 알칸테트라일 기인 것을 나타낸다. 상기 n가의 기로는, 예를 들어, 직쇄상 탄화수소기, 분지상 탄화수소기 또는 지환식 탄화수소기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 지환식 탄화수소기에 대해서는, 유교지환식 탄화수소기도 포함된다. 또한, 상기 n가의 탄화수소기는, 지환식 탄화수소기, 이중결합, 헤테로원자 혹은 탄소수 6~60의 방향족기를 갖고 있을 수도 있다.
R2A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다. 한편, 상기 알킬기, 알케닐기 및 알콕시기는, 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 기일 수도 있다.
XA는, 상기 X와 동의이고, 각각 독립적으로, 산소원자, 황원자 또는 무가교인 것을 나타낸다. 여기서, XA가 산소원자 또는 황원자인 경우, 높은 내열성을 발현하는 경향이 있으므로 바람직하고, 산소원자인 것이 보다 바람직하다. XA는, 용해성의 관점으로부터는, 무가교인 것이 바람직하다.
m2A는, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이다. 단, 적어도 1개의 m2A는 1~7의 정수이다. qA는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다. 또한, 식(2) 중, 나프탈렌구조로 나타나는 부위는, qA=0인 경우에는 단환구조이고, qA=1인 경우에는 이환구조이다. 상기 서술한 m2A는, qA로 결정되는 환구조에 따라 그 수치범위가 결정된다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 비교적 저분자량이면서도, 그 구조는 강직하고, 또한, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기가 고온에서 가교반응을 일으킴으로써 높은 내열성을 가지므로, 고온베이크 조건에서도 사용가능하다. 또한, 분자 중에 3급탄소 또는 4급탄소를 갖고 있으며, 결정성이 억제되어, 리소그래피용 막 제조에 사용할 수 있는 리소그래피용 막형성 조성물로서 호적하게 사용된다.
또한, 상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 안전용매에 대한 용해성이 높고, 내열성 및 에칭내성이 양호하며, 이것을 포함하는 본 실시형태의 리소그래피용 레지스트 형성 조성물은 양호한 레지스트패턴형상을 부여한다.
나아가, 상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 비교적 저분자량이고 저점도인 점에서, 단차를 갖는 기판(특히, 미세한 스페이스나 홀패턴 등)이어도, 그 단차의 구석까지 균일하게 충전시키면서, 막의 평탄성을 높이는 것이 용이하다. 따라서, 이것을 포함하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물은, 매립 및 평탄화특성이 비교적 양호하다. 또한, 비교적 높은 탄소농도를 갖는 화합물인 점에서, 높은 에칭내성도 갖는다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 방향족 밀도가 높기 때문에 굴절률이 높고, 또한 저온에서부터 고온까지의 광범위한 열처리에 의해 착색이 억제되는 점에서, 각종 광학부품 형성 조성물에 함유시키는 화합물로서도 유용하다. 상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 화합물의 산화분해를 억제하여 착색을 억제하고, 내열성 및 용매용해성을 향상시키는 관점으로부터, 4급탄소를 갖는 것이 바람직하다. 광학부품은, 필름상, 시트상으로 사용되는 것 외에, 플라스틱렌즈(프리즘렌즈, 렌티큘러렌즈, 마이크로렌즈, 프레넬렌즈, 시야각제어렌즈, 콘트라스트향상렌즈 등), 위상차필름, 전자파실드용 필름, 프리즘, 광파이버, 플렉서블프린트배선용 솔더레지스트, 도금레지스트, 다층프린트배선판용 층간절연막, 감광성 광도파로로서 유용하다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 가교의 용이함과 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 하기 식(2-1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 507]
Figure pct00507
식(2-1) 중, R0A, R1A, nA 및 qA 및 XA는, 상기 식(2)에서 설명한 것과 동의이다. R3A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 직쇄상, 분지상 혹은 환상의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기이고, 동일한 나프탈렌환 또는 벤젠환에 있어서 동일할 수도 상이할 수도 있다. R4A는, 각각 독립적으로, 수소원자이고, 여기서, R3A의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고, m6A는, 각각 독립적으로, 0~5의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m6A는 1~5의 정수이다.
식(2-1)로 표시되는 화합물을 알칼리현상네가티브형 레지스트용 리소그래피용 막형성 조성물, 하층막용 리소그래피용 막형성 조성물 또는 광학부품 형성 조성물로서 사용할 때는, R4A의 적어도 1개는 수소원자인 것이 바람직하다.
또한, 원료의 공급성의 관점으로부터, 상기 식(2-1)로 표시되는 화합물은 하기 식(2a)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 508]
Figure pct00508
상기 식(2a) 중, XA, R0A~R2A, m2A 및 nA는, 상기 식(2)에서 설명한 것과 동의이다.
또한, 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 상기 식(2-1)로 표시되는 화합물은, 하기 식(2b)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 509]
Figure pct00509
상기 식(2b) 중, XA, R0A, R1A, R3A, R4A, m6A 및 nA는, 상기 식(2-1)에서 설명한 것과 동의이다.
또한, 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 상기 식(2-1)로 표시되는 화합물은 하기 식(2c)로 표시되는 화합물인 것이 더욱 바람직하다.
[화학식 510]
Figure pct00510
상기 식(2c) 중, XA, R0A, R1A, R3A, R4A, m6A 및 nA는, 상기 식(2-1)에서 설명한 것과 동의이다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 추가적인 유기용매에 대한 용해성의 관점으로부터, 하기 식(BisN-1)~(BisN-4), (XBisN-1)~(XBisN-3), (BiN-1)~(BiN-4) 또는 (XBiN-1)~(XBiN-3)으로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하다. 구체예 중의 R3A 및 R4A는 상기 서술한 것과 동의이다.
[화학식 511]
Figure pct00511
[화학식 512]
Figure pct00512
[화학식 513]
Figure pct00513
[화학식 514]
Figure pct00514
[화학식 515]
Figure pct00515
[화학식 516]
Figure pct00516
[화학식 517]
Figure pct00517
[화학식 518]
Figure pct00518
[화학식 519]
Figure pct00519
[화학식 520]
Figure pct00520
[화학식 521]
Figure pct00521
[화학식 522]
Figure pct00522
[화학식 523]
Figure pct00523
[화학식 524]
Figure pct00524
상기 식(BisN-1)~(BisN-4), (XBisN-1)~(XBisN-3), (BiN-1)~(BiN-4) 또는 (XBiN-1)~(XBiN-3) 중, R3A 및 R4A는 상기 식(2-1)에서 설명한 것과 동의이다. 단, R3A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다.
[식(2)로 표시되는 화합물의 제조방법]
본 실시형태에 있어서의 식(2)로 표시되는 화합물은, 공지의 수법을 응용하여 적당히 합성할 수 있고, 그 합성수법은 특별히 한정되지 않는다.
예를 들어, 식(2)로 표시되는 화합물은, 상압하, 비페놀류, 비나프톨류 또는 비안트라센올류와, 대응하는 알데히드류 또는 케톤류를 산촉매하에서 중축합반응시키고, 식(2)의 전구체물질을 얻은 후, 염기성촉매의 존재하에서, 상압하, 상기 전구체물질, 포름알데히드를 반응시킴으로써, 상기 식(2)로 표시되는, 하이드록시메틸기를 포함하는 화합물을 얻을 수 있다.
또한 반응시에 탄소수 1~4의 알코올을 이용하면, 상기 식(2)로 표시되는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기를 포함하는 화합물을 얻을 수 있다.
또한, 상기 합성은 필요에 따라, 가압하에서 행할 수도 있다.
상기 나프톨류로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 나프톨, 메틸나프톨, 메톡시나프톨, 나프탈렌디올 등을 들 수 있고, 나프탈렌디올을 이용하는 것이 크산텐구조를 용이하게 만들 수 있는 점에서 보다 바람직하다.
상기 페놀류로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 페놀, 메틸페놀, 메톡시벤젠, 카테콜, 레조르시놀, 하이드로퀴논, 트리메틸하이드로퀴논 등을 들 수 있다.
상기 알데히드류로는, 예를 들어, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, 페닐프로필알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 벤즈알데히드, 페닐아세트알데히드, 페닐프로필알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 시클로헥실벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄을 이용하는 것이, 높은 내열성을 부여하는 관점으로부터 바람직하고, 벤즈알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 시클로헥실벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄을 이용하는 것이, 높은 에칭내성을 부여하는 관점으로부터 보다 바람직하다.
상기 케톤류로는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로부탄온, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 노보난온, 트리시클로헥사논, 트리시클로데칸온, 아다만탄온, 플루오레논, 벤조플루오레논, 아세나프텐퀴논, 아세나프테논, 안트라퀴논, 아세토페논, 디아세틸벤젠, 트리아세틸벤젠, 아세토나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐, 벤조페논, 디페닐카르보닐벤젠, 트리페닐카르보닐벤젠, 벤조나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 노보난온, 트리시클로헥사논, 트리시클로데칸온, 아다만탄온, 플루오레논, 벤조플루오레논, 아세나프텐퀴논, 아세나프테논, 안트라퀴논, 아세토페논, 디아세틸벤젠, 트리아세틸벤젠, 아세토나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐, 벤조페논, 디페닐카르보닐벤젠, 트리페닐카르보닐벤젠, 벤조나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐을 이용하는 것이, 높은 내열성을 부여하는 관점으로부터 바람직하고, 아세토페논, 디아세틸벤젠, 트리아세틸벤젠, 아세토나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐, 벤조페논, 디페닐카르보닐벤젠, 트리페닐카르보닐벤젠, 벤조나프톤, 디페닐카르보닐나프탈렌, 페닐카르보닐비페닐, 디페닐카르보닐비페닐을 이용하는 것이, 높은 에칭내성을 부여하는 관점으로부터 보다 바람직하다.
케톤류로는, 방향환을 갖는 케톤을 이용하는 것이, 높은 내열성 및 높은 에칭내성을 겸비하는 관점으로부터 바람직하다.
상기 산촉매는, 특별히 한정되지 않고, 주지의 무기산, 유기산으로부터 적당히 선택할 수 있다. 예를 들어, 염산, 황산, 인산, 브롬화수소산, 불산 등의 무기산; 옥살산, 포름산, p-톨루엔설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로아세트산, 트리플루오로메탄설폰산, 벤젠설폰산, 나프탈렌설폰산, 나프탈렌디설폰산 등의 유기산; 염화아연, 염화알루미늄, 염화철, 삼불화붕소 등의 루이스산; 혹은 규텅스텐산, 인텅스텐산, 규몰리브덴산 또는 인몰리브덴산 등의 고체산을 들 수 있다. 상기 중에서도, 입수의 용이함이나 취급용이함 등의 제조 상의 관점으로부터, 염산 또는 황산을 이용하는 것이 바람직하다. 또한 산촉매에 대해서는, 1종류 또는 2종류 이상을 이용할 수 있다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물을 제조할 때에는, 반응용매를 이용할 수도 있다. 반응용매로는, 이용하는 알데히드류 또는 케톤류와 나프톨류 등과의 반응이 진행된다면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 테트라하이드로푸란, 디옥산 또는 이들 혼합용매를 이용할 수 있다. 상기 용매의 양은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 반응원료 100질량부에 대해 0~2000질량부의 범위이다.
상기 폴리페놀 화합물을 제조할 때의 반응온도는, 특별히 한정되지 않고, 반응원료의 반응성에 따라 적당히 선택할 수 있는데, 10~200℃의 범위인 것이 바람직하다. 본 실시형태의 식(2)로 표시되는 화합물을 선택성 좋게 합성하는 관점으로부터는, 온도가 낮은 편이 효과가 높고, 10~60℃의 범위가 보다 바람직하다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물의 제조방법은, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 나프톨류 등, 알데히드류 또는 케톤류, 촉매를 일괄로 투입하는 방법이나, 촉매존재하 나프톨류나 케톤류를 적하해 가는 방법을 들 수 있다. 중축합반응 종료 후, 계 내에 존재하는 미반응원료, 촉매 등을 제거하기 위해, 반응솥의 온도를 130~230℃까지 상승시키고, 1~50mmHg 정도에서 휘발분을 제거할 수도 있다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물을 제조할 때의 원료의 양은, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 알데히드류 또는 케톤류 1몰에 대해, 나프톨류 등을 2몰~과잉량, 및 산촉매를 0.001~1몰 사용하고, 상압에서, 20~60℃에서 20분간~100시간 정도 반응시킴으로써 진행한다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물을 제조할 때에는, 상기 반응 종료 후, 공지의 방법에 의해 목적물을 단리한다. 목적물의 단리방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 반응액을 농축하고, 순수를 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행해 분리하고, 얻어진 고형물을 여과하고, 건조시킨 후, 컬럼크로마토에 의해, 부생성물과 분리정제하고, 용매유거, 여과, 건조를 행해 목적화합물을 얻는 방법을 들 수 있다.
폴리페놀 화합물에 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 도입하는 방법은 공지이다. 예를 들어, 이하와 같이 하여, 폴리페놀 화합물에 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 도입할 수 있다.
예를 들어, 메탄올, 에탄올 등의 유기용매 중, 염기성촉매의 존재하에서, 상기 폴리페놀 화합물 1몰에 대해, 포름알데히드를 0.1~100몰을 0~150℃에서 0.5~20시간 정도 반응시킨다. 이어서, 용매농축, 여과, 메탄올 등의 알코올류로의 세정, 수세, 여과에 의한 분리 후, 건조시킴으로써 적어도 1개의 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 갖는 화합물이 얻어진다.
탄소수 2~5의 알콕시메틸기를 포함하는 화합물은, 예를 들어, 메탄올, 에탄올 등의 유기용매 중, 염기성촉매의 존재하에서, 상기 서술한 적어도 1개의 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 갖는 화합물 1몰에 대해, 탄소수 1~4의 포화지방족 알코올 0.1~100몰을, 0~150℃에서 0.5~20시간 정도 반응시킨다. 이어서, 용매농축, 여과, 메탄올 등의 알코올류로의 세정, 수세, 여과에 의한 분리 후, 건조시킴으로써 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기를 포함하는 1가의 기를 갖는 화합물이 얻어진다.
한편, 적어도 1개의 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 도입할 타이밍에 대해서는, 비나프톨류와 알데히드류 또는 케톤류와의 축합반응 후뿐만 아니라, 축합반응의 전단계여도 된다. 또한, 후술하는 수지의 제조를 행한 후에 행해도 된다.
본 실시형태에 있어서, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기는, 라디칼 또는 산/알칼리의 존재하에서 반응하며, 도포용매나 현상액에 사용되는 산, 알칼리 또는 유기용매에 대한 용해성이 변화한다. 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기는, 더욱 고감도·고해상도의 패턴 형성을 가능하게 하기 위해, 라디칼 또는 산/알칼리의 존재하에서 연쇄적으로 반응을 일으키는 성질을 갖는 것이 바람직하다.
[식(2)로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지의 제조방법]
상기 식(2)로 표시되는 화합물은, 리소그래피용 막형성 조성물로서, 그대로 사용할 수 있다. 또한, 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지로서도 사용할 수 있다. 환언하면, 해당 수지는 상기 식(2)에서 유래하는 단위구조를 갖는 수지이다. 예를 들어, 상기 식(2)로 표시되는 화합물과 가교반응성이 있는 화합물을 반응시켜 얻어지는 수지로서도 사용할 수 있다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지로는, 예를 들어, 이하의 식(4)로 표시되는 구조를 갖는 수지를 들 수 있다. 즉, 본 실시형태의 조성물은, 하기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는 수지를 함유하는 것일 수도 있다.
[화학식 525]
Figure pct00525
식(4) 중, L은, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕실렌기 또는 단결합이고, 상기 알킬렌기, 상기 아릴렌기, 상기 알콕실렌기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
R0A, R1A, R2A, m2A, nA, qA 및 XA는 상기 식(2)에 있어서의 것과 동의이고,
nA가 2 이상의 정수인 경우, nA개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있다.
단, R2A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기를 포함한다.
본 실시형태의 수지는, 예를 들어, 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 가교반응성이 있는 화합물과 반응시킴으로써 얻어진다.
가교반응성이 있는 화합물로는, 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 올리고머화 또는 폴리머화할 수 있는 것인 한, 공지의 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 그 구체예로는, 예를 들어, 알데히드, 케톤, 카르본산, 카르본산할라이드, 할로겐함유 화합물, 아미노 화합물, 이미노 화합물, 이소시아네이트, 불포화탄화수소기함유 화합물 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다.
상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지의 구체예로는, 예를 들어, 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 가교반응성이 있는 화합물인 알데히드 및/또는 케톤과의 축합반응 등에 의해 노볼락화한 수지를 들 수 있다.
여기서, 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 노볼락화할 때에 이용하는 알데히드로는, 예를 들어, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, 페닐프로필알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 메틸벤즈알데히드, 에틸벤즈알데히드, 부틸벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프토알데히드, 안트라센카르보알데히드, 페난트렌카르보알데히드, 피렌카르보알데히드, 푸르푸랄 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 케톤으로는, 상기 케톤류를 들 수 있다. 이들 중에서도, 포름알데히드가 보다 바람직하다. 한편, 이들 알데히드 및/또는 케톤류는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 상기 알데히드 및/또는 케톤류의 사용량은, 특별히 한정되지 않으나, 상기 식(2)로 표시되는 화합물 1에 대해, 0.2~5몰이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~2몰이다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물과 알데히드 및/또는 케톤과의 축합반응에 있어서는, 산촉매를 이용할 수도 있다. 여기서 사용하는 산촉매에 대해서는, 공지의 것으로부터 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 산촉매로는, 무기산이나 유기산이 널리 알려져 있으며, 예를 들어, 염산, 황산, 인산, 브롬화수소산, 불산 등의 무기산; 옥살산, 말론산, 석신산, 아디프산, 세바스산, 구연산, 푸마르산, 말레산, 포름산, p-톨루엔설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로메탄설폰산, 벤젠설폰산, 나프탈렌설폰산, 나프탈렌디설폰산 등의 유기산; 염화아연, 염화알루미늄, 염화철, 삼불화붕소 등의 루이스산, 혹은 규텅스텐산, 인텅스텐산, 규몰리브덴산 또는 인몰리브덴산 등의 고체산 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들 중에서도, 제조 상의 관점으로부터, 유기산 또는 고체산이 바람직하고, 입수의 용이함이나 취급용이함 등의 제조 상의 관점으로부터, 염산 또는 황산이 바람직하다. 한편, 산촉매에 대해서는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 산촉매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가서는 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대해, 0.01~100질량부인 것이 바람직하다. 단, 인덴, 하이드록시인덴, 벤조푸란, 하이드록시안트라센, 아세나프틸렌, 비페닐, 비스페놀, 트리스페놀, 디시클로펜타디엔, 테트라하이드로인덴, 4-비닐시클로헥센, 노보나디엔, 5-비닐노보나-2-엔, α-피넨, β-피넨, 리모넨 등의 비공역이중결합을 갖는 화합물과의 공중합반응인 경우는, 반드시 알데히드류가 필요하지는 않다.
