JP2007226170A - 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィーで用いられる反射防止膜材料であって、少なくとも、置換又は非置換のカルボキシル基を有するシルセスキオキサンの繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。
【選択図】 なし
Description
一般的には珪素含有レジストより単層レジストの方が解像性に優れ、3層プロセスでは高解像な単層レジストを露光イメージング層として用いることができる。
ここで、反射防止効果を付与させた珪素含有層材料が提案されている(特許文献6、7参照)。
中間層と下層の両方に反射防止効果を付与させることによって高い反射防止効果を得ることができる。2層反射防止膜は、NAが1.0を超える液浸リソグラフィーにおいて特に有効な技術となる。
反射防止膜に要求される性能の一つとして、フォトレジスト膜に対してエッチング選択比が高い、即ちフォトレジスト膜に対してエッチングスピードが速いことが挙げられる。一般に、珪素を含む材料を用いた反射防止膜は、フルオロカーボン系のガスを用いたエッチング条件において、エッチング速度が速く、フォトレジスト膜に対して高いエッチング選択比が得られることが知られており、珪素原子を含む反射防止膜を用いることによってエッチングの選択比を飛躍的に高めることができると考えられる。例えば、フェニル基がペンダントされたポリシランを骨格とするKrFリソグラフィー用の反射防止膜が提案され(例えば、特開平11−60735号公報参照。)、高いエッチング選択比が達成されている。
すなわち、本発明は、リソグラフィーで用いられる反射防止膜材料であって、少なくとも、置換又は非置換のカルボキシル基を有するシルセスキオキサンの繰り返し単位(以下、繰り返し単位aとする)を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料を提供する。
上記式(AL12)においてR10、R11、R12は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数6〜20のアリール基を示す。R10とR11、R11とR12、R10とR12はそれぞれ結合して環を形成しても良い。
架橋基にエポキシ基を含有するものは、酸触媒による縮合反応時に開環してアルコール体にすることもできる。
このように、本発明の反射防止膜材料が、さらに有機溶剤及び/又は酸発生剤を含有することで、基板等への塗布後のベーク等により、反射防止膜内での架橋反応を促進することができる。したがって、このような反射防止膜は、フォトレジスト膜とのミキシングの恐れが少なく、フォトレジスト膜への酸の拡散が少ないものとなる。
i.)下記一般式(P1a−1)、(P1a−2)、(P1a−3)又は(P1b)のオニウム塩、
ii.)下記一般式(P2)のジアゾメタン誘導体、
iii.)下記一般式(P3)のグリオキシム誘導体、
iv.)下記一般式(P4)のビススルホン誘導体、
v.)下記一般式(P5)のN−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、
vi.)β−ケトスルホン酸誘導体、
vii.)ジスルホン誘導体、
viii.)ニトロベンジルスルホネート誘導体、
ix.)スルホン酸エステル誘導体
等が挙げられる。
ビス(ベンゼンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(sec−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−プロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、
ビス−O−(p−トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(n−ブタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、
ビスナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、
N−ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−プロパンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド2−プロパンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−ペンタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドp−トルエンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル等のN−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体が好ましく用いられる。
酸発生剤の添加量は、ベースポリマー100部(質量部、以下同様)に対して好ましくは0.1〜50部、より好ましくは0.5〜40部である。0.1部以上であれば酸発生量が十分で、十分な架橋反応が起こり、50部以下であれば上層のフォトレジスト膜へ酸が移動することによるミキシング現象が起こる恐れが少ない。
このように、上記本発明の反射防止膜材料が、さらに架橋剤を含有することで、基板等への塗布後のベーク等により、反射防止膜内での架橋反応を一層促進することができる。
先ず、図2(a)に示すレジストパターン形成までについて説明する。
反射防止膜10は、スピンコート法などで本発明の反射防止膜材料を基板12上に塗布して形成することが可能である。スピンコートなどで塗布後、有機溶剤を蒸発し、上層となるフォトレジスト膜11とのミキシング防止のため、ベークして架橋反応を促進させることが望ましい。ベーク温度は80〜300℃の範囲内で、ベーク時間は10秒から300秒の範囲内が好ましく用いられる。
フォトレジスト膜11をマスクとして反射防止膜10をエッチングするには、フロン系ガスを使ってエッチングを行う。本発明の反射防止膜材料から形成された反射防止膜10は、前記ガスに対するエッチング速度が速く、上層のフォトレジスト膜11の膜減りが小さいという特徴がある。
基板22上に有機膜23をスピンコート法などで形成する。この有機膜23は、基板22をエッチングするときのマスクとして作用するので、エッチング耐性が高いことが望ましく、上層の珪素含有反射防止膜20とミキシングしないことが求められるので、スピンコート等で塗布した後に熱あるいは酸によって架橋することが望ましい。また、CVDによって形成されるアモルファスカーボン膜を下層膜として適用することも出来る。この有機膜23の上に本発明の反射防止膜材料から形成する反射防止膜20、フォトレジスト膜21を前記方法と同様の方法で作成する。その後、パターン回路領域の露光、現像液での現像によってレジストパターンを得る(図3(a))。
(合成例1)
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに3−カルボキシルプロピルトリメトキシシラン16.6gとフェニルトリメトキシシラン7.9gと3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン14.4gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=3300
共重合比 a1:b1:c1=0.4:0.2:0.4
テトラヒドロフラン200g、純水100gに3−カルボキシルプロピルトリメトキシシラン12.5g、トリス(トリメチルシリル)シリルエチルトリメトキシシラン31.7g、3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン10.8gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸を5g滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=2500
共重合比 a1:b2:c1=0.3:0.4:0.3
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに3−tブトキシカルボニルプロピルトリメトキシシラン10.6gとフェニルトリメトキシシラン7.9gと3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン7.2g、テトラメトキシシラン12.2gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=5600
共重合比 a2:b1:c1:d1=0.2:0.2:0.2:0.4
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに3−tブトキシカルボニルプロピルトリメトキシシラン10.6gとフェニルトリメトキシシラン7.9gと3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン7.2g、メチルトリメトキシシラン10.8gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=4600
共重合比 a2:b1:c1:d2=0.2:0.2:0.2:0.4
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに3−tブトキシカルボニルプロピルトリメトキシシラン10.6gと3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン7.2g、ヘキサメトキシジシラン14.2gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=4400
共重合比 a2:c1:d3=0.4:0.2:0.4
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに3−tブトキシカルボニルプロピルトリメトキシシラン10.6gとフェニルトリメトキシシラン7.9gと2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン9.8g、テトラメトキシシラン12.2gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=3300
共重合比 a2:b1:c2:d1=0.2:0.2:0.2:0.4
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに3−tブトキシカルボニルプロピルトリメトキシシラン26.4gとテトラメトキシシラン15.2gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=4400
共重合比 a2:d1=0.5:0.5
