JP4671046B2 - レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 - Google Patents
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Description
一般的には珪素含有レジストより単層レジストの方が解像性に優れ、3層プロセスでは高解像な単層レジストを露光イメージング層として用いることができる。
中間層としては、スピンオングラス(SOG)膜が用いられ、多くのSOG膜が提案されている。
基板反射をできるだけ抑え、具体的には1%以下にまで低減させる目的は2層プロセスも3層プロセスも変わらないのであるが、2層プロセスは下層膜だけに反射防止効果を持たせるのに対して、3層プロセスは中間層と下層のどちらか一方あるいは両方に反射防止効果を持たせることができる。
反射防止効果を付与させた珪素含有層材料が、特許文献6:米国特許第6506497号明細書、特許文献7:米国特許第6420088号明細書に提案されている。
一般的に単層の反射防止膜よりも多層反射防止膜の方が反射防止効果が高く、光学材料の反射防止膜として広く工業的に用いられている。
中間層と下層の両方に反射防止効果を付与させることによって高い反射防止効果を得ることができる。
3層プロセスにおいて珪素含有中間層に反射防止膜としての機能を持たせることができれば、下層膜に反射防止膜としての最高の効果は特に必要がない。
3層プロセスの場合の下層膜としては、反射防止膜としての効果よりも基板加工における高いエッチング耐性が要求される。
そのために、エッチング耐性が高く、芳香族基を多く含有するノボラック樹脂を3層プロセス用下層膜として用いることが必要である。
中間層のk値として0.2以下の低い値と、適切な膜厚設定によって、1%以下の十分な反射防止効果を得ることができる。
通常反射防止膜として、膜厚100nm以下で反射を1%以下に抑えるためにはk値が0.2以上が必要であるが(図2参照)、下層膜である程度の反射を抑えることができる3層構造の中間層としては0.2より低い値のk値が最適値となる。
次に下層膜のk値が0.2の場合と0.6の場合の、中間層と下層の膜厚を変化させたときの反射率変化を図4と図5に示す。
k値が0.2の下層は、2層プロセスに最適化された下層膜を想定しており、k値が0.6の下層は、193nmにおけるノボラックやポリヒドロキシスチレンのk値に近い値である。
下層膜の膜厚は基板のトポグラフィーによって変動するが、中間層の膜厚はほとんど変動せず、設定した膜厚で塗布できると考えられる。
ここで、下層膜のk値が高い方(0.6の場合)が、より薄膜で反射を1%以下に抑えることができる。
下層膜のk値が0.2の場合、250nm膜厚では反射を1%にするために中間層の膜厚を厚くしなければならない。
中間層の膜厚を上げると、中間層を加工するときのドライエッチング時に最上層のレジストに対する負荷が大きく、好ましいことではない。
近年微細化が急激に進行し、45nmLSの寸法においてはパターン倒れの観点から、レジストの膜厚が100nmを下回るようになってきた。
3層プロセスにおいても100nm以下のレジストパターンを珪素含有中間層に転写することが困難になってきており、珪素含有中間層の薄膜化が進行している。
図4、5では下層膜のk値に依らず珪素含有中間層にk値が0.1程度の吸収があれば、例えば珪素含有中間層の膜厚が50nmであれば1%以下の反射率を達成できることが示されているが、珪素含有中間層のエッチング加工精度向上の観点から膜厚が50nm以下で使いたいという要求がある。
珪素含有中間層の膜厚が50nm以下では、珪素含有中間層の反射防止効果は半減してくるので、バイレイヤーレジスト用下層膜の時と同様のn値、k値が必要になってくる。
基板エッチング後の下層膜パターンの“うねり“が指摘されている。フルオロカーボン系のガスによる基板エッチング中に、下層膜の水素原子がフッ素原子で置換される現象が示されている(非特許文献6:Proc. of Symp.Dry Process,(2005).p11)。
下層膜表面がテフロン(登録商標)化されることによって膜の体積が増加し膨潤したり、ガラス転移点が低下することによって、より微細なパターンのよれが生じるものと考えられる。
フッ素ガスで現像後のレジスト表面をフッ素化し、レジストパターンの熱軟化点を下げて熱フローによってホールのサイズをシュリンクさせる技術が提案されている(非特許文献7:SPIE vol.5753(2005)p195)。
これによると、フッ素化の速度はクレゾールノボラックが最も早く、次いでポリヒドロキシスチレン、最も遅いのがポリメチルメタクリレートとなっている。
フッ素による求電子反応は、脂環族基よりも芳香族基の方が早いことは一般的によく知られており、芳香族基の割合が最も高いクレゾールノボラックが最もフッ素化されやすいと考えられる。
更に、一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体に水素添加することによって得られた一般式(3)で示される繰り返し単位を含むことによって、k値をコントロールし、最適な値を得ることができる。
本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料である。
これらの中では特にトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエンが好ましく用いられる。
トリジシクロペンタジエンは、シクロペンタジエンの3量体であり、エンド体とエキソ体の異性体が存在するが、本発明に用いられる樹脂の原料となるトリシクロペンタジエンはいずれの異性体であってもよく、また二つの異性体の混合物であってもよい。異性体の混合物を用いる場合、異性体の比率は特に制限されない。