상기 식(2)로 표시되는 화합물과 알데히드 및/또는 케톤과의 축합반응에 있어서, 반응용매를 이용할 수도 있다. 이 중축합에 있어서의 반응용매로는, 공지의 것 중에서 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 테트라하이드로푸란, 디옥산 또는 이들의 혼합용매 등이 예시된다. 한편, 용매는, 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 이들 용매의 사용량은, 사용하는 원료 및 사용하는 촉매의 종류, 더 나아가서는 반응조건 등에 따라 적당히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 반응원료 100질량부에 대해 0~2000질량부의 범위인 것이 바람직하다. 나아가, 반응온도는, 반응원료의 반응성에 따라 적당히 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 통상 10~200℃의 범위이다. 한편, 반응방법은, 공지의 수법을 적당히 선택하여 이용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 상기 식(2)로 표시되는 화합물, 알데히드 및/또는 케톤류, 촉매를 일괄로 투입하는 방법이나, 상기 식(2)로 표시되는 화합물이나 알데히드 및/또는 케톤류를 촉매존재하에서 적하해 가는 방법이 있다.
중축합반응 종료 후, 얻어진 화합물의 단리는, 상법에 따라 행할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 계 내에 존재하는 미반응원료나 촉매 등을 제거하기 위해, 반응솥의 온도를 130~230℃까지 상승시키고, 1~50mmHg 정도에서 휘발분을 제거하는 등의 일반적 수법을 채용함으로써, 목적물인 노볼락화한 수지를 얻을 수 있다.
여기서, 상기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 식(2)로 표시되는 화합물의 단독중합체일 수도 있는데, 다른 페놀류와의 공중합체일 수도 있다. 여기서 공중합 가능한 페놀류로는, 예를 들어, 페놀, 크레졸, 디메틸페놀, 트리메틸페놀, 부틸페놀, 페닐페놀, 디페닐페놀, 나프틸페놀, 레조르시놀, 메틸레조르시놀, 카테콜, 부틸카테콜, 메톡시페놀, 메톡시페놀, 프로필페놀, 피로갈롤, 티몰 등을 드는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다.
또한, 상기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 서술한 다른 페놀류 이외에, 중합가능한 모노머와 공중합시킨 것일 수도 있다. 이러한 공중합모노머로는, 예를 들어, 나프톨, 메틸나프톨, 메톡시나프톨, 디하이드록시나프탈렌, 인덴, 하이드록시인덴, 벤조푸란, 하이드록시안트라센, 아세나프틸렌, 비페닐, 비스페놀, 트리스페놀, 디시클로펜타디엔, 테트라하이드로인덴, 4-비닐시클로헥센, 노보나디엔, 비닐노보나엔, 피넨, 리모넨 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 한편, 상기 식(2)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 상기 식(2)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 페놀류와의 2원 이상의(예를 들어, 2~4원계) 공중합체여도, 상기 식(2)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 공중합모노머와의 2원 이상(예를 들어, 2~4원계) 공중합체여도, 상기 식(2)로 표시되는 화합물과 상기 서술한 페놀류와 상기 서술한 공중합모노머와의 3원 이상의(예를 들어, 3~4원계) 공중합체여도 관계없다.
한편, 상기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는 수지의 분자량은, 특별히 한정되지 않으나, 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량(Mw)이 500~30,000인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 750~20,000이다. 또한, 가교효율을 높임과 함께 베이크 중의 휘발성분을 억제하는 관점으로부터, 상기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 분산도(중량평균분자량Mw/수평균분자량Mn)가 1.2~7의 범위 내인 것이 바람직하다. 한편, 상기 Mn은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 구할 수 있다.
상기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는 수지는, 습식 프로세스의 적용이 보다 용이해지는 등의 관점으로부터, 용매에 대한 용해성이 높은 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 이들 수지는, 1-메톡시-2-프로판올(PGME) 및/또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 용매로 하는 경우, 해당 용매에 대한 용해도가 10질량% 이상인 것이 바람직하다. 여기서, PGME 및/또는 PGMEA에 대한 용해도는, 「수지의 질량÷(수지의 질량+용매의 질량)×100(질량%)」으로 정의된다. 예를 들어, 상기 수지 10g이 PGMEA 90g에 대해 용해되는 경우는, 상기 수지의 PGMEA에 대한 용해도는, 「10질량% 이상」이 되고, 용해되지 않는 경우는, 「10질량% 미만」이 된다.
[화합물 및/또는 수지의 정제방법]
상기 식(0)으로 표시되는 화합물 및 이것을 모노머로 하여 얻어지는 수지는 이하의 정제방법에 의해 정제할 수 있다. 즉, 본 실시형태의 화합물 및/또는 수지의 정제방법은, 상기 식(0)으로 표시되는 화합물 및 이것을 모노머로 하여 얻어지는 수지(예를 들어, 상기 식(1)로 표시되는 화합물, 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지, 상기 식(2)로 표시되는 화합물 및 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지로부터 선택되는 1종 이상)를, 용매에 용해시켜 용액(S)을 얻는 공정과, 얻어진 용액(S)과 산성의 수용액을 접촉시켜, 상기 화합물 및/또는 상기 수지 중의 불순물을 추출하는 공정(제1 추출공정)을 포함하고, 상기 용액(S)을 얻는 공정에서 이용하는 용매가, 물과 임의로 혼화되지 않는 유기용매를 포함한다.
해당 제1 추출공정에 있어서, 상기 수지는, 예를 들어, 상기 식(1)로 표시되는 화합물 및/또는 식(2)로 표시되는 화합물과 가교반응성이 있는 화합물과의 반응에 의해 얻어지는 수지인 것이 바람직하다. 상기 정제방법에 의하면, 상기 서술한 특정 구조를 갖는 화합물 또는 수지에 불순물로서 포함될 수 있는 여러가지 금속의 함유량을 저감할 수 있다.
보다 상세하게는, 상기 정제방법에 있어서는, 상기 화합물 및/또는 상기 수지를, 물과 임의로 혼화되지 않는 유기용매에 용해시켜 용액(S)을 얻고, 다시 그 용액(S)을 산성수용액과 접촉시켜 추출처리를 행할 수 있다. 이에 따라, 상기 용액(S)에 포함되는 금속분을 수상으로 이행시킨 후, 유기상과 수상을 분리하여 금속함유량이 저감된 화합물 및/또는 수지를 얻을 수 있다.
상기 정제방법에서 사용하는 화합물 및 수지는 단독사용이어도 되나, 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다. 또한, 상기 화합물이나 수지는, 각종 계면활성제, 각종 가교제, 각종 산발생제, 각종 안정제 등을 함유하고 있을 수도 있다.
상기 정제방법에서 사용되는 물과 임의로 혼화되지 않는 용매로는, 특별히 한정되지 않으나, 반도체 제조 프로세스에 안전하게 적용할 수 있는 유기용매가 바람직하고, 구체적으로는, 실온하에 있어서의 물에 대한 용해도가 30% 미만인 유기용매이고, 보다 바람직하게는 실온하에 있어서의 물에 대한 용해도가 20% 미만이고, 특히 바람직하게는 10% 미만인 유기용매이다. 해당 유기용매의 사용량은, 사용하는 화합물과 수지의 합계량에 대해, 1~100질량배인 것이 바람직하다.
물과 임의로 혼화되지 않는 용매의 구체예로는, 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르 등의 에테르류, 아세트산에틸, 아세트산n-부틸, 아세트산이소아밀 등의 에스테르류, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 시클로펜탄온, 2-헵탄온, 2-펜탄온 등의 케톤류; 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 글리콜에테르아세테이트류; n-헥산, n-헵탄 등의 지방족 탄화수소류; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류; 염화메틸렌, 클로로포름 등의 할로겐화탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 톨루엔, 2-헵탄온, 시클로헥사논, 시클로펜탄온, 메틸이소부틸케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아세트산에틸 등이 바람직하고, 메틸이소부틸케톤, 아세트산에틸, 시클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 보다 바람직하고, 메틸이소부틸케톤, 아세트산에틸이 더욱 더 바람직하다. 메틸이소부틸케톤, 아세트산에틸 등은, 상기 화합물 및 이 화합물을 구성성분으로서 포함하는 수지의 포화용해도가 비교적 높고, 비점이 비교적 낮은 점에서, 공업적으로 용매를 유거하는 경우나 건조에 의해 제거하는 공정에서의 부하를 저감하는 것이 가능해진다. 이들 용매는 각각 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.
상기 정제방법에서 사용되는 산성의 수용액으로는, 일반적으로 알려진 유기계 화합물 혹은 무기계 화합물을 물에 용해시킨 수용액 중에서 적당히 선택된다. 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, 염산, 황산, 질산, 인산 등의 무기산을 물에 용해시킨 무기산수용액, 또는, 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 말론산, 석신산, 푸마르산, 말레산, 주석산, 구연산, 메탄설폰산, 페놀설폰산, p-톨루엔설폰산, 트리플루오로아세트산 등의 유기산을 물에 용해시킨 유기산수용액을 들 수 있다. 이들 산성의 수용액은, 각각 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 이들 산성의 수용액 중에서도, 염산, 황산, 질산 및 인산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기산수용액, 또는, 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 말론산, 석신산, 푸마르산, 말레산, 주석산, 구연산, 메탄설폰산, 페놀설폰산, p-톨루엔설폰산 및 트리플루오로아세트산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기산수용액인 것이 바람직하고, 황산, 질산, 및 아세트산, 옥살산, 주석산, 구연산 등의 카르본산의 수용액이 보다 바람직하고, 황산, 옥살산, 주석산, 구연산의 수용액이 더욱 바람직하고, 옥살산의 수용액이 더욱 더 바람직하다. 옥살산, 주석산, 구연산 등의 다가카르본산은 금속이온에 배위하고, 킬레이트효과가 발생하기 때문에, 보다 효과적으로 금속을 제거할 수 있는 경향이 있는 것으로 생각된다. 또한, 여기서 이용하는 물은, 본 실시형태의 정제방법의 목적을 따라, 금속함유량이 적은 물, 예를 들어 이온교환수 등을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 정제방법에서 사용하는 산성의 수용액의 pH는 특별히 한정되지 않으나, 상기 화합물이나 수지에 대한 영향을 고려하여, 수용액의 산성도를 조정하는 것이 바람직하다. 통상, pH범위는 0~5 정도이고, 바람직하게는 pH0~3 정도이다.
상기 정제방법에서 사용하는 산성의 수용액의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 금속제거를 위한 추출횟수를 저감하는 관점 및 전체의 액량을 고려하여 조작성을 확보하는 관점으로부터, 해당 사용량을 조정하는 것이 바람직하다. 상기 관점으로부터, 산성의 수용액의 사용량은, 상기 용액(S) 100질량%에 대해, 바람직하게는 10~200질량%이고, 보다 바람직하게는 20~100질량%이다.
상기 정제방법에 있어서는, 상기 산성의 수용액과, 상기 용액(S)을 접촉시킴으로써, 용액(S) 중의 상기 화합물 또는 상기 수지로부터 금속분을 추출할 수 있다.
상기 정제방법에 있어서는, 상기 용액(S)이, 추가로 물과 임의로 혼화되는 유기용매를 포함하는 것이 바람직하다. 물과 임의로 혼화되는 유기용매를 포함하는 경우, 상기 화합물 및/또는 수지의 투입량을 증가시킬 수 있고, 또한, 분액성이 향상되고, 높은 솥효율로 정제를 행할 수 있는 경향이 있다. 물과 임의로 혼화되는 유기용매를 첨가하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 미리 유기용매를 포함하는 용액에 첨가하는 방법, 미리 물 또는 산성의 수용액에 첨가하는 방법, 유기용매를 포함하는 용액과 물 또는 산성의 수용액을 접촉시킨 후에 첨가하는 방법 중 어느 것이어도 된다. 이들 중에서도, 미리 유기용매를 포함하는 용액에 첨가하는 방법이 조작의 작업성이나 투입량의 관리의 용이함의 점에서 바람직하다.
상기 정제방법에서 사용되는 물과 임의로 혼화되는 유기용매로는, 특별히 한정되지 않으나, 반도체 제조 프로세스에 안전하게 적용할 수 있는 유기용매가 바람직하다. 물과 임의로 혼화되는 유기용매의 사용량은, 용액상과 수상이 분리되는 범위이면 특별히 한정되지 않으나, 사용하는 화합물과 수지의 합계량에 대해, 0.1~100질량배인 것이 바람직하고, 0.1~50질량배인 것이 보다 바람직하고, 0.1~20질량배인 것이 더욱 바람직하다.
상기 정제방법에 있어서 사용되는 물과 임의로 혼화되는 유기용매의 구체예로는, 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, 테트라하이드로푸란, 1,3-디옥솔란 등의 에테르류; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류; 아세톤, N-메틸피롤리돈 등의 케톤류; 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류 등의 지방족 탄화수소류를 들 수 있다. 이들 중에서도, N-메틸피롤리돈, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등이 바람직하고, N-메틸피롤리돈, 프로필렌글리콜모노메틸에테르가 보다 바람직하다. 이들 용매는 각각 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.
추출처리를 행할 때의 온도는, 통상 20~90℃이고, 바람직하게는 30~80℃의 범위이다. 추출조작은, 예를 들어, 교반 등에 의해, 잘 혼합시킨 후, 정치함으로써 행해진다. 이에 따라, 용액(S) 중에 포함되어 있던 금속분이 수상으로 이행된다. 또한, 본 조작에 의해, 용액의 산성도가 저하되고, 화합물 및/또는 수지의 변질을 억제할 수 있다.
상기 혼합용액은 정치에 의해, 화합물 및/또는 수지와 용매를 포함하는 용액상과, 수상으로 분리되므로, 디캔테이션 등에 의해, 용액상을 회수한다. 정치하는 시간은 특별히 한정되지 않으나, 용매를 포함하는 용액상과 수상의 분리를 보다 양호하게 하는 관점으로부터, 해당 정치하는 시간을 조정하는 것이 바람직하다. 통상, 정치하는 시간은 1분 이상이고, 바람직하게는 10분 이상이고, 보다 바람직하게는 30분 이상이다. 또한, 추출처리는 1회뿐이어도 상관없으나, 혼합, 정치, 분리라는 조작을 복수회 반복하여 행하는 것도 유효하다.
상기 정제방법에 있어서, 상기 제1 추출공정 후, 상기 화합물 또는 상기 수지를 포함하는 용액상을, 다시 물에 접촉시켜, 상기 화합물 또는 상기 수지 중의 불순물을 추출하는 공정(제2 추출공정)을 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 산성의 수용액을 이용하여 상기 추출처리를 행한 후에, 이 수용액으로부터 추출되고, 회수된 화합물 및/또는 수지와 용매를 포함하는 용액상을, 다시 물에 의한 추출처리에 제공하는 것이 바람직하다. 상기의 물에 의한 추출처리는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 상기 용액상과 물을, 교반 등에 의해, 잘 혼합시킨 후, 얻어진 혼합용액을, 정치함으로써 행할 수 있다. 해당 정치 후의 혼합용액은, 화합물 및/또는 수지와 용매를 포함하는 용액상과, 수상으로 분리되므로 디캔테이션 등에 의해, 용액상을 회수할 수 있다.
또한, 여기서 이용하는 물은, 본 실시의 형태의 목적을 따라, 금속함유량이 적은 물, 예를 들어, 이온교환수 등인 것이 바람직하다. 추출처리는 1회뿐이어도 상관없으나, 혼합, 정치, 분리라는 조작을 복수회 반복하여 행하는 것도 유효하다. 또한, 추출처리에 있어서의 양자의 사용비율이나, 온도, 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않으나, 앞서 산성의 수용액과의 접촉처리의 경우와 동일해도 상관없다.
이렇게 해서 얻어진 화합물 및/또는 수지와 용매를 포함하는 용액에 혼입할 수 있는 수분에 대해서는, 감압증류 등의 조작을 실시함으로써 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 필요에 따라 상기 용액에 용매를 첨가하고, 화합물 및/또는 수지의 농도를 임의의 농도로 조정할 수 있다.
얻어진 화합물 및/또는 수지와 용매를 포함하는 용액으로부터, 화합물 및/또는 수지를 단리하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 감압제거, 재침전에 의한 분리, 및 이들의 조합 등, 공지의 방법으로 행할 수 있다. 필요에 따라, 농축조작, 여과조작, 원심분리조작, 건조조작 등의 공지의 처리를 행할 수 있다.
《조성물》
본 실시형태에 있어서의 조성물은, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유한다. 본 실시형태의 조성물은, 용매, 산발생제, 가교제(예를 들어, 산가교제), 가교촉진제, 라디칼중합개시제 등을 추가로 함유할 수 있다. 본 실시형태의 조성물은, 리소그래피용 막형성용도(즉, 리소그래피용 막형성 조성물)나 광학부품 형성용도로 이용할 수 있다.
[리소그래피용 막형성 조성물]
본 실시형태의 조성물은, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상(예를 들어, 상기 식(1)로 표시되는 화합물, 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지, 상기 식(2)로 표시되는 화합물 및 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 모노머로 하여 얻어지는 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상)을 레지스트기재로서 함유할 수 있다.
[화학증폭형 레지스트용도용 리소그래피용 막형성 조성물]
본 실시형태의 조성물은 화학증폭형 레지스트용도용 리소그래피용 막형성 조성물(이하, 「레지스트 조성물」이라고도 한다.)로서 이용할 수 있다. 레지스트 조성물은, 예를 들어, 본 실시형태의 화합물 및 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유한다.
또한, 상기 레지스트 조성물은, 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 유산메틸, 유산에틸, 유산n-프로필, 유산n-부틸, 유산n-아밀 등의 유산에스테르류; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산n-헥실, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸 등의 지방족 카르본산에스테르류; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시-2-메틸프로피온산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시-3-메틸프로피온산부틸, 3-메톡시-3-메틸부티르산부틸, 아세토아세트산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등의 다른 에스테르류; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류; 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로펜탄온(CPN), 시클로헥사논(CHN) 등의 케톤류; N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있는데, 특별히 한정되지는 않는다. 이들 용매는, 단독으로 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
본 실시형태에서 사용되는 용매는, 안전용매인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, PGMEA, PGME, CHN, CPN, 2-헵탄온, 아니솔, 아세트산부틸, 프로피온산에틸 및 유산에틸로부터 선택되는 적어도 1종이고, 더욱 바람직하게는 PGMEA, PGME 및 CHN으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
본 실시형태의 조성물에 있어서, 고형성분의 양과 용매의 양은, 특별히 한정되지 않으나, 고형성분의 양과 용매의 합계질량 100질량%에 대해, 고형성분 1~80질량% 및 용매 20~99질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 고형성분 1~50질량% 및 용매 50~99질량%, 더욱 바람직하게는 고형성분 2~40질량% 및 용매 60~98질량%이고, 특히 바람직하게는 고형성분 2~10질량% 및 용매90~98질량%이다.
레지스트 조성물은, 다른 고형성분으로서, 산발생제(C), 산가교제(G), 산확산제어제(E) 및 기타 성분(F)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유할 수도 있다. 한편, 본 명세서에 있어서 고형성분이란 용매 이외의 성분을 말한다.
여기서, 산발생제(C), 산가교제(G), 산확산제어제(E) 및 기타 성분(F)에 대해서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 국제공개 제2013/024778호에 기재되어 있는 것이 바람직하다.
[각 성분의 배합비율]
레지스트 조성물에 있어서, 레지스트기재로서 이용하는 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 고형성분의 전체질량(레지스트기재, 산발생제(C), 산가교제(G), 산확산제어제(E) 및 기타 성분(F) 등의 임의로 사용되는 성분을 포함하는 고형성분의 총합, 이하 동일.)의 50~99.4질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 55~90질량%, 더욱 바람직하게는 60~80질량%, 특히 바람직하게는 60~70질량%이다. 화합물 및 수지의 함유량이 상기 범위인 경우, 해상도가 한층 향상되고, 라인에지러프니스(LER)가 한층 작아지는 경향이 있다.
한편, 레지스트기재로서 화합물과 수지의 양방을 함유하는 경우, 상기 함유량은, 양 성분의 합계량이다.
[기타 성분(F)]
레지스트 조성물에는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라, 레지스트기재, 산발생제(C), 산가교제(G) 및 산확산제어제(E) 이외의 성분으로서, 용해촉진제, 용해제어제, 증감제, 계면활성제, 유기카르본산 또는 인의 옥소산 혹은 그의 유도체, 열 및/또는 광경화촉매, 중합금지제, 난연제, 충전제, 커플링제, 열경화성 수지, 광경화성 수지, 염료, 안료, 증점제, 활제, 소포제, 레벨링제, 자외선흡수제, 계면활성제, 착색제, 비이온계 계면활성제 등의 각종 첨가제를 1종 또는 2종 이상 첨가할 수 있다. 한편, 본 명세서에 있어서, 기타 성분(F)을 임의성분(F)이라고 하는 경우가 있다.