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに2−カルボキシルエチルトリメトキシシラン15.5gとフェニルトリメトキシシラン7.9gと3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン14.4gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=3200
共重合比 a3:b1:c1=0.4:0.2:0.4
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに2−カルボキシルエチルトリメトキシシラン15.5gとフェニルトリメトキシシラン7.9gとテトラメトキシシラン12.1gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=5600
共重合比 a3:b1:d1=0.4:0.2:0.4
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに2−カルボキシルメチルトリメトキシシラン13.5gとフェニルトリメトキシシラン7.9gとテトラメトキシシラン12.1gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=5600
共重合比 a4:b1:d1=0.4:0.2:0.4
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gに2−カルボキシルメチルトリメトキシシラン13.5gとフェニルトリメトキシシラン7.9gとテトラメトキシシラン10.1gと4−アミドブタントリメトキシシラン8.5gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=5100
共重合比 a4:b1:d1:e1=0.4:0.2:0.3:0.1
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gにフェニルトリメトキシシラン9.8gと2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン19.7gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=3100
共重合比 b1:c2=0.2:0.8
テトラヒドロフラン(THF)200g、純水100gにフェニルトリメトキシシラン9.8gと2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン9.8g、テトラメトキシシラン12.2gを溶解させ液温を35℃にし、シュウ酸5gを滴下し、その後80℃に昇温し、シラノールの縮合反応を行った。
分子量(Mw)=4200
共重合比 b1:c2:d1=0.4:0.2:0.4
[反射防止膜材料の調整]
上記合成例1〜11、比較合成例1、2で得られた高分子化合物を用いて、FC−430(住友スリーエム社製)0.1質量%を含む有機溶剤中に表1に示す割合で溶解させ、0.1μmの弗素樹脂製のフィルターでろ過することによって反射防止膜材料(実施例1〜13、比較例1、2)をそれぞれ調製した。
ポリマー1〜11: 合成例1〜11より、
比較ポリマー1、2: 比較合成例1、2より、
架橋剤: CR1(下記構造式参照。)、
反射防止膜を形成後、J.A.ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーター(VASE)で波長193nmにおける反射防止膜の屈折率(n,k)を求め結果を表1に示した。
フォトレジスト膜材料のベース樹脂として下記重合体(ArF単層レジストポリマー1)を準備した。
共重合比 t:u:v:w=0.1:0.3:0.3:0.3
分子量(Mw)=7600
ポリマー:ArF単層レジストポリマー1、
酸発生剤:PAG1(下記構造式参照)、
下層有機膜材料のベース樹脂として下記下層膜ポリマー1、2を準備した。
分子量(Mw)=9300
分子量分布(Mw/Mn)=4.6
表3中の各組成は次の通りである。
ポリマー:下層膜ポリマー1、2、
酸発生剤:AG1(下記構造式参照)、
(1)パターン形状の観察
上記調整した下層有機膜材料をシリコン基板上に塗布して220℃で60秒間ベークして膜厚300nmの下層有機膜を形成した。その上に上記調製した反射防止膜材料(実施例1〜13、比較例1、2)を塗布して、200℃で120秒間ベークして膜厚40nmの珪素含有反射防止膜を形成した。
従って、本発明の反射防止膜材料を用いれば、反射防止膜の上のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状をほぼ垂直形状にでき、裾引きやアンダーカット、インターミキシング現象を効果的に防止できることが確認できた。
前記反射防止膜材料(実施例1〜13、比較例1、2)から形成した反射防止膜、及び前記フォトレジスト膜材料から形成したフォトレジスト膜、前記下層有機膜材料から形成した下層有機膜のエッチング耐性について、以下のような2系統の条件で評価した。
東京エレクトロン株式会社製ドライエッチング装置TE−8500Pを用い、エッチング前後の反射防止膜、フォトレジスト膜の膜厚差を測定し、エッチング速度を求めた。
エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 40Pa
RFパワー 1,300W
ギヤップ 9mm
CHF3ガス流量 30ml/min
CF4ガス流量 30ml/min
Arガス流量 100ml/min
時間 10sec
この結果を表5に示した。
エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 450mTorr(60.0Pa)
RFパワー 600W
N2ガス流量 60sccm
O2ガス流量 10sccm
ギャップ 9mm
時間 20sec
この結果を表6に示した。
12a,22a…被加工層、 12b,22b…下地層、 23…有機膜。
Claims (11)
- リソグラフィーで用いられる反射防止膜材料であって、少なくとも、置換又は非置換のカルボキシル基を有するシルセスキオキサンの繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。
- 請求項1又は請求項2に記載した反射防止膜材料であって、さらに光吸収基を有するシルセスキオキサンの繰り返し単位を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。
- 請求項3に記載した反射防止膜材料であって、前記光吸収基が、芳香族系の基又はSi−Si結合を有する基であることを特徴とする反射防止膜材料。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載した反射防止膜材料であって、さらに前記カルボキシル基を有するシルセスキオキサンの繰り返し単位のカルボキシル基と反応して架橋できる基を有するシルセスキオキサンの繰り返し単位を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載した反射防止膜材料であって、さらに有機溶剤及び/又は酸発生剤を含有するものであることを特徴とする反射防止膜材料。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載した反射防止膜材料であって、さらに架橋剤を含有するものであることを特徴とする反射防止膜材料。
- 少なくとも、基板上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の反射防止膜材料をベークして得られる反射防止膜を有するものであることを特徴とする基板。
- リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の反射防止膜材料を塗布し、ベークして反射防止膜を形成し、該反射防止膜上にフォトレジスト膜材料を塗布し、プリベークしてフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像してフォトレジスト膜にレジストパターンを形成し、該レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクにして反射防止膜及び基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の反射防止膜材料を塗布し、ベークして反射防止膜を形成し、該反射防止膜上にフォトレジスト膜材料を塗布し、プリベークしてフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像してフォトレジスト膜にレジストパターンを形成し、該レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクにして反射防止膜をエッチングし、さらにパターンが形成された反射防止膜をマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に有機膜を形成し、該有機膜の上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の反射防止膜材料を塗布し、ベークして反射防止膜を形成し、該反射防止膜上にフォトレジスト膜材料を塗布し、プリベークしてフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像してフォトレジスト膜にレジストパターンを形成し、該レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクにして反射防止膜をエッチングし、パターンが形成された反射防止膜をマスクにして有機膜をエッチングし、さらに基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
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Cited By (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099621A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜 |
JP2008195908A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-28 | Toray Fine Chemicals Co Ltd | 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体、及び、その製造方法 |
JP2009199061A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-09-03 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2010152292A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Jsr Corp | 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法 |
