JP5857745B2 - 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Description
1. 下記式(3)で示される環状化合物。
2. 前記環状化合物が、下記式(3−1)から(3−4)の異性体のうちいずれかで示される第1項記載の環状化合物。
3. 前記環状化合物が、下記式(3’−1)〜(3’−4)の異性体のうちいずれかで示される第1項記載の環状化合物。
4. 炭素数7〜20のヒドロキシベンズアルデヒド又は炭素数7〜20のカルボキシベンズアルデヒドである芳香族カルボニル化合物(A1)からなる群より選ばれる1種以上、及び、炭素数12〜20のアルコキシフェノールであるフェノール性化合物(A2)からなる群より選ばれる1種以上を縮合反応させる下式(3)で示される環状化合物(A)の製造方法。
5. 反応温度0〜60℃で反応させる第4項記載の製造方法。
6. 第1項記載の環状化合物及び溶媒を含む感放射線性組成物。
7. 固形成分1〜80重量%及び溶媒20〜99重量%からなる第6項記載の感放射線性組成物。
8. 前記環状化合物が固形成分全重量の50〜99.999重量%である第6項又は第7項記載の感放射線性組成物。
9. さらに、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線(EUV)、X線、及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤(C)を含む第6項記載の感放射線性組成物。
10. さらに、酸架橋剤(G)を含む第6項記載の感放射線性組成物。
11. さらに、酸拡散制御剤(E)を含む第6項記載の感放射線性組成物。
12. 前記固形成分が、環状化合物/酸発生剤(C)/酸架橋剤(G)/酸拡散制御剤(E)/任意成分(F)を、固形成分基準の重量%で、50〜99.489/0.001〜49.49/0.5〜49.989/0.01〜49.499/0〜49.489含有する第6項記載の感放射線性組成物。
13. スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる第6項記載の感放射線性組成物。
14. 前記アモルファス膜の、23℃における2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が1.0nm/sec以上である第13項記載の感放射線性組成物。
15. 前記アモルファス膜にKrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線を照射したもの、又はこれを20〜250℃で加熱した後のアモルファス膜の2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が0.5nm/sec以下である第13項記載の感放射線性組成物。
16. 第6項〜第15項のいずれかに記載の感放射線性組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
[環状化合物及びその製造方法]
本発明は、レジスト材料として有用な環状化合物及びその製造方法に関する。
本発明の環状化合物は、下記式(1)で示される環状化合物である。
また、別の少なくとも1つのR12は、水素原子である。
本発明の環状化合物のガラス転移温度の示差走査熱量分析により求めた結晶化発熱量は20J/g未満であるのが好ましい。また、(結晶化温度)−(ガラス転移温度)は好ましくは70℃以上、より好ましくは80℃以上、さらに好ましくは100℃以上、特に好ましくは130℃以上である。結晶化発熱量が20J/g未満、又は(結晶化温度)−(ガラス転移温度)が上記範囲内であると、感放射線性組成物をスピンコートすることにより、アモルファス膜を形成しやすく、かつレジストに必要な成膜性が長期に渡り保持でき、解像性を向上することができる。
本発明は、前記した式(1)で示される環状化合物と溶媒とを含む感放射線性組成物に関する。また、本発明は、固形成分1〜80重量%及び溶媒20〜99重量%からなる感放射線性組成物であることが好ましく、さらに、該環状化合物が固形成分全重量の50〜99.999重量%であることが好ましい。
上記酸発生剤(C)は、単独で、又は2種以上を使用することができる。
低分子量溶解促進剤は、式(1)で示される環状化合物のアルカリ等の現像液に対する溶解性が低すぎる場合に、その溶解性を高めて、現像時の環状化合物の溶解速度を適度に増大させる作用を有する成分であり、本発明の効果を損なわない範囲で使用することができる。前記溶解促進剤としては、例えば、低分子量のフェノール性化合物を挙げることができ、例えば、ビスフェノール類、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン等を挙げることができる。これらの溶解促進剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
溶解制御剤は、式(1)で示される環状化合物がアルカリ等の現像液に対する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を制御して現像時の溶解速度を適度に減少させる作用を有する成分である。このような溶解制御剤としては、レジスト被膜の焼成、放射線照射、現像等の工程において化学変化しないものが好ましい。
増感剤は、照射された放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤(C)に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、レジストの見掛けの感度を向上させる成分である。このような増感剤としては、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセチル類、ピレン類、フェノチアジン類、フルオレン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの増感剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。
界面活性剤は、本発明の感放射線性組成物の塗布性やストリエーション、レジストの現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤は、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでもよい。好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤は、感放射線性組成物の製造に用いる溶媒との親和性がよく、より効果がある。
