JP5825104B2 - 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法 - Google Patents

環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法 Download PDF

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Description

本発明は、酸増幅型非高分子系レジスト材料として有用な、特定の化学構造式で示される環状化合物、これを含む感放射線性組成物、および該組成物を用いるレジストパターン形成方法に関する。
これまでの一般的なレジスト材料は、アモルファス薄膜を形成可能な高分子系材料である。例えば、ポリメチルメタクリレート、酸解離性反応基を有するポリヒドロキシスチレンまたはポリアルキルメタクリレート等の高分子レジスト材料の溶液を基板上に塗布することにより作製したレジスト薄膜に紫外線、遠紫外線、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線などを照射することにより、４５〜１００ｎｍ程度のラインパターンを形成している。
しかしながら、高分子系レジストは分子量が１万〜１０万程度と大きく、分子量分布も広いため、高分子系レジストを用いるリソグラフィでは、微細パターン表面にラフネスが生じ、パターン寸法を制御することが困難となり、歩留まりが低下する。従って、従来の高分子系レジスト材料を用いるリソグラフィでは微細化に限界がある。そのため、より微細なパターンを作製するために、種々の低分子量レジスト材料が開示されている。
例えば、低分子量多核ポリフェノール化合物を主成分として用いるアルカリ現像型のネガ型感放射線性組成物（特許文献１および特許文献２参照）が提案されているが、これらは耐熱性が十分では無く、得られるレジストパターンの形状が悪くなる欠点があった。
また、低分子量レジスト材料の候補として、低分子量環状ポリフェノール化合物を主成分として用いるアルカリ現像型のネガ型感放射線性組成物（特許文献３および非特許文献１参照）が提案されている。
これらの低分子量環状ポリフェノール化合物は、低分子量であるため、分子サイズが小さく、解像性が高く、ラフネスが小さいレジストパターンを与えることが期待される。また低分子量環状ポリフェノール化合物は、その骨格に剛直な環状構造を有することにより、低分子量ながらも高耐熱性を与える。
しかしながら、現在開示されている低分子量環状ポリフェノール化合物は、半導体製造プロセスに用いられる安全溶媒溶解性が低い、感度が低い、および得られるレジストパターン形状が悪い等の問題点があり、低分子量環状ポリフェノール化合物の改良が望まれている。
特開２００５−３２６８３８号公報 特開２００８−１４５５３９号公報 特開２００９−１７３６２３号公報
Ｔ．Ｎａｋａｙａｍａ，Ｍ．Ｎｏｍｕｒａ，Ｋ．Ｈａｇａ，Ｍ．Ｕｅｄａ：Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，７１，２９７９（１９９８）
本発明の目的は、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度でかつ、得られるレジストパターン形状が良好な環状化合物、その製造方法、それを含む感放射線性組成物、および該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することにある。
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定構造を有する環状化合物が安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を与えることを見出し本発明に到った。
すなわち、本発明はつぎの通りである。
１． 下記式（１）で示される環状化合物。
Figure 0005825104
 （式（１）中、Ｌは、独立して、単結合、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数３〜２０のシクロアルキレン基、炭素数６〜２４のアリーレン基、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される二価の基であり、Ｒ１は独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、炭素数２〜２０のアシル基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、これらの誘導体からなる群から選択される官能基、または水素原子である。但し、その少なくともひとつのＲ１は水素原子である。Ｒ’は独立して、下記式（１−２）で表される。
Figure 0005825104
 で表される基又はこれらの誘導体であり、Ｒ６は水素又は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、および炭素数１〜１２のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基であり、Ｒ５は水素又は炭素数１〜１０のアルキル基であり、ｍは１〜４の整数であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数であり、ｑは０〜５の整数である。））
２． 下記式（２）で示される第１項記載の環状化合物。
Figure 0005825104
 （式（２）中、Ｒ１、Ｒ’、ｐ、ｍは前記と同様である。Ｘ２は水素又はハロゲン原子であり、ｍ５は０〜３の整数であり、ｍ＋ｍ５＝４である。）
３． 下記式（３）で示される第１項記載の環状化合物。
Figure 0005825104
 （式（３）中、Ｒ’、ｍは前記と同様である。）
４． Ｒ’ は独立して下記式（１−４）で表される第１項記載の環状化合物。
Figure 0005825104
 （式（１−４）中、Ｒ７は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、炭素数１〜１２のアルキルシリル基、およびこれらの誘導体からなる群から選択される官能基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数である。）
５． Ｒ’ は独立して下記式（１−５）で表される第１項記載の環状化合物。
Figure 0005825104
 （式（１−５）中、ｐは０〜５の整数である。）
６． カルボニル化合物（Ａ１）からなる群より選ばれる１種以上と、フェノール性化合物（Ａ２）からなる群より選ばれる１種以上とを縮合反応させることを特徴とする、前記式（１）で示される記載の環状化合物の製造方法。
７． カルボニル化合物（Ａ１）のアセタール化合物（Ａ４）からなる群より選ばれる１種以上と、フェノール性化合物（Ａ２）からなる群より選ばれる１種以上とを縮合反応させることを特徴とする、前記式（１）で示される記載の環状化合物の製造方法。
８． 第１項記載の環状化合物および溶媒を含む感放射線性組成物。
９． 前記環状化合物が、炭素数が２〜５９であり１〜４個のホルミル基を有する化合物（アルデヒド性化合物（Ａ１Ａ））と、炭素数６〜１５であり１〜３個のフェノール性水酸基を有する化合物（フェノール性化合物（Ａ２））との縮合反応により合成した、分子量が７００〜５０００の環状化合物である、第８項記載の感放射線性組成物。
１０． 固形成分１〜８０重量％および溶媒２０〜９９重量％からなる第８項記載の感放射線性組成物。
１１． さらに、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤（Ｃ）を含む第８項記載の感放射線性組成物。
１２． さらに、酸架橋剤（Ｇ）を含む第８項記載の感放射線性組成物。
１３． さらに、酸拡散制御剤（Ｅ）を含む第８項記載の感放射線性組成物。
１４． 前記環状化合物が、下記式（２−２）で示される化合物からなる群から選ばれる環状化合物である第８〜１３項のいずれかに記載の感放射線性組成物。
Figure 0005825104
 （式（２−２）中、Ｒ’、Ｘ２、ｐ、ｑ、ｍ、ｍ５は前記と同様である。）
１５． 前記環状化合物が、下記式（４）及び（５）で示される各化合物からなる群から選ばれる環状化合物である第１４項記載の感放射線性組成物。
Figure 0005825104
 （式（５）中、Ｒ６は前記と同様である。）
１６． 前記固形成分が、環状化合物／酸発生剤（Ｃ）／酸架橋剤（Ｇ）／酸拡散制御剤（Ｅ）／任意成分（Ｆ））を、固形成分基準の重量％で、５０〜９９．４８９／０．００１〜５０／０．５〜５０／０．０１〜５０／０〜５０含有する第１０項記載の感放射線性組成物。
１７． スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる第８項記載の感放射線性組成物。
１８． 前記アモルファス膜の、２３℃における２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が１０Å／ｓｅｃ以上である第１７項記載の感放射線性組成物。
１９． 前記アモルファス膜にＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線を照射したもの、又はこれを２０〜２５０℃で加熱した後のアモルファス膜の２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が５Å／ｓｅｃ以下である第１７項記載の感放射線性組成物。
２０． 第８項〜第１９項のいずれかに記載の感放射線性組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
２１． 下記式(６−１)で表されるカルボニル化合物（Ａ１）。
Figure 0005825104
 （式（６−１）中、Ｒ６、ｎ、ｐ、ｑは前記と同様である。）
２２． 下記式（６−２）で表されるアセタール化合物（Ａ４）。
Figure 0005825104
 （式（６−２）中、Ｒ６、ｎ、ｐ、ｑは前記と同様である。）
本発明により、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度でかつ、得られるレジストパターン形状が良好な環状化合物、その製造方法、それを含む感放射線性組成物、および該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
［環状化合物およびその製造方法］
本発明は、レジスト材料として有用な環状化合物およびその製造方法に関する。
本発明の環状化合物は、下記式（１）で示される環状化合物である。
Figure 0005825104
 （式（１）中、Ｌは、独立して、単結合、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数３〜２０のシクロアルキレン基、炭素数６〜２４のアリーレン基、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される二価の基であり、Ｒ１は独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、炭素数２〜２０のアシル基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、これらの誘導体からなる群から選択される官能基、または水素原子である。但し、その少なくともひとつのＲ１は水素原子である。Ｒ’は独立して、下記式（１−２）
Figure 0005825104
 で表される基又はこれらの誘導体であり、Ｒ６は水素又は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、および炭素数１〜１２のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基であり、Ｒ５は水素又は炭素数１〜１０のアルキル基であり、ｍは１〜４の整数であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数であり、ｑは０〜５の整数である。）
本発明は下記式（２）で示される環状化合物であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（２）中、Ｒ１、Ｒ’、ｐ、ｍは前記と同様である。Ｘ２は水素又はハロゲン原子であり、ｍ５は０〜３の整数であり、ｍ＋ｍ５＝４である。）
本発明は下記式（３）で示される環状化合物であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（３）中、Ｒ’、ｍは前記と同様である。）
Ｒ’が下記式（１−４）で表される環状化合物であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（１−４）中、Ｒ７は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、炭素数１〜１２のアルキルシリル基、およびこれらの誘導体からなる群から選択される官能基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数である。）
Ｒ’が下記式（１−５）で表される環状化合物であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（１−５）中、ｐは０〜５の整数である。）
本発明の環状化合物は耐熱性が高く、アモルファス性を有するため製膜性にも優れ、昇華性を持たず、アルカリ現像性、エッチング耐性等に優れ、レジスト材料、特にレジスト材料の主成分(基材)として好適に用いられる。
また、製造面においても工業的に製造されているアルデヒドをはじめとする各種アルデヒド類とレゾルシノール、ピロガロール等のフェノール類を原料として、塩酸等の非金属触媒により脱水縮合反応させることにより、高収率で製造できることから、実用性にも極めて優れる。
前記環状化合物が、下記式（２−２）で示される化合物からなる群から選ばれる環状化合物であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（２−２）中、Ｒ’、Ｘ２、ｐ、ｑ、ｍ、ｍ５は前記と同様である。）
本発明の環状化合物が、下記式（４）及び（５）で示される各化合物からなる群から選ばれる環状化合物であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（５）中、Ｒ６は前記と同様である。）
上記（１）で示される環状化合物の分子量は８００〜５０００であり、好ましくは８００〜２０００、より好ましくは１０００〜２０００である。上記範囲であるとレジストに必要な成膜性を保持しつつ、解像性が向上する。
本発明における環状化合物は、シス体およびトランス体を取りうるが、いずれかの構造若しくは混合物でもよい。感放射線性組成物のレジスト成分として用いる場合は、シス体およびトランス体のいずれかの構造のみを有する方が、純物質化合物となり、レジスト膜中成分の均一性が高いので好ましい。シス体およびトランス体のいずれかの構造のみを有する環状化合物を得る方法は、カラムクロマトや分取液体クロマトグラフィによる分離や製造時における反応溶媒及び反応温度等の最適化等、公知の方法で行うことができる。
上記式（１）で示される環状化合物は、炭素数が２〜５９であり１〜４個のホルミル基を有する化合物（アルデヒド性化合物（Ａ１Ａ））からなる群より選ばれる１種以上と、フェノール性化合物（Ａ２）からなる群より選ばれる１種以上との縮合反応により得られる。
より好ましくは、上記式（１）で示される環状化合物は、カルボニル化合物（Ａ１）からなる群より選ばれる１種以上と、フェノール性化合物（Ａ２）からなる群より選ばれる１種以上との縮合反応により得られる。
カルボニル化合物（Ａ１）の代わりに芳香族カルボニル化合物（Ａ１）のアセタール化合物（Ａ４）を用いてもよい。
カルボニル化合物（Ａ１）は、下記式（６−１）で表される
Figure 0005825104
 （式（６−１）中、Ｒ６、ｎ、ｐ、ｑは前記と同様である。）