레지스트 조성물에 있어서, 레지스트기재(이하, 「성분(A)」이라고도 한다.), 산발생제(C), 산가교제(G), 산확산제어제(E), 임의성분(F)의 함유량(성분(A)/산발생제(C)/산가교제(G)/산확산제어제(E)/임의성분(F))은, 고형물기준의 질량%로,
바람직하게는 50~99.4/0.001~49/0.5~49/0.001~49/0~49,
보다 바람직하게는 55~90/1~40/0.5~40/0.01~10/0~5,
더욱 바람직하게는 60~80/3~30/1~30/0.01~5/0~1,
특히 바람직하게는 60~70/10~25/2~20/0.01~3/0이다.
각 성분의 배합비율은, 그 총합이 100질량%가 되도록 각 범위로부터 선택된다. 각 성분의 배합비율이 상기 범위인 경우, 감도, 해상도, 현상성 등의 성능이 우수한 경향이 있다.
레지스트 조성물은, 통상은, 사용시에 각 성분을 용매에 용해하여 균일용액으로 하고, 그 후, 필요에 따라, 예를 들어, 구멍직경 0.2μm 정도의 필터 등으로 여과함으로써 조제된다.
레지스트 조성물은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 본 실시형태의 화합물이나 수지 이외의 다른 수지를 포함할 수 있다. 그러한 다른 수지로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 노볼락수지, 폴리비닐페놀류, 폴리아크릴산, 폴리비닐알코올, 스티렌-무수말레산수지, 및 아크릴산, 비닐알코올, 또는 비닐페놀을 단량체단위로서 포함하는 중합체 혹은 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 상기 수지의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 사용하는 성분(A)의 종류에 따라 적당히 조절되는데, 성분(A) 100질량부에 대해, 30질량부 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10질량부 이하, 더욱 바람직하게는 5질량부 이하, 특히 바람직하게는 0질량부이다.
[레지스트 조성물의 물성 등]
레지스트 조성물은, 스핀코트에 의해 아몰퍼스막을 형성할 수 있다. 또한, 일반적인 반도체 제조 프로세스에 적용할 수 있다. 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지의 종류 및/또는 이용하는 현상액의 종류에 따라, 포지티브형 레지스트패턴 및 네가티브형 레지스트패턴 중 어느 하나를 구분하여 만들 수 있다.
포지티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 레지스트 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 5Å/sec 이하가 바람직하고, 0.05~5Å/sec가 보다 바람직하고, 0.0005~5Å/sec가 더욱 바람직하다. 해당 용해속도가 5Å/sec 이하이면 현상액에 불용이며, 레지스트로 하는 것이 용이해진다. 또한, 0.0005Å/sec 이상의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지의 노광 전후의 용해성의 변화에 따라, 현상액에 용해되는 노광부와, 현상액에 용해되지 않는 미노광부의 계면의 콘트라스트가 커지기 때문으로 추측된다. 또한 LER의 저감, 디펙트의 저감효과가 있다.
네가티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 레지스트 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 10Å/sec 이상인 것이 바람직하다. 해당 용해속도가 10Å/sec 이상이면 현상액에 이용(易溶)이며, 레지스트에 한층 적합하다. 또한, 10Å/sec 이상의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지의 마이크로한 표면부위가 용해되어, LER을 저감하기 때문으로 추측된다. 또한 디펙트의 저감효과가 있다.
상기 용해속도는, 23℃에서, 아몰퍼스막을 소정시간 현상액에 침지시키고, 그 침지 전후의 막두께를, 육안, 엘립소미터 또는 수정진동 미량 천칭법(QCM법) 등의 공지의 방법에 의해 측정하여 결정할 수 있다.
포지티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 레지스트 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 KrF엑시머레이저, 극단자외선, 전자선 또는 X선 등의 방사선에 의해 노광된 부분의 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 10Å/sec 이상인 것이 바람직하다. 해당 용해속도가 10Å/sec 이상이면 현상액에 이용이며, 레지스트에 한층 적합하다. 또한, 10Å/sec 이상의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지의 마이크로한 표면부위가 용해되어, LER을 저감하기 때문으로 추측된다. 또한 디펙트의 저감효과가 있다.
네가티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 레지스트 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 KrF엑시머레이저, 극단자외선, 전자선 또는 X선 등의 방사선에 의해 노광된 부분의 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 5Å/sec 이하가 바람직하고, 0.05~5Å/sec가 보다 바람직하고, 0.0005~5Å/sec가 더욱 바람직하다. 해당 용해속도가 5Å/sec 이하이면 현상액에 불용이며, 레지스트로 하는 것이 용이해진다. 또한, 0.0005Å/sec 이상의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지를 구성성분으로서 포함하는 수지의 노광 전후의 용해성의 변화에 따라, 현상액에 용해되는 미노광부와, 현상액에 용해되지 않는 노광부의 계면의 콘트라스트가 커지기 때문으로 추측된다. 또한 LER의 저감, 디펙트의 저감효과가 있다.
[비화학증폭형 레지스트용도용 리소그래피용 막형성 조성물]
본 실시형태의 조성물은 비화학증폭형 레지스트용도용 리소그래피용 막형성 조성물(이하, 「감방사선성 조성물」이라고도 한다.)로서 이용할 수 있다. 상기 감방사선성 조성물에 함유시키는 성분(A)(상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지)은, 후술하는 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B)과 병용하고, g선, h선, i선, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저, 극단자외선, 전자선 또는 X선을 조사함으로써, 현상액에 이용인 화합물이 되는 포지티브형 레지스트용 기재로서 유용하다. g선, h선, i선, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저, 극단자외선, 전자선 또는 X선에 의해, 성분(A)의 성질은 크게는 변화하지 않으나, 현상액에 난용인 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B)이 이용인 화합물로 변화함으로써, 현상공정에 의해 레지스트패턴을 만들 수 있다.
감방사선성 조성물에 함유시키는 성분(A)은, 비교적 저분자량의 화합물인 점에서, 얻어진 레지스트패턴의 러프니스는 매우 작다.
감방사선성 조성물에 함유시키는 성분(A)(레지스트기재)의 유리전이온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상, 더욱 바람직하게는 140℃ 이상, 특히 바람직하게는 150℃ 이상이다. 성분(A)의 유리전이온도의 상한값은, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 400℃ 이하이다. 성분(A)의 유리전이온도가 상기 범위 내임으로써, 반도체 리소그래피 프로세스에 있어서, 패턴형상을 유지할 수 있는 내열성을 가지며, 고해상도 등의 성능이 향상되는 경향이 있다.
감방사선성 조성물에 함유시키는 성분(A)의 유리전이온도의 시차주사 열량분석에 의해 구한 결정화발열량은 20J/g 미만인 것이 바람직하다. 또한, (결정화온도)-(유리전이온도)는 바람직하게는 70℃ 이상, 보다 바람직하게는 80℃ 이상, 더욱 바람직하게는 100℃ 이상, 특히 바람직하게는 130℃ 이상이다. 결정화발열량이 20J/g 미만, 또는 (결정화온도)-(유리전이온도)가 상기 범위 내이면, 감방사선성 조성물을 스핀코트함으로써, 아몰퍼스막을 형성하기 쉽고, 또한 레지스트에 필요한 성막성을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있고, 해상성을 향상할 수 있는 경향이 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 결정화발열량, 결정화온도 및 유리전이온도는, 시마즈제작소제 DSC/TA-50WS를 이용한 시차주사 열량분석에 의해 구할 수 있다. 시료 약 10mg을 알루미늄제 비밀봉용기에 넣고, 질소가스기류중(50mL/분) 승온속도 20℃/분으로 융점 이상까지 승온한다. 급랭 후, 재차 질소가스기류중(30mL/분) 승온속도 20℃/분으로 융점 이상까지 승온한다. 다시 급랭 후, 재차 질소가스기류중(30mL/분) 승온속도 20℃/분으로 400℃까지 승온한다. 스텝상으로 변화한 베이스라인의 단차의 중점(비열이 절반으로 변화한 부분)의 온도를 유리전이온도(Tg), 그 후에 나타나는 발열피크의 온도를 결정화온도로 한다. 발열피크와 베이스라인에 둘러싸인 영역의 면적으로부터 발열량을 구하고, 결정화발열량으로 한다.
감방사선성 조성물에 함유시키는 성분(A)은, 상압하, 100℃ 이하, 바람직하게는 120℃ 이하, 보다 바람직하게는 130℃ 이하, 더욱 바람직하게는 140℃ 이하, 특히 바람직하게는 150℃ 이하에 있어서, 승화성이 낮은 것이 바람직하다. 승화성이 낮다는 것은, 열중량분석에 있어서, 소정온도에서 10분간 유지했을 때의 중량감소가 10% 이하, 바람직하게는 5% 이하, 보다 바람직하게는 3% 이하, 더욱 바람직하게는 1% 이하, 특히 바람직하게는 0.1% 이하인 것을 나타낸다. 승화성이 낮음에 따라, 노광시의 아웃가스에 의한 노광장치의 오염을 방지할 수 있다. 또한 저러프니스로 양호한 패턴형상을 얻을 수 있다.
감방사선성 조성물에 함유시키는 성분(A)은, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 시클로헥사논(CHN), 시클로펜탄온(CPN), 2-헵탄온, 아니솔, 아세트산부틸, 프로피온산에틸 및 유산에틸로부터 선택되고, 또한, 성분(A)에 대해 가장 높은 용해능을 나타내는 용매에, 23℃에서, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상 용해하고, 더욱 더 바람직하게는, PGMEA, PGME, CHN으로부터 선택되고, 또한, 성분(A)에 대해 가장 높은 용해능을 나타내는 용매에, 23℃에서, 20질량% 이상 용해한다. 특히 바람직하게는 PGMEA에 대해, 23℃에서, 20질량% 이상 용해한다. 상기 조건을 만족함으로써, 실생산에 있어서의 반도체 제조공정에서의 사용이 용이해진다.
[디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B)]
감방사선성 조성물에 함유시키는 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B)은, 폴리머성 및 비폴리머성 디아조나프토퀴논 광활성 화합물을 포함하는, 디아조나프토퀴논물질이고, 일반적으로 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서, 감광성성분(감광제)으로서 이용되고 있는 것이면 특별히 제한없이, 1종 또는 2종 이상 임의로 선택하여 이용할 수 있다.
이러한 감광제로는, 나프토퀴논디아지드설폰산클로라이드나 벤조퀴논디아지드설폰산클로라이드 등과, 이들 산클로라이드와 축합반응가능한 관능기를 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시킴으로써 얻어진 화합물이 바람직하다. 여기서, 산클로라이드와 축합가능한 관능기로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 수산기, 아미노기 등을 들 수 있는데, 특히 수산기가 호적하다. 수산기를 포함하는 산클로라이드와 축합가능한 화합물로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논, 2,4,4’-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4’-테트라하이드록시벤조페논, 2,2’,4,4’-테트라하이드록시벤조페논, 2,2’,3,4,6’-펜타하이드록시벤조페논 등의 하이드록시벤조페논류; 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 비스(2,4-디하이드록시페닐)프로판 등의 하이드록시페닐알칸류; 4,4’,3”,4”-테트라하이드록시-3,5,3’,5’-테트라메틸트리페닐메탄, 4,4’,2”,3”,4”-펜타하이드록시-3,5,3’,5’-테트라메틸트리페닐메탄 등의 하이드록시트리페닐메탄류 등을 들 수 있다.
또한, 나프토퀴논디아지드설폰산클로라이드나 벤조퀴논디아지드설폰산클로라이드 등의 산클로라이드로는, 예를 들어, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐클로라이드 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.
감방사선성 조성물은, 예를 들어, 사용시에 각 성분을 용매에 용해하여 균일용액으로 하고, 그 후, 필요에 따라, 예를 들어, 구멍직경 0.2μm 정도의 필터 등으로 여과함으로써 조제되는 것이 바람직하다.
[감방사선성 조성물의 특성]
감방사선성 조성물은, 스핀코트에 의해 아몰퍼스막을 형성할 수 있다. 또한, 일반적인 반도체 제조 프로세스에 적용할 수 있다. 이용하는 현상액의 종류에 따라, 포지티브형 레지스트패턴 및 네가티브형 레지스트패턴 중 어느 하나를 구분하여 만들 수 있다.
포지티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 감방사선성 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 5Å/sec 이하가 바람직하고, 0.05~5Å/sec가 보다 바람직하고, 0.0005~5Å/sec가 더욱 바람직하다. 해당 용해속도가 5Å/sec 이하이면 현상액에 불용이며, 레지스트로 하는 것이 용이해진다. 또한, 0.0005Å/sec 이상의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지를 구성성분으로서 포함하는 수지의 노광 전후의 용해성의 변화에 따라, 현상액에 용해되는 노광부와, 현상액에 용해되지 않는 미노광부의 계면의 콘트라스트가 커지기 때문으로 추측된다. 또한, LER의 저감, 디펙트의 저감효과가 있다.
네가티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 감방사선성 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 10Å/sec 이상인 것이 바람직하다. 해당 용해속도가 10Å/sec 이상이면 현상액에 이용이며, 레지스트에 한층 적합하다. 또한, 10Å/sec 이상의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지를 구성성분으로서 포함하는 수지의 마이크로한 표면부위가 용해되어, LER을 저감하기 때문으로 추측된다. 또한, 디펙트의 저감효과가 있다.
상기 용해속도는, 23℃에서, 아몰퍼스막을 소정시간 현상액에 침지시키고, 그 침지 전후의 막두께를, 육안, 엘립소미터 또는 QCM법 등의 공지의 방법에 의해 측정하여 결정할 수 있다.
포지티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 감방사선성 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 KrF엑시머레이저, 극단자외선, 전자선 또는 X선 등의 방사선에 의해 조사한 후, 또는, 20~500℃에서 가열한 후의 노광된 부분의, 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 10Å/sec 이상이 바람직하고, 10~10000Å/sec가 보다 바람직하고, 100~1000Å/sec가 더욱 바람직하다. 해당 용해속도가 10Å/sec 이상이면 현상액에 이용이며, 레지스트에 한층 적합하다. 또한, 10000Å/sec 이하의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지를 구성성분으로서 포함하는 수지의 마이크로한 표면부위가 용해되어, LER을 저감하기 때문으로 추측된다. 또한, 디펙트의 저감효과가 있다.
네가티브형 레지스트패턴의 경우, 상기 감방사선성 조성물을 스핀코트하여 형성한 아몰퍼스막의 KrF엑시머레이저, 극단자외선, 전자선 또는 X선 등의 방사선에 의해 조사한 후, 또는, 20~500℃에서 가열한 후의 노광된 부분의, 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해속도는, 5Å/sec 이하가 바람직하고, 0.05~5Å/sec가 보다 바람직하고, 0.0005~5Å/sec가 더욱 바람직하다. 해당 용해속도가 5Å/sec 이하이면 현상액에 불용이며, 레지스트로 하는 것이 용이해진다. 또한, 0.0005Å/sec 이상의 용해속도를 갖는 경우, 해상성이 향상되는 경향이 있다. 이는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지의 노광 전후의 용해성의 변화에 따라, 현상액에 용해되는 미노광부와, 현상액에 용해되지 않는 노광부의 계면의 콘트라스트가 커지기 때문으로 추측된다. 또한, LER의 저감, 디펙트의 저감효과가 있다.
[각 성분의 배합비율]
감방사선성 조성물에 있어서, 성분(A)의 함유량은, 고형성분 전체중량(성분(A), 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B) 및 기타 성분(D) 등의 임의로 사용되는 고형성분의 총합, 이하 동일.)에 대해, 바람직하게는 1~99질량%이고, 보다 바람직하게는 5~95질량%, 더욱 바람직하게는 10~90질량%, 특히 바람직하게는 25~75질량%이다. 감방사선성 조성물은, 성분(A)의 함유량이 상기 범위 내이면, 고감도이고 러프니스가 작은 패턴을 얻을 수 있는 경향이 있다.
감방사선성 조성물에 있어서, 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B)의 함유량은, 고형성분 전체중량(성분(A), 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B) 및 기타 성분(D) 등의 임의로 사용되는 고형성분의 총합, 이하 동일.)에 대해, 바람직하게는 1~99질량%이고, 보다 바람직하게는 5~95질량%, 더욱 바람직하게는 10~90질량%, 특히 바람직하게는 25~75질량%이다. 본 실시의 형태의 감방사선성 조성물은, 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B)의 함유량이 상기 범위 내이면, 고감도이고 러프니스가 작은 패턴을 얻을 수 있는 경향이 있다.
[기타 성분(D)]
감방사선성 조성물에는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라, 성분(A) 및 디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B) 이외의 성분으로서, 산발생제, 산가교제, 산확산제어제, 용해촉진제, 용해제어제, 증감제, 계면활성제, 유기카르본산 또는 인의 옥소산 혹은 그의 유도체, 열 및/또는 광경화촉매, 중합금지제, 난연제, 충전제, 커플링제, 열경화성 수지, 광경화성 수지, 염료, 안료, 증점제, 활제, 소포제, 레벨링제, 자외선흡수제, 계면활성제, 착색제, 비이온계 계면활성제 등의 각종 첨가제를 1종 또는 2종 이상 첨가할 수 있다. 한편, 본 명세서에 있어서, 기타 성분(D)을 임의성분(D)이라 하는 경우가 있다.
상기 감방사선성 조성물에 있어서, 각 성분의 배합비율(성분(A)/디아조나프토퀴논 광활성 화합물(B)/임의성분(D))은, 고형성분기준의 질량%로,
바람직하게는 1~99/99~1/0~98,
보다 바람직하게는 5~95/95~5/0~49,
더욱 바람직하게는 10~90/90~10/0~10,
더욱 더 바람직하게는 20~80/80~20/0~5,
특히 바람직하게는 25~75/75~25/0이다.
각 성분의 배합비율은, 그 총합이 100질량%가 되도록 각 범위로부터 선택된다. 감방사선성 조성물에 있어서의 각 성분의 배합비율이 상기 범위인 경우, 러프니스에 더하여, 감도, 해상도 등의 성능이 우수한 경향이 있다.
감방사선성 조성물은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 본 실시형태 이외의 화합물이나 수지를 포함할 수도 있다. 이러한 수지로는, 노볼락수지, 폴리비닐페놀류, 폴리아크릴산, 폴리비닐알코올, 스티렌-무수말레산수지, 및 아크릴산, 비닐알코올, 또는 비닐페놀을 단량체단위로서 포함하는 중합체 혹은 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 이들 수지의 배합량은, 사용하는 성분(A)의 종류에 따라 적당히 조절되는데, 성분(A) 100질량부에 대해, 30질량부 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10질량부 이하, 더욱 바람직하게는 5질량부 이하, 특히 바람직하게는 0질량부이다.
[레지스트패턴의 형성방법]
본 실시형태에 의한 레지스트패턴의 형성방법은, 상기 서술한 본 실시형태의 조성물(상기 레지스트 조성물 또는 감방사선성 조성물)을 이용하여 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 공정을 포함한다. 구체적으로는, 예를 들어, 본 실시형태에 의한 레지스트패턴의 형성방법은, 기판 상에 레지스트막을 형성하는 공정과, 형성된 레지스트막을 노광하는 공정과, 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서의 레지스트패턴은 다층프로세스에 있어서의 상층 레지스트로서 형성할 수도 있다.
레지스트패턴을 형성하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 이하의 방법을 들 수 있다. 우선, 종래 공지의 기판 상에 상기 레지스트 조성물 또는 감방사선성 조성물을, 회전도포, 유연도포, 롤도포 등의 도포수단에 의해 도포함으로써 레지스트막을 형성한다. 종래 공지의 기판이란, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 전자부품용의 기판이나, 이것에 소정의 배선패턴이 형성된 것 등을 예표할 수 있다. 보다 구체적으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 실리콘웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제의 기판이나, 유리기판 등을 들 수 있다. 배선패턴의 재료로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라, 상기 서술한 기판 상에 무기계 및/또는 유기계의 막이 마련된 것일 수도 있다. 무기계의 막으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 무기반사방지막(무기BARC)을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 유기반사방지막(유기BARC)을 들 수 있다. 헥사메틸렌디실라잔 등에 의한 표면처리를 행할 수도 있다.
다음에, 필요에 따라, 도포한 기판을 가열한다. 가열조건은, 레지스트 조성물의 배합조성 등에 따라 다른데, 20~250℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20~150℃이다. 가열함으로써, 레지스트의 기판에 대한 밀착성이 향상되는 경향이 있으므로 바람직하다. 이어서, 가시광선, 자외선, 엑시머레이저, 전자선, 극단자외선(EUV), X선, 및 이온빔으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방사선에 의해, 레지스트막을 원하는 패턴으로 노광한다. 노광조건 등은, 레지스트 조성물 또는 감방사선성 조성물의 배합조성 등에 따라 적당히 선정된다. 본 실시형태에 있어서는, 노광에 있어서의 고정도의 미세패턴을 안정적으로 형성하기 위해, 방사선 조사 후에 가열하는 것이 바람직하다. 가열조건은, 레지스트 조성물 또는 감방사선성 조성물의 배합조성 등에 따라 다른데, 20~250℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20~150℃이다.