感度劣化防止又はレジストパターンの倒れや剥れの防止、レジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。なお、酸拡散制御剤と併用することも出来るし、単独で用いても良い。
更に、本発明の感放射線性組成物には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、上記溶解制御剤、増感剤、及び界面活性剤以外の添加剤を1種又は2種以上配合することができる。そのような添加剤としては、例えば、染料、顔料、及び接着助剤等が挙げられる。例えば、染料又は顔料を配合すると、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できるので好ましい。また、接着助剤を配合すると、基板との接着性を改善することができるので好ましい。更に、他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には4−ヒドロキシ−4’−メチルカルコン等を挙げることができる。
50〜99.489/0.001〜49.49/0.5〜49.989/0.01〜49.499/0〜49.489より好ましくは
50〜99.489/0.001〜49.49/0.5〜40/0.01〜5/0〜15、
さらに好ましくは
60〜70/10〜25/1〜30/0.01〜3/0〜1
特に好ましくは
60〜70/10〜25/2〜20/0.01〜3/0である。上記配合にすると、感度、解像度、アルカリ現像性等の性能に優れる。
本発明は、上記本発明の感放射線性組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法に関する。本発明のレジストパターンは多層レジストプロセスにおける上層レジストとして形成することもできる。
シクロヘキシルオキシフェノールの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(2L)に、窒素気流下で、レゾルシノール(55g、0.5mol)と、炭酸カリウム(207g、1.5mol)と、水(25ml、1.4mol)と、N,N−ジメチルホルムアルデヒド(500ml)を投入し、ジメチルホルムアルデヒド溶液を調整した。次いで室温にて、ブロモシクロヘキサン(408g,2.5mol)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで80℃、14時間加熱した後、100℃、11時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。反応溶液を1Lのトルエンに溶解し、500ml水で3回洗浄した。エバポレーションによりトルエンを留去させ、残渣物を展開溶媒としてヘキサンと酢酸エチルを用いて、カラムクロマトグラフィーにより精製することで、赤褐色の目的生成物(以下、R−1Aと示す)(21.9g、収率23%、GC純度100%)を得た。
この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、1.1〜2.0(m,10H)、4.2(m,H)、6.3(m,3H)、7.0(m,H)、9.3(s,H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−1Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、上記合成例1で得られたR−1A(5.38g、28mmol)と、濃塩酸(35wt%、4.37g)と、エタノール(15g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、関東化学社製4−ヒドロキシベンズアルデヒド(3.25g,27mmol)と、エタノール(8g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。茶色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤褐色の目的生成物(以下、CR−1Aと示す)(8.3g、収率99%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1010を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、1.0〜1.8(m,40H)、4.0(m,4H)、5.5(m,4H)、6.0〜6.5(m,24H)、8.5〜8.7(m,8H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−2Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、上記合成例1で得られたR−1A(10.76g、56mmol)と、濃塩酸(35wt%、8.74g)と、エタノール(40g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、関東化学社製3,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド(7.35g,54mmol)と、エタノール(7g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、2時間および60℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。赤褐色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、目的生成物(以下、CR−2Aと示す)(16.2g、収率97%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1071を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は1.0〜1.8(m,40H)、4.0(m,4H)、5.4(m,4H)、5.9〜6.4(m,20H)、8.5(m,12H)であった。