シクロヘキシルアルデヒドが好ましく、例えば、２−ビシクロヘキシルアルデヒド、３−ビシクロヘキシルアルデヒド、４−ビシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルメチルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシエチルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルプロピルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルブチルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルペンチルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルヘキシルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルヘプチルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルオクチルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルノニルシクロヘキシルアルデヒド、４−シクロヘキシルデカニルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルメチルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシエチルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルプロピルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルブチルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルペンチルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルヘキシルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルヘプチルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルオクチルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルノニルシクロヘキシルアルデヒド、３−シクロヘキシルデカニルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルメチルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシエチルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルプロピルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルブチルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルペンチルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルヘキシルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルヘプチルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルオクチルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルノニルシクロヘキシルアルデヒド、２−シクロヘキシルデカニルシクロヘキシルアルデヒド、４− (４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(４−メチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（４−メチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（４−メチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(４−エチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（４−エチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（４−エチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(４−プロピルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（４−プロピルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（４−プロピルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(４−ブチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（４−ブチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（４−ブチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、
４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (２，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（２，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（２，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(２，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (３，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（３，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（３，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(３，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (２，３−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（２，３−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（２，３−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(２，３−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，３−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (３，５−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（３，５−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（３，５−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(３，５−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、
３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４− (２，６−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、３−（２，６−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、２−（２，６−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド、４−｛(２，６−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒド、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒド、等が挙げられ、２−ビシクロヘキシルアルデヒド、３−ビシクロヘキシルアルデヒド、４−ビシクロヘキシルアルデヒドが好ましく、４−ビシクロヘキシルアルデヒドがより好ましい。カルボニル化合物（Ａ１）は本発明の効果を損ねない範囲で炭素数１〜４の直鎖または分岐アルキル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン等を有していても良い。カルボニル化合物（Ａ１）は、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。
カルボニル化合物のアセタール化合物（Ａ４）は、カルボニル基をアセタール基で保護した化合物であり、好ましくは下記式（６−２）で表されるシクロヘキシルアルデヒドのペンタエリスリトールアセタールである。
Figure 0005825104
 （式（６−２）中、Ｒ６、ｎ、ｐ、ｑは前記と同様である。）
上記ペンタエリスリトールアセタールとしては、例えば、２−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルメチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシエチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルプロピルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルブチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルペンチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルヘキシルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルヘプチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルオクチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルノニルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−シクロヘキシルデカニルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルメチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシエチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルプロピルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルブチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルペンチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルヘキシルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルヘプチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルオクチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルノニルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−シクロヘキシルデカニルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルメチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシエチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルプロピルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルブチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルペンチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルヘキシルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルヘプチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルオクチルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルノニルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−シクロヘキシルデカニルシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４− (４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−（４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−（４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛(４−メチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（４−メチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（４−メチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−メチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−メチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−メチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４− (４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−（４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−（４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛(４−エチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（４−エチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（４−エチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−エチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−エチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−エチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４− (４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛(４−プロピルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（４−プロピルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（４−プロピルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、
４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−プロピルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−プロピルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−プロピルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４− (４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−（４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−（４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛(４−ブチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（４−ブチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（４−ブチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３−ブチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３−ブチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３−ブチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４− (２，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−（２，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−（２，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛(２，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，４−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４− (３，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−（３，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−（３，４−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛(３，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，４−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、