一般式(1)で示される重合体は、酸触媒存在下、例えばトリシクロペンタジエンとフェノール類を付加反応させることにより得ることができる。
反応に用いる酸触媒は、三フッ化ホウ素のエタノール錯体や塩化アルミニウムなどのルイス酸、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、メタンスルホン酸、n−ブタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、m−キシレンスルホン酸、p−キシレンスルホン酸、メジチレンスルホン酸などのスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸などの超強酸、ナフィオンなどの末端スルホン酸基を持つパーフルオロアルキルポリマー、スルホン酸残基を持つポリスチレンなどのアニオン交換樹脂などが挙げられる。特にメタンスルホン酸、トシル酸、トリフルオロメタンスルホン酸が好ましく、その使用量は、メタンスルホン酸の場合、原料に対して0.01〜10質量%、好ましくは0.05〜5質量%の範囲であり、トシル酸の場合で0.001〜10質量%、好ましくは0.005〜5質量%の範囲であり、トリフルオロメタンスルホン酸の場合で0.0001〜5質量%、好ましくは0.0005〜1質量%の範囲である。
ここで用いられるアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール等を挙げることができる。これらのうち、特にホルムアルデヒドを好適に用いることができる。これらのアルデヒド類は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記アルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対して0.2〜5モルが好ましく、より好ましくは0.5〜2モルである。
これらの酸性触媒の使用量は、フェノール類1モルに対して1×10-5〜5×10-1モルである。
クレゾール−トリシクロペンタジエン樹脂への水素添加方法としては、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Os、Pt、Cr、Te、Mn、Ti、V、Zr、Mo、W系の触媒が用いられ、20〜150℃で、5〜200Kg/m2の加圧下で行われる。
水素添加反応は、特開平6−51518号、同11−130843号公報に詳細に述べられている。
ここで、a,bは正数であり、また上記モノマーcに基づく繰り返し単位をcとした場合、cは0又は正数であって、0<a<1,0<b<1,0≦c<1であり、好ましくは0.3≦a<1,0.1≦b<1,0≦c≦0.9、更に好ましくは0.4≦a<1,0.2≦b≦0.8,0≦c≦0.8である。なお、a+b+c=1であり、a+b+c=1とは、繰り返し単位a,b,cを含む高分子化合物において、繰り返し単位a,b,cの合計量が全繰り返し単位の合計量に対して100モル%であることを示す。
この時の置換率は、フェノール−トリシクロペンタジエンノボラック樹脂の水酸基の10〜60モル%、好ましくは15〜50モル%の範囲である。
イソシアネート化合物としては、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート等が挙げられ、アジド化合物としては、1,1’−ビフェニル−4,4’−ビスアジド、4,4’−メチリデンビスアジド、4,4’−オキシビスアジドが挙げられる。
i.下記一般式(P1a−1)、(P1a−2)、(P1a−3)又は(P1b)のオニウム塩、
ii.下記一般式(P2)のジアゾメタン誘導体、
iii.下記一般式(P3)のグリオキシム誘導体、
iv.下記一般式(P4)のビススルホン誘導体、
v.下記一般式(P5)のN−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、
vi.β−ケトスルホン酸誘導体、
vii.ジスルホン誘導体、
viii.ニトロベンジルスルホネート誘導体、
ix.スルホン酸エステル誘導体
等が挙げられる。
オニウム塩としては、例えばトリフルオロメタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸ピリジニウム、カンファースルホン酸トリエチルアンモニウム、カンファースルホン酸ピリジニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラn−ブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラフェニルアンモニウム、p−トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、p−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、p−トルエンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、p−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸トリス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、p−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、エチレンビス[メチル(2−オキソシクロペンチル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート]、1,2’−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート、トリエチルアンモニウムノナフレート、トリブチルアンモニウムノナフレート、テトラエチルアンモニウムノナフレート、テトラブチルアンモニウムノナフレート、トリエチルアンモニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、トリエチルアンモニウムトリス(パーフルオロエチルスルホニル)メチド等のオニウム塩を挙げることができる。