3−(4−メチルシクロヘキシルオキシ)フェノールの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(2L)に、窒素気流下で、レゾルシノール(110g、1.0mol)と、4−メチルシクロヘキサノール(114g、1.0mol)と、トリフェニルホスフィン(393g、1.5mol)を、乾燥テトラヒドロフラン(500ml)に溶解し、氷食塩水で冷却しながら、ジイソプロピルアゾジカルボキシレート(269g、1.3mol)と、乾燥テトラヒドロフラン(400ml)の混合溶液を1時間かけて滴下した。次いで室温にて12時間撹拌した。反応終了後、30%過酸化水素(200ml)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、反応溶液を2Lのトルエンに溶解し、1L水で3回洗浄した。エバポレーションによりトルエンを留去させ、残渣物を展開溶媒としてヘキサンと酢酸エチルを用いて、カラムクロマトグラフィーにより精製することで、赤褐色の目的生成物(以下、R−2Aと示す)(45.0g、収率22%、GC純度97%)を得た。
この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、0.9(m,3H)、1.0〜1.8(m,8H)、2.0(m,H)、4.0(m,H)、6.3(m,3H)、7.0(m,H)、9.3(b,H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−3Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、上記合成例2で得られたR−2A(11.53g、56mmol)と、濃塩酸(35wt%、8.73g)と、エタノール(40g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、関東化学社製4−ヒドロキシベンズアルデヒド(6.50g,53mmol)と、エタノール(7g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。茶色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤紫色の目的生成物(以下、CR−3Aと示す)(15.6g、収率94%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1085を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、1.0〜1.6(m,48H)、3.2〜3.4(m,4H)、5.5(m,4H)、6.2〜6.5(m,24H)、8.5〜8.7(m,8H)であった。
CR−4Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、上記合成例2で得られたR−2A(11.54g、56mmol)と、濃塩酸(35wt%、8.73g)と、エタノール(45g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、関東化学社製3,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド(7.35g,53mmol)と、エタノール(4g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。茶色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤紫色の目的生成物(以下、CR−4Aと示す)(16.6g、収率96%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1085を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、0.7〜2.1(m,48H)、3.1〜3.4(m,4H)、5.4(m,4H)、6.2〜6.4(m,20H)、8.0〜8.5(m,12H)であった。
3−(4−エチルシクロヘキシルオキシ)フェノールの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(2L)に、窒素気流下で、レゾルシノール(72g、0.65mol)と、4−エチルシクロヘキサノール(92g、0.72mol)と、トリフェニルホスフィン(185g、0.70mol)を、乾燥テトラヒドロフラン(700ml)に溶解し、氷食塩水で冷却しながら、ジイソプロピルアゾジカルボキシレート(132g、0.65mol)と、乾燥テトラヒドロフラン(180ml)の混合溶液を1時間かけて滴下した。次いで室温にて12時間撹拌した。反応終了後、30%過酸化水素(140ml)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、反応溶液を1Lのトルエンに溶解し、500ml水で3回洗浄した。エバポレーションによりトルエンを留去させ、残渣物を展開溶媒としてヘキサンと酢酸エチルを用いて、カラムクロマトグラフィーにより精製することで、赤褐色の目的生成物(以下、R−3Aと示す)(38.5g、収率27%、GC純度99%以上)を得た。
この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、0.8(m,5H)、1.0〜1.9(m,9H)、4.0(m,H)、6.5(m,3H)、7.0(m,H)、8.9(b,H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−5Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、上記合成例3で得られたR−3A(9.17g、28mmol)と、濃塩酸(35wt%、4.37g)と、エタノール(20g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、関東化学社製4−ヒドロキシベンズアルデヒド(3.25g,27mmol)と、エタノール(4g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。