이어서, 노광된 레지스트막을 현상액으로 현상함으로써, 소정의 레지스트패턴을 형성한다. 상기 현상액으로는, 사용하는 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지에 대해 용해도파라미터(SP값)가 가까운 용제를 선택하는 것이 바람직하고, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성용제, 탄화수소계 용제 또는 알칼리수용액을 이용할 수 있다.
케톤계 용제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 아세톤, 4-헵탄온, 1-헥사논, 2-헥사논, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세토닐아세톤, 이오논, 디아세토닐알코올, 아세틸카르비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌카보네이트 등을 들 수 있다.
에스테르계 용제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 유산에틸, 유산부틸, 유산프로필 등을 들 수 있다.
알코올계 용제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 메틸알코올, 에틸알코올, n-프로필알코올, 이소프로필알코올(2-프로판올), n-부틸알코올, sec-부틸알코올, tert-부틸알코올, 이소부틸알코올, n-헥실알코올, 4-메틸-2-펜탄올, n-헵틸알코올, n-옥틸알코올, n-데칸올 등의 알코올이나, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 등의 글리콜계 용제나, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메톡시메틸부탄올 등의 글리콜에테르계 용제 등을 들 수 있다.
에테르계 용제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 상기 글리콜에테르계 용제 외, 디옥산, 테트라하이드로푸란 등을 들 수 있다.
아미드계 용제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 헥사메틸포스포릭트리아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등을 들 수 있다.
탄화수소계 용제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용제, 펜탄, 헥산, 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소계 용제를 들 수 있다.
상기 용제는, 복수 혼합할 수도 있고, 성능을 갖는 범위 내에서, 상기 이외의 용제나 물과 혼합하여 사용할 수도 있다. 단, 본 발명의 효과를 십이분 나타내기 위해서는, 현상액 전체로서의 함수율이 70질량% 미만이고, 50질량% 미만인 것이 바람직하고, 30질량% 미만인 것이 보다 바람직하고, 10질량% 미만인 것이 더욱 바람직하고, 실질적으로 수분을 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 즉, 현상액에 대한 유기용제의 함유량은, 현상액의 전량에 대해, 30질량% 이상 100질량% 이하이고, 50질량% 이상 100질량% 이하인 것이 바람직하고, 70질량% 이상 100질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 90질량% 이상 100질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 95질량% 이상 100질량% 이하인 것이 특히 바람직하다.
알칼리수용액으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 모노-, 디- 혹은 트리알킬아민류, 모노-, 디- 혹은 트리알칸올아민류, 복소환식 아민류, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH), 콜린 등의 알칼리성 화합물을 들 수 있다.
특히, 현상액은, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제로부터 선택되는 적어도 1종류의 용제를 함유하는 현상액이, 레지스트패턴의 해상성이나 러프니스 등의 레지스트성능을 개선하는 관점으로부터 바람직하다.
현상액의 증기압은, 20℃에 있어서, 5kPa 이하가 바람직하고, 3kPa 이하가 더욱 바람직하고, 2kPa 이하가 특히 바람직하다. 현상액의 증기압을 5kPa 이하로 함으로써, 현상액의 기판 상 혹은 현상컵 내에서의 증발이 억제되어, 웨이퍼면내의 온도균일성이 향상되고, 결과적으로 웨이퍼면내의 치수균일성이 양화되는 경향이 있다.
5kPa 이하의 증기압을 갖는 현상액의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 4-헵탄온, 2-헥사논, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 페닐아세톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤계 용제; 아세트산부틸, 아세트산아밀, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 포름산부틸, 포름산프로필, 유산에틸, 유산부틸, 유산프로필 등의 에스테르계 용제; n-프로필알코올, 이소프로필알코올, n-부틸알코올, sec-부틸알코올, tert-부틸알코올, 이소부틸알코올, n-헥실알코올, 4-메틸-2-펜탄올, n-헵틸알코올, n-옥틸알코올, n-데칸올 등의 알코올계 용제; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 등의 글리콜계 용제; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메톡시메틸부탄올 등의 글리콜에테르계 용제; 테트라하이드로푸란 등의 에테르계 용제; N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드의 아미드계 용제; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용제; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소계 용제를 들 수 있다.
특히 바람직한 범위인 2kPa 이하의 증기압을 갖는 현상액의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 4-헵탄온, 2-헥사논, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 페닐아세톤 등의 케톤계 용제; 아세트산부틸, 아세트산아밀, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 유산에틸, 유산부틸, 유산프로필 등의 에스테르계 용제; n-부틸알코올, sec-부틸알코올, tert-부틸알코올, 이소부틸알코올, n-헥실알코올, 4-메틸-2-펜탄올, n-헵틸알코올, n-옥틸알코올, n-데칸올 등의 알코올계 용제; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 등의 글리콜계 용제; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메톡시메틸부탄올 등의 글리콜에테르계 용제; N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드의 아미드계 용제; 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용제; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소계 용제를 들 수 있다.
현상액에는, 필요에 따라 계면활성제를 적당량 첨가할 수 있다. 계면활성제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제 등을 이용할 수 있다. 이들 불소 및/또는 실리콘계 계면활성제로는, 예를 들어, 일본특허공개 S62-36663호 공보, 일본특허공개 S61-226746호 공보, 일본특허공개 S61-226745호 공보, 일본특허공개 S62-170950호 공보, 일본특허공개 S63-34540호 공보, 일본특허공개 H7-230165호 공보, 일본특허공개 H8-62834호 공보, 일본특허공개 H9-54432호 공보, 일본특허공개 H9-5988호 공보, 미국특허 제5405720호 명세서, 동(同) 5360692호 명세서, 동 5529881호 명세서, 동 5296330호 명세서, 동 5436098호 명세서, 동 5576143호 명세서, 동 5294511호 명세서, 동 5824451호 명세서에 기재된 계면활성제를 들 수 있고, 바람직하게는, 비이온성의 계면활성제이다. 비이온성의 계면활성제로는 특별히 한정되지 않으나, 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 이용하는 것이 더욱 바람직하다.
계면활성제의 사용량은 현상액의 전량에 대해, 통상 0.001~5질량%, 바람직하게는 0.005~2질량%, 더욱 바람직하게는 0.01~0.5질량%이다.
현상방법으로는, 예를 들어, 현상액이 채워진 조(槽) 중에 기판을 일정시간 침지하는 방법(딥법), 기판 표면에 현상액을 표면장력에 의해 돋우어 일정시간 정지(靜止)함으로써 현상하는 방법(퍼들법), 기판 표면에 현상액을 분무하는 방법(스프레이법), 일정속도로 회전하고 있는 기판 상에 일정속도로 현상액 도출노즐을 스캔하면서 현상액을 계속 도출하는 방법(다이나믹디스펜스법) 등을 적용할 수 있다. 패턴의 현상을 행하는 시간에는 특별히 제한은 없으나, 바람직하게는 10초~90초이다.
또한, 현상을 행하는 공정 후에, 다른 용매로 치환하면서, 현상을 정지(停止)하는 공정을 실시할 수도 있다.
현상 후에는, 유기용제를 포함하는 린스액을 이용하여 세정하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
현상 후의 린스공정에 이용하는 린스액으로는, 가교에 의해 경화된 레지스트패턴을 용해하지 않으면 특별히 제한은 없고, 일반적인 유기용제를 포함하는 용액 또는 물을 사용할 수 있다. 상기 린스액으로는, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제로부터 선택되는 적어도 1종류의 유기용제를 함유하는 린스액을 이용하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 현상 후에, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 유기용제를 함유하는 린스액을 이용하여 세정하는 공정을 행한다. 더욱 더 바람직하게는, 현상 후에, 알코올계 용제 또는 에스테르계 용제를 함유하는 린스액을 이용하여 세정하는 공정을 행한다. 더욱 더 바람직하게는, 현상 후에, 1가알코올을 함유하는 린스액을 이용하여 세정하는 공정을 행한다. 특히 바람직하게는, 현상 후에, 탄소수 5 이상의 1가알코올을 함유하는 린스액을 이용하여 세정하는 공정을 행한다. 패턴의 린스를 행하는 시간에는 특별히 제한은 없으나, 바람직하게는 10초간~90초간이다.
여기서, 현상 후의 린스공정에서 이용되는 1가알코올로는, 직쇄상, 분지상, 환상의 1가알코올을 들 수 있고, 구체적으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 1-부탄올, 2-부탄올, 3-메틸-1-부탄올, tert-부틸알코올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 1-헥산올, 4-메틸-2-펜탄올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 시클로펜탄올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올 등을 이용할 수 있고, 특히 바람직한 탄소수 5 이상의 1가알코올로는, 1-헥산올, 2-헥산올, 4-메틸-2-펜탄올, 1-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올 등을 이용할 수 있다.
상기 각 성분은, 복수 혼합할 수도 있고, 상기 이외의 유기용제와 혼합하여 사용할 수도 있다.
린스액 중의 함수율은, 10질량% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 특히 바람직하게는 3질량% 이하이다. 함수율을 10질량% 이하로 함으로써, 보다 양호한 현상특성을 얻을 수 있는 경향이 있다.
현상 후에 이용하는 린스액의 증기압은, 20℃에 있어서 0.05kPa 이상, 5kPa 이하가 바람직하고, 0.1kPa 이상, 5kPa 이하가 더욱 바람직하고, 0.12kPa 이상, 3kPa 이하가 특히 바람직하다. 린스액의 증기압을 0.05kPa 이상, 5kPa 이하로 함으로써, 웨이퍼면내의 온도균일성이 보다 향상되고, 더 나아가서는 린스액의 침투에 기인한 팽윤이 보다 억제되고, 웨이퍼면내의 치수균일성이 보다 양화된다.
린스액에는, 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다.
린스공정에 있어서는, 현상을 행한 웨이퍼를 상기 유기용제를 포함하는 린스액을 이용하여 세정처리한다. 세정처리의 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 일정속도로 회전하고 있는 기판 상에 린스액을 계속 도출하는 방법(회전도포법), 린스액이 채워진 조 중에 기판을 일정시간 침지하는 방법(딥법), 기판 표면에 린스액을 분무하는 방법(스프레이법) 등을 적용할 수 있고, 이 중에서도 회전도포방법으로 세정처리를 행하고, 세정 후에 기판을 2000rpm~4000rpm의 회전수로 회전시켜, 린스액을 기판 상으로부터 제거하는 것이 바람직하다.
레지스트패턴을 형성한 후, 에칭함으로써 패턴배선기판이 얻어진다. 에칭의 방법은 플라즈마가스를 사용하는 드라이에칭 및 알칼리용액, 염화제이구리용액, 염화제이철용액 등에 의한 웨트에칭 등 공지의 방법으로 행할 수 있다.
레지스트패턴을 형성한 후, 도금을 행할 수도 있다. 상기 도금법으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 구리도금, 땜납도금, 니켈도금, 금도금 등을 들 수 있다.
에칭 후의 잔존 레지스트패턴은 유기용제로 박리할 수 있다. 상기 유기용제로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), PGME(프로필렌글리콜모노메틸에테르), EL(유산에틸) 등을 들 수 있다. 상기 박리방법으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 침지방법, 스프레이방식 등을 들 수 있다. 또한, 레지스트패턴이 형성된 배선기판은, 다층배선기판일 수도 있고, 소경스루홀을 갖고 있을 수도 있다.
본 실시형태에 있어서 얻어지는 배선기판은, 레지스트패턴 형성 후, 금속을 진공 중에서 증착하고, 그 후 레지스트패턴을 용액으로 녹이는 방법, 즉 리프트오프법에 의해 형성할 수도 있다.
[하층막용도용 리소그래피용 막형성 조성물]
본 실시형태의 조성물은, 하층막용도용 리소그래피용 막형성 조성물(이하, 「하층막 형성재료」라고도 한다.)로서 이용할 수도 있다. 하층막 형성재료는, 상기 서술한 본 실시형태의 화합물 및 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 함유한다. 본 실시형태에 있어서 상기 물질은 도포성 및 품질안정성의 점으로부터, 하층막 형성재료 중, 1~100질량%인 것이 바람직하고, 10~100질량%인 것이 보다 바람직하고, 50~100질량%인 것이 더욱 바람직하고, 100질량%인 것이 특히 바람직하다.
상기 하층막 형성재료는, 습식 프로세스로의 적용이 가능하고, 내열성 및 에칭내성이 우수하다. 또한, 상기 하층막 형성재료는 상기 물질을 이용하고 있으므로, 고온베이크시의 막의 열화가 억제되고, 산소플라즈마에칭 등에 대한 에칭내성도 우수한 하층막을 형성할 수 있다. 나아가, 상기 하층막 형성재료는 레지스트층과의 밀착성도 우수하므로, 우수한 레지스트패턴을 얻을 수 있다. 한편, 상기 하층막 형성재료는, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 범위에 있어서, 이미 알려져 있는 리소그래피용 하층막 형성재료 등을 포함하고 있을 수도 있다.
[용매]
상기 하층막 형성재료는, 용매를 함유할 수도 있다. 상기 하층막 형성재료에 이용되는 용매로는, 상기 서술한 물질이 적어도 용해되는 것이면, 공지의 것을 적당히 이용할 수 있다.
용매의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 셀로솔브계 용매; 유산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산이소아밀, 유산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 하이드록시이소부티르산메틸 등의 에스테르계 용매; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올계 용매; 톨루엔, 자일렌, 아니솔 등의 방향족계 탄화수소 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 1종을 단독으로, 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 용매 중에서, 안전성의 점으로부터, 시클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 하이드록시이소부티르산메틸, 아니솔이 특히 바람직하다.
용매의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 용해성 및 제막 상의 관점으로부터, 상기 하층막 형성재료 100질량부에 대해, 100~10,000질량부인 것이 바람직하고, 200~5,000질량부인 것이 보다 바람직하고, 200~1,000질량부인 것이 더욱 바람직하다.
[가교제]
상기 하층막 형성재료는, 인터믹싱을 억제하는 등의 관점으로부터, 필요에 따라 가교제를 함유하고 있을 수도 있다. 본 실시형태에서 사용가능한 가교제는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 국제공개 제2013/024779호에 기재된 것을 이용할 수 있다.
본 실시형태에서 사용가능한 가교제의 구체예로는, 예를 들어, 페놀 화합물, 에폭시 화합물, 시아네이트 화합물, 아미노 화합물, 벤조옥사진 화합물, 아크릴레이트 화합물, 멜라민 화합물, 구아나민 화합물, 글리콜우릴 화합물, 우레아 화합물, 이소시아네이트 화합물, 아지드 화합물 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 이들 가교제는, 1종을 단독으로, 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 벤조옥사진 화합물, 에폭시 화합물 또는 시아네이트 화합물이 바람직하고, 에칭내성 향상의 관점으로부터, 벤조옥사진 화합물이 보다 바람직하다.
상기 페놀 화합물로는, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 페놀류로는, 특별히 한정되지 않으나, 페놀 외에, 크레졸류, 자일레놀류 등의 알킬페놀류, 하이드로퀴논 등의 다가페놀류, 나프톨류, 나프탈렌디올류 등의 다환페놀류, 비스페놀A, 비스페놀F 등의 비스페놀류, 혹은 페놀노볼락, 페놀아랄킬수지 등의 다관능성페놀 화합물 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 내열성 및 용해성의 점으로부터, 아랄킬형 페놀수지가 바람직하다.
상기 에폭시 화합물로는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 것 중에서 선택되며, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 비스페놀A, 비스페놀F, 3,3’,5,5’-테트라메틸-비스페놀F, 비스페놀S, 플루오렌비스페놀, 2,2’-비페놀, 3,3’,5,5’-테트라메틸-4,4’-디하이드록시비페놀, 레조르신, 나프탈렌디올류 등의 2가의 페놀류의 에폭시화물, 트리스-(4-하이드록시페닐)메탄, 1,1,2,2-테트라키스(4-하이드록시페닐)에탄, 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 트리메틸올메탄트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 트리에틸올에탄트리글리시딜에테르, 페놀노볼락, o-크레졸노볼락 등의 3가 이상의 페놀류의 에폭시화물, 디시클로펜타디엔과 페놀류의 공축합수지의 에폭시화물, 페놀류와 파라자일릴렌디클로라이드 등으로부터 합성되는 페놀아랄킬수지류의 에폭시화물, 페놀류와 비스클로로메틸비페닐 등으로부터 합성되는 비페닐아랄킬형 페놀수지의 에폭시화물, 나프톨류와 파라자일릴렌디클로라이드 등으로부터 합성되는 나프톨아랄킬수지류의 에폭시화물 등을 들 수 있다. 이들 에폭시수지는, 단독일 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 바람직하게는, 내열성과 용해성이라는 점으로부터, 페놀아랄킬수지류, 비페닐아랄킬수지류로부터 얻어지는 에폭시수지 등의 상온에서 고체상 에폭시수지이다.
상기 시아네이트 화합물로는, 1분자 중에 2개 이상의 시아네이트기를 갖는 화합물이면 특별히 제한없이, 공지의 것을 사용할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 바람직한 시아네이트 화합물로는, 1분자 중에 2개 이상의 수산기를 갖는 화합물의 수산기를 시아네이트기로 치환한 구조의 것을 들 수 있다. 또한, 시아네이트 화합물은, 방향족기를 갖는 것이 바람직하고, 시아네이트기가 방향족기에 직결된 구조의 것을 호적하게 사용할 수 있다. 이러한 시아네이트 화합물로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀M, 비스페놀P, 비스페놀E, 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지, 디시클로펜타디엔노볼락수지, 테트라메틸비스페놀F, 비스페놀A노볼락수지, 브롬화비스페놀A, 브롬화페놀노볼락수지, 3관능페놀, 4관능페놀, 나프탈렌형 페놀, 비페닐형 페놀, 페놀아랄킬수지, 비페닐아랄킬수지, 나프톨아랄킬수지, 디시클로펜타디엔아랄킬수지, 지환식 페놀, 인함유 페놀 등의 수산기를 시아네이트기로 치환한 구조의 것을 들 수 있다. 이들 시아네이트 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 적당히 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 상기한 시아네이트 화합물은, 모노머, 올리고머 및 수지의 어느 형태일 수도 있다.
상기 아미노 화합물로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 4,4’-디아미노디페닐메탄, 4,4’-디아미노디페닐프로판, 4,4’-디아미노디페닐에테르, 3,4’-디아미노디페닐에테르, 3,3’-디아미노디페닐에테르, 4,4’-디아미노디페닐설폰, 3,4’-디아미노디페닐설폰, 3,3’-디아미노디페닐설폰, 4,4’-디아미노디페닐설파이드, 3,4’-디아미노디페닐설파이드, 3,3’-디아미노디페닐설파이드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 4,4’-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4’-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, O-톨리딘, m-톨리딘, 4,4’-디아미노벤즈아닐리드, 2,2’-비스(트리플루오로메틸)-4,4’-디아미노비페닐, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트, 2-(4-아미노페닐)-6-아미노벤조옥사졸 등이 예시된다. 나아가, 4,4’-디아미노디페닐메탄, 4,4’-디아미노디페닐프로판, 4,4’-디아미노디페닐에테르, 3,4’-디아미노디페닐에테르, 3,3’-디아미노디페닐에테르, 4,4’-디아미노디페닐설폰, 3,3’-디아미노디페닐설폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 4,4’-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4’-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르 등의 방향족 아민류, 디아미노시클로헥산, 디아미노디시클로헥실메탄, 디메틸-디아미노디시클로헥실메탄, 테트라메틸-디아미노디시클로헥실메탄, 디아미노디시클로헥실프로판, 디아미노비시클로[2.2.1]헵탄, 비스(아미노메틸)-비시클로[2.2.1]헵탄, 3(4),8(9)-비스(아미노메틸)트리시클로[5.2.1.02,6]데칸, 1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 이소포론디아민 등의 지환식 아민류, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민 등의 지방족 아민류 등을 들 수 있다.