なお、上記酸発生剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
塩基性化合物としては、酸発生剤より微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす化合物が適している。
イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
本発明のレジスト下層膜材料においては、これら有機溶剤の中でもジエチレングリコールジメチルエーテルや1−エトキシ−2−プロパノール、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びこれらの混合溶剤が好ましく使用される。
先ず、レジスト下層膜12は、通常のフォトレジスト膜の形成法と同様にスピンコート法などで基板11上に形成することが可能である。スピンコート法などでレジスト下層膜12を形成した後、有機溶剤を蒸発させ、レジスト上層膜13とのミキシング防止のため、架橋反応を促進させるためにベークをすることが望ましい。ベーク温度は80〜300℃の範囲内で、10〜300秒の範囲内が好ましく用いられる。なお、このレジスト下層膜12の厚さは適宜選定されるが、100〜20,000nm、特に150〜15,000nmとすることが好ましい。レジスト下層膜12を形成した後、その上にレジスト上層膜13を形成する(図6(A)参照)。
その後、常法に従い、多層レジスト膜のパターン回路領域の露光を行い(図6(B)参照)、ポストエクスポジュアーベーク(PEB)、現像を行い、レジストパターンを得る(図6(C)参照)。
なお、レジスト上層膜13の厚さは特に制限されないが、30〜500nm、特に50〜400nmが好ましい。なお、図6(B)において13’は露光部分である。
現像は、アルカリ水溶液を用いたパドル法、ディップ法などが用いられ、特にはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量%水溶液を用いたパドル法が好ましく用いられ、室温で10秒〜300秒の範囲で行われ、その後純水でリンスし、スピンドライあるいは窒素ブロー等によって乾燥される。
この中間膜14の厚さとしては、10〜1,000nmが好ましい。
なお、その他の構成は、図6の2層レジスト加工プロセスの場合と同様である。
次いで、レジストパターンが形成されたレジスト上層膜13をマスクにしてフロン系ガスを主体とするドライエッチングなどで、中間膜14のエッチングを行う(図7(D)参照)。このエッチングは常法によって行うことができる。フロン系ガスを主体とするドライエッチングの場合、CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F10などを一般的に用いることができる。
300mLのフラスコにフェノール94g(1モル)、トリフルオロメタンスルホン酸2gを加え、50℃で撹拌しながらトリシクロペンタジエン198g(1モル)を加えた。
同温度で1時間撹拌後、150℃にまで昇温、2時間撹拌し、反応を終了させた。未反応物を減圧蒸留で除去し、200gの1,2−ジクロロエタンに溶解させ、水洗により触媒と金属不純物を除去し、1,2−ジクロロエタンを減圧除去することによって、248gの下記ポリマー1を得た。
モル比 a:b=0.52:0.48
分子量(Mw)6,800
分散度(Mw/Mn)=3.5
300mLのフラスコにフェノール94g(1モル)、トリフルオロメタンスルホン酸2gを加え、50℃で撹拌しながらテトラシクロペンタジエン264g(1モル)を加えた。
同温度で1時間撹拌後、150℃にまで昇温、2時間撹拌し、反応を終了させた。未反応物を減圧蒸留で除去し、200gの1,2−ジクロロエタンに溶解させ、水洗により触媒と金属不純物を除去し、1,2−ジクロロエタンを減圧除去することによって、293gの下記ポリマー2を得た。
モル比 a:b=0.60:0.40
分子量(Mw)7,100
分散度(Mw/Mn)=3.9
1Lのフラスコに上記合成例1で得られたポリマー1(フェノール−トリシクロペンタジエン樹脂)145g、エピクロルヒドリン300gを入れ溶解させ、80℃に加熱し、撹拌しながら20%水酸化ナトリウム220gを3時間かけて滴下し、1時間の熟成撹拌の後、下層の食塩水を分離、未反応のエピクトルヒドリンを150℃加熱で蒸留除去した後MIBK(メチルイソブチルケトン)を300g加えて溶解させた後、水洗分離を3回繰り返して下層の水層を除去、乾燥濾過、150℃加熱によりMIBKを脱溶媒し、140gの下記ポリマー3を得た。
モル比 a:b=0.52:0.48
分子量(Mw)7,200
分散度(Mw/Mn)=3.5
1Lのフラスコに上記合成例3で得られたポリマー3(グリシジルエーテル置換フェノール−トリシクロペンタジエン樹脂)165gをプロピレングリコールモノメチルエーテル400mLに溶解させ、1−アダマンタンカルボン酸90gとベンジルトリメチルアンモニウムクロリド2.8gを添加し、100℃で24時間反応させた。水洗分離を3回繰り返して下層の水層を除去、乾燥濾過し、減圧蒸留によりプロピレングリコールモノメチルエーテルを脱溶媒し、190gのポリマー4を得た。
分子量(Mw)7,900
分散度(Mw/Mn)=3.5
1Lのフラスコに上記合成例1で得られたポリマー1(フェノール−トリシクロペンタジエン樹脂)145g、37%ホルマリン水溶液75g、シュウ酸5gを加え、100℃で24時間撹拌させた。反応後メチルイソブチルケトン500mlに溶解し、十分な水洗により触媒と金属不純物を除去し、溶媒を減圧除去し、165gのポリマー5を得た。
モル比 a:b=0.52:0.48