JP2010262230A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法 |
WO2011105368A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 日産化学工業株式会社 | アミック酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
US8101341B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-01-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
JP2012511742A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | ダウ コーニング コーポレーション | 湿式エッチング可能な反射防止膜 |
JP2012511743A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | ダウ コーニング コーポレーション | 切り替え可能な反射防止膜 |
US8192921B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8216774B2 (en) | 2009-02-12 | 2012-07-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
WO2012102261A1 (ja) | 2011-01-24 | 2012-08-02 | 日産化学工業株式会社 | ジケトン構造含有有機基を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
KR20120122944A (ko) * | 2011-04-28 | 2012-11-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 |
WO2012165507A1 (ja) | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フェノール系樹脂およびリソグラフィー用下層膜形成材料 |
JP2013033187A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-02-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
WO2013024779A1 (ja) | 2011-08-12 | 2013-02-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
KR20130031798A (ko) * | 2011-09-21 | 2013-03-29 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 포토리소그래피용 조성물 및 반사방지 코팅 |
WO2013047106A1 (ja) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フルオレン構造を有する樹脂及びリソグラフィー用下層膜形成材料 |
KR20130035949A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물 |
US20130101942A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Jsr Corporation | Method for forming resist pattern, and composition for forming resist underlayer film |
JP2013114059A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP2013167669A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ケイ素含有表面改質剤、これを含むレジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
JP2013173916A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-09-05 | Dow Global Technologies Llc | 反射防止被膜用の組成物 |
WO2013129313A1 (ja) | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 酸性処理したモノアルキルナフタレンホルムアルデヒド樹脂 |
WO2013161372A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 日産化学工業株式会社 | 添加剤を含むケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
WO2014069329A1 (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 日産化学工業株式会社 | エステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
US8795955B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, resist bottom layer forming method, and patterning process |
WO2014123107A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
WO2014123102A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
JP2014157242A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
US8846846B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-09-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, and patterning process |
US9069247B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing surface modifier, resist lower layer film-forming composition containing the same, and patterning process |
KR101537771B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2015-07-17 | 주식회사 삼양사 | 차광용 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 차광층 |
KR20150097550A (ko) | 2012-12-19 | 2015-08-26 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 환상 디에스테르기를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US9146468B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film composition and patterning process using the same |
JP2016515219A (ja) * | 2013-02-14 | 2016-05-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 非ポリマー型シルセスキオキサンを含むケイ素含有反射防止膜 |
WO2016093172A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン含有カルボン酸アミド基を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
US9377690B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compositon for forming metal oxide-containing film and patterning process |
KR20160134682A (ko) | 2014-03-13 | 2016-11-23 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법, 및 화합물 또는 수지의 정제방법 |
KR20170008735A (ko) | 2014-05-08 | 2017-01-24 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 막, 패턴 형성방법 및 정제방법 |
KR20170040253A (ko) | 2014-08-08 | 2017-04-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴형성방법 |
KR20170127489A (ko) | 2015-03-06 | 2017-11-21 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법 |
KR20170133367A (ko) | 2015-03-30 | 2017-12-05 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 및 이들의 정제방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 하층막 형성용 조성물, 및 하층막, 그리고, 레지스트패턴 형성방법, 및 회로패턴 형성방법 |
US20170349564A1 (en) | 2014-12-25 | 2017-12-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
KR20170135891A (ko) | 2015-04-07 | 2017-12-08 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 하층막 형성용 재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
WO2018135498A1 (ja) | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法 |
WO2018155495A1 (ja) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法 |