茶色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤紫色の目的生成物(以下、CR−5Aと示す)(7.9g、収率91%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1124を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、1.0〜1.6(m,56H)、3.2〜3.8(m,4H)、4.9(m,4H)、5.8〜6.1(m,24H)、8.0〜8.2(m,8H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−6Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、上記合成例3で得られたR−3A(6.16g、28mmol)と、濃塩酸(35wt%、4.38g)と、エタノール(15g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、関東化学社製3,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド(3.68g,27mmol)と、エタノール(8g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。茶色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤紫色の目的生成物(以下、CR−6Aと示す)(8.3g、収率92%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1198を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、0.7〜1.8(m,56H)、4.1〜4.2(m,4H)、5.8(m,4H)、6.1〜6.4(m,20H)、8.0〜8.5(m,12H)であった。
3−(3,3,5−トリメチルシクロヘキシルオキシ)フェノールの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(1L)に、窒素気流下で、レゾルシノール(42g、0.38mol)と、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール(54g、0.57mol)と、トリフェニルホスフィン(150g、0.57mol)を、乾燥テトラヒドロフラン(200ml)に溶解し、氷食塩水で冷却しながら、ジイソプロピルアゾジカルボキシレート(100g、0.5mol)と、乾燥テトラヒドロフラン(150ml)の混合溶液を1時間かけて滴下した。次いで室温にて12時間撹拌した。反応終了後、30%過酸化水素(75ml)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、反応溶液を1Lのトルエンに溶解し、500ml水で3回洗浄した。エバポレーションによりトルエンを留去させ、残渣物を展開溶媒としてヘキサンと酢酸エチルを用いて、カラムクロマトグラフィーにより精製することで、赤褐色の目的生成物(以下、R−4Aと示す)(19.5g、収率22%、GC純度99%)を得た。
この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、0.7(m,1H)、0.9〜1.0(m,9H)、1.2〜2.0(m,6H)、4.1(m,H)、6.5(m,3H)、7.0(m,H)、8.9(b,H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−7Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、上記合成例4で得られたR−4A(6.55g、28mmol)と、濃塩酸(35wt%、4.37g)と、エタノール(21g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、関東化学社製3,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド(3.67g,27mmol)と、エタノール(3g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。茶色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤紫色の目的生成物(以下、CR−7Aと示す)(8.6g、収率99%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1254を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、0.5〜2.0(m,64H)、4.1〜4.3(m,4H)、5.4(m,4H)、6.0〜6.4(m,20H)、7.8〜8.4(m,12H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−8Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(100mL)に、窒素気流下で、関東化学社製3‐メトキシフェノール(6.9g、57mmol)と、濃塩酸(35wt%、8.74g)と、エタノール(40g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、三菱瓦斯化学製2,4‐ジメチルベンズアルデヒド(7.1g,53mmol)と、エタノール(7g)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで40℃、1時間および60℃、5時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤紫色の目的生成物(以下、CR−8Aと示す)(12.6g、収率98%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量1069を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、1.2〜2.3(m,24H)、2.9〜3.2(m,12H)、5.2〜5.6(m,4H)、6.0〜6.8(m,20H)、8.6〜9.1(m,4H)であった。
環状化合物(A)の合成
CR−9Aの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ(1L)に、窒素気流下で、関東化学社製3‐エトキシフェノール(13.8g、0.1mol)と、p‐アニスベンズアルデヒド(13.6g,0.1mol)と、エタノール(200g)を投入し、エタノール溶液を調整した。次いで室温にて、濃塩酸(35wt%、25ml)を、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで70℃、12時間加熱した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水を加える。黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶を蒸留水100mlで6回洗浄し、濾別、120℃で真空乾燥させることにより、赤紫色の目的生成物(以下、CR−9Aと示す)(25.1g、収率98%)を得た。(但し、少なくとも4種類の立体異性体が考えられる。)