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２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（３，５−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４− (２，６−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−（２，６−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−（２，６−ジメチルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛(２，６−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）メチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）エチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）プロピル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ブチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ペンチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘキシル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ヘプチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）オクチル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）ノニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、２−｛（２，６−ジメチルシクロヘキシル）デカニル｝シクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、等が挙げられ、２−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、３−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール、４−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタールが好ましく、４−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタールがより好ましい。カルボニル化合物のアセタール化合物（Ａ４）は本発明の効果を損ねない範囲で炭素数１〜４の直鎖または分岐アルキル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン等を有していても良い。カルボニル化合物のエチレンアセタール化合物（Ａ４）は、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。
カルボニル化合物（Ａ１）は、対応するベンゼン環を有する化合物を水添し、シクロヘキシル環へ変換することで得られる。
水添の方法としては、公知の方法があり、水素存在下、ルテニウム／アルミナ触媒、パラジウム／アルミナ触媒、ランタン系触媒、パラジウム／カーボン触媒、ロジウム／二酸化チタン触媒、二酸化ルテニウム触媒、ロジウム／アルミナ触媒、白金系触媒、ルテニウム／カーボン触媒等を用いて反応させることで得られる。
カルボニル化合物（Ａ１）はアセタール基で保護することが可能であり、アセタール保護することで安定化する。アセタール保護は公知の方法で行うことができる。例えば、酸存在下で二価アルコールと反応させることでカルボニル化合物（Ａ１）をアセタール基で保護できる。
フェノール性化合物（Ａ２）の例としては、フェノール、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロガロール等が挙げられ、レゾルシノール、ピロガロールが好ましく、レゾルシノールが更に好ましい。フェノール性化合物（Ａ２）は本発明の効果を損ねない範囲で炭素数１〜４の直鎖または分岐アルキル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン等を有していても良い。フェノール性化合物（Ａ２）は、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。
上記式（１）で示される環状化合物は、公知の方法によって製造できる。例えば、メタノール、エタノール等の有機溶媒中、カルボニル化合物（Ａ１）またはカルボニル化合物のアセタール化合物（Ａ４）１モルに対し、フェノール性化合物（Ａ２）を０．１〜１０モル量、酸触媒（塩酸、硫酸またはパラトルエンスルホン酸等）を使用し、６０〜１５０℃で０．５〜２０時間程度反応させ、濾過後、メタノール等のアルコール類で洗浄後、水洗し、濾過を行い分離し、乾燥させることにより環状化合物（Ａ）が得られる。酸触媒の代わりに、塩基性触媒（水酸化ナトリウム、水酸化バリウムまたは１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等）を使用し、同様に反応することによっても環状化合物（Ａ）は得られる。
２種以上のカルボニル化合物（Ａ１）および／または２種以上のカルボニル化合物のアセタール化合物（Ａ４）および／または２種以上のフェノール性化合物（Ａ２）を用いることがより好ましい。２種以上のカルボニル化合物（Ａ１）および／または２種以上のカルボニル化合物のアセタール化合物（Ａ４）および／または２種以上のフェノール性化合物（Ａ２）を用いることにより、得られる環状化合物の半導体安全溶媒に対する溶解性が向上する。
本発明の環状化合物の残存金属量を低減するために、必要に応じて精製してもよい。また酸触媒および助触媒が残存すると、一般に、感放射線性組成物の保存安定性が低下する、または塩基性触媒が残存すると、一般に、感放射線性組成物の感度が低下するので、その低減を目的とした精製を行ってもよい。精製は、環状化合物が変性しない限り公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、例えば、水で洗浄する方法、酸性水溶液で洗浄する方法、塩基性水溶液で洗浄する方法、イオン交換樹脂で処理する方法、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理する方法などが挙げられる。これら精製方法は２種以上を組み合わせて行うことがより好ましい。酸性水溶液、塩基性水溶液、イオン交換樹脂およびシリカゲルカラムクロマトグラフィーは、除去すべき金属、酸性化合物および／または塩基性化合物の量や種類、精製する環状化合物の種類などに応じて、最適なものを適宜選択することが可能である。例えば、酸性水溶液として、濃度が０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌの塩酸、硝酸、酢酸水溶液、塩基性水溶液として、濃度が０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアンモニア水溶液、イオン交換樹脂として、カチオン交換樹脂、例えばオルガノ製Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ １５Ｊ−ＨＧ Ｄｒｙなどが挙げられる。精製後に乾燥を行っても良い。乾燥は公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、環状化合物が変性しない条件で真空乾燥、熱風乾燥する方法などが挙げられる。
上記式（１）で示される環状化合物は、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。また一般的な半導体製造プロセスに適用することができる。
上記式（１）で示される環状化合物は、ＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線を照射することにより、アルカリ現像液に難溶な化合物となるネガ型レジスト用材料として有用である。環状化合物に、ＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線の照射により、化合物同士の縮合反応が誘起され、アルカリ現像液に難溶な化合物となるためと考えられる。このようにして得られたレジストパターンは、ＬＥＲが非常に小さい。
上記式（１）で示される本発明の環状化合物は、それ自身を主成分としてネガ型感放射線組成物とできる他、主成分ではなく、例えば感度向上や耐エッチング性を向上するための添加剤として感放射線性組成物に加えることができる。この場合、環状化合物が固形成分全重量の１〜４９．９９９重量％で用いられる。
本発明の環状化合物のアモルファス膜の２３℃における２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する溶解速度は、１０Å／ｓｅｃ以上が好ましく、１０〜１００００Å／ｓｅｃがより好ましく、１００〜１０００Å／ｓｅｃがさらに好ましい。溶解速度が１０Å／ｓｅｃ以上であると、アルカリ現像液に溶解し、レジストとすることができる。また溶解速度が１００００Å／ｓｅｃ以下であると、解像性が向上する場合もある。これは、環状化合物の露光前後の溶解性の変化により、アルカリ現像液に溶解する未露光部と、アルカリ現像液に溶解しない露光部との界面のコントラストが大きくなるからと推測される。またＬＥＲの低減、ディフェクトの低減効果がある。
本発明の環状化合物のガラス転移温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１４０℃以上、特に好ましくは１５０℃以上である。ガラス転移温度が上記範囲内であることにより、半導体リソグラフィープロセスにおいて、パターン形状を維持しうる耐熱性を有し、高解像度などの性能が付与しうる。
本発明の環状化合物のガラス転移温度の示差走査熱量分析により求めた結晶化発熱量は２０Ｊ／ｇ未満であるのが好ましい。また、（結晶化温度）−（ガラス転移温度）は好ましくは７０℃以上、より好ましくは８０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１３０℃以上である。結晶化発熱量が２０Ｊ／ｇ未満、または（結晶化温度）−（ガラス転移温度）が上記範囲内であると、感放射線性組成物をスピンコートすることにより、アモルファス膜を形成しやすく、かつレジストに必要な成膜性が長期に渡り保持でき、解像性を向上することができる。
本発明において、前記結晶化発熱量、結晶化温度およびガラス転移温度は、島津製作所製ＤＳＣ／ＴＡ−５０ＷＳを用いて次のように測定および示差走査熱量分析により求めることができる。試料約１０ｍｇをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス気流中（５０ｍｌ／ｍｉｎ）昇温速度２０℃／ｍｉｎで融点以上まで昇温する。急冷後、再び窒素ガス気流中（３０ｍｌ／ｍｉｎ）昇温速度２０℃／ｍｉｎで融点以上まで昇温する。さらに急冷後、再び窒素ガス気流中（３０ｍｌ／ｍｉｎ）昇温速度２０℃／ｍｉｎで４００℃まで昇温する。ベースラインに不連続部分が現れる領域の中点（比熱が半分に変化したところ）の温度をガラス転移温度（Ｔｇ）、その後に現れる発熱ピークの温度を結晶化温度とする。発熱ピークとベースラインに囲まれた領域の面積から発熱量を求め、結晶化発熱量とする。
本発明の環状化合物は、常圧下、１００℃以下、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１３０℃以下、さらに好ましくは１４０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下において、昇華性が低いことが好ましい。昇華性が低いとは、熱重量分析において、所定温度で１０分保持した際の重量減少が１０％、好ましくは５％、より好ましくは３％、さらに好ましくは１％、特に好ましくは０．１％以下であることが好ましい。昇華性が低いことにより、露光時のアウトガスによる露光装置の汚染を防止することができる。また低ＬＥＲで良好なパターン形状を与えることができる。
本発明の環状化合物は、好ましくはＦ＜３．０（Ｆは、全原子数／（全炭素原子数−全酸素原子数）を表す）、より好ましくはＦ＜２．５を満たす。上記条件を満たしていることにより、耐ドライエッチング性が優れる。
本発明の環状化合物は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン（ＣＨＮ）、シクロペンタノン（ＣＰＮ）、２−ヘプタノン、アニソール、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、および乳酸エチルから選ばれ、かつ、環状化合物に対して最も高い溶解能を示す溶媒に、２３℃で、好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、さらに好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、ＣＨＮから選ばれ、かつ、環状化合物に対して最も高い溶解能を示す溶媒に、２３℃で、２０重量％以上、特に好ましくはＰＧＭＥＡに対して、２３℃で、２０重量％以上溶解する。上記条件を満たしていることにより、実生産における半導体製造工程での使用が可能となる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物にハロゲン原子を導入しても良い。前記環状化合物の全構成原子数に対するハロゲン原子数の割合は０．１〜６０％であることが好ましく、０．１〜４０％であることがより好ましく、０．１〜２０％であることがさらに好ましく、０．１〜１０％であることが特に好ましく、１〜５％であることが最も好ましい。上記範囲内であると、放射線に対する感度を上げつつ、成膜性を維持することができる。また安全溶媒溶解性を向上しうる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物に窒素原子を導入しても良い。前記環状化合物の全構成原子数に対する窒素原子数の割合は０．１〜４０％であることが好ましく、０．１〜２０％であることがより好ましく、０．１〜１０％であることがさらに好ましく、０．１〜５％であることが特に好ましい。上記範囲内であると、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスを減らすことができる。また窒素原子としては、二級アミンまたは三級アミンに含まれる窒素原子であることが好ましく、三級アミンに含まれる窒素原子であることがより好ましい。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明における環状化合物に、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、およびイオンビーム照射あるいはこれにより誘起される化学反応により架橋反応を起こす架橋反応性基を導入してもよい。導入は、例えば、環状化合物と架橋反応性基導入試剤を塩基触媒下で反応させることにより行う。架橋反応性基としては、炭素−炭素多重結合、エポキシ基、アジド基、ハロゲン化フェニル基、およびクロロメチル基が挙げられる。架橋反応性基導入試剤としては、このような架橋反応性基を有する酸、酸塩化物、酸無水物、ジカーボネートなどのカルボン酸誘導体やアルキルハライド等が挙げられる。架橋反応性基を有する環状化合物を含む感放射線性組成物も、高解像度、高耐熱性かつ溶媒可溶性の非高分子系感放射線性組成物として有用である。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に非酸解離性官能基を導入しても良い。非酸解離性官能基とは、酸の存在下で開裂せず、アルカリ可溶性基を生じない特性基をいう。例えば、酸の作用により分解することの無い、Ｃ１〜２０のアルキル基、Ｃ３〜２０のシクロアルキル基、Ｃ６〜２０のアリール基、Ｃ１〜２０のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、Ｃ１〜２０のアルキルシラン、これらの誘導体からなる群から選択される基等が挙げられる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基にナフトキノンジアジドエステル基を導入しても良い。環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基にナフトキノンジアジドエステル基を導入した化合物は、それ自身を主成分としてネガ型感放射線組成物とできる他、それ自身を主成分としたポジ型感放射線組成物、酸発生剤や添加剤として感放射線性組成物に加えることができる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に、放射線の照射により酸を発生する酸発生性官能基を導入しても良い。環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に、放射線の照射により酸を発生する酸発生性官能基を導入した環状ポリフェノール化合物は、それ自身を主成分としてネガ型感放射線組成物とできる他、それ自身を主成分としたポジ型感放射線組成物、酸発生剤や添加剤として感放射線性組成物に加えることができる。