KR20180099681A (ko) | 2015-12-25 | 2018-09-05 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 및, 회로 패턴 형성방법 |
WO2018212116A1 (ja) | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
WO2019004142A1 (ja) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、光学部品形成用材料、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、レジスト用永久膜、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法 |
KR20190032379A (ko) | 2016-07-21 | 2019-03-27 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 및 패턴 형성방법 |
KR20190033537A (ko) | 2016-07-21 | 2019-03-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190033536A (ko) | 2016-07-21 | 2019-03-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190034213A (ko) | 2016-07-21 | 2019-04-01 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 및 패턴 형성방법 |
KR20190034149A (ko) | 2016-07-21 | 2019-04-01 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지 및 조성물, 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190049731A (ko) | 2016-09-13 | 2019-05-09 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190053187A (ko) | 2016-09-13 | 2019-05-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 및 패턴 형성방법 |
WO2019098338A1 (ja) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用膜、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法 |
KR20190057060A (ko) | 2016-09-20 | 2019-05-27 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트 패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190057062A (ko) | 2016-09-20 | 2019-05-27 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트 패턴 형성방법 및 패턴 형성방법 |
US10303055B2 (en) | 2014-03-13 | 2019-05-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition and method for forming resist pattern |
KR20190085002A (ko) | 2016-11-30 | 2019-07-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190086014A (ko) | 2016-11-30 | 2019-07-19 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트 패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
WO2019142897A1 (ja) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法 |
US10364314B2 (en) | 2015-07-22 | 2019-07-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, resist pattern forming method, circuit pattern forming method, and purification method |
WO2019151400A1 (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
WO2019167359A1 (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びそれを用いたリソグラフィー用膜形成材料 |
US10437148B2 (en) | 2014-05-08 | 2019-10-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist material, resist composition and method for forming resist pattern |
WO2019208761A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
WO2019208762A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、及びパターン形成方法 |
KR20190135026A (ko) | 2017-03-31 | 2019-12-05 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 카르보닐구조를 갖는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
WO2019230639A1 (ja) | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
WO2020004316A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
WO2020026879A1 (ja) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 下層膜形成組成物 |
US10556986B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-02-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns |
WO2020039966A1 (ja) | 2018-08-20 | 2020-02-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
US10577323B2 (en) | 2015-03-13 | 2020-03-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying compound or resin |
EP3623867A1 (en) | 2018-09-13 | 2020-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US10642156B2 (en) | 2015-03-30 | 2020-05-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist base material, resist composition and method for forming resist pattern |
KR20210093842A (ko) | 2018-11-21 | 2021-07-28 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
KR20210093903A (ko) | 2018-11-21 | 2021-07-28 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴형성방법 |
KR20210093904A (ko) | 2018-11-21 | 2021-07-28 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
KR20210113990A (ko) | 2019-01-11 | 2021-09-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 막형성용 조성물, 레지스트 조성물, 감방사선성 조성물, 아모퍼스막의 제조방법, 레지스트 패턴 형성방법, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막의 제조방법 및 회로패턴 형성방법 |
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
KR20210121061A (ko) | 2019-01-31 | 2021-10-07 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 수지의 정제방법 |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
KR20210138611A (ko) | 2019-03-19 | 2021-11-19 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성 재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법, 및 정제방법 |
US11243467B2 (en) | 2015-09-10 | 2022-02-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
US11480877B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-10-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein |
KR20230035520A (ko) | 2020-07-08 | 2023-03-14 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 막형성용 조성물, 레지스트 조성물, 감방사선성 조성물, 아몰퍼스막의 제조방법, 레지스트패턴 형성방법, 리소그래피용 하층막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막의 제조방법 및 회로패턴 형성방법, 광학부재형성용 조성물, 막형성용 수지, 레지스트 수지, 감방사선성 수지, 리소그래피용 하층막형성용 수지 |
KR20230037485A (ko) | 2020-07-08 | 2023-03-16 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피막 형성용 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 및 회로패턴 형성방법 |
KR20230145562A (ko) | 2021-02-16 | 2023-10-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 수지, 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 수지의 정제방법 |
KR20230152680A (ko) | 2021-03-02 | 2023-11-03 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 조성물, 리소그래피용 하층막, 및 패턴 형성방법 |
US11852970B2 (en) | 2015-08-24 | 2023-12-26 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for lithography, production method therefor, composition for lithography, pattern formation method, compound, resin, and method for purifying the compound or the resin |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004310019A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
WO2006057782A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-06-01 | International Business Machines Corporation | Silicon containing tarc/barrier layer |
-
2006
- 2006-05-25 JP JP2006145321A patent/JP4638380B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004310019A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
WO2006057782A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-06-01 | International Business Machines Corporation | Silicon containing tarc/barrier layer |
Cited By (157)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099621A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜 |
JP2008195908A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-28 | Toray Fine Chemicals Co Ltd | 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体、及び、その製造方法 |
JP2008203365A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜 |
JP2009199061A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-09-03 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2010152292A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Jsr Corp | 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法 |
JP2012511742A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | ダウ コーニング コーポレーション | 湿式エッチング可能な反射防止膜 |
JP2012511743A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | ダウ コーニング コーポレーション | 切り替え可能な反射防止膜 |
US8101341B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-01-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8192921B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8216774B2 (en) | 2009-02-12 | 2012-07-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
KR101570251B1 (ko) * | 2009-05-11 | 2015-11-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 규소 함유 반사 방지막 형성용 조성물, 규소 함유 반사 방지막 형성 기판 및 패턴 형성 방법 |
JP2010262230A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法 |
US8697330B2 (en) | 2009-05-11 | 2014-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming a silicon-containing antireflection film, substrate having the silicon-containing antireflection film from the composition and patterning process using the same |
WO2011105368A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 日産化学工業株式会社 | アミック酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
KR101847382B1 (ko) | 2010-02-25 | 2018-04-10 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 아믹산을 포함하는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
JP5590354B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-09-17 | 日産化学工業株式会社 | アミック酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
US8795955B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, resist bottom layer forming method, and patterning process |
US9045587B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, and patterning process |
US8846846B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-09-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, and patterning process |
US9291900B2 (en) | 2011-01-24 | 2016-03-22 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming resist underlayer film, containing silicon that bears diketone-structure-containing organic group |
JPWO2012102261A1 (ja) * | 2011-01-24 | 2014-06-30 | 日産化学工業株式会社 | ジケトン構造含有有機基を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JP5818026B2 (ja) * | 2011-01-24 | 2015-11-18 | 日産化学工業株式会社 | ジケトン構造含有有機基を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2012102261A1 (ja) | 2011-01-24 | 2012-08-02 | 日産化学工業株式会社 | ジケトン構造含有有機基を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
CN103339569B (zh) * | 2011-01-24 | 2018-12-07 | 日产化学工业株式会社 | 包含含有二酮结构的有机基团的含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物 |
CN103339569A (zh) * | 2011-01-24 | 2013-10-02 | 日产化学工业株式会社 | 包含含有二酮结构的有机基团的含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物 |
US8859189B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-10-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