この化合物の構造は、LC−MSで分析した結果、目的物の分子量757を示した。この化合物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は、1.0〜1.2(m,12H)、3.5〜4.0(m,20H)、5.5(m,4H)、6.2〜6.6(m,24H)、8.6〜8.7(m,4H)であった。
(1)化合物の安全溶媒溶解度試験
上記合成実施例1〜7、合成比較例1及び2で得られた化合物のプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、及びシクロヘキサノン(CHN)への溶解量を評価した。結果を第1表に示す。
A:5.0wt% ≦ 溶解量
B:3.0wt% ≦ 溶解量 < 5.0wt%
C:溶解量 < 3.0wt%
(2)パターニング試験
第2表記載の成分を調合し、均一溶液としたのち、孔径0.1μmのテフロン(登録商標)製メンブランフィルターで濾過して、感放射線性組成物を調製し、各々について以下の評価を行った。結果を第3表に示す。
P−1:トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート(みどり化学(株))
P−2:トリフェニルスルホニウム 1‐ブタンスルホネート(和光純薬工業(株))
P−3:トリフェニルスルホニウム パラトルエンスルホネート(和光純薬工業(株))
P−4:ジフェニル‐2,4,6‐フェニルスルホニウム パラトルエンスルホネート(和光純薬工業(株))
P−5:ジフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート(みどり化学(株))
P−6:ジフェニルヨードニウム パラトルエンスルホネート(みどり化学(株))
(G)酸架橋剤
C−1:ニカラックMW−100LM(三和ケミカル(株))
(E)酸拡散制御剤
Q−1:トリオクチルアミン(東京化成工業(株))
Q−2:ロフィン(東京化成工業(株))
溶媒
S−1 プロピレングリコールモノメチルエーテル(東京化成工業(株))
レジストを清浄なシリコンウェハ上に回転塗布した後、オーブン中で露光前ベーク(PB)して、厚さ60nmのレジスト膜を形成した。該レジスト膜を電子線描画装置(ELS−7500,(株)エリオニクス社製)を用いて、50nm間隔と30nm間隔の1:1のラインアンドスペース設定の電子線を照射した。照射後に、それぞれ所定の温度で、90秒間加熱し、2.38重量%TMAH水溶液に60秒間現像を行った。その後、水で30秒間洗浄し、乾燥して、ネガ型のレジストパターンを形成した。得られたラインアンドスペースを走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジー製S−4800)により観察した。またその際のドーズ量(μC/cm2)を感度とした。
得られた50nm間隔と30nm間隔の1:1のラインアンドスペースの断面写真を走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジー製S−4800)により観察し、評価した。
A:パターン倒れのない矩形パターン(良好なパターン)
B:パターン倒れのあるほぼ矩形パターン(ほぼ良好なパターン)
C:乱雑なパターンもしくはパターン流れ(粗悪なパターン)
Claims (16)
- 炭素数7〜20のヒドロキシベンズアルデヒド又は炭素数7〜20のカルボキシベンズアルデヒドである芳香族カルボニル化合物(A1)からなる群より選ばれる1種以上と、炭素数12〜20のアルコキシフェノールであるフェノール性化合物(A2)からなる群より選ばれる1種以上を縮合反応させる下式(3)で示される環状化合物(A)の製造方法。
- 反応温度0〜60℃で反応させる請求項4記載の製造方法。
- 請求項1記載の環状化合物及び溶媒を含む感放射線性組成物。
- 固形成分1〜80重量%及び溶媒20〜99重量%からなる請求項6記載の感放射線性組成物。
- 前記環状化合物が固形成分全重量の50〜99.999重量%である請求項6又は7記載の感放射線性組成物。
- さらに、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線(EUV)、X線、及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤(C)を含む請求項6記載の感放射線性組成物。
- さらに、酸架橋剤(G)を含む請求項6記載の感放射線性組成物。
- さらに、酸拡散制御剤(E)を含む請求項6記載の感放射線性組成物。
- 前記固形成分が、環状化合物/酸発生剤(C)/酸架橋剤(G)/酸拡散制御剤(E)/任意成分(F)を、固形成分基準の重量%で、50〜99.489/0.001〜49.49/0.5〜49.989/0.01〜49.499/0〜49.489含有する請求項6記載の感放射線性組成物。
- スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる請求項6記載の感放射線性組成物。
- 前記アモルファス膜の、23℃における2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が1.0nm/sec以上である請求項13記載の感放射線性組成物。
- 前記アモルファス膜にKrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線を照射したもの、又はこれを20〜250℃で加熱した後のアモルファス膜の2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が0.5nm/sec以下である請求項13記載の感放射線性組成物。
- 請求項6〜15のいずれかに記載の感放射線性組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
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