［感放射線性組成物］
本発明は、前記した式（１）で示される環状化合物と溶媒とを含む感放射線性組成物に関する。
また、本発明は、固形成分１〜８０重量％および溶媒２０〜９９重量％からなる感放射線性組成物であることが好ましく、さらに該化合物が固形成分全重量の５０〜９９．９９９重量％である感放射線性組成物であることが好ましい。
本発明の環状化合物は、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。また一般的な半導体製造プロセスに適用することができる。
本発明の環状化合物のアモルファス膜の２３℃における２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する溶解速度は、１０Å／ｓｅｃ以上が好ましく、１０〜１００００Å／ｓｅｃがより好ましく、１００〜１０００Å／ｓｅｃがさらに好ましい。溶解速度が１０Å／ｓｅｃ以上であると、アルカリ現像液に溶解し、レジストとすることができる。また、溶解速度が１００００Å／ｓｅｃ以下の溶解速度であると、解像性が向上する場合もある。これは、環状化合物（Ａ）の露光前後の溶解性の変化により、アルカリ現像液に溶解する未露光部と、アルカリ現像液に溶解しない露光部との界面のコントラストが大きくなるからと推測される。またＬＥＲの低減、ディフェクトの低減効果がある。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明における環状化合物に、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、およびイオンビーム照射あるいはこれにより誘起される化学反応により架橋反応を起こす架橋反応性基を導入してもよい。導入は、例えば、環状化合物と架橋反応性基導入試剤を塩基触媒下で反応させることにより行う。架橋反応性基としては、炭素−炭素多重結合、エポキシ基、アジド基、ハロゲン化フェニル基、およびクロロメチル基が挙げられる。架橋反応性基導入試剤としては、このような架橋反応性基を有する酸、酸塩化物、酸無水物、ジカーボネートなどのカルボン酸誘導体やアルキルハライド等が挙げられる。架橋反応性基を有する環状化合物を含む感放射線性組成物も、高解像度、高耐熱性かつ溶媒可溶性の非高分子系感放射線性組成物として有用である。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に非酸解離性官能基を導入しても良い。非酸解離性官能基とは、酸の存在下で開裂せず、アルカリ可溶性基を生じない特性基をいう。例えば、酸の作用により分解することの無い、Ｃ１〜２０のアルキル基、Ｃ３〜２０のシクロアルキル基、Ｃ６〜２０のアリール基、Ｃ１〜２０のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、Ｃ１〜２０のアルキルシラン、これらの誘導体からなる群から選択される基等が挙げられる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基にナフトキノンジアジドエステル基を導入しても良い。環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基にナフトキノンジアジドエステル基を導入した化合物は、それ自身を主成分としてネガ型感放射線組成物とできる他、それ自身を主成分としたポジ型感放射線組成物、酸発生剤や添加剤として感放射線性組成物に加えることができる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に、放射線の照射により酸を発生する酸発生性官能基を導入しても良い。環状化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に、放射線の照射により酸を発生する酸発生性官能基を導入した環状ポリフェノール化合物は、それ自身を主成分としてネガ型感放射線組成物とできる他、それ自身を主成分としたポジ型感放射線組成物、酸発生剤や添加剤として感放射線性組成物に加えることができる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物にハロゲン原子を導入しても良い。前記環状化合物の全構成原子数に対するハロゲン原子数の割合は０．１〜６０％であることが好ましく、０．１〜４０％であることがより好ましく、０．１〜２０％であることがさらに好ましく、０．１〜１０％であることが特に好ましく、１〜５％であることが最も好ましい。上記範囲内であると、放射線に対する感度を上げつつ、成膜性を維持することができる。また安全溶媒溶解性を向上しうる。
本発明の効果を損ねない範囲で、本発明の環状化合物に窒素原子を導入しても良い。前記環状化合物の全構成原子数に対する窒素原子数の割合は０．１〜４０％であることが好ましく、０．１〜２０％であることがより好ましく、０．１〜１０％であることがさらに好ましく、０．１〜５％であることが特に好ましい。上記範囲内であると、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスを減らすことができる。また窒素原子としては、二級アミンまたは三級アミンに含まれる窒素原子であることが好ましく、三級アミンに含まれる窒素原子であることがより好ましい。
本発明の感放射線性組成物は、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。本発明の感放射線性組成物をスピンコートして形成したアモルファス膜の２３℃における２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液に対する溶解速度は、１０Å／ｓｅｃ以上が好ましく、１０〜１００００Å／ｓｅｃがより好ましく、１００〜１０００Å／ｓｅｃがさらに好ましい。１０Å／ｓｅｃ以上であると、アルカリ現像液に溶解し、レジストとすることができる。また１００００Å／ｓｅｃ以下の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、環状化合物の露光前後の溶解性の変化により、アルカリ現像液に溶解する未露光部と、アルカリ現像液に溶解しない露光部との界面のコントラストが大きくなるからと推測される。またＬＥＲの低減、ディフェクトの低減効果がある。
本発明の感放射線性組成物の固形成分をスピンコートして形成したアモルファス膜のＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線等の放射線により露光した部分の２３℃における２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液に対する溶解速度は、５Å／ｓｅｃ以下が好ましく、０．０５〜５Å／ｓｅｃがより好ましく、０．０００５〜５Å／ｓｅｃがさらに好ましい。溶解速度が５Å／ｓｅｃ以下であるとアルカリ現像液に不溶で、レジストとすることができる。また、溶解速度が０．０００５Å／ｓｅｃ以上であると、解像性が向上する場合もある。これは、前記環状化合物のミクロの表面部位が溶解し、ＬＥＲを低減するからと推測される。またディフェクトの低減効果がある。
本発明の感放射線性組成物において、好ましくは固形成分１〜８０重量％および溶媒２０〜９９重量％であり、より好ましくは固形成分１〜５０重量％および溶媒５０〜９９重量％、さらに好ましくは固形成分２〜４０重量％および溶媒６０〜９８重量％であり、特に好ましくは固形成分２〜１０重量％および溶媒９０〜９８重量％である。式（１）で示される環状化合物の量は、固形成分全重量の５０〜９９．９９９重量％であり、好ましくは６５〜８０重量％、より好ましくは６０〜７０重量％である。上記配合割合であると、高解像度が得られ、ラインエッジラフネスが小さくなる。
本発明の組成物は、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、およびイオンビームから選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤（Ｃ）を一種以上含むことが好ましい。酸発生剤の使用量は、固形成分全重量（環状化合物、酸発生剤（Ｃ）、酸架橋剤（Ｇ）、酸拡散制御剤（Ｅ）および、その他の成分（Ｆ）などの任意に使用される固形成分の総和、以下同様）の０．００１〜５０重量％が好ましく、１〜４０重量％がより好ましく、３〜３０重量％がさらに好ましく、１０〜２５重量％が特に好ましい。上記範囲内で使用することにより、高感度でかつ低エッジラフネスのパターンプロファイルが得られる。本発明では、系内に酸が発生すれば、酸の発生方法は限定されない。ｇ線、ｉ線などの紫外線の代わりにエキシマレーザーを使用すれば、より微細加工が可能であるし、また高エネルギー線として電子線、極端紫外線、Ｘ線、イオンビームを使用すれば更に微細加工が可能である。
前記酸発生剤（Ｃ）としては、下記式（７−１）〜（７−８）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（７−１）中、Ｒ１３は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状もしくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子であり；Ｘ-は、アルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基もしくはハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオンまたはハロゲン化物イオンである。）
前記式（７−１）で示される化合物は、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルトリルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル−４−メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−t−ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−t−ブトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−フルオロフェニル）−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−フルオロフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニル−ｐ−トルエンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウム−２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネートおよびシクロ（１，３−パーフルオロプロパンジスルホン）イミデートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（７−２）中、Ｒ１４は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状もしくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子を表す。Ｘ-は前記と同様である。）
前記式（７−２）で示される化合物は、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム ｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム−２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム ｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムへキサフルオロベンゼンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネートおよびジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（７−３）Ｑはアルキレン基、アリーレン基またはアルコキシレン基であり、Ｒ１５はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基またはハロゲン置換アリール基である。）
前記式（７−３）で示される化合物は、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（p−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（p−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（1−ナフタレンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（1−ナフタレンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エンー２，３−ジカルボキシイミドおよびＮ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチルイミドからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（７−４）中、Ｒ１６は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝もしくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基または任意に置換されたアラルキル基である。）
前記式（７−４）で示される化合物は、ジフェニルジスルフォン、ジ（４−メチルフェニル）ジスルフォン、ジナフチルジスルフォン、ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジスルフォン、ジ（４−ヒドロキシフェニル）ジスルフォン、ジ（３−ヒドロキシナフチル）ジスルフォン、ジ（４−フルオロフェニル）ジスルフォン、ジ（２−フルオロフェニル）ジスルフォンおよびジ（４−トルフルオロメチルフェニル）ジスルフォンからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 0005825104
 （式（７−５）中、Ｒ１７は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝もしくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基または任意に置換されたアラルキル基である。）
前記式（７−５）で示される化合物は、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルフェニルアセトニトリルおよびα−（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−ブロモフェニルアセトニトリルからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 0005825104
 式（７−６）中、Ｒ１８は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、１以上の塩素原子および１以上の臭素原子を有するハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基の炭素原子数は１〜５が好ましい。
Figure 0005825104
Figure 0005825104
式（７−７）および（７−８）中、Ｒ１９およびＲ２０はそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等の炭素原子数１〜３のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の炭素原子数１〜３のアルコキシル基、またはフェニル基、トルイル基、ナフチル基等アリール基、好ましくは、炭素原子数６〜１０のアリール基である。Ｌ１９およびＬ２０はそれぞれ独立に１，２−ナフトキノンジアジド基を有する有機基である。１，２−ナフトキノンジアジド基を有する有機基としては、具体的には、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基等の１，２−キノンジアジドスルホニル基を好ましいものとして挙げることができる。特に、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基および１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基が好ましい。ｐは１〜３の整数、ｑは０〜４の整数、かつ１≦ｐ＋ｑ≦５である。Ｊ１９は単結合、炭素原子数１〜４のポリメチレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、下記式（７−７−１）で表わされる基、カルボニル基、エステル基、アミド基またはエーテル基であり、Ｙ１９は水素原子、アルキル基またはアリール基であり、Ｘ２０は、それぞれ独立に下記式（７−８−１）で示される基である。