KR20120122944A (ko) * | 2011-04-28 | 2012-11-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 |
KR101706800B1 (ko) * | 2011-04-28 | 2017-02-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 |
EP2518562A3 (en) * | 2011-04-28 | 2013-09-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | A patterning process |
KR101778430B1 (ko) * | 2011-04-28 | 2017-09-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 |
WO2012165507A1 (ja) | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フェノール系樹脂およびリソグラフィー用下層膜形成材料 |
US9110373B2 (en) | 2011-06-03 | 2015-08-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Phenolic resin and material for forming underlayer film for lithography |
JP2013033187A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-02-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
WO2013024779A1 (ja) | 2011-08-12 | 2013-02-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
US9316913B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Underlayer film-forming material for lithography, underlayer film for lithography, and pattern formation method |
JP2013067798A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dow Global Technologies Llc | フォトリソグラフィのための組成物および反射防止コーティング |
KR102066468B1 (ko) | 2011-09-21 | 2020-01-16 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 포토리소그래피용 조성물 및 반사방지 코팅 |
KR20130031798A (ko) * | 2011-09-21 | 2013-03-29 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 포토리소그래피용 조성물 및 반사방지 코팅 |
KR101959570B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2019-03-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물 |
JP2013083964A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Jsr Corp | レジストパターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物 |
US8956807B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-02-17 | Jsr Corporation | Method for forming resist pattern, and composition for forming resist underlayer film |
US20130101942A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Jsr Corporation | Method for forming resist pattern, and composition for forming resist underlayer film |
KR20130035949A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물 |
WO2013047106A1 (ja) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フルオレン構造を有する樹脂及びリソグラフィー用下層膜形成材料 |
US9146468B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film composition and patterning process using the same |
JP2013114059A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP2013173916A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-09-05 | Dow Global Technologies Llc | 反射防止被膜用の組成物 |
US9075309B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing surface modifier, resist underlayer film composition containing this, and patterning process |
JP2013167669A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ケイ素含有表面改質剤、これを含むレジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
KR101737666B1 (ko) * | 2012-02-14 | 2017-05-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 규소 함유 표면개질제, 이것을 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
KR101737667B1 (ko) * | 2012-02-14 | 2017-05-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 규소 함유 표면개질제, 이것을 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US9069247B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing surface modifier, resist lower layer film-forming composition containing the same, and patterning process |
WO2013129313A1 (ja) | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 酸性処理したモノアルキルナフタレンホルムアルデヒド樹脂 |
US9627217B2 (en) | 2012-04-23 | 2017-04-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing EUV resist underlayer film-forming composition including additive |
WO2013161372A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 日産化学工業株式会社 | 添加剤を含むケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
JPWO2013161372A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-24 | 日産化学工業株式会社 | 添加剤を含むケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
JP2017083849A (ja) * | 2012-04-23 | 2017-05-18 | 日産化学工業株式会社 | 添加剤を含むケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
CN104737076A (zh) * | 2012-10-31 | 2015-06-24 | 日产化学工业株式会社 | 具有酯基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
KR20150081269A (ko) | 2012-10-31 | 2015-07-13 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 에스테르기를 갖는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성조성물 |
KR102307208B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2021-10-01 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 에스테르기를 갖는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성조성물 |
WO2014069329A1 (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 日産化学工業株式会社 | エステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
US10372039B2 (en) | 2012-10-31 | 2019-08-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film forming composition containing silicon having ester group |
JPWO2014069329A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-09-08 | 日産化学工業株式会社 | エステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