상기 벤조옥사진 화합물로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 이관능성 디아민류와 단관능페놀류로부터 얻어지는 P-d형 벤조옥사진, 단관능성 디아민류와 이관능성 페놀류로부터 얻어지는 F-a형 벤조옥사진 등을 들 수 있다.
상기 멜라민 화합물의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 헥사메틸올멜라민, 헥사메톡시메틸멜라민, 헥사메틸올멜라민의 1~6개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그의 혼합물, 헥사메톡시에틸멜라민, 헥사아실옥시메틸멜라민, 헥사메틸올멜라민의 메틸올기의 1~6개가 아실옥시메틸화한 화합물 또는 그의 혼합물 등을 들 수 있다.
상기 구아나민 화합물의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 테트라메틸올구아나민, 테트라메톡시메틸구아나민, 테트라메틸올구아나민의 1~4개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그의 혼합물, 테트라메톡시에틸구아나민, 테트라아실옥시구아나민, 테트라메틸올구아나민의 1~4개의 메틸올기가 아실옥시메틸화한 화합물 또는 그의 혼합물 등을 들 수 있다.
상기 글리콜우릴 화합물의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 테트라메틸올글리콜우릴, 테트라메톡시글리콜우릴, 테트라메톡시메틸글리콜우릴, 테트라메틸올글리콜우릴의 메틸올기의 1~4개가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그의 혼합물, 테트라메틸올글리콜우릴의 메틸올기의 1~4개가 아실옥시메틸화한 화합물 또는 그의 혼합물 등을 들 수 있다.
상기 우레아 화합물의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 테트라메틸올우레아, 테트라메톡시메틸우레아, 테트라메틸올우레아의 1~4개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물 또는 그의 혼합물, 테트라메톡시에틸우레아 등을 들 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 가교성 향상의 관점으로부터, 적어도 1개의 알릴기를 갖는 가교제를 이용할 수도 있다. 적어도 1개의 알릴기를 갖는 가교제의 구체예로는, 2,2-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)프로판, 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)설폰, 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)설파이드, 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)에테르 등의 알릴페놀류, 2,2-비스(3-알릴-4-시아나토페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3-알릴-4-시아나토페닐)프로판, 비스(3-알릴-4-시아나토시페닐)설폰, 비스(3-알릴-4-시아나토페닐)설파이드, 비스(3-알릴-4-시아나토페닐)에테르 등의 알릴시아네이트류, 디알릴프탈레이트, 디알릴이소프탈레이트, 디알릴테레프탈레이트, 트리알릴이소시아누레이트, 트리메틸올프로판디알릴에테르, 펜타에리스리톨알릴에테르 등을 들 수 있는데, 이들 예시된 것으로 한정되는 것은 아니다. 이들은 단독으로도, 2종류 이상의 혼합물일 수도 있다. 이들 중에서도, 2,2-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)프로판, 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)설폰, 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)설파이드, 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)에테르 등의 알릴페놀류가 바람직하다.
상기 하층막 형성재료에 있어서, 가교제의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 하층막 형성재료 100질량부에 대해, 5~50질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10~40질량부이다. 가교제의 함유량을 상기의 바람직한 범위로 함으로써, 레지스트층과의 믹싱현상의 발생이 억제되는 경향이 있고, 또한, 반사방지효과가 높아지고, 가교 후의 막형성성이 높아지는 경향이 있다.
[가교촉진제]
본 실시형태의 하층막 형성재료에는, 필요에 따라 가교, 경화반응을 촉진시키기 위한 가교촉진제를 이용할 수 있다.
상기 가교촉진제로는, 가교, 경화반응을 촉진시키는 것이면, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 아민류, 이미다졸류, 유기포스핀류, 루이스산 등을 들 수 있다. 이들 가교촉진제는, 1종을 단독으로, 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 이미다졸류 또는 유기포스핀류가 바람직하고, 가교온도의 저온화의 관점으로부터, 이미다졸류가 보다 바람직하다.
상기 가교촉진제로는, 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 삼급아민, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸 등의 이미다졸류, 트리부틸포스핀, 메틸디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기포스핀류, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄·에틸트리페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄·테트라부틸보레이트 등의 테트라치환포스포늄·테트라치환보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸·테트라페닐보레이트, N-메틸모르폴린·테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.
가교촉진제의 함유량으로는, 통상, 조성물의 합계질량 100질량부로 한 경우에 100질량부로 한 경우에, 바람직하게는 0.1~10질량부이고, 보다 바람직하게는, 제어의 용이함 및 경제성의 관점으로부터 0.1~5질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.1~3질량부이다.
[라디칼중합개시제]
본 실시형태의 하층막 형성재료에는, 필요에 따라 라디칼중합개시제를 배합할 수 있다. 라디칼중합개시제로는, 광에 의해 라디칼중합을 개시시키는 광중합개시제일 수도 있고, 열에 의해 라디칼중합을 개시시키는 열중합개시제일 수도 있다. 라디칼중합개시제로는, 예를 들어, 케톤계 광중합개시제, 유기과산화물계 중합개시제 및 아조계 중합개시제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 할 수 있다.
이러한 라디칼중합개시제로는, 특별히 제한되지 않고, 종래 이용되고 있는 것을 적당히 채용할 수 있다. 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디메틸케탈, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-하이드록시-1-{4-[4-(2-하이드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸프로판-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 케톤계 광중합개시제, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드, 메틸시클로헥사논퍼옥사이드, 메틸아세토아세테이트퍼옥사이드, 아세틸아세테이트퍼옥사이드, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-2-메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)부탄, 2,2-비스(4,4-디-t-부틸퍼옥시시클로헥실)프로판, p-멘탄하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, t-헥실하이드로퍼옥사이드, t-부틸하이드로퍼옥사이드, α,α’-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 이소부티릴퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 스테아로일퍼옥사이드, 석신산퍼옥사이드, m-톨루오일벤조일퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, 디-2-에톡시에틸퍼옥시디카보네이트, 디-2-에톡시헥실퍼옥시디카보네이트, 디-3-메톡시부틸퍼옥시디카보네이트, 디-s-부틸퍼옥시디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸)퍼옥시디카보네이트, α,α’-비스(네오데카노일퍼옥시)디이소프로필벤젠, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시피발레이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥사노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, t-부틸퍼옥시말레이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메트르헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카보네이트, t-부틸퍼옥시아세테이트, t-부틸퍼옥시-m-톨루일벤조에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 비스(t-부틸퍼옥시)이소프탈레이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(m-톨루일퍼옥시)헥산, t-헥실퍼옥시벤조에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(벤조일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시알릴모노카보네이트, t-부틸트리메틸실릴퍼옥사이드, 3,3’,4,4’-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,3-디메틸-2,3-디페닐부탄 등의 유기과산화물계 중합개시제를 들 수 있다.
또한, 2-페닐아조-4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴, 1-[(1-시아노-1-메틸에틸)아조]포름아미드, 1,1’-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 2,2’-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2’-아조비스이소부티로니트릴, 2,2’-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2’-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스(2-메틸-N-페닐프로피온아미딘)디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[N-(4-클로로페닐)-2-메틸프로피온아미딘]디하이드라이드클로라이드, 2,2’-아조비스[N-(4-하이드로페닐)-2-메틸프로피온아미딘]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-메틸-N-(페닐메틸)프로피온아미딘]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-메틸-N-(2-프로페닐)프로피온아미딘]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[N-(2-하이드록시에틸)-2-메틸프로피온아미딘]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-(5-메틸-2-이미다졸린-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-(4,5,6,7-테트라하이드로-1H-1,3-디아제핀-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-(3,4,5,6-테트라하이드로피리미딘-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-(5-하이드록시-3,4,5,6-테트라하이드로피리미딘-2-일)프로판]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-[1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸린-2-일]프로판]디하이드로클로라이드, 2,2’-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판], 2,2’-아조비스[2-메틸-N-[1,1-비스(하이드록시메틸)-2-하이드록시에틸]프로피온아미드], 2,2’-아조비스[2-메틸-N-[1,1-비스(하이드록시메틸)에틸]프로피온아미드], 2,2’-아조비스[2-메틸-N-(2-하이드록시에틸)프로피온아미드], 2,2’-아조비스(2-메틸프로피온아미드), 2,2’-아조비스(2,4,4-트리메틸펜탄), 2,2’-아조비스(2-메틸프로판), 디메틸-2,2-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 4,4’-아조비스(4-시아노펜탄산), 2,2’-아조비스[2-(하이드록시메틸)프로피오니트릴] 등의 아조계 중합개시제도 들 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 라디칼중합개시제로는, 이들 중 1종을 단독으로 이용할 수도 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있고, 다른 공지의 중합개시제를 추가로 조합하여 이용할 수도 있다.
상기 라디칼중합개시제의 함유량으로는, 화학양론적으로 필요한 양이면 되는데, 상기 서술한 화합물 내지 수지를 포함하는 조성물의 합계질량 100질량부로 한 경우에 0.05~25질량부인 것이 바람직하고, 0.1~10질량부인 것이 보다 바람직하다. 라디칼중합개시제의 함유량이 0.05질량부 이상인 경우에는, 경화가 불충분해지는 것을 방지할 수 있는 경향이 있고, 한편, 라디칼중합개시제의 함유량이 25질량부 이하인 경우에는, 하층막 형성재료의 실온에서의 장기보존안정성이 손상되는 것을 방지할 수 있는 경향이 있다.
[산발생제]
상기 하층막 형성재료는, 열에 의한 가교반응을 더욱 촉진시키는 등의 관점으로부터, 필요에 따라 산발생제를 함유하고 있을 수도 있다. 산발생제로는, 열분해에 의해 산을 발생하는 것, 광조사에 의해 산을 발생하는 것 등이 알려져 있는데, 어느 것이나 사용할 수 있다. 예를 들어, 국제공개 제2013/024779호에 기재된 것을 이용할 수 있다.
상기 하층막 형성재료에 있어서, 산발생제의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 하층막 형성재료 100질량부에 대해, 0.1~50질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~40질량부이다. 산발생제의 함유량을 상기의 바람직한 범위로 함으로써, 산발생량이 많아져 가교반응이 높아지는 경향이 있고, 또한, 레지스트층과의 믹싱현상의 발생이 억제되는 경향이 있다.
[염기성 화합물]
나아가, 상기 하층막 형성재료는, 보존안정성을 향상시키는 등의 관점으로부터, 염기성 화합물을 함유하고 있을 수도 있다.
염기성 화합물은, 산발생제로부터 미량 발생한 산이 가교반응을 진행시키는 것을 방지하기 위한, 산에 대한 ?차의 역할을 한다. 이러한 염기성 화합물로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 국제공개 제2013/024779호에 기재된 것을 들 수 있다.
상기 하층막 형성재료에 있어서, 염기성 화합물의 함유량은, 특별히 한정되지 않으나, 하층막 형성재료 100질량부에 대해, 0.001~2질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01~1질량부이다. 염기성 화합물의 함유량을 상기의 바람직한 범위로 함으로써, 가교반응을 과도하게 손상시키는 일 없이 보존안정성이 높아지는 경향이 있다.
[기타 첨가제]
또한, 본 실시형태에 있어서의 하층막 형성재료는, 열이나 광에 의한 경화성의 부여나 흡광도를 콘트롤할 목적으로, 다른 수지 및/또는 화합물을 함유하고 있을 수도 있다. 이러한 다른 수지 및/또는 화합물로는, 나프톨수지, 자일렌수지나프톨변성 수지, 나프탈렌수지의 페놀변성 수지, 폴리하이드록시스티렌, 디시클로펜타디엔수지, (메트)아크릴레이트, 디메타크릴레이트, 트리메타크릴레이트, 테트라메타크릴레이트, 비닐나프탈렌, 폴리아세나프틸렌 등의 나프탈렌환, 페난트렌퀴논, 플루오렌 등의 비페닐환, 티오펜, 인덴 등의 헤테로원자를 갖는 복소환을 포함하는 수지나 방향족환을 함유하지 않는 수지; 로진계 수지, 시클로덱스트린, 아다만탄(폴리)올, 트리시클로데칸(폴리)올 및 이들의 유도체 등의 지환구조를 포함하는 수지 또는 화합물 등을 들 수 있는데, 이것들로 특별히 한정되지 않는다. 나아가, 본 실시형태에 있어서의 하층막 형성재료는, 공지의 첨가제를 함유하고 있을 수도 있다. 상기 공지의 첨가제로는, 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, 열 및/또는 광경화촉매, 중합금지제, 난연제, 충전제, 커플링제, 열경화성 수지, 광경화성 수지, 염료, 안료, 증점제, 활제, 소포제, 레벨링제, 자외선흡수제, 계면활성제, 착색제, 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다.
[리소그래피용 하층막 및 다층 레지스트패턴의 형성방법]
상기 하층막 형성재료를 이용하여, 리소그래피용 하층막을 형성할 수 있다.
이때, 기판 상에, 상기 하층막 형성재료(본 실시형태의 조성물)를 이용하여 하층막을 형성하는 공정(A-1)과, 상기 하층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성하는 공정(A-2)과, 상기 제2의 형성공정의 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 공정(A-3)을 갖는 레지스트패턴 형성방법을 이용할 수 있다.
나아가, 본 실시형태의 다른 패턴 형성방법(회로패턴 형성방법)은, 기판 상에, 상기 하층막 형성재료(본 실시형태의 조성물)를 이용하여 하층막을 형성하는 공정(B-1)과, 상기 하층막 상에, 레지스트 중간층막재료를 이용하여 중간층막을 형성하는 공정(B-2)과, 상기 중간층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성하는 공정(B-3)과, 상기 공정(B-3)의 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상하여 레지스트패턴을 형성하는 공정(B-4)과, 상기 공정(B-4)의 후, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 중간층막을 에칭하고, 얻어진 중간층막패턴을 에칭마스크로 하여 상기 하층막을 에칭하고, 얻어진 하층막패턴을 에칭마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 기판에 패턴을 형성하는 공정(B-5)을 갖는다. 상기 레지스트 중간층막재료는, 규소원자를 함유할 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 리소그래피용 하층막은, 상기 하층막 형성재료로부터 형성되는 것이면, 그 형성방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 수법을 적용할 수 있다. 예를 들어, 본 실시형태의 하층막재료를 스핀코트나 스크린인쇄 등의 공지의 도포법 혹은 인쇄법 등으로 기판 상에 부여한 후, 유기용매를 휘발시키거나 하여 제거한 후, 공지의 방법으로 가교, 경화시켜, 본 실시형태의 리소그래피용 하층막을 형성할 수 있다. 가교방법으로는, 열경화, 광경화 등의 수법을 들 수 있다.
하층막의 형성시에는, 상층 레지스트와의 믹싱현상의 발생을 억제함과 함께 가교반응을 촉진시키기 위해, 베이크를 실시하는 것이 바람직하다. 이 경우, 베이크온도는, 특별히 한정되지 않으나, 80~450℃의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 200~400℃이다. 또한, 베이크시간도, 특별히 한정되지 않으나, 10~300초의 범위 내인 것이 바람직하다. 한편, 하층막의 두께는, 요구성능에 따라 적당히 선정할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 통상, 30~20,000nm 정도인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50~15,000nm로 하는 것이 바람직하다.
하층막을 제작한 후, 2층 프로세스의 경우는 그 위에 규소함유 레지스트층, 혹은 통상의 탄화수소로 이루어지는 단층 레지스트, 3층 프로세스의 경우는 그 위에 규소함유 중간층, 다시 그 위에 규소를 포함하지 않는 단층 레지스트층을 제작하는 것이 바람직하다. 이 경우, 이 레지스트층을 형성하기 위한 포토레지스트재료로는 공지의 것을 사용할 수 있다.
기판 상에 하층막을 제작한 후, 2층 프로세스의 경우는 그 하층막 상에 규소함유 레지스트층 혹은 통상의 탄화수소로 이루어지는 단층 레지스트를 제작할 수 있다. 3층 프로세스의 경우는 그 하층막 상에 규소함유 중간층, 다시 그 규소함유 중간층 상에 규소를 포함하지 않는 단층 레지스트층을 제작할 수 있다. 이들 경우에 있어서, 레지스트층을 형성하기 위한 포토레지스트재료는, 공지의 것으로부터 적당히 선택하여 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
2층 프로세스용의 규소함유 레지스트재료로는, 산소가스에칭내성의 관점으로부터, 베이스폴리머로서 폴리실세스퀴옥산유도체 또는 비닐실란유도체 등의 규소원자함유 폴리머를 사용하고, 추가로 유기용매, 산발생제, 필요에 따라 염기성 화합물 등을 포함하는 포지티브형의 포토레지스트재료가 바람직하게 이용된다. 여기서 규소원자함유 폴리머로는, 이러한 종류의 레지스트재료에 있어서 이용되고 있는 공지의 폴리머를 사용할 수 있다.
3층 프로세스용의 규소함유 중간층으로는 폴리실세스퀴옥산베이스의 중간층이 바람직하게 이용된다. 중간층에 반사방지막으로서 효과를 갖게 함으로서, 효과적으로 반사를 억제할 수 있는 경향이 있다. 예를 들어, 193nm노광용 프로세스에 있어서, 하층막으로서 방향족기를 많이 포함하고 기판에칭내성이 높은 재료를 이용하면, k값이 높아지고, 기판반사가 높아지는 경향이 있는데, 중간층으로 반사를 억제함으로써, 기판반사를 0.5% 이하로 할 수 있다. 이러한 반사방지효과가 있는 중간층으로는, 이하로 한정되지 않으나, 193nm노광용으로는 페닐기 또는 규소-규소결합을 갖는 흡광기가 도입된, 산 혹은 열로 가교하는 폴리실세스퀴옥산이 바람직하게 이용된다.