Figure 0005825104
Figure 0005825104
 （式（７−８−１）中、Ｚ２２はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、Ｒ２２はアルキル基、シクロアルキル基またはアルコキシル基であり、ｒは０〜３の整数である。）
その他の酸発生剤として、ビス（ｐ-トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４-ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ-ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ-ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ-プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、１、３−ビス（シクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニル）プロパン、１、４−ビス（フェニルスルホニルアゾメチルスルホニル）ブタン、１、６−ビス（フェニルスルホニルアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１、１０−ビス（シクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニル）デカンなどのビススルホニルジアゾメタン類、２-（４-メトキシフェニル）-４，６-（ビストリクロロメチル）-１，３，５-トリアジン、２-（４-メトキシナフチル）-４，６-（ビストリクロロメチル）-１，３，５-トリアジン、トリス（２，３-ジブロモプロピル）-１，３，５-トリアジン、トリス（２，３-ジブロモプロピル）イソシアヌレートなどのハロゲン含有トリアジン誘導体等が挙げられる。
上記酸発生剤のうち、芳香環を有する酸発生剤が好ましく、式（７−１）または（７−２）で示され酸発生剤がより好ましい。式（７−１）または（７−２）のＸ−が、アリール基もしくはハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオンを有する酸発生剤がさらに好ましく、アリール基を有するスルホン酸イオンを有する酸発生剤が特に好ましく、ジフェニルトリメチルフェニルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム ノナフルオロメタンスルホナートが特に好ましい。該酸発生剤を用いることで、ＬＥＲを低減することができる。
上記酸発生剤（Ｃ）は、単独で、または２種以上を使用することができる。
本発明の感放射線性組成物は、酸架橋剤（Ｇ）を一種以上含むことが好ましい。酸架橋剤（Ｇ）とは、酸発生剤（Ｃ）から発生した酸の存在下で、環状化合物（Ａ）を分子内又は分子間架橋し得る化合物である。このような酸架橋剤（Ｇ）としては、例えば環状化合物（Ａ）との架橋反応性を有する１種以上の置換基（以下、「架橋性置換基」という。）を有する化合物を挙げることができる。
このような架橋性置換基の具体例としては、例えば（ｉ）ヒドロキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）、アセトキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）等のヒドロキシアルキル基またはそれらから誘導される置換基；（ii）ホルミル基、カルボキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）等のカルボニル基またはそれらから誘導される置換基；（iii）ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等の含窒素基含有置換基；（iv）グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基等のグリシジル基含有置換基；（ｖ）ベンジルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基等の、Ｃ６−Ｃ１２アリルオキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）、Ｃ７−Ｃ１３アラルキルオキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）等の芳香族基から誘導される置換基；（vi）ビニル基、イソプロペニル基等の重合性多重結合含有置換基等を挙げることができる。本発明の酸架橋剤（Ｇ）の架橋性置換基としては、ヒドロキシアルキル基、およびアルコキシアルキル基等が好ましく、特にアルコキシメチル基が好ましい。
前記架橋性置換基を有する酸架橋剤（Ｇ）としては、例えば（ｉ）メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有ウレア化合物、メチロール基含有グリコールウリル化合物、メチロール基含有フェノール化合物等のメチロール基含有化合物；（ii）アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有ウレア化合物、アルコキシアルキル基含有グリコールウリル化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物等のアルコキシアルキル基含有化合物；（iii）カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有ウレア化合物、カルボキシメチル基含有グリコールウリル化合物、カルボキシメチル基含有フェノール化合物等のカルボキシメチル基含有化合物；（iv）ビスフェノールＡ系エポキシ化合物、ビスフェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノールＳ系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシスチレン）系エポキシ化合物等のエポキシ化合物等を挙げることができる。
酸架橋剤（Ｇ）としては、さらに、フェノール性水酸基を有する化合物、ならびにアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基に前記架橋性置換基を導入し、架橋性を付与した化合物および樹脂を使用することができる。その場合の架橋性置換基の導入率は、フェノール性水酸基を有する化合物、およびアルカリ可溶性樹脂中の全酸性官能基に対して、通常、５〜１００モル％、好ましくは１０〜６０モル％、さらに好ましくは１５〜４０モル％に調節される。上記範囲であると、架橋反応が十分起こり、残膜率の低下、パターンの膨潤現象や蛇行等が避けられるので好ましい。
本発明の感放射線性組成物において酸架橋剤（Ｇ）は、アルコキシアルキル化ウレア化合物もしくはその樹脂、またはアルコキシアルキル化グリコールウリル化合物もしくはその樹脂が好ましい。特に好ましい酸架橋剤（Ｇ）としては、下記式（８−１）〜（８―３）で示される化合物及びアルコキシメチル化メラミン化合物を挙げることができる（酸架橋剤（Ｇ１））。
Figure 0005825104
 （上記式中、Ｒ７はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、またはアシル基を表し；Ｒ８〜Ｒ１１はそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、アルキル基、またはアルコキシル基を示し；Ｘ２は、単結合、メチレン基、または酸素原子を示す。）
式（８−１）〜（８―３）においてＲ７は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数２〜６のアシル基が好ましい。炭素数１〜６のアルキル基は、更に炭素数１〜３のアルキル基がより好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。炭素数２〜６のアシル基は、更に炭素数２〜４のアシル基がより好ましく、例えばアセチル基、プロピオニル基が挙げられる。式（８）におけるＲ８〜Ｒ１１は、水素原子、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数１〜６のアルコキシル基が好ましい。炭素数１〜６のアルキル基は、更に炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。炭素数１〜６のアルコキシル基は、更に炭素数１〜３のアルコキシル基が好ましくは、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。Ｘ２は、単結合、メチレン基、又は酸素原子を表し、単結合又はメチレン基が好ましい。尚、Ｒ７〜Ｒ１１、Ｘ２は、上記で例示した基に、更にメチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。複数個のＲ７、Ｒ８〜Ｒ１１は、各々同一でも異なっていてもよい。
式（８−１）で表される化合物として具体的には、例えば、以下に示される化合物等を挙げることができる。
Figure 0005825104
式（８−２）で表される化合物として具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（メトキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（エトキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（ｎ−プロポキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（イソプロポキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（ｎ−ブトキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（ｔ−ブトキシメチル）グリコールウリル等を挙げることができる。この中で、特に、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（メトキシメチル）グリコールウリルが好ましい。
式（８−３）で表される化合物として具体的には、例えば、以下に示される化合物等を挙げることができる。
Figure 0005825104
アルコキシメチル化メラミン化合物として具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（メトキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（エトキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（ｎ−プロポキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（イソプロポキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（ｎ−ブトキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（ｔ−ブトキシメチル）メラミン等を挙げることができる。この中で特に、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（メトキシメチル）メラミンが好ましい。
前記酸架橋剤（Ｇ１）は、例えば尿素化合物またはグリコールウリル化合物、およびホルマリンを縮合反応させてメチロール基を導入した後、さらにメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の低級アルコール類でエーテル化し、次いで反応液を冷却して析出する化合物またはその樹脂を回収することで得られる。また前記酸架橋剤（Ｇ１）は、ＣＹＭＥＬ（商品名、三井サイアナミッド製）、ニカラック（三和ケミカル（株）製）のような市販品としても入手することができる。
また、他の特に好ましい酸架橋剤（Ｇ）として、分子内にベンゼン環を１〜６有し、ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基を分子内全体に２以上有し、該ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基が前記いずれかのベンゼン環に結合しているフェノール誘導体を挙げることができる（酸架橋剤（Ｇ２））。好ましくは、分子量が１５００以下、分子内にベンゼン環を１〜６有し、ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基を合わせて２以上有し、該ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基が前記ベンゼン環のいずれか一、または、複数のベンゼン環に結合してなるフェノール誘導体を挙げることができる。
ベンゼン環に結合するヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、及び２−ヒドロキシ−１−プロピル基などの炭素数１〜６のものが好ましい。ベンゼン環に結合するアルコキシアルキル基としては、炭素数２〜６のものが好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、イソブトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基、２−メトキシエチル基、及び、２−メトキシ−１−プロピル基が好ましい。
これらのフェノール誘導体のうち、特に好ましいものを以下に挙げる。
Figure 0005825104
Figure 0005825104
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Figure 0005825104
Figure 0005825104
Figure 0005825104
上記式中、Ｌ１〜Ｌ８は、同じであっても異なっていてもよく、それぞれ独立して、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基を示す。ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物（上記式においてＬ１〜Ｌ８が水素原子である化合物）とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を６０℃以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平６−２８２０６７号公報、特開平７−６４２８５号公報等に記載されている方法にて合成することができる。
アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を１００℃以下で行うことが好ましい。具体的には、ＥＰ６３２００３Ａ１等に記載されている方法にて合成することができる。
このようにして合成されたヒドロキシメチル基及び／又はアルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。酸架橋剤（Ｇ２）は、単独で使用してもよく、また２種以上を組み合わせて使用してもよい。
また、他の特に好ましい酸架橋剤（Ｇ）として、少なくとも一つのα−ヒドロキシイソプロピル基を有する化合物を挙げることができる（酸架橋剤（Ｇ３））。該化合物は、α−ヒドロキシイソプロピル基を有する限り、その構造に特に限定はない。また、上記α−ヒドロキシイソプロピル基中のヒドロキシル基の水素原子を１種以上の酸解離性基（Ｒ−ＣＯＯ−基、Ｒ−ＳＯ２−基等、Ｒは、炭素数１〜１２の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜１２の環状炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の１−分岐アルキル基、および炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基からなる群から選ばれる置換基を表す）で置換されていてもよい。上記α−ヒドロキシイソプロピル基を有する化合物としては、例えば、少なくとも１つのα−ヒドロキシイソプロピル基を含有する置換又は非置換の芳香族系化合物、ジフェニル化合物、ナフタレン化合物、フラン化合物等の１種又は２種以上が挙げられる。具体的には、例えば、下記一般式（９−１）で表される化合物（以下、「ベンゼン系化合物（１）」という。）、下記一般式（９−２）で表される化合物（以下、「ジフェニル系化合物（２）」という。）、下記一般式（９−３）で表される化合物（以下、「ナフタレン系化合物（３」という。）、及び下記一般式（９−４）で表される化合物（以下、「フラン系化合物（４）」という。）等が挙げられる。
Figure 0005825104