KR20150097550A (ko) | 2012-12-19 | 2015-08-26 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 환상 디에스테르기를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US9290623B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-03-22 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming silicon-containing resist underlayer film having cyclic diester group |
US9377690B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compositon for forming metal oxide-containing film and patterning process |
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
KR20150115793A (ko) | 2013-02-08 | 2015-10-14 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
KR20150113008A (ko) | 2013-02-08 | 2015-10-07 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
WO2014123107A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
WO2014123102A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
US9828355B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
US9809601B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
JP2016515219A (ja) * | 2013-02-14 | 2016-05-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 非ポリマー型シルセスキオキサンを含むケイ素含有反射防止膜 |
JP2014157242A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
US10294183B2 (en) | 2014-03-13 | 2019-05-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying the compound or resin |
US10303055B2 (en) | 2014-03-13 | 2019-05-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition and method for forming resist pattern |
KR20160134682A (ko) | 2014-03-13 | 2016-11-23 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법, 및 화합물 또는 수지의 정제방법 |
US10310377B2 (en) | 2014-05-08 | 2019-06-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming film for lithography, composition for forming film for lithography, film for lithography, pattern forming method and purification method |
US10437148B2 (en) | 2014-05-08 | 2019-10-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist material, resist composition and method for forming resist pattern |
KR20170008735A (ko) | 2014-05-08 | 2017-01-24 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 막, 패턴 형성방법 및 정제방법 |
WO2015199449A1 (ko) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 주식회사 삼양사 | 차광용 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 차광층 |
KR101537771B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2015-07-17 | 주식회사 삼양사 | 차광용 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 차광층 |
KR20170040253A (ko) | 2014-08-08 | 2017-04-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴형성방법 |
US10338471B2 (en) | 2014-08-08 | 2019-07-02 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
US10372040B2 (en) | 2014-12-08 | 2019-08-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film forming composition for lithography containing hydrolyzable silane having halogen-containing carboxylic acid amide group |
WO2016093172A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン含有カルボン酸アミド基を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
JPWO2016093172A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2017-10-19 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン含有カルボン酸アミド基を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
US20170349564A1 (en) | 2014-12-25 | 2017-12-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
US10745372B2 (en) | 2014-12-25 | 2020-08-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
KR20170127489A (ko) | 2015-03-06 | 2017-11-21 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법 및 화합물 또는 수지의 정제방법 |
US10577323B2 (en) | 2015-03-13 | 2020-03-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying compound or resin |
KR20170133367A (ko) | 2015-03-30 | 2017-12-05 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 및 이들의 정제방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 하층막 형성용 조성물, 및 하층막, 그리고, 레지스트패턴 형성방법, 및 회로패턴 형성방법 |
US10747112B2 (en) | 2015-03-30 | 2020-08-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, and purification method thereof, material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film, and underlayer film, as well as resist pattern forming method and circuit pattern forming method |
US10642156B2 (en) | 2015-03-30 | 2020-05-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist base material, resist composition and method for forming resist pattern |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
US11480877B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-10-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein |
US10359701B2 (en) | 2015-04-07 | 2019-07-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
KR20170135891A (ko) | 2015-04-07 | 2017-12-08 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 하층막 형성용 재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
US10364314B2 (en) | 2015-07-22 | 2019-07-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, resist pattern forming method, circuit pattern forming method, and purification method |