또한, Chemical Vapour Deposition(CVD)법으로 형성한 중간층을 이용할 수도 있다. CVD법으로 제작한 반사방지막으로서의 효과가 높은 중간층으로는, 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, SiON막이 알려져 있다. 일반적으로는, CVD법보다 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스에 의한 중간층의 형성 쪽이, 간편하고 비용적인 메리트가 있다. 한편, 3층 프로세스에 있어서의 상층 레지스트는, 포지티브형이어도, 네가티브형이어도, 어느 것이어도 되고, 또한, 통상 이용되고 있는 단층 레지스트와 동일한 것을 이용할 수 있다.
나아가, 본 실시형태에 있어서의 하층막은, 통상의 단층 레지스트용의 반사방지막 혹은 패턴무너짐 억제를 위한 하지재로서 이용할 수도 있다. 본 실시형태의 하층막은, 하지가공을 위한 에칭내성이 우수하므로, 하지가공을 위한 하드마스크로서의 기능도 기대할 수 있다.
상기 포토레지스트재료에 의해 레지스트층을 형성하는 경우에 있어서는, 상기 하층막을 형성하는 경우와 마찬가지로, 스핀코트법이나 스크린인쇄 등의 습식 프로세스가 바람직하게 이용된다. 또한, 레지스트재료를 스핀코트법 등으로 도포한 후, 통상, 프리베이크가 행해지는데, 이 프리베이크는, 80~180℃에서 10~300초의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 그 후, 상법에 따라서, 노광을 행하고, 포스트 익스포저 베이크(PEB), 현상을 행함으로써, 레지스트패턴을 얻을 수 있다. 한편, 레지스트막의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 일반적으로는, 30~500nm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50~400nm이다.
또한, 노광광은, 사용하는 포토레지스트재료에 따라 적당히 선택하여 이용하면 된다. 일반적으로는, 파장 300nm 이하의 고에너지선, 구체적으로는 248nm, 193nm, 157nm의 엑시머레이저, 3~20nm의 연X선, 전자빔, X선 등을 들 수 있다.
상기의 방법에 의해 형성되는 레지스트패턴은, 본 실시형태에 있어서의 하층막에 의해 패턴무너짐이 억제된 것이 된다. 이에 따라, 본 실시형태에 있어서의 하층막을 이용함으로써, 보다 미세한 패턴을 얻을 수 있고, 또한, 그 레지스트패턴을 얻기 위해 필요한 노광량을 저하시킬 수 있다.
다음에, 얻어진 레지스트패턴을 마스크로 하여 에칭을 행한다. 2층 프로세스에 있어서의 하층막의 에칭으로는, 가스에칭이 바람직하게 이용된다. 가스에칭으로는, 산소가스를 이용한 에칭이 호적하다. 산소가스에 더하여, He, Ar 등의 불활성가스나, CO, CO2, NH3, SO2, N2, NO2, H2가스를 가하는 것도 가능하다. 또한, 산소가스를 이용하지 않고, CO, CO2, NH3, N2, NO2, H2가스만으로 가스에칭을 행할 수도 있다. 특히 후자의 가스는, 패턴측벽의 언더컷 방지를 위한 측벽보호를 위해 바람직하게 이용된다.
한편, 3층 프로세스에 있어서의 중간층의 에칭에 있어서도, 가스에칭이 바람직하게 이용된다. 가스에칭으로는, 상기의 2층 프로세스에 있어서 설명한 것과 동일한 것을 적용할 수 있다. 특히, 3층 프로세스에 있어서의 중간층의 가공은, 프론계의 가스를 이용하여 레지스트패턴을 마스크로 하여 행하는 것이 바람직하다. 그 후, 상기 서술한 바와 같이 중간층패턴을 마스크로 하여, 예를 들어 산소가스에칭을 행함으로써, 하층막의 가공을 행할 수 있다.
여기서, 중간층으로서 무기하드마스크 중간층막을 형성하는 경우는, CVD법이나 원자층 퇴적(ALD)법 등으로, 규소산화막, 규소질화막, 규소산화질화막(SiON막)이 형성된다. 질화막의 형성방법으로는, 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, 일본특허공개 2002-334869호 공보(상기 서술한 특허문헌 9), 국제공개 제2004/066377호(상기 서술한 특허문헌 10)에 기재된 방법을 이용할 수 있다. 이러한 중간층막의 위에 직접 포토레지스트막을 형성할 수 있는데, 중간층막의 위에 유기반사방지막(BARC)을 스핀코트로 형성하여, 그 위에 포토레지스트막을 형성해도 된다.
중간층으로서, 폴리실세스퀴옥산베이스의 중간층도 바람직하게 이용된다. 레지스트 중간층막에 반사방지막으로서 효과를 갖게 함으로써, 효과적으로 반사를 억제할 수 있는 경향이 있다. 폴리실세스퀴옥산베이스의 중간층의 구체적인 재료에 대해서는, 이하로 한정되지 않으나, 예를 들어, 일본특허공개 2007-226170호 공보(상기 서술한 특허문헌 11), 일본특허공개 2007-226204호 공보(상기 서술한 특허문헌 12)에 기재된 것을 이용할 수 있다.
또한, 다음 기판의 에칭도, 상법에 의해 행할 수 있고, 예를 들어, 기판이 SiO2, SiN이면 프론계 가스를 주체로 한 에칭, p-Si나 Al, W이면 염소계, 브롬계 가스를 주체로 한 에칭을 행할 수 있다. 기판을 프론계 가스로 에칭하는 경우, 2층 레지스트 프로세스의 규소함유 레지스트와 3층 프로세스의 규소함유 중간층은, 기판가공과 동시에 박리된다. 한편, 염소계 혹은 브롬계 가스로 기판을 에칭한 경우는, 규소함유 레지스트층 또는 규소함유 중간층의 박리가 별도 행해지고, 일반적으로는, 기판가공 후에 프론계 가스에 의한 드라이에칭 박리가 행해진다.
상기 하층막은, 이들 기판의 에칭내성이 우수하다는 특징이 있다. 한편, 기판은, 공지의 것을 적당히 선택하여 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, Si, α-Si, p-Si, SiO2, SiN, SiON, W, TiN, Al 등을 들 수 있다. 또한, 기판은, 기재(지지체) 상에 피가공막(피가공기판)을 갖는 적층체일 수도 있다. 이러한 피가공막으로는, Si, SiO2, SiON, SiN, p-Si, α-Si, W, W-Si, Al, Cu, Al-Si 등 여러가지의 Low-k막 및 그의 스토퍼막 등을 들 수 있고, 통상, 기재(지지체)와는 상이한 재질의 것이 이용된다. 한편, 가공대상이 되는 기판 혹은 피가공막의 두께는, 특별히 한정되지 않으나, 통상, 50~1,000,000nm 정도인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 75~500,000nm이다.
[레지스트 영구막]
한편, 본 실시형태의 조성물을 이용하여 레지스트 영구막을 제작할 수도 있는, 본 실시형태의 조성물을 도포하여 이루어지는 레지스트 영구막은, 필요에 따라 레지스트패턴을 형성한 후, 최종제품에도 잔존하는 영구막으로서 호적하다. 영구막의 구체예로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 반도체 디바이스관계(デバイス缶啓關係)에서는, 솔더레지스트, 패키지재, 언더필재, 회로소자 등의 패키지접착층이나 집적회로소자와 회로기판의 접착층, 박형 디스플레이 관련에서는, 박막트랜지스터보호막, 액정컬러필터보호막, 블랙매트릭스, 스페이서 등을 들 수 있다. 특히, 본 실시형태의 조성물로 이루어지는 영구막은, 내열성이나 내습성이 우수한데다가 승화성분에 의한 오염성이 적다는 매우 우수한 이점도 갖는다. 특히 표시재료에 있어서, 중요한 오염에 의한 화질열화가 적은 고감도, 고내열, 흡습신뢰성을 겸비한 재료가 된다.
본 실시형태의 조성물을 레지스트 영구막용도로 이용하는 경우에는, 경화제 외에, 추가로 필요에 따라 기타 수지, 계면활성제나 염료, 충전제, 가교제, 용해촉진제 등의 각종 첨가제를 첨가하고, 유기용제에 용해함으로써, 레지스트 영구막용 조성물로 할 수 있다.
본 실시형태의 리소그래피용 막형성 조성물이나 레지스트 영구막용 조성물은 상기 각 성분을 배합하고, 교반기 등을 이용하여 혼합함으로써 조정할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 레지스트 하층막용 조성물이나 레지스트 영구막용 조성물이 충전제나 안료를 함유하는 경우에는, 디졸바, 호모게나이저, 3롤밀 등의 분산장치를 이용하여 분산 혹은 혼합하여 조정할 수 있다.
실시예
이하, 본 실시형태를 합성예 및 실시예를 통해 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명은, 이들 예로 한정되는 것은 전혀 아니다.
[탄소농도 및 산소농도]
하기 장치를 이용하여 유기원소분석에 의해 탄소농도 및 산소농도(질량%)를 측정하였다.
장치: CHN코더MT-6(야나코분석공업(주)제)
[분자량]
화합물의 분자량은, Water사제 Acquity UPLC/MALDI-Synapt HDMS를 이용하여, LC-MS분석에 의해 측정하였다.
또한, 이하의 조건으로 겔침투크로마토그래피(GPC)분석을 행하고, 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량(Mw), 수평균분자량(Mn), 및 분산도(Mw/Mn)를 구하였다.
장치: Shodex GPC-101형(쇼와덴코(주)제)
컬럼: KF-80M×3
용리액: THF 1mL/min
온도: 40℃
[용해성]
23℃에서, 화합물을 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 시클로헥사논(CHN), 유산에틸(EL), 메틸아밀케톤(MAK) 또는 테트라메틸우레아(TMU)에 대해 3질량%용액이 되도록 교반하여 용해시킨 후, 1주간 경과시켰다. 해당 용해도시험의 결과를 이하의 기준에 따라서 화합물의 용해성을 평가하였다.
평가A: 육안으로 어느 하나의 용매로 석출물이 생성되지 않는 것을 확인하였다.
평가C: 육안으로 어느 하나의 용매로 석출물이 생성되어 있는 것을 확인하였다.
[화합물의 구조]
화합물의 구조는, Bruker사제 「Advance600II spectrometer」를 이용하여, 이하의 조건으로, 1H-NMR측정을 행하고, 확인하였다.
주파수: 400MHz
용매: d6-DMSO
내부표준: TMS
측정온도: 23℃
[열분해온도]
에스아이아이·나노테크놀로지사제 EXSTAR TG/DTA6200장치를 사용하고, 시료 약 5mg을 알루미늄제 비밀봉용기에 넣고, 질소가스(100mL/min)기류중 승온속도 10℃/min로 550℃까지 승온하였다. 이때, 베이스라인에 감소부분이 나타나는 온도를 열분해온도로 하였다.
[유리전이점 및 융점]
에스아이아이·나노테크놀로지사제 「EXSTAR DSC6200」의 시차주사 열량장치를 사용하고, 시료 약 5mg을 알루미늄제 밀봉용기에 넣고, 질소가스(100mL/min)기류중 승온속도 10℃/min로 350℃까지 승온하였다. 이때, 확인된 흡열피크의 톱온도를 융점으로 하였다.
이어서 시료를 급랭하고, 재차, 질소가스(100mL/min)기류중 승온속도 10℃/min로 400℃까지 승온하였다. 이때, 베이스라인의 감소개시 및 종료부분 사이의 변곡점을 유리전이점으로 하였다.
<합성예 1> XBisN-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 100mL의 용기에 2,6-나프탈렌디올(시그마-알드리치사제 시약) 3.20g(20mmol)과 4-비페닐카르복시알데히드(미쯔비시가스화학사제) 1.82g(10mmol)을 30mL메틸이소부틸케톤에 투입하고, 95%의 황산 5mL를 첨가하여, 반응액을 100℃에서 6시간 교반하여 반응을 행하였다. 다음에 반응액을 농축하고, 순수 50g을 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행해 분리하였다. 얻어진 고형물을 여과하고, 건조시킨 후, 컬럼크로마토에 의한 분리정제를 행해, 하기 식(XBisN-1)로 표시되는 목적화합물 3.05g을 얻었다. 400MHz-1H-NMR에 의해 하기 식(XBisN-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.7(2H,O-H), 7.2~8.5(19H,Ph-H), 6.6(1H,C-H)
한편, 2,6-나프탈렌디올의 치환위치가 1위(位)인 것은, 3위와 4위의 프로톤의 시그널이 더블릿인 것으로부터 확인하였다.
[화학식 526]
Figure pct00526
<합성예 2> BisF-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 200mL의 용기를 준비하였다. 이 용기에, 4,4-비페놀(도쿄화성사제 시약) 30g(161mmol)과, 4-비페닐알데히드(미쯔비시가스화학사제) 15g(82mmol)과, 아세트산부틸 100mL를 투입하고, p-톨루엔설폰산(칸토화학사제 시약) 3.9g(21mmol)을 첨가하여, 반응액을 조제하였다. 이 반응액을 90℃에서 3시간 교반하여 반응을 행하였다. 다음에, 반응액을 농축하고, 헵탄 50g을 첨가하여 반응생성물을 석출시키고, 실온까지 냉각한 후, 여과를 행해 분리하였다. 여과에 의해 얻어진 고형물을 건조시킨 후, 컬럼크로마토에 의한 분리정제를 행함으로써, 하기 식으로 표시되는 목적화합물(BisF-1) 5.8g을 얻었다.
한편, 400MHz-1H-NMR에 의해 이하의 피크가 발견되었으며, 하기 식(BisF-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.4(4H,O-H), 6.8~7.8(22H,Ph-H), 6.2(1H,C-H)
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 536이었다.
[화학식 527]
Figure pct00527
<합성실시예 1-1> HM2-XBisN-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 100mL의 용기에 수산화나트륨 12g(300mmol)을 첨가한 증류수 120mL를 넣고, 상기 식(XBisN-1)로 표시되는 화합물 10.0g(21mmol)을 넣고, 이어서 35질량%포름알데히드수용액 25.7g(300mmol)을 넣고, 50℃에서 8시간 반응을 행하였다.
반응 종료 후, 아세트산에틸 150mL를 투입하고, 유기층을 1N HCl 100mL로 세정, 수세, 식염수 세정하고, 건조시켰다. 그 후, 이배퍼레이션에 의해 농축하고, 컬럼크로마토에 의한 분리정제를 행해, 하기 식(HM2-XBisN-1)로 표시되는 목적화합물 2.0g을 얻었다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(HM2-XBisN-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.7(2H,O-H), 7.2~8.5(17H,Ph-H), 6.6(1H,C-H), 4.4~4.5(6H, -CH2OH)
[화학식 528]
Figure pct00528
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 526이었다.
얻어진 화합물의 열분해온도는 200℃ 이상이고, 고내열성을 갖는 것이 확인되었다.
<합성실시예 2-1> HM6-BisF-1의 합성
상기 식(XBisN-1)로 표시되는 화합물 대신에, 상기 식(BisF-1)로 표시되는 화합물을 이용한 것 이외, 합성실시예 1-1과 동일하게 반응시켜, 하기 식(HM6-BisF-1)로 표시되는 목적화합물 2.2g을 얻었다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(HM6-BisF-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.4(4H,O-H), 6.8~7.8(20H,Ph-H), 6.2(1H,C-H), 4.4~4.5(18H,-CH2OH)
[화학식 529]
Figure pct00529
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 716이었다.
얻어진 화합물의 열분해온도는 200℃ 이상이고, 고내열성을 갖는 것이 확인되었다.
<합성실시예 1-2> MM2-XBisN-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 100mL의 용기에 메탄올 180g, 황산 6g을 투입하고, 균일용액으로 한 후, 합성실시예 1-1에서 얻어진 HM2-XBisN-1 2.0g을 첨가하고, 55℃에서 8시간 반응을 행하였다.
반응 종료 후, 수산화나트륨수용액에 의해 중화한 후, 이배퍼레이션에 의해 농축하고, 컬럼크로마토에 의한 분리정제를 행해, 하기 식(MM2-XBisN-1)로 표시되는 목적화합물 2.0g을 얻었다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(MM2-XBisN-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.7(2H,O-H), 7.2~8.5(17H,Ph-H), 6.6(1H,C-H), 4.5(4H, -CH2-), 3.4(6H, -CH3)
[화학식 530]
Figure pct00530
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 554였다.
얻어진 화합물의 열분해온도는 200℃ 이상이고, 고내열성을 갖는 것이 확인되었다.
<합성실시예 2-2> MM6-BisF-1의 합성
상기 식(HM2-XBisN-1)로 표시되는 화합물 대신에, 상기 식(HM6-BisF-1)로 표시되는 화합물을 이용한 것 이외, 합성실시예 1-2와 동일하게 반응시켜, 하기 식(MM6-BisF-1)로 표시되는 목적화합물 0.5g을 얻었다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(MM6-BisF-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.4(4H,O-H), 6.8~7.8(20H,Ph-H), 6.2(1H,C-H), 4.5(12H, -CH2-), 3.4(18H, -CH3)
[화학식 531]
Figure pct00531
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 800이었다.
얻어진 화합물의 열분해온도는 200℃ 이상이고, 고내열성을 갖는 것이 확인되었다.
<합성예 3> BiN-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 300mL의 용기에 있어서, 2-나프톨(시그마-알드리치사제 시약) 10g(69.0mmol)을 120℃에서 용융 후, 황산 0.27g을 투입하고, 4-아세틸비페닐(시그마-알드리치사제 시약) 2.7g(13.8mmol)을 첨가하여, 내용물을 120℃에서 6시간 교반하여 반응을 행해 반응액을 얻었다. 다음에 반응액에 N-메틸-2-피롤리돈(칸토화학주식회사제) 100mL, 순수 50mL를 첨가한 후, 아세트산에틸에 의해 추출하였다. 다음에 순수를 첨가하여 중성이 될 때까지 분액 후, 농축을 행해 용액을 얻었다.
얻어진 용액을, 컬럼크로마토에 의한 분리 후, 하기 식(BiN-1)로 표시되는 목적화합물(BiN-1)이 1.0g 얻어졌다.
얻어진 화합물(BiN-1)에 대하여, 상기 서술한 방법에 의해 분자량을 측정한 결과, 466이었다.
얻어진 화합물(BiN-1)에 대하여, 상기 서술한 측정조건으로, NMR측정을 행한 바, 이하의 피크가 발견되었으며, 하기 식(BiN-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
[화학식 532]
Figure pct00532
<합성실시예 3-1> HM2-BiN-1의 합성
상기 식(XBisN-1)로 표시되는 화합물 대신에, 상기 식(BiN-1)로 표시되는 화합물을 이용한 것 이외는 합성실시예 1-1과 동일하게 반응시켜, 하기 식(HM2-BiN-1)로 표시되는 목적화합물 4.6g을 얻었다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(HM2-BiN-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.7(2H,O-H), 7.4~8.3(18H,Ph-H), 4.4~4.6(6H, -CH2OH), 2.3(3H,CH3)
[화학식 533]
Figure pct00533
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 558이었다.
얻어진 화합물의 열분해온도는 371℃, 유리전이점은 130℃, 융점은 242℃이고, 고내열성이 확인되었다.
<합성실시예 3-2> MM2-BiN-1의 합성
상기 식(HM2-XBiN-1)로 표시되는 화합물 대신에, 상기 식(HM2-BiN-1)로 표시되는 화합물을 이용한 것 이외, 합성실시예 1-2와 동일하게 반응시켜, 하기 식(MM2-BiN-1)로 표시되는 목적화합물이 4.0g 얻어졌다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(MM2-BiN-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 8.5(2H,O-H), 6.8~8.4(27H,Ph-H), 4.0(4H,-O-CH2-), 3.5(6H,-CH3), 2.2(3H,-CH3)
[화학식 534]
Figure pct00534
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 586이었다. 얻어진 화합물의 열분해온도는 373℃, 유리전이점은 122℃, 융점은 231℃이고, 고내열성이 확인되었다.
<합성예 4> BiP-1의 합성
2-나프톨 대신에, o-페닐페놀을 사용하는 것 이외는 합성예 1과 동일하게 반응시켜, 하기 식(BiP-1)로 표시되는 목적화합물이 1.0g 얻어졌다.
얻어진 화합물(BiP-1)에 대하여, 상기 서술한 방법에 의해 분자량을 측정한 결과, 466이었다.
얻어진 화합물(BiP-1)에 대하여, 상기 서술한 측정조건으로, NMR측정을 행한 바, 이하의 피크가 발견되었으며, 하기 식(BiP-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
δ(ppm) 9.67(2H,O-H), 6.98~7.60(25H,Ph-H), 2.25(3H,C-H)
[화학식 535]
Figure pct00535
<합성실시예 4-1> HM6-BiP-1의 합성
상기 식(XBisN-1)로 표시되는 화합물 대신에, 상기 식(BiP-1)로 표시되는 화합물을 이용한 것 이외는 합성실시예 1-1과 동일하게 반응시켜, 하기 식(HM6-BiP-1)로 표시되는 목적화합물 4.8g을 얻었다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(HM6-BiP-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 9.3(2H,O-H), 6.8~8.5(32H,Ph-H), 2.2(3H,-CH3)
[화학식 536]
Figure pct00536
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 794였다.
얻어진 화합물의 열분해온도는 363℃, 유리전이점은 103℃, 융점은 204℃이고, 고내열성이 확인되었다.
<합성실시예 4-2> MM6-BiP-1의 합성
상기 식(HM2-XBisN)으로 표시되는 화합물 대신에, 상기 식(HM6-BiP-1)로 표시되는 화합물을 이용한 것 이외, 합성실시예 1-1과 동일하게 반응시켜, 하기 식(MM6-BiP-1)로 표시되는 목적화합물이 5.0g 얻어졌다.
400MHz-1H-NMR에 의해, 하기 식(MM6-BiP-1)의 화학구조를 갖는 것을 확인하였다.
1H-NMR: (d-DMSO, 내부표준TMS)
δ(ppm) 8.6(2H,O-H), 6.8~8.8(32H,Ph-H), 4.0(4H,-O-CH2-), 3.5(6H,-CH3), 2.2(3H,-CH3)
[화학식 537]
Figure pct00537
얻어진 화합물에 대하여, LC-MS분석에 의해 분자량을 측정한 결과, 878이었다. 얻어진 화합물의 열분해온도는 359℃, 유리전이점은 102℃, 융점은 217℃이고, 고내열성이 확인되었다.
(합성예 5~14)
합성예 3의 원료인 2-나프톨 및 4-아세틸비페닐을 표 1과 같이 변경하고, 그 밖에는 합성예 3과 동일하게 행해, 각 목적물을 얻었다.
각각의 목적물을, 1H-NMR로 동정한 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00538
[표 2]
Figure pct00539
[화학식 538]
Figure pct00540
[화학식 539]
Figure pct00541
[화학식 540]
Figure pct00542
(합성예 15~17)
합성예 1의 원료인 4-비페닐카르복시알데히드를 표 3의 원료2와 같이 변경하고, 그 밖에는 합성예 1과 동일하게 행해, 각 목적물을 얻었다.
각각의 목적물을 1H-NMR로 동정한 결과를 표 4에 나타낸다.
[표 3]
Figure pct00543
[표 4]
Figure pct00544
[화학식 541]
Figure pct00545
(합성예 18~19)
합성예 3의 원료인 2-나프톨 및 4-아세틸비페닐을 표 5와 같이 변경하고, 물 1.5mL, 도데실메르캅탄 73mg(0.35mmol), 37%염산 2.3g(22mmol)을 첨가하고, 반응온도를 55℃로 변경하고, 그 밖에는 합성예 3과 동일하게 행해, 각 목적물을 얻었다.