分子量(Mw)15,300
分散度(Mw/Mn)=5.1
500mLのフラスコにブチルセルソルブ100g、トリチルフェノール336g(1モル)、トリフルオロメタンスルホン酸2gを加え、50℃で撹拌しながらトリシクロペンタジエン198g(1モル)を加えた。
同温度で1時間撹拌後、150℃にまで昇温、2時間撹拌し、反応を終了させた。未反応物を減圧蒸留で除去し、200gの1,2−ジクロロエタンに溶解させ、水洗により触媒と金属不純物を除去し、1,2−ジクロロエタンを減圧除去することによって、248gの下記ポリマー6を得た。
モル比 a:b=0.52:0.48
分子量(Mw)4,600
分散度(Mw/Mn)=4.5
500mLのフラスコにブチルセルソルブ10g、4−(1−アダマンチル)フェノール22.8g(0.1モル)、トリフルオロメタンスルホン酸0.2gを加え、50℃で撹拌しながらトリシクロペンタジエン19.8g(0.1モル)を加えた。 同温度で1時間撹拌後、150℃にまで昇温、2時間撹拌し、反応を終了させた。未反応物を減圧蒸留で除去し、200gの1,2−ジクロロエタンに溶解させ、水洗により触媒と金属不純物を除去し、1,2−ジクロロエタンを減圧除去することによって、248gの下記ポリマー7を得た。
モル比 a:b=0.54:0.46
分子量(Mw)4,200
分散度(Mw/Mn)=4.1
500mLのフラスコに4−ヒドロキシスチレンを40g、2−メタクリル酸−1−アダマンタンを160g、溶媒としてトルエンを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNを4.1g加え、80℃まで昇温後、24時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール300mL、水50mLの混合溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60℃で減圧乾燥し、白色重合体188gを得た。
共重合組成比(モル比)
4−ヒドロキシスチレン:2−メタクリル酸−1−アダマンタン
=0.32:0.68
重量平均分子量(Mw)=10,900
分子量分布(Mw/Mn)=1.77
この重合体を比較ポリマー1とする。
[レジスト下層膜材料の調製]
上記ポリマー1〜5で示される樹脂、比較ポリマー1で示される樹脂、比較例2としてはm、p比が0.4、0.6でMw8000、Mw/Mn4.5のクレゾールノボラック樹脂(比較ポリマー2)、下記ブレンドオリゴマー1、ブレンドフェノール低核体1〜3、下記AG1〜3で示される酸発生剤、下記CR1,2で示される架橋剤を、FC−430(住友スリーエム社製)0.1質量%を含む有機溶剤中に表1に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによってレジスト下層膜材料(実施例1〜14、比較例1、2)をそれぞれ調製した。
ポリマー1〜5:上記合成例1〜5で得たポリマー
比較ポリマー1:比較合成例1で得たポリマー
レジスト下層膜の形成後、J.A.ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーター(VASE)で波長193nmにおける屈折率(n,k)を求め、その結果を表1に示した。
エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 1,000W
ギヤップ 9mm
CHF3ガス流量 30ml/min
CF4ガス流量 30ml/min
Arガス流量 100ml/min
時間 60sec
表3に示す組成でArF単層レジスト材料(ArF用SLレジスト)をFC−430(住友スリーエム社製)0.1質量%を含む有機溶剤中に表3に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによってArF単層レジスト材料を調製した。
その上に珪素含有中間層材料溶液SOGを塗布して200℃で60秒間ベークして膜厚90nmの中間層を形成し、ArF単層レジスト材料溶液を塗布し、110℃で60秒間ベークして膜厚160nmのフォトレジスト層を形成した。
次いで、ArF露光装置((株)ニコン製;S307E、NA0.85、σ0.93、2/3輪体照明、Crマスク)で露光し、110℃で60秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で60秒間現像し、ポジ型のパターンを得た。得られたパターンの80nmラインアンドスペースのパターン形状を観察した。結果を表5に示す。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 1,000W
ギヤップ 9mm
CHF3ガス流量 20ml/min
CF4ガス流量 60ml/min
Arガス流量 200ml/min
時間 30sec
次に、SOG膜に転写されたパターンを下記酸素ガスを主体とするエッチングで下層膜に転写した。エッチング条件(3)は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 450mTorr
RFパワー 600W
N2ガス流量 60sccm
O2ガス流量 10sccm
ギヤップ 9mm
時間 20sec
パターン断面を(株)日立製作所製電子顕微鏡(S−4700)にて観察し、形状を比較し、表5にまとめた。
11a 被加工層
11b ベース層
12 レジスト下層膜
13 レジスト上層膜
14 レジスト中間膜
Claims (7)
- リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
- 請求項1記載の一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体に水素添加することによって得られた一般式(3)で示される繰り返し単位を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
