JP2003229537A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体記憶装置及びその製造方法

Info

Publication number
JP2003229537A
JP2003229537A JP2002024918A JP2002024918A JP2003229537A JP 2003229537 A JP2003229537 A JP 2003229537A JP 2002024918 A JP2002024918 A JP 2002024918A JP 2002024918 A JP2002024918 A JP 2002024918A JP 2003229537 A JP2003229537 A JP 2003229537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor memory
memory device
wirings
memory cell
word lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002024918A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3948292B2 (ja
JP2003229537A5 (ja
Inventor
Hideyuki Matsuoka
秀行 松岡
Kiyoo Ito
清男 伊藤
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Satoru Hanzawa
悟 半澤
Takeshi Sakata
健 阪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2002024918A priority Critical patent/JP3948292B2/ja
Priority to US10/307,373 priority patent/US6740921B2/en
Publication of JP2003229537A publication Critical patent/JP2003229537A/ja
Priority to US10/808,510 priority patent/US6946704B2/en
Priority to US10/876,461 priority patent/US7078273B2/en
Publication of JP2003229537A5 publication Critical patent/JP2003229537A5/ja
Priority to US11/368,603 priority patent/US7341892B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3948292B2 publication Critical patent/JP3948292B2/ja
Priority to US12/007,851 priority patent/US20080121860A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B63/34—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors of the vertical channel field-effect transistor type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の相変化を利用したメモリセルは、セル面
積が大きいという問題点があった。 【解決手段】上記課題を解決すべく、本発明では縦型選
択トランジスタを用いたメモリセル構造及びその製造方
法を提案する。 【効果】本発明によれば、従来DRAMに比べて面積の小さ
いメモリセルを実現できる。また、読み出し動作におけ
る消費電力を低減することができるともに、書き込み動
作においても低電力の相変化メモリを実現することがで
きる。さらに、読み出し動作の安定した相変化メモリを
実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶装置に
関する。特に、低電圧で動作する、高速かつ不揮発性を
有する、ランダムアクセスメモリ（RAM）に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話に代表されるモバイル機器の需
要に牽引されて、不揮発メモリの市場の伸びは著しい。
その代表が、FLASHメモリであるが、本質的に速度が遅
いために、プログラマブルなROMとして用いられてい
る