上記一般式（９−１）〜（９−４）中、各Ａ２は独立にα−ヒドロキシイソプロピル基又は水素原子を示し、かつ少なくとも１のＡ２がα−ヒドロキシイソプロピル基である。また、一般式（９−１）中、Ｒ５１は水素原子、ヒドロキシル基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキルカルボニル基、又は炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示す。更に、一般式（９−２）中、Ｒ５２は単結合、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯＯ−を示す。また、一般式（９−４）中、Ｒ５３及びＲ５４は、相互に独立に水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。
上記ベンゼン系化合物（１）として具体的には、例えば、α−ヒドロキシイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン、１，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン、１，２，４−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン、１，３，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン等のα−ヒドロキシイソプロピルベンゼン類；３−α−ヒドロキシイソプロピルフェノール、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェノール、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェノール、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェノール等のα−ヒドロキシイソプロピルフェノール類；３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・メチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・メチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・エチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・ｎ−プロピルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・イソプロピルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・ｎ−ブチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・ｔ−ブチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・ｎ−ペンチルケトン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル・メチルケトン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル・エチルケトン、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル・メチルケトン等のα−ヒドロキシイソプロピルフェニル・アルキルケトン類；３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸エチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｎ−プロピル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸イソプロピル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｎ−ブチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｔ−ブチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｎ−ペンチル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸メチル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸エチル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸メチル等の４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸アルキル類等が挙げられる。
また、上記ジフェニル系化合物（２）として具体的には、例えば、３−α−ヒドロキシイソプロピルビフェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピルビフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，３’，４，６，−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，４，４’，６，−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル等のα−ヒドロキシイソプロピルビフェニル類；３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−２−フェニルエタン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−２−フェニルプロパン、２−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−２−フェニルプロパン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−３−フェニルプロパン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−４−フェニルブタン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−５−フェニルペンタン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、１，２−ビス（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）エタン、１，２−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、１，３−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，３’，４，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，４，４’，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン等のα−ヒドロキシイソプロピルジフェニルアルカン類；３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，３’ ，４，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，４，４’，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル等のα−ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル類；３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，３’，４，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，４，４’，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン等のα−ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン類；３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸フェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸フェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル等のα−ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル類等が挙げられる。
更に、上記ナフタレン系化合物（３）として具体的には、例えば、１−（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、２−（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，６−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，７−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、２，６−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、２，７−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，７−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，４，７−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，５，７−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン等が挙げられる。
また、上記フラン系化合物（４）として具体的には、例えば、３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−メチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−メチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−エチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−プロピル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−イソプロピル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−ブチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｔ−ブチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−ペンチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジメチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジエチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、３，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジメチル−３，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジエチル−３，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン等を挙げることができる。
上記酸架橋剤（Ｇ３）としては、遊離のα−ヒドロキシイソプロピル基を２以上有する化合物が好ましく、α−ヒドロキシイソプロピル基を２以上有する前記ベンゼン系化合物（１）、α−ヒドロキシイソプロピル基を２以上有する前記ジフェニル系化合物（２）、α−ヒドロキシイソプロピル基を２個以上有する前記ナフタレン系化合物（３）が更に好ましく、α−ヒドロキシイソプロピル基を２個以上有するα−ヒドロキシイソプロピルビフェニル類、α−ヒドロキシイソプロピル基を２個以上有するナフタレン系化合物（３）が特に好ましい。
上記酸架橋剤（Ｇ３）は、通常、１，３−ジアセチルベンゼン等のアセチル基含有化合物に、ＣＨ３ＭｇＢｒ等のグリニヤール試薬を反応させてメチル化した後、加水分解する方法や、１，３−ジイソプロピルベンゼン等のイソプロピル基含有化合物を酸素等で酸化して過酸化物を生成させた後、還元する方法により得ることができる。
本発明において酸架橋剤（Ｇ）の配合割合は、式（１）で示される環状化合物１００重量部あたり１〜１００重量部、好ましくは１〜８０重量部、より好ましくは２〜６０重量部、特に好ましくは４〜４０重量部である。上記酸架橋剤（Ｇ）の配合割合を０．５重量部以上とすると、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性の抑制効果を向上させ、残膜率が低下したり、パターンの膨潤や蛇行が生じるのを抑制することができるので好ましく、一方、５０重量部以下とすると、レジストとしての耐熱性の低下を抑制できることから好ましい。
また、上記酸架橋剤（Ｇ）中の上記酸架橋剤（Ｇ１）、酸架橋剤（Ｇ２）、酸架橋剤（Ｇ３）から選ばれる少なくとも１種の化合物の配合割合も特に限定はなく、レジストパターンを形成する際に使用される基板の種類等によって種々の範囲とすることができる。
全酸架橋剤成分において、上記アルコキシメチル化メラミン化合物及び／又は（９−１）〜（９−３）で示される化合物が５０〜９９重量％、好ましくは６０〜９９重量％、より好ましくは７０〜９８重量％、更に好ましくは８０〜９７重量％であることが好ましい。アルコキシメチル化メラミン化合物及び／又は（９−１）〜（９−３）で示される化合物を全酸架橋剤成分の５０重量％以上とすることにより、解像度を向上させることができるので好ましく、９９重量％以下とすることにより、パターン断面形状として矩形状の断面形状とし易いので好ましい。
本発明においては、放射線照射により酸発生剤から生じた酸のレジスト膜中における拡散を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を阻止する作用等を有する酸拡散制御剤（Ｅ）を感放射線性組成物に配合しても良い。この様な酸拡散制御剤（Ｅ）を使用することにより、感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上する。また解像度が向上するとともに、電子線照射前の引き置き時間、電子線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。このような酸拡散制御剤（Ｅ）としては、窒素原子含有塩基性化合物、塩基性スルホニウム化合物、塩基性ヨードニウム化合物等の電子線放射分解性塩基性化合物が挙げられる。酸拡散制御剤は、単独でまたは２種以上を使用することができる。
上記酸拡散制御剤としては、例えば、含窒素有機化合物や、露光により分解する塩基性化合物等が挙げられる。上記含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式（１０）：
Figure 0005825104
 で表される化合物（以下、「含窒素化合物（Ｉ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（ＩＩ）」という。）、窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体（以下、「含窒素化合物（ＩＩＩ）」という。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環式化合物等を挙げることができる。尚、上記酸拡散制御剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記一般式（１０）中、Ｒ６１、Ｒ６２及びＲ６３は相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。また、上記アルキル基、アリール基、又はアラルキル基は、非置換でもよく、ヒドロキシル基等の他の官能基で置換されていてもよい。ここで、上記直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基としては、例えば、炭素数１〜１５、好ましくは１〜１０のものが挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、テキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。また、上記アリール基としては、炭素数６〜１２のものが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、１−ナフチル基等が挙げられる。更に、上記アラルキル基としては、炭素数７〜１９、好ましくは７〜１３のものが挙げられ、具体的には、ベンジル基、α−メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。
上記含窒素化合物（Ｉ）として具体的には、例えば、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、メチル−ｎ−ドデシルアミン、ジ−ｎ−ドデシルメチル、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、ジメチル−ｎ−ドデシルアミン、ジ−ｎ−ドデシルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等の芳香族アミン類等を挙げることができる。