- 前記レジスト下層膜材料が、更に架橋剤、酸発生剤、有機溶剤のうちいずれか一つ以上のものを含有するものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト下層膜材料。
- リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を基板上に形成し、該下層膜の上に少なくとも1層のフォトレジスト組成物のレジスト上層膜を形成して多層レジスト膜を形成し、該多層レジスト膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像してレジスト上層膜にレジストパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにしてレジスト下層膜をエッチングし、更にパターンが形成された多層レジスト膜をマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- フォトレジスト組成物が、珪素原子含有ポリマーを含み、フォトレジスト層をマスクにしてフォトレジスト下層膜を加工するドライエッチングを、酸素ガス又は水素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行う請求項4記載のパターン形成方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のフォトレジスト下層膜形成材料を被加工基板上に適用し、得られた下層膜の上に珪素原子を含有する中間膜層を適用し、該中間膜層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、このフォトレジスト層の所用領域に放射線を照射し、現像液で現像してフォトレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置でこのフォトレジストパターン層をマスクにして中間膜層を加工し、フォトレジストパターン層を除去後、上記加工した中間膜層をマスクにして下層膜層、次いで被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。
- フォトレジスト組成物が珪素原子を含有しないポリマーを含み、中間膜層をマスクにして下層膜を加工するドライエッチングを、酸素ガス又は水素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行う請求項6記載のパターン形成方法。
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KR101794951B1 (ko) * | 2009-08-19 | 2017-11-07 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 지방족환과 방향족환을 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 |
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CN108864410B (zh) * | 2017-05-08 | 2021-05-11 | 广东生益科技股份有限公司 | 含有tcpd结构的环氧树脂、环氧树脂组合物、预浸料、层压板和印刷电路板 |
KR102499390B1 (ko) * | 2019-10-29 | 2023-02-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레지스트 하층막용 조성물, 레지스트 하층막, 상기 조성물을 이용한 패턴형성방법 |
WO2021087580A1 (en) * | 2019-11-08 | 2021-05-14 | Advanced Braking Pty Ltd | Brake Housing |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004205685A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
JP2004354554A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
JP2005113021A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び多価ヒドロキシ化合物 |
JP2005206690A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | 変性エポキシ樹脂、それを含有するエポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004205685A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
JP2004354554A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
JP2005113021A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び多価ヒドロキシ化合物 |
JP2005206690A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | 変性エポキシ樹脂、それを含有するエポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
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