US11852970B2 (en) | 2015-08-24 | 2023-12-26 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for lithography, production method therefor, composition for lithography, pattern formation method, compound, resin, and method for purifying the compound or the resin |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
US11243467B2 (en) | 2015-09-10 | 2022-02-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US11572430B2 (en) | 2015-09-10 | 2023-02-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US10556986B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-02-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns |
KR20180099681A (ko) | 2015-12-25 | 2018-09-05 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 및, 회로 패턴 형성방법 |
US11130724B2 (en) | 2015-12-25 | 2021-09-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, composition, resist pattern formation method, and circuit pattern formation method |
KR20190033537A (ko) | 2016-07-21 | 2019-03-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190034213A (ko) | 2016-07-21 | 2019-04-01 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 및 패턴 형성방법 |
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KR20190033536A (ko) | 2016-07-21 | 2019-03-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
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KR20190049731A (ko) | 2016-09-13 | 2019-05-09 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190053187A (ko) | 2016-09-13 | 2019-05-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 및 패턴 형성방법 |
KR20190057060A (ko) | 2016-09-20 | 2019-05-27 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트 패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190057062A (ko) | 2016-09-20 | 2019-05-27 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 그리고 레지스트 패턴 형성방법 및 패턴 형성방법 |
KR20190085002A (ko) | 2016-11-30 | 2019-07-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
KR20190086014A (ko) | 2016-11-30 | 2019-07-19 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트 패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법 |
WO2018135498A1 (ja) | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法 |
KR20190104348A (ko) | 2017-01-18 | 2019-09-09 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 및 패턴 형성방법 |
WO2018155495A1 (ja) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法 |
KR20190123732A (ko) | 2017-02-23 | 2019-11-01 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 패턴형성방법 및 정제방법 |
KR20190135026A (ko) | 2017-03-31 | 2019-12-05 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 카르보닐구조를 갖는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
KR20200008561A (ko) | 2017-05-15 | 2020-01-28 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
WO2018212116A1 (ja) | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
KR20200022391A (ko) | 2017-06-28 | 2020-03-03 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 광학부품 형성용 재료, 레지스트 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 레지스트용 영구막, 감방사선성 조성물, 아몰퍼스막의 제조방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막의 제조방법 및 회로패턴 형성방법 |
WO2019004142A1 (ja) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、光学部品形成用材料、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、レジスト用永久膜、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法 |
KR20200078543A (ko) | 2017-11-20 | 2020-07-01 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 막, 레지스트패턴형성방법, 및 회로패턴형성방법 |
WO2019098338A1 (ja) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用膜、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法 |
KR20200111698A (ko) | 2018-01-22 | 2020-09-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물 및 패턴 형성방법 |
WO2019142897A1 (ja) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法 |
KR20200116460A (ko) | 2018-01-31 | 2020-10-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법 및 수지의 정제방법 |
WO2019151400A1 (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
WO2019167359A1 (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びそれを用いたリソグラフィー用膜形成材料 |
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WO2019230639A1 (ja) | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
US11747728B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-09-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method and method for purifying resin |
WO2020004316A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
KR20210023845A (ko) | 2018-06-26 | 2021-03-04 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
WO2020026879A1 (ja) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 下層膜形成組成物 |
KR20210045357A (ko) | 2018-08-20 | 2021-04-26 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
WO2020039966A1 (ja) | 2018-08-20 | 2020-02-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
EP3623867A1 (en) | 2018-09-13 | 2020-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
KR20210093903A (ko) | 2018-11-21 | 2021-07-28 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴형성방법 |
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