각각의 목적물을, 1H-NMR로 동정한 결과를 표 6에 나타낸다.
[표 5]
Figure pct00546
[표 6]
Figure pct00547
[화학식 542]
Figure pct00548
(합성실시예 5-1~22-1)
합성실시예 3-1의 원료인 상기 식(BiN-1)로 표시되는 화합물을 표 7과 같이 변경하고, 그 밖에는 합성실시예 3-1과 동일한 조건으로 합성을 행해, 각각, 목적물을 얻었다. 각 화합물의 구조는 400MHz-1H-NMR(d-DMSO, 내부표준TMS) 및 FD-MS로 분자량을 확인함으로써, 동정하였다.
(합성실시예 5-2~19-2)
합성실시예 3-2의 원료인 상기 식(HM2-BiN-1)로 표시되는 화합물을 표 7과 같이 변경하고, 그 밖에는 합성실시예 3-2와 동일한 조건으로 합성을 행해, 각각, 목적물을 얻었다. 각 화합물의 구조는 400MHz-1H-NMR(d-DMSO, 내부표준TMS) 및 FD-MS로 분자량을 확인함으로써, 동정하였다.
[표 7]
Figure pct00549
[화학식 543]
Figure pct00550
[화학식 544]
Figure pct00551
[화학식 545]
Figure pct00552
[화학식 546]
Figure pct00553
[화학식 547]
Figure pct00554
[화학식 548]
Figure pct00555
(합성예 20) 수지(R1-XBisN-1)의 합성
딤로스냉각관, 온도계 및 교반날개를 구비한, 바닥탈부착이 가능한 내용적 1L의 4개구 플라스크를 준비하였다. 이 4개구 플라스크에, 질소기류중, 합성실시예 1에서 얻어진 화합물(XBisN-1)을 32.6g(70mmol, 미쯔비시가스화학(주)제), 40질량%포르말린수용액 21.0g(포름알데히드로서 280mmol, 미쯔비시가스화학(주)제) 및 98질량%황산(칸토화학(주)제) 0.97mL를 투입하고, 상압하, 100℃에서 환류시키면서 7시간 반응시켰다. 그 후, 희석용매로서 오르토자일렌(와코순약공업(주)제 시약특급) 180.0g을 반응액에 첨가하고, 정치 후, 하상의 수상을 제거하였다. 다시, 중화 및 수세를 행하고, 오르토자일렌을 감압하에서 유거함으로써, 갈색고체의 수지(R1-XBisN-1) 34.1g을 얻었다.
얻어진 수지(R1-XBisN-1)는, Mn: 1975, Mw: 3650, Mw/Mn: 1.84였다.
(합성예 21) 수지(R2-XBisN-1)의 합성
딤로스냉각관, 온도계 및 교반날개를 구비한, 바닥탈부착이 가능한 내용적 1L의 4개구 플라스크를 준비하였다. 이 4개구 플라스크에, 질소기류중, 합성예 1에서 얻어진 화합물(XBisN-1)을 32.6g(70mmol, 미쯔비시가스화학(주)제), 4-비페닐알데히드 50.9g(280mmol, 미쯔비시가스화학(주)제), 아니솔(칸토화학(주)제) 100mL 및 옥살산이수화물(칸토화학(주)제) 10mL를 투입하고, 상압하, 100℃에서 환류시키면서 7시간 반응시켰다. 그 후, 희석용매로서 오르토자일렌(와코순약공업(주)제 시약특급) 180.0g을 반응액에 첨가하고, 정치 후, 하상의 수상을 제거하였다. 다시, 중화 및 수세를 행하고, 유기상의 용매 및 미반응의 4-비페닐알데히드를 감압하에서 유거함으로써, 갈색고체의 수지(R2-XBisN-1) 34.7g을 얻었다.
얻어진 수지(R2-XBisN-1)는, Mn: 1610, Mw: 3567, Mw/Mn: 1.59였다.
<합성실시예 20-1> HM-R1-XBisN-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 1000mL의 용기에 수산화나트륨 36g(900mmol)을 첨가한 증류수 200mL를 넣고, 상기 식(R1-XBisN-1)로 표시되는 수지 30.0g을 넣고, 이어서 35질량%포름알데히드수용액 51.4g(600mmol)을 첨가하고, 50℃에서 8시간 반응을 행하였다.
반응 종료 후, 아세트산에틸 250mL를 투입하고, 유기층을 1N-HCl 100mL로 세정, 수세, 식염수 세정하고, 이배퍼레이션에 의해 농축하고, 석출된 고형물을 70℃에서 진공건조시킴으로써, 회색고체의 수지(HM-R1-XBisN-1) 26.0g을 얻었다.
얻어진 수지(HM-R1-XBisN-1)는, Mn: 2210, Mw: 3947, Mw/Mn: 1.78이었다.
<합성실시예 20-2> MM-R1-XBisN-1의 합성
교반기, 냉각관 및 뷰렛을 구비한 내용적 1000mL의 용기에 메탄올 280g, 황산 20g을 투입하고, 균일용액으로 한 후, 합성실시예 20-1에서 얻어진 수지(HM-R1-XBisN-1)를 10.0g 첨가하고, 55℃에서 8시간 반응을 행하였다.
반응 종료 후, 수산화나트륨수용액에 의해 중화한 후, 이배퍼레이션에 의해 농축하고, 석출된 고형물을 70℃에서 진공건조시킴으로써, 회색고체의 수지(MM-R1-XBisN-1) 12.1g을 얻었다.
얻어진 수지(MM-R1-XBisN-1)는, Mn: 2121, Mw: 3640, Mw/Mn: 였다.
<합성실시예 21-1> HM-R2-XBisN-1의 합성
상기 수지(R1-XBisN-1) 대신에, 상기 수지(R2-XBisN-1) 30.6g을 사용한 것 이외는 합성실시예 20-1과 동일하게 반응시켜, 회색고체의 수지(HM-R2-XBisN-1) 36.5g을 얻었다.
얻어진 수지(HM-R2-XBisN-1)는, Mn: 2116, Mw: 3160, Mw/Mn: 1.62였다.
<합성실시예 21-2> MM-R2-XBisN-1의 합성
상기 수지(HM-R1-XBisN-1) 대신에, 상기 수지(HM-R2-XBisN-1) 33.6g을 사용한 것 이외는 합성실시예 20-2와 동일하게 반응시켜, 회색고체의 수지(MM-R2-XBisN-1) 39.5g을 얻었다.
얻어진 수지(MM-R2-XBisN-1)는, Mn: 2176, Mw: 3530, Mw/Mn: 1.63이었다.
<비교합성예 1>
딤로스냉각관, 온도계 및 교반날개를 구비한, 바닥탈부착이 가능한 내용적 10L의 4개구 플라스크를 준비하였다. 이 4개구 플라스크에, 질소기류중, 1,5-디메틸나프탈렌 1.09kg(7mol, 미쯔비시가스화학(주)제), 40질량%포르말린수용액 2.1kg(포름알데히드로서 28mol, 미쯔비시가스화학(주)제) 및 98질량%황산(칸토화학(주)제) 0.97mL를 투입하고, 상압하, 100℃에서 환류시키면서 7시간 반응시켰다. 그 후, 희석용매로서 에틸벤젠(와코순약공업(주)제 시약특급) 1.8kg을 반응액에 첨가하고, 정치 후, 하상의 수상을 제거하였다. 다시, 중화 및 수세를 행하고, 에틸벤젠 및 미반응의 1,5-디메틸나프탈렌을 감압하에서 유거함으로써, 담갈색고체의 디메틸나프탈렌포름알데히드수지 1.25kg을 얻었다.
얻어진 디메틸나프탈렌포름알데히드의 분자량은, Mn: 562였다.
이어서, 딤로스냉각관, 온도계 및 교반날개를 구비한 내용적 0.5L의 4개구 플라스크를 준비하였다. 이 4개구 플라스크에, 질소기류하에서, 상기 서술한 바와 같이 하여 얻어진 디메틸나프탈렌포름알데히드수지 100g(0.51mol)과 파라톨루엔설폰산 0.05g을 투입하고, 190℃까지 승온시켜 2시간 가열한 후, 교반하였다. 그 후 추가로, 1-나프톨 52.0g(0.36mol)을 첨가하고, 다시 220℃까지 승온시켜 2시간 반응시켰다. 용제희석 후, 중화 및 수세를 행하고, 용제를 감압하에서 제거함으로써, 흑갈색고체의 변성 수지(CR-1) 126.1g을 얻었다.
얻어진 수지(CR-1)에 대하여, GPC분석을 행한 결과, Mn: 885, Mw: 2220, Mw/Mn: 4.17이었다. 또한, 탄소농도는 89.1질량%, 산소농도는 4.5질량%였다.
(실시예 1-1~21-2, 실시예 1-1A~21-2A, 비교예 1)
상기 합성실시예 1-1~21-2에 기재된 화합물 혹은 수지, 합성비교예 1의 CR-1을 이용하여 용해도시험을 행하였다. 결과를 표 8에 나타낸다.
또한, 하기 표 8에 나타내는 조성의 리소그래피용 하층막 형성재료 조성물을 각각 조제하였다. 다음에, 이들 리소그래피용 하층막 형성재료 조성물을 실리콘 기판 상에 회전도포하고, 그 후, 240℃에서 60초간, 다시 400℃에서 120초간 베이크하여, 막두께 200nm의 하층막을 각각 제작하였다. 산발생제, 가교제 및 유기용매에 대해서는 다음의 것을 이용하였다.
·산발생제: 미도리화학사제 디터셔리부틸디페닐요오드늄노나플루오로메탄설포네이트(DTDPI)
·가교제: 산와케미칼사제 니카락MX270(니카락)
·유기용매: 메틸아밀케톤(MAK)
·노볼락: 군에이화학사제 PSM4357
(실시예 22~41)
또한, 하기 표 9에 나타내는 조성의 리소그래피용 하층막 형성재료 조성물을 각각 조제하였다. 다음에, 이들 리소그래피용 하층막 형성재료 조성물을 실리콘 기판 상에 회전도포하고, 그 후, 110℃에서 60초간 베이크하여 도막의 용매를 제거한 후, 고압수은램프에 의해, 적산노광량 600mJ/cm2, 조사시간 20초로 경화시켜 막두께 200nm의 하층막을 각각 제작하였다. 광라디칼중합개시제, 가교제 및 유기용매에 대해서는 다음의 것을 이용하였다.
광라디칼중합개시제: BASF사제 IRGACURE184
가교제:
(1) 산와케미칼사제 니카락MX270(니카락)
(2) 미쯔비시가스화학제 디알릴비스페놀A형 시아네이트(DABPA-CN)
(3) 코니시화학공업제 디알릴비스페놀A(BPA-CA)
(4) 코니시화학공업제 벤조옥사진(BF-BXZ)
(5) 일본화약제 비페닐아랄킬형 에폭시수지(NC-3000-L)
유기용매: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트아세테이트(PGMEA)
상기 가교제의 구조를 하기 식으로 나타낸다.
[화학식 549]
Figure pct00556
[화학식 550]
Figure pct00557
[화학식 551]
Figure pct00558
[화학식 552]
Figure pct00559
[에칭내성의 평가]
그리고, 상기 각 실시예 및 비교예 1에서 조제한 리소그래피용 하층막 형성재료 조성물에 대하여, 하기에 나타내는 조건으로 에칭시험을 행하고, 에칭내성을 평가하였다. 평가결과를 표 8 및 표 9에 나타낸다.
[에칭시험]
에칭장치: 삼코인터내셔널사제 RIE-10NR
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 2min
에칭가스
Ar가스유량:CF4가스유량:O2가스유량=50:5:5(sccm)
[에칭내성의 평가]
에칭내성의 평가는, 이하의 순서로 행하였다.
우선, 화합물(HM2-XBisN-1)을 대신하여 노볼락(군에이화학사제 PSM4357)을 이용한 것 이외는, 실시예 1-1과 동일한 조건으로, 노볼락의 하층막을 제작하였다. 그리고, 이 노볼락의 하층막을 대상으로 하여, 상기 에칭시험을 행하고, 이때의 에칭레이트를 측정하였다.
다음에, 각 실시예 및 비교예 1의 하층막을 대상으로 하여, 상기 에칭시험을 동일하게 행하고, 이때의 에칭레이트를 측정하였다.
그리고, 노볼락의 하층막의 에칭레이트를 기준으로 하여, 이하의 평가기준으로 에칭내성을 평가하였다.
[평가기준]
A: 노볼락의 하층막에 비해 에칭레이트가 -10% 미만
B: 노볼락의 하층막에 비해 에칭레이트가 -10%~+5%
C: 노볼락의 하층막에 비해 에칭레이트가 +5% 초과
[표 8-1]
Figure pct00560
[표 8-2]
Figure pct00561
[표 9]
Figure pct00562
(실시예 42~45)
다음에, 실시예 1-1~2-2에서 얻어진, HM2-XBisN-1, MM2-XBisN-1, HM6-BisF-1 또는 MM6-BisF-1을 포함하는 리소그래피용 하층막 형성재료의 각 용액을, 막두께 300nm의 SiO2기판 상에 도포하여, 240℃에서 60초간, 다시 400℃에서 120초간 베이크함으로써, 막두께 70nm의 하층막을 형성하였다. 이 하층막 상에, ArF용 레지스트용액을 도포하고, 130℃에서 60초간 베이크함으로써, 막두께 140nm의 포토레지스트층을 형성하였다. 한편, ArF레지스트용액으로는, 하기 식(11)의 화합물: 5질량부, 트리페닐설포늄노나플루오로메탄설포네이트: 1질량부, 트리부틸아민: 2질량부, 및 PGMEA: 92질량부를 배합하여 조제한 것을 이용하였다.
식(11)의 화합물은, 이하와 같이 하여 얻어졌다. 2-메틸-2-메타크릴로일옥시아다만탄 4.15g, 메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤 3.00g, 3-하이드록시-1-아다만틸메타크릴레이트 2.08g, 아조비스이소부티로니트릴 0.38g을, 테트라하이드로푸란 80mL에 용해시켜 반응용액으로 하였다. 이 반응용액을, 질소분위기하, 반응온도를 63℃로 유지하여, 22시간 중합시킨 후, 반응용액을 400ml의 n-헥산 중에 적하하였다. 이처럼 하여 얻어진 생성수지를 응고정제시키고, 생성된 백색분말을 여과하고, 감압하 40℃에서 하룻밤 건조시켜 얻었다.
[화학식 553]
Figure pct00563
상기 식(11) 중, 40, 40, 20이라 되어 있는 것은, 각 구성단위의 비율을 나타내는 것이며, 블록공중합체를 나타내는 것은 아니다.
이어서, 전자선 묘화장치(엘리오닉스사제; ELS-7500, 50keV)를 이용하여, 포토레지스트층을 노광하고, 115℃에서 90초간 베이크(PEB)하고, 2.38질량%테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)수용액으로 60초간 현상함으로써, 포지티브형의 레지스트패턴을 얻었다.
얻어진 55nmL/S(1:1) 및 80nmL/S(1:1)의 레지스트패턴의 형상 및 결함을 관찰하였다.
현상 후의 레지스트패턴의 형상에 대해서는, 패턴무너짐이 없고, 직사각형성이 양호한 것을 「양호」로 하고, 그 이외를 「불량」으로 하여 평가하였다. 또한, 상기 관찰의 결과, 패턴무너짐이 없고, 직사각형성이 양호한 최소의 선폭을 「해상성」으로 하여, 평가의 지표로 하였다. 나아가, 양호한 패턴형상을 묘화가능한 최소의 전자선에너지량을 「감도」로 하여, 평가의 지표로 하였다.
평가결과를 표 10에 나타낸다.
(비교예 2)
하층막의 형성을 행하지 않은 것 이외는, 실시예 42와 동일하게 하여, 포토레지스트층을 SiO2기판 상에 직접 형성하고, 포지티브형의 레지스트패턴을 얻었다. 결과를 표 10에 나타낸다.
[표 10]
Figure pct00564
표 8로부터 분명한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 화합물 혹은 수지를 이용한 실시예 1-1~21-2 및 실시예 1-1A~21-2A에서는, 내열성, 용해성 및 에칭내성의 어느 점에서도 양호한 것이 확인되었다. 한편, CR-1(페놀변성디메틸나프탈렌포름알데히드수지)을 이용한 비교예 1에서는, 에칭내성이 불량하였다.
또한, 표 10으로부터 분명한 바와 같이, 실시예 42~45에 있어서는, 현상 후의 레지스트패턴형상이 양호하고, 결함도 보이지 않는 것이 확인되었으며, 또한, 하층막의 형성을 생략한 비교예 2에 비해, 해상성 및 감도 모두 유의하게 우수한 것이 확인되었다.
현상 후의 레지스트패턴형상의 상이로부터, 실시예 42~45에 있어서 이용한 리소그래피용 하층막 형성재료는, 레지스트재료와의 밀착성이 좋은 것이 나타났다.
(실시예 46~49)
실시예 1-1~2-2에서 얻어진 리소그래피용 하층막 형성재료 조성물의 각 용액을 막두께 300nm의 SiO2기판 상에 도포하여, 240℃에서 60초간, 다시 400℃에서 120초간 베이크함으로써, 막두께 80nm의 하층막을 형성하였다. 이 하층막 상에, 규소함유 중간층재료를 도포하고, 200℃에서 60초간 베이크함으로써, 막두께 35nm의 중간층막을 형성하였다. 다시, 이 중간층막 상에, 상기 ArF용 레지스트용액을 도포하고, 130℃에서 60초간 베이크함으로써, 막두께 150nm의 포토레지스트층을 형성하였다. 한편, 규소함유 중간층재료로는, 일본특허공개 2007-226170호 공보<합성예 1>에 기재된 규소원자함유 폴리머를 이용하였다.
이어서, 전자선 묘화장치(엘리오닉스사제; ELS-7500, 50keV)를 이용하여, 포토레지스트층을 마스크노광하고, 115℃에서 90초간 베이크(PEB)하고, 2.38질량%테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)수용액으로 60초간 현상함으로써, 55nmL/S(1:1)의 포지티브형의 레지스트패턴을 얻었다.
그 후, 삼코인터내셔널사제 RIE-10NR을 이용하여, 얻어진 레지스트패턴을 마스크로 하여 규소함유 중간층막(SOG)의 드라이에칭가공을 행하고, 이어서, 얻어진 규소함유 중간층막패턴을 마스크로 한 하층막의 드라이에칭가공과, 얻어진 하층막패턴을 마스크로 한 SiO2막의 드라이에칭가공을 순차행하였다.
각각의 에칭조건은, 하기에 나타내는 바와 같다.
레지스트패턴의 레지스트 중간층막에 대한 에칭조건
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 1min
에칭가스
Ar가스유량:CF4가스유량:O2가스유량=50:8:2(sccm)
레지스트중간막패턴의 레지스트 하층막에 대한 에칭조건
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 2min
에칭가스
Ar가스유량:CF4가스유량:O2가스유량=50:5:5(sccm)
레지스트 하층막패턴의 SiO 2 막에 대한 에칭조건
출력: 50W
압력: 20Pa
시간: 2min
에칭가스
Ar가스유량:C5F12가스유량:C2F6가스유량:O2가스유량=50:4:3:1(sccm)
[평가]
상기와 같이 하여 얻어진 패턴단면(에칭 후의 SiO2막의 형상)을, (주)히타치제작소제 전자현미경(S-4800)을 이용하여 관찰한 결과, 본 실시형태의 하층막을 이용한 실시예는, 다층 레지스트가공에 있어서의 에칭 후의 SiO2막의 형상은 직사각형이고, 결함도 보이지 않고 양호한 것이 확인되었다.
(실시예 50~53)
상기 합성예, 및 합성실시예에서 합성한 각 화합물을 이용하여, 하기 표 11에 나타내는 배합으로 광학부품 형성 조성물을 조제하였다. 한편, 표 11 중의 광학부품 형성 조성물의 각 성분 중, 산발생제, 가교제, 및 용매에 대해서는, 이하의 것을 이용하였다.
산발생제: 미도리화학사제 디터셔리부틸디페닐요오드늄노나플루오로메탄설포네이트(DTDPI)
가교제: 산와케미칼사제 니카락MX270(니카락)
유기용매: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트아세테이트(PGMEA)
[막 형성의 평가]
균일상태의 광학부품 형성 조성물을 청정한 실리콘웨이퍼 상에 회전도포한 후, 110℃의 오븐 중에서 프리베이크(prebake: PB)하여, 두께 1μm의 광학부품 형성막을 형성하였다. 조제한 광학부품 형성 조성물에 대하여, 막형성이 양호한 경우에는 「A」, 형성한 막에 결함이 있는 경우에는 「C」로 평가하였다.
[굴절률 및 투과율의 평가]
균일한 광학부품 형성 조성물을 청정한 실리콘웨이퍼 상에 회전도포한 후, 110℃의 오븐 중에서 PB하여, 두께 1μm의 막을 형성하였다. 이 막에 대해, 제이·에이·울람제 다입사각 분광엘립소미터 VASE로, 25℃에 있어서의 굴절률(λ=589.3nm)을 측정하였다. 조제한 막에 대하여, 굴절률이 1.65 이상인 경우에는 「A」, 1.6 이상 1.65 미만인 경우에는 「B」, 1.6 미만인 경우에는 「C」라 평가하였다. 또한 투과율(λ=632.8nm)이 90% 이상인 경우에는 「A」, 90% 미만인 경우에는 「C」라 평가하였다.
[표 11]
Figure pct00565
(실시예 54~61)
상기 합성실시예에서 합성한 각 화합물을 이용하여, 하기 표 12에 나타내는 배합으로 레지스트 조성물을 조제하였다. 평가결과를 표 12에 나타낸다. 한편, 표 12 중의 레지스트 조성물의 각 성분 중, 산발생제, 가교제, 산확산억제제, 및 용매에 대해서는, 이하의 것을 이용하였다.
산발생제: 미도리화학사제 디터셔리부틸디페닐요오드늄노나플루오로메탄설포네이트(DTDPI)
가교제: 산와케미칼사제 니카락MX270(니카락)
산확산억제제: 칸토화학제 트리옥틸아민
유기용매: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트아세테이트(PGMEA)
(실시예 62~69)
마찬가지로 합성예 1에서 얻어진 화합물을 주제로 하고, 가교제로서 상기 합성실시예에서 합성한 각 화합물을 이용하여, 하기 표 13에 나타내는 배합으로 레지스트 조성물을 조정하였다. 평가결과를 표 13에 나타낸다. 한편, 표 13 중의 산발생제, 산확산억제제, 및 용매에 대해서는, 표 12와 동일한 것을 이용하였다.
[평가방법]
(1) 레지스트 조성물의 보존안정성 및 박막 형성
레지스트 조성물의 보존안정성은, 레지스트 조성물을 작성 후, 23℃, 50%RH로 3일간 정치하고, 석출의 유무를 육안으로 관찰함으로써 평가하였다. 3일간 정치 후의 레지스트 조성물에 있어서, 균일용액이고 석출이 없는 경우에는 A, 석출이 있는 경우는 C로 평가하였다. 또한, 균일상태의 레지스트 조성물을 청정한 실리콘웨이퍼 상에 회전도포한 후, 110℃의 오븐 중에서 노광 전 베이크(PB)하여, 두께 40nm의 레지스트막을 형성하였다. 작성한 레지스트 조성물에 대하여, 박막 형성이 양호한 경우에는 A, 형성한 막에 결함이 있는 경우에는 C로 평가하였다.
(2) 레지스트패턴의 패턴평가
균일한 레지스트 조성물을 청정한 실리콘웨이퍼 상에 회전도포한 후, 110℃의 오븐 중에서 노광 전 베이크(PB)하여, 두께 60nm의 레지스트막을 형성하였다. 얻어진 레지스트막에 대해, 전자선 묘화장치(ELS-7500, (주)엘리오닉스사제)를 이용하여, 50nm, 40nm 및 30nm간격의 1:1의 라인앤스페이스 설정의 전자선을 조사하였다. 해당 조사 후에, 레지스트막을, 각각 소정의 온도에서, 90초간 가열하고, PGME에 60초간 침지하여 현상을 행하였다. 그 후, 레지스트막을, 초순수로 30초간 세정, 건조하여, 네가티브형의 레지스트패턴을 형성하였다. 형성된 레지스트패턴에 대하여, 라인앤스페이스를 주사형 전자현미경((주)히타치하이테크놀로지제 S-4800)에 의해 관찰하고, 레지스트 조성물의 전자선 조사에 의한 반응성을 평가하였다.
감도는, 패턴을 얻기 위해 필요한 단위면적당 최소의 에너지량으로 나타내고, 이하에 따라 평가하였다.
A: 50μC/cm2 미만으로 패턴이 얻어진 경우
C: 50μC/cm2 이상으로 패턴이 얻어진 경우
패턴 형성은, 얻어진 패턴형상을 SEM(주사형 전자현미경: Scanning Electron Microscope)으로 관찰하고, 이하에 따라 평가하였다.
A: 직사각형의 패턴이 얻어진 경우
B: 거의 직사각형의 패턴이 얻어진 경우
C: 직사각형이 아닌 패턴이 얻어진 경우
[표 12]
Figure pct00566
[표 13]
Figure pct00567
상기 서술한 바와 같이, 본 발명은, 상기 실시형태 및 실시예로 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 적당히 변경을 가하는 것이 가능하다.
산업상 이용가능성
본 발명의 화합물 및 수지는, 안전용매에 대한 용해성이 높고, 내열성 및 에칭내성이 양호하며, 이것을 포함하는 레지스트 조성물은 양호한 레지스트패턴형상을 부여한다.
또한, 습식 프로세스를 적용할 수 있고, 내열성 및 에칭내성이 우수한 포토레지스트 하층막을 형성하기 위해 유용한 화합물, 수지 및 리소그래피용 막형성 조성물을 실현할 수 있다. 그리고, 이 리소그래피용 막형성 조성물은, 내열성 및 용매용해성이 높은, 특정구조를 갖는 화합물 또는 수지를 이용하고 있으므로, 고온베이크시의 막의 열화가 억제되고, 산소플라즈마에칭 등에 대한 에칭내성도 우수한 레지스트 및 하층막을 형성할 수 있다. 더 나아가, 하층막을 형성한 경우, 레지스트층과의 밀착성도 우수하므로, 우수한 레지스트패턴을 형성할 수 있다.
더 나아가서는 굴절률이 높고, 또한 저온~고온처리에 의해 착색이 억제되는 점에서, 각종 광학부품 형성 조성물로서도 유용하다.
따라서, 본 발명은, 예를 들어, 전기용 절연재료, 레지스트용 수지, 반도체용 봉지수지, 프린트배선판용 접착제, 전기기기·전자기기·산업기기 등에 탑재되는 전기용 적층판, 전기기기·전자기기·산업기기 등에 탑재되는 프리프레그의 매트릭스수지, 빌드업적층판재료, 섬유강화플라스틱용 수지, 액정표시패널의 봉지용 수지, 도료, 각종 코팅제, 접착제, 반도체용의 코팅제, 반도체용의 레지스트용 수지, 하층막 형성용 수지, 필름상, 시트상으로 사용되는 것 외에, 플라스틱렌즈(프리즘렌즈, 렌티큘러렌즈, 마이크로렌즈, 프레넬렌즈, 시야각제어렌즈, 콘트라스트향상렌즈 등), 위상차필름, 전자파실드용 필름, 프리즘, 광파이버, 플렉서블프린트배선용 솔더레지스트, 도금레지스트, 다층프린트배선판용 층간절연막, 감광성 광도파로 등의 광학부품 등에 있어서, 널리 또한 유효하게 이용가능하다.
특히, 본 발명은 리소그래피용 레지스트, 리소그래피용 하층막 및 다층 레지스트용 하층막 및 광학부품의 분야에 있어서, 특히 유효하게 이용가능하다.