上記含窒素化合物（ＩＩ）として具体的には、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。
上記含窒素化合物（ＩＩＩ)として具体的には、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、Ｎ−（２−ジメチルアミノエチル）アクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
上記アミド基含有化合物として具体的には、例えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。
上記ウレア化合物として具体的には、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等を挙げることができる。
上記含窒素複素環式化合物として具体的には、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類；及び、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙げることができる。
また、上記露光により分解する塩基性化合物としては、例えば、下記一般式（１１−１）：
Figure 0005825104
 で表されるスルホニウム化合物、及び下記一般式（１１−２）：
Figure 0005825104
 で表されるヨードニウム化合物等を挙げることができる。
上記一般式（１１−１）及び（１１−２）中、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ７４及びＲ７５は相互に独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子を示す。Ｚ−はＨＯ−、Ｒ−ＣＯＯ−（但し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアリール基若しくは炭素数１〜６のアルカリール基を示す。）又は下記一般式（１１−３）：
Figure 0005825104
 で表されるアニオンを示す。
上記露光により分解する塩基性化合物として具体的には、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムハイドロオキサイド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムハイドロオキサイド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムサリチレート、４−ｔ−ブチルフェニル−４−ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、４−ｔ−ブチルフェニル−４−ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、４−ｔ−ブチルフェニル−４−ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート等が挙げられる。
酸拡散制御剤（Ｅ）の配合量は、０．００１〜５０重量％が好ましく、０．００１〜１０重量％がより好ましく、０．００１〜５重量％がさらに好ましく、０．００１〜３重量％が特に好ましい。上記範囲内であると、解像度の低下、パターン形状、寸法忠実度等の劣化を防止することができる。さらに、電子線照射から放射線照射後加熱までの引き置き時間が長くなっても、パターン上層部の形状が劣化することがない。また、配合量が１０重量％以下であると、感度、未露光部の現像性等の低下を防ぐことができる。またこの様な酸拡散制御剤を使用することにより、感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上し、また解像度が向上するとともに、放射線照射前の引き置き時間、放射線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
本発明の感放射線性組成物には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）として、溶解促進剤、溶解制御剤、増感剤、界面活性剤、及び有機カルボン酸またはリンのオキソ酸もしくはその誘導体等の各種添加剤を１種又は２種以上添加することができる。
［１］溶解促進剤
低分子量溶解促進剤は、環状化合物のアルカリ等の現像液に対する溶解性が低すぎる場合に、その溶解性を高めて、現像時の環状化合物の溶解速度を適度に増大させる作用を有する成分であり、本発明の効果を損なわない範囲で使用することができる。前記溶解促進剤としては、例えば、低分子量のフェノール性化合物を挙げることができ、例えば、ビスフェノール類、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン等を挙げることができる。これらの溶解促進剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。溶解促進剤の配合量は、使用する環状化合物の種類に応じて適宜調節されるが、式（１）で示される環状化合物１００重量部当たり、０〜１００重量部が好ましく、好ましくは０〜３０重量部であり、より好ましくは０〜１０重量部、更に好ましくは０〜２重量部である。
［２］溶解制御剤
溶解制御剤は、式（１）で示される環状化合物がアルカリ等の現像液に対する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を制御して現像時の溶解速度を適度に減少させる作用を有する成分である。このような溶解制御剤としては、レジスト被膜の焼成、放射線照射、現像等の工程において化学変化しないものが好ましい。
溶解制御剤としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、アセナフテン等の芳香族炭化水素類；アセトフェノン、ベンゾフェノン、フェニルナフチルケトン等のケトン類；メチルフェニルスルホン、ジフェニルスルホン、ジナフチルスルホン等のスルホン類等を挙げることができる。これらの溶解制御剤は、単独でまたは２種以上を使用することができる。
溶解制御剤の配合量は、使用する環状化合物の種類に応じて適宜調節されるが、式（１）で示される環状化合物１００重量部当たり、０〜１００重量部が好ましく、好ましくは０〜３０重量部であり、より好ましくは０〜１０重量部、更に好ましくは０〜２重量部である。
［３］増感剤
増感剤は、照射された放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ｃ）に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、レジストの見掛けの感度を向上させる成分である。このような増感剤としては、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセチル類、ピレン類、フェノチアジン類、フルオレン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。
これらの増感剤は、単独でまたは２種以上を使用することができる。増感剤の配合量は、使用する環状化合物の種類に応じて適宜調節されるが、式（１）で示される環状化合物１００重量部当たり、０〜１００重量部が好ましく、好ましくは０〜３０重量部であり、より好ましくは０〜１０重量部、更に好ましくは０〜２重量部である。
［４］界面活性剤
界面活性剤は、本発明の感放射線性組成物の塗布性やストリエーション、レジストの現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤は、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでもよい。好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤は、感放射線性組成物の製造に用いる溶媒との親和性がよく、より効果がある。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等が挙げられるが、特に限定はされない。市販品としては、以下商品名で、エフトップ（ジェムコ社製）、メガファック（大日本インキ化学工業社製）、フロラード（住友スリーエム社製）、アサヒガード、サーフロン（以上、旭硝子社製）、ペポール（東邦化学工業社製）、ＫＰ（信越化学工業社製）、ポリフロー（共栄社油脂化学工業社製）等を挙げることができる。
界面活性剤の配合量は、使用する環状化合物の種類に応じて適宜調節されるが、式（１）で示される環状化合物１００重量部当たり、０〜１００重量部が好ましく、好ましくは０〜３０重量部であり、より好ましくは０〜１０重量部、更に好ましくは０〜２重量部である。
［５］有機カルボン酸またはリンのオキソ酸もしくはその誘導体
感度劣化防止またはレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸またはリンのオキソ酸もしくはその誘導体を含有させることができる。なお、酸拡散制御剤と併用することも出来るし、単独で用いても良い。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸もしくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸またはそれらのエステルなどの誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸またはそれらのエステルなどの誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸およびそれらのエステルなどの誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
有機カルボン酸またはリンのオキソ酸もしくはその誘導体は、単独でまたは２種以上を使用することができる。有機カルボン酸またはリンのオキソ酸もしくはその誘導体の配合量は、使用する環状化合物の種類に応じて適宜調節されるが、式（１）で示される環状化合物１００重量部当たり、０〜１００重量部が好ましく、好ましくは０〜３０重量部であり、より好ましくは０〜１０重量部、更に好ましくは０〜２重量部である。
［６］上記溶解制御剤、増感剤、界面活性剤、及び有機カルボン酸またはリンのオキソ酸もしくはその誘導体以外のその他の添加剤
更に、本発明の感放射線性組成物には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、上記溶解制御剤、増感剤、及び界面活性剤以外の添加剤を１種又は２種以上配合することができる。そのような添加剤としては、例えば、染料、顔料、及び接着助剤等が挙げられる。例えば、染料又は顔料を配合すると、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できるので好ましい。また、接着助剤を配合すると、基板との接着性を改善することができるので好ましい。更に、他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には４−ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等を挙げることができる。
本発明の感放射線性組成物の配合（環状化合物／酸発生剤（Ｃ）／酸架橋剤（Ｇ）／酸拡散制御剤（Ｅ）／任意成分（Ｆ））は、固形物基準の重量％で、好ましくは５０〜９９．４８９／０．００１〜５０／０．５〜５０／０．０１〜５０／０〜５０、
より好ましくは
５０〜９９．４８９／０．００１〜５０／０．５〜４０／０．０１〜５／０〜１５、
さらに好ましくは
６０〜７０／１０〜２５／１〜３０／０．０１〜３／０〜１
特に好ましくは
６０〜７０／１０〜２５／２〜２０／０．０１〜３／０である。上記配合にすると、感度、解像度、アルカリ現像性等の性能に優れる。
任意成分（Ｆ）を含まない場合、本発明の感放射線性組成物中の全固形物の組成は、（Ａ）３〜９６．９重量％、（Ｃ）０．１〜３０重量％、（Ｇ）０．３〜９６．９重量％、（Ｅ）０．０１〜３０重量％、（（Ａ）＋（Ｃ）＋（Ｇ）＋（Ｅ）＝１００重量％）が好ましく、（Ａ）６５〜９６．９重量％、（Ｃ）０．１〜３２重量％、（Ｇ）０．３〜３４．９重量％、（Ｅ）０．０１〜３０重量％、（（Ａ）＋（Ｃ）＋（Ｇ）＋（Ｅ）＝１００重量％）がより好ましく、（Ａ）７０〜９６．９重量％、（Ｃ）０．１〜２７重量％、（Ｇ）３．０〜２９．９重量％、（Ｅ）０．０１〜３０重量％、（（Ａ）＋（Ｃ）＋（Ｇ）＋（Ｅ）＝１００重量％）がさら好ましく、（Ａ）８０〜９６．９重量％、（Ｃ）０．１〜１７重量％、（Ｇ）３．０〜１９．９重量％（Ｅ）０．０１〜３０重量％、（（Ａ）＋（Ｃ）＋（Ｇ）＋（Ｅ）＝１００重量％）が特に好ましく、（Ａ）９０〜９６．９重量％、（Ｃ）０．１〜７重量％、（Ｇ）３．０〜９．９重量％、（Ｅ）０．０１〜３０重量％、（（Ａ）＋（Ｃ）＋（Ｇ）＋（Ｅ）＝１００重量％）が最も好ましい。上記範囲内にすることで、感度、解像度、アルカリ現像性等の性能に優れる。
本発明の感放射線性組成物は、通常は、使用時に各成分を溶媒に溶解して均一溶液とし、その後、必要に応じて、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルター等でろ過することにより調製される。
本発明の感放射線性組成物の調製に使用される前記溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等の乳酸エステル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｎ−ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メトキシ−３−メチルプロピオン酸ブチル、３−メトキシ−３−メチル酪酸ブチル、アセト酢酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ラクトン等のラクトン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの溶媒は、単独でまたは２種以上を使用することができる。
本発明の感放射線組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で、アルカリ水溶液に可溶である樹脂を含むことができる。アルカリ水溶液に可溶である樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール類、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、スチレン−無水マレイン酸樹脂、およびアクリル酸、ビニルアルコール、またはビニルフェノールを単量体単位として含む重合体、あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。アルカリ水溶液に可溶である樹脂の配合量は、使用する環状化合物の種類に応じて適宜調節されるが、上記環状化合物１００重量部当たり、３０重量部以下が好ましく、より好ましくは１０重量部以下、さらに好ましくは５重量部以下、特に好ましくは０重量部である。
［レジストパターンの形成方法］
本発明は、上記本発明の感放射線性組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法に関する。本発明のレジストパターンは多層レジストプロセスにおける上層レジストとして形成することもできる。
レジストパターンを形成するには、従来公知の基板上に前記本発明の感放射線性組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって塗布することによりレジスト膜を形成する。従来公知の基板とは、特に限定されず、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウエハー、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が挙げられる。また必要に応じて、前述基板上に無機系および／または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。ヘキサメチレンジシラザン等による表面処理を行ってもよい。
次いで、必要に応じ、塗布した基板を加熱する。加熱条件は、感放射線性組成物の配合組成等により変わるが、２０〜２５０℃が好ましく、より好ましくは２０〜１５０℃である。加熱することによって、レジストの基板に対する密着性が向上する場合があり好ましい。次いで、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光する。露光条件等は、感放射線性組成物の配合組成等に応じて適宜選定される。本発明においては、露光における高精度の微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後に加熱するのが好ましい。加熱条件は、感放射線性レジスト組成物の配合組成等により変わるが、２０〜２５０℃が好ましく、より好ましくは２０〜１５０℃である。