Claims (18)

  1. 하기 식(0)으로 표시되는, 화합물.
    [화학식 1]
    Figure pct00568

    (식(0) 중, RY는, 수소원자, 탄소수 1~30의 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기이고,
    RZ는, 탄소수 1~60의 N가의 기 또는 단결합이고,
    RT는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, RT의 적어도 1개는, 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
    X는, 단결합, 산소원자, 황원자 또는 무가교이고,
    m은, 각각 독립적으로 0~9의 정수이고, 여기서, m의 적어도 1개는 1~9의 정수이고,
    N은, 1~4의 정수이고, N이 2 이상의 정수인 경우, N개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
    r은, 각각 독립적으로 0~2의 정수이다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 식(0)으로 표시되는 화합물이 하기 식(1)로 표시되는 화합물인, 화합물.
    [화학식 2]
    Figure pct00569

    (식(1) 중, R0은, 상기 RY와 동의이고,
    R1은, 탄소수 1~60의 n가의 기 또는 단결합이고,
    R2~R5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2~R5의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
    m2 및 m3은, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
    m4 및 m5는, 각각 독립적으로, 0~9의 정수이고,
    단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고,
    n은 상기 N과 동의이고, 여기서, n이 2 이상의 정수인 경우, n개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
    p2~p5는, 상기 r과 동의이다.)
  3. 제1항에 있어서,
    상기 식(0)으로 표시되는 화합물이 하기 식(2)로 표시되는 화합물인, 화합물.
    [화학식 3]
    Figure pct00570

    (식(2) 중, R0A는, 상기 RY와 동의이고,
    R1A는, 탄소수 1~60의 nA가의 기 또는 단결합이고,
    R2A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
    nA는, 상기 N과 동의이고, 여기서, nA가 2 이상의 정수인 경우, nA개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
    XA는, 상기 X와 동의이고,
    m2A는, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m2A는 1~7의 정수이고,
    qA는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.)
  4. 제2항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 화합물이 하기 식(1-1)로 표시되는 화합물인, 화합물.
    [화학식 4]
    Figure pct00571

    (식(1-1) 중, R0, R1, R4, R5, n, p2~p5, m4 및 m5는, 상기와 동의이고,
    R6~R7은, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기이고,
    R10~R11은, 각각 독립적으로, 수소원자이고,
    여기서, R4~R7의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
    m6 및 m7은, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이고,
    단, m4, m5, m6 및 m7은 동시에 0이 되는 일은 없다.)
  5. 제4항에 있어서,
    상기 식(1-1)로 표시되는 화합물이 하기 식(1-2)로 표시되는 화합물인, 화합물.
    [화학식 5]
    Figure pct00572

    (식(1-2) 중, R0, R1, R6, R7, R10, R11, n, p2~p5, m6 및 m7은, 상기와 동의이고,
    R8~R9는, 상기 R6~R7과 동의이고,
    R12~R13은, 상기 R10~R11과 동의이고,
    m8 및 m9는, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
    단, m6, m7, m8 및 m9는 동시에 0이 되는 일은 없다.)
  6. 제3항에 있어서,
    상기 식(2)로 표시되는 화합물이 하기 식(2-1)로 표시되는 화합물인, 화합물.
    [화학식 6]
    Figure pct00573

    (식(2-1) 중, R0A, R1A, nA, qA 및 XA는, 상기 식(2)에서 설명한 것과 동의이다.
    R3A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기이고,
    R4A는, 각각 독립적으로, 수소원자이고,
    여기서, R3A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
    m6A는, 각각 독립적으로, 0~5의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m6A는 1~5의 정수이다.)
  7. 제1항에 기재된 화합물에서 유래하는 단위구조를 갖는, 수지.
  8. 제7항에 있어서,
    하기 식(3)으로 표시되는 구조를 갖는, 수지.
    [화학식 7]
    Figure pct00574

    (식(3) 중, L은, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕실렌기 또는 단결합이고, 상기 알킬렌기, 상기 아릴렌기, 상기 알콕실렌기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
    R0은, 상기 RY와 동의이고,
    R1은, 탄소수 1~60의 n가의 기 또는 단결합이고,
    R2~R5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
    m2 및 m3은, 각각 독립적으로, 0~8의 정수이고,
    m4 및 m5는, 각각 독립적으로, 0~9의 정수이고,
    단, m2, m3, m4 및 m5는 동시에 0이 되는 일은 없고, R2~R5의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이다.)
  9. 제7항에 있어서,
    하기 식(4)로 표시되는 구조를 갖는, 수지.
    [화학식 8]
    Figure pct00575

    (식(4) 중, L은, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕실렌기 또는 단결합이고, 상기 알킬렌기, 상기 아릴렌기, 상기 알콕실렌기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고,
    R0A는, 상기 RY와 동의이고,
    R1A는, 탄소수 1~30의 nA가의 기 또는 단결합이고,
    R2A는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 6~30의 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 2~30의 알케닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 탄소수 1~30의 알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 카르복실기, 티올기, 수산기이고, 상기 알킬기, 상기 아릴기, 상기 알케닐기, 상기 알콕시기는, 에테르결합, 케톤결합 또는 에스테르결합을 포함하고 있을 수도 있고, 여기서, R2A의 적어도 1개는 탄소수 2~5의 알콕시메틸기 또는 하이드록시메틸기를 포함하는 1가의 기이고,
    nA는, 상기 N과 동의이고, 여기서, nA가 2 이상의 정수인 경우, nA개의 [ ] 내의 구조식은 동일할 수도 상이할 수도 있고,
    XA는, 상기 X와 동의이고,
    m2A는, 각각 독립적으로, 0~7의 정수이고, 단, 적어도 1개의 m2A는 1~6의 정수이고,
    qA는, 각각 독립적으로, 0 또는 1이다.)
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 및 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 조성물.
  11. 제10항에 있어서,
    용매를 추가로 함유하는, 조성물.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    산발생제를 추가로 함유하는, 조성물.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    산가교제를 추가로 함유하는, 조성물.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    리소그래피용 막형성에 이용되는, 조성물.
  15. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    광학부품 형성에 이용되는, 조성물.
  16. 기판 상에, 제14항에 기재된 조성물을 이용하여 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 공정을 포함하는, 레지스트패턴 형성방법.
  17. 기판 상에, 제14항에 기재된 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 상기 하층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상을 행하는 공정을 포함하는, 레지스트패턴 형성방법.
  18. 기판 상에, 제14항에 기재된 조성물을 이용하여 하층막을 형성하고, 상기 하층막 상에, 레지스트 중간층막재료를 이용하여 중간층막을 형성하고, 상기 중간층막 상에, 적어도 1층의 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층의 소정의 영역에 방사선을 조사하고, 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 그 후, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 중간층막을 에칭하고, 얻어진 중간층막패턴을 에칭마스크로 하여 상기 하층막을 에칭하고, 얻어진 하층막패턴을 에칭마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 기판에 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 회로패턴 형성방법.
KR1020197015529A 2016-11-30 2017-11-30 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 KR20190085002A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-233065 2016-11-30
JP2016233065 2016-11-30
PCT/JP2017/042944 WO2018101376A1 (ja) 2016-11-30 2017-11-30 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190085002A true KR20190085002A (ko) 2019-07-17

Family

ID=62241550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197015529A KR20190085002A (ko) 2016-11-30 2017-11-30 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210070683A1 (ko)
JP (1) JP7205715B2 (ko)
KR (1) KR20190085002A (ko)
CN (1) CN110023276A (ko)
TW (1) TW201833068A (ko)
WO (1) WO2018101376A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112424283A (zh) * 2018-07-31 2021-02-26 三菱瓦斯化学株式会社 光学部件形成用组合物及光学部件、以及化合物及树脂
EP3832390A4 (en) * 2018-07-31 2021-09-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. FILM-FORMING SUB-LAYER COMPOSITION
US20220064137A1 (en) * 2018-12-28 2022-03-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method, and purification method

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334869A (ja) 2001-02-07 2002-11-22 Tokyo Electron Ltd シリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法
JP2004177668A (ja) 2002-11-27 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法
WO2004066377A1 (ja) 2003-01-24 2004-08-05 Tokyo Electron Limited 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するｃｖｄ方法
JP2004271838A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP2005250434A (ja) 2004-02-04 2005-09-15 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP2005326838A (ja) 2004-04-15 2005-11-24 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト組成物
JP2007226170A (ja) 2006-01-27 2007-09-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
JP2007226204A (ja) 2006-01-25 2007-09-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、基板、及びパターン形成方法
JP2008145539A (ja) 2006-12-06 2008-06-26 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感放射線性レジスト組成物
JP2009173623A (ja) 2007-04-23 2009-08-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感放射線性組成物
JP2010138393A (ja) 2008-11-13 2010-06-24 Nippon Kayaku Co Ltd 光学レンズシート用エネルギー線硬化型樹脂組成物及びその硬化物
WO2013024778A1 (ja) 2011-08-12 2013-02-21 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、それに用いるポリフェノール化合物及びそれから誘導され得るアルコール化合物
WO2013024779A1 (ja) 2011-08-12 2013-02-21 三菱瓦斯化学株式会社 リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
JP2015174877A (ja) 2014-03-13 2015-10-05 日産化学工業株式会社 特定の硬化促進触媒を含む樹脂組成物

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0723468B2 (ja) * 1984-12-10 1995-03-15 ソニー株式会社 フオトクロミツク感光性組成物
JP4145017B2 (ja) * 2001-02-08 2008-09-03 富士フイルム株式会社 感放射線性レジスト組成物
JP2009042752A (ja) 2007-07-19 2009-02-26 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
WO2010087238A1 (ja) 2009-01-29 2010-08-05 東レ株式会社 樹脂組成物およびこれを用いた表示装置
WO2011040340A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 Jsr株式会社 パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物
JP6007793B2 (ja) 2011-01-21 2016-10-12 三菱瓦斯化学株式会社 低分子化合物、感放射線性組成物、およびレジストパターン形成方法
JP5691731B2 (ja) 2011-03-28 2015-04-01 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子部品
CN103502889B (zh) 2011-06-15 2017-07-21 日立化成杜邦微系统股份有限公司 感光性树脂组合物、使用了该树脂组合物的图案固化膜的制造方法以及电子部件
JP2015114355A (ja) 2013-12-09 2015-06-22 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
KR101807630B1 (ko) * 2013-12-11 2017-12-11 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치
JP6361361B2 (ja) 2014-08-06 2018-07-25 信越化学工業株式会社 ポジ型リフトオフレジスト組成物及びパターン形成方法
US10745372B2 (en) 2014-12-25 2020-08-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method
JP2016141645A (ja) 2015-02-02 2016-08-08 群栄化学工業株式会社 新規オキシメチル基含有化合物
CN107250089A (zh) * 2015-02-12 2017-10-13 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和化合物或树脂的纯化方法
JP6195018B2 (ja) 2015-03-27 2017-09-13 東レ株式会社 ジアミン化合物に由来する構造を有する耐熱性樹脂または耐熱性樹脂前駆体

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334869A (ja) 2001-02-07 2002-11-22 Tokyo Electron Ltd シリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法
JP2004177668A (ja) 2002-11-27 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法
WO2004066377A1 (ja) 2003-01-24 2004-08-05 Tokyo Electron Limited 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するｃｖｄ方法
JP2004271838A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP2005250434A (ja) 2004-02-04 2005-09-15 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP2005326838A (ja) 2004-04-15 2005-11-24 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト組成物
JP2007226204A (ja) 2006-01-25 2007-09-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、基板、及びパターン形成方法
JP2007226170A (ja) 2006-01-27 2007-09-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
JP2008145539A (ja) 2006-12-06 2008-06-26 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感放射線性レジスト組成物
JP2009173623A (ja) 2007-04-23 2009-08-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感放射線性組成物
JP2010138393A (ja) 2008-11-13 2010-06-24 Nippon Kayaku Co Ltd 光学レンズシート用エネルギー線硬化型樹脂組成物及びその硬化物
WO2013024778A1 (ja) 2011-08-12 2013-02-21 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、それに用いるポリフェノール化合物及びそれから誘導され得るアルコール化合物
WO2013024779A1 (ja) 2011-08-12 2013-02-21 三菱瓦斯化学株式会社 リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
JP2015174877A (ja) 2014-03-13 2015-10-05 日産化学工業株式会社 特定の硬化促進触媒を含む樹脂組成物

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
T.Nakayama, M.Nomura, K.Haga, M.Ueda: Bull. Chem. Soc. Jpn., 71, 2979(1998)
오카자키신지, 외 22명 「포토레지스트재료 개발의 신전개」 주식회사씨엠씨 출판, 2009년 9월, p.211-259

Also Published As

Publication number Publication date
TW201833068A (zh) 2018-09-16
JP7205715B2 (ja) 2023-01-17
US20210070683A1 (en) 2021-03-11
CN110023276A (zh) 2019-07-16
WO2018101376A1 (ja) 2018-06-07
JPWO2018101376A1 (ja) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7283515B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
JP7194355B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
JP7069529B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
JP7069530B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
KR20180099681A (ko) 화합물, 수지, 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 및, 회로 패턴 형성방법
JP7194356B2 (ja) 化合物、樹脂及び組成物、並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
JP7205716B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
KR20190049731A (ko) 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법
JP7205715B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
JP7083455B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
JP7061271B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物、並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
KR20190057062A (ko) 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트 패턴 형성방법 및 패턴 형성방법
JP7445382B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
JP7139622B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
WITB Written withdrawal of application