次いで、露光されたレジスト膜をアルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。前記アルカリ現像液としては、例えば、モノ−、ジ−あるいはトリアルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはトリアルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、コリン等のアルカリ性化合物の１種以上を、好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは１〜５質量％の濃度となるように溶解したアルカリ性水溶液が使用される。上記アルカリ性水溶液の濃度が１０質量％以下とすると、露光部が現像液に溶解することを抑制することが出来るので好ましい。
また、前記アルカリ現像液には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類や前記界面活性剤を適量添加することもできる。これらのうちイソプロピルアルコールを１０〜３０質量％添加することが特に好ましい。これにより、レジストに対する現像液の濡れ性を高めることが出来るので好ましい。なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用いた場合は、一般に、現像後、水で洗浄する。
レジストパターンを形成した後、エッチングすることによりパターン配線基板が得られる。エッチングの方法はプラズマガスを使用するドライエッチングおよびアルカリ溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等によるウェットエッチングなど公知の方法で行うことが出来る。
レジストパターンを形成した後、めっきを行うことも出来る。上記めっき法としては、例えば、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっき、金めっきなどがある。
エッチング後の残存レジストパターンは有機溶剤や現像に用いたアルカリ水溶液より強アルカリ性の水溶液で剥離することが出来る。上記有機溶剤として、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート），ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル），ＥＬ（乳酸エチル）等が挙げられ、強アルカリ水溶液としては、例えば１〜２０質量％の水酸化ナトリウム水溶液や１〜２０質量％の水酸化カリウム水溶液が挙げられる。上記剥離方法としては、例えば、浸漬方法、スプレイ方式等が挙げられる。またレジストパターンが形成された配線基板は、多層配線基板でも良く、小径スルーホールを有していても良い。
本発明で得られる配線基板は、レジストパターン形成後、金属を真空中で蒸着し、その後レジストパターンを溶液で溶かす方法、すなわちリフトオフ法により形成することもできる。
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定はされない。以下の合成例、実施例において、化合物の構造は１Ｈ−ＮＭＲ測定で確認した。
＜合成実施例１＞ ４−ビフェニルアルデヒドペンタエリスリトールアセタールの合成
ペンタエリスリトール２００ｇ（１．４７ｍｏｌ）をＤＭＦ ２０００ｍＬに溶解させ、マントルヒーターで１００℃まで昇温し、結晶を溶解させた。パラトルエンスルホン酸二水和物２０ｇ（０．１０５ｍｏｌ）を加え、４−ビフェニルアルデヒド１３４ｇ（７３．６ｍｏｌ）をトルエン７００ｍＬに溶解させたものを滴下し、１４５℃まで昇温した。内温が１４０℃になったところでジム・ロート氏冷却管で還流を開始した。このとき、ディーンスターク脱水管を用いて水を分離した。５時間後、蒸留水５Lで希釈し、析出した白色結晶を濾別した。蒸留水で洗浄後、得られた白色結晶１６０ｇをテトラヒドロフラン／水＝１．２Ｌ／３Ｌへ加熱溶解し濾別することで、溶け残った２量体を除去した。濃縮後、酢酸エチル中へ分散し、濾別することで、白色結晶（１２３ｇ、収率％）が得られた。
この化合物の構造は、ＬＣ−ＭＳで分析した結果、目的物の分子量３００を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での１Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は３．３〜４．０（ｍ，８Ｈ）、４．４〜４．７（ｍ，２Ｈ）、５．４（ｓ，１Ｈ）、７．２〜８．７（ｍ，９Ｈ）であった。
＜合成実施例２＞ ４−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタールの合成
オートクレーブ中へ、合成例１で合成した４−ビフェニルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール３６４ｇ（１．２１ｍｏｌ）、イソプロパノール ９１０ｇ、Ｎ．Ｅ．ＣＡＭＣＡＴ製Ｒｕ ５％／Ａｌ２Ｏ３触媒７．２８ｇを仕込み、水素 １０ＭＰａ、１６０℃で５時間反応させた後、冷却した。不活性ガス雰囲気下で触媒濾過を行った後、エバポレーターで溶媒を留去させた。白色結晶（１８６ｇ、粗収率５８％）を得た。
この白色結晶１８６ｇをトルエン１Ｌ中へ分散させ、６０℃で３０分間攪拌した。冷却後、濾別することで１５５ｇの白色結晶を得た。この操作をもう一度繰り返し、白色結晶を得た（１１３ｇ、収率３５％）。
この化合物の構造は、ＬＣ−ＭＳで分析した結果、目的物の分子量２６４を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での１Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は０．７〜１．８（ｍ，２０Ｈ）、３．１〜４．７（ｍ，１２Ｈ）であった。
＜合成実施例３＞ 環状化合物（Ａ）の合成
ＣＲ−１Ａの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ（３００ｍＬ）に、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール（３．７０ｇ、０．０３３６ｍｏｌ）と、脱水エタノール（３２ｍＬ）、濃塩酸（３５％）５．１８ｍＬを投入し、エタノール溶液を調製した。次いでエタノール６０ｍＬ中に４−ビシクロヘキシルアルデヒドペンタエリスリトールアセタール（１０．０ｇ，０．０３２０ｍｏｌ）を溶解させ、滴下漏斗により１０分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで８０℃まで加熱した。引き続き８０℃で５時間攪拌した。反応終了後、放冷し室温に到達させた。目的粗結晶が生成し、反応後これを濾別し、蒸留水２００ｍＬを加えた。これを濾別し、粗結晶を蒸留水２００ｍＬで４回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物（以下、ＣＲ−１Ａと示す）（１３．５ｇ、収率５８％）を得た。
この化合物の構造は、ＬＣ−ＭＳで分析した結果、目的物の分子量１１４６を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での１Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は０．５〜２．０（ｍ，８４Ｈ）、６．０〜６．２（ｍ，４Ｈ）、６．８〜６．３（ｍ，４Ｈ）、８．２〜９．５（ｍ，４Ｈ）、９．６（ｓ，８Ｈ）であった。
Figure 0005825104
 ＜合成比較例１＞
ＣＲ−２Ａの合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ（２０００mL）に、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール（１２０ｇ、１．０９ｍｏｌ）と、脱水エタノール（１．３６Ｌ）、濃塩酸（３５％）１６８ｍＬを投入し、エタノール溶液を調製した。次いで４−シクロヘキシルベンズアルデヒド（１９６ｇ，１．０４ｍｏｌ）を混合し、滴下漏斗により１０分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで８０℃まで加熱した。引き続き８０℃で５時間攪拌した。反応終了後、放冷し室温に到達させた。目的粗結晶が生成し、反応後これを濾別し、蒸留水１０００ｍＬを加えた。これを濾別し、粗結晶を蒸留水１０００ｍＬで６回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物（以下、ＣＲ−２Ａと示す）（２７８ｇ、収率９１％）を得た。
この化合物の構造は、ＬＣ−ＭＳで分析した結果、目的物の分子量１１２２を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での１Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は０．８〜１．９（ｍ，４４Ｈ）、５．５〜５．６（ｄ，４Ｈ）、６．０〜６．８（ｍ，２４Ｈ）、８．４〜８．５（ｍ，８Ｈ）であった。
Figure 0005825104
（実施例１及び比較例１）
（１）化合物の安全溶媒溶解度試験
上記合成実施例３および合成比較例１で得られた化合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、およびシクロヘキサノン（ＣＨＮ）への溶解量を評価した。結果を第1表に示す。
Ａ：５．０ｗｔ％ ≦ 溶解量
Ｂ： 溶解量 ＜ ５．０ｗｔ％
Figure 0005825104
本発明は、酸増幅型非高分子系レジスト材料として有用な、特定の化学構造式で示される環状化合物、これを含む感放射線性組成物、および該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法に好適に使用される。

Claims (19)

  1. 下記式（１）で示される環状化合物。
    Figure 0005825104
     （式（１）中、Ｌは、独立して、単結合、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数３〜２０のシクロアルキレン基、炭素数６〜２４のアリーレン基、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される二価の基であり、Ｒ１は独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、炭素数２〜２０のアシル基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、または水素原子である。但し、その少なくともひとつのＲ１は水素原子である。Ｒ５は水素又は炭素数１〜１０のアルキル基であり、ｍは１〜４の整数である。Ｒ’は独立して、下記式（１−２）で表される。）
    Figure 0005825104
     （式（１−２）中、Ｒ６は水素又は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、および炭素数１〜１２のアルキルシリル基からなる群から選択される基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数であり、ｑは０〜５の整数である。）
  2. 下記式（２）で示される請求項１記載の環状化合物。
    Figure 0005825104
     （式（２）中、Ｒ１、Ｒ’、ｍは前記と同様である。Ｘ２は水素又はハロゲン原子であり、ｍ５は０〜３の整数であり、ｍ＋ｍ５＝４である。）
  3. 下記式（３）で示される請求項１記載の環状化合物。
    Figure 0005825104
     （式（３）中、Ｒ’、ｍは前記と同様である。）
  4. Ｒ’が独立して下記式（１−４）で表される基である請求項１記載の環状化合物。
    Figure 0005825104
     （式（１−４）中、Ｒ７は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、および炭素数１〜１２のアルキルシリル基からなる群から選択される基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数である。）
  5. Ｒ’が独立して下記式（１−５）で表される基である請求項１記載の環状化合物。
    Figure 0005825104
     （式（１−５）中、ｐは０〜５の整数である。）
  6. 下記式（６−１）で表されるカルボニル化合物（Ａ１）からなる群より選ばれる１種以上と、フェノール、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン及びピロガロールからなる群より選ばれるフェノール性化合物（Ａ２）１種以上とを縮合反応させることを特徴とする、式（３）で示される環状化合物の製造方法。
    Figure 0005825104
     （式（６−１）中、Ｒ６は水素又は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、および炭素数１〜１２のアルキルシリル基からなる群から選択される基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数であり、ｑは０〜５の整数である。）
    Figure 0005825104
     （式（３）中、Ｒ’は独立して、下記式（１−２）で表され、ｍは１〜３の整数である。）
    Figure 0005825104
     （式（１−２）中、Ｒ６、ｎ、ｐ、ｑは前記と同様である。）
  7. 下記式（６−２）で表されるアセタール化合物（Ａ４）からなる群より選ばれる１種以上と、フェノール、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン及びピロガロールからなる群より選ばれるフェノール性化合物（Ａ２）１種以上とを縮合反応させることを特徴とする、式（３）で示される環状化合物の製造方法。
    Figure 0005825104
     （式（６−２）中、Ｒ６は水素又は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、および炭素数１〜１２のアルキルシリル基からなる群から選択される基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは０〜５の整数であり、ｑは０〜５の整数である。）
    Figure 0005825104
     （式（３）中、Ｒ’は独立して、下記式（１−２）で表され、ｍは１〜３の整数である。
    Figure 0005825104
     （式（１−２）中、Ｒ６、ｎ、ｐ、ｑは前記と同様である。）
  8. 請求項１記載の環状化合物および溶媒を含む感放射線性組成物。
  9. 固形成分１〜８０重量％および溶媒２０〜９９重量％からなる請求項８記載の感放射線性組成物。
  10. さらに、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤（Ｃ）を含む請求項８記載の感放射線性組成物。
  11. さらに、酸架橋剤（Ｇ）を含む請求項８記載の感放射線性組成物。
  12. さらに、酸拡散制御剤（Ｅ）を含む請求項８記載の感放射線性組成物。
  13. 請求項１記載の環状化合物が、下記式（２−２）で示される化合物からなる群から選ばれる環状化合物である請求項８〜１２のいずれかに記載の感放射線性組成物。
    Figure 0005825104
     （式（２−２）中、Ｒ６は水素又は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、および炭素数１〜１２のアルキルシリル基からなる群から選択される基であり、ｎは０〜５の整数であり、Ｘ２は水素又はハロゲン原子であり、ｐは０〜５の整数であり、ｑは０〜５の整数であり、ｍ５は０〜３の整数であり、ｍ＋ｍ５＝４である。）
  14. 前記式（２−２）で示される環状化合物が、下記式（４）及び（５）で示される各化合物からなる群から選ばれる環状化合物である請求項１３記載の感放射線性組成物。
    Figure 0005825104
     （式（５）中、Ｒ６は前記と同様である。）
  15. 前記固形成分が、環状化合物／酸発生剤（Ｃ）／酸架橋剤（Ｇ）／酸拡散制御剤（Ｅ）／任意成分（Ｆ））を、固形成分基準の重量％で、５０〜９９．４８９／０．００１〜５０／０．５〜５０／０．０１〜５０／０〜５０含有する請求項９記載の感放射線性組成物。
  16. スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる請求項８記載の感放射線性組成物。
  17. 前記アモルファス膜の、２３℃における２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が１０Å／ｓｅｃ以上である請求項１６記載の感放射線性組成物。
  18. 前記アモルファス膜にＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線を照射したもの、又はこれを２０〜２５０℃で加熱した後のアモルファス膜の２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が５Å／ｓｅｃ以下である請求項１６記載の感放射線性組成物。
  19. 請求項８〜１８のいずれかに記載の感放射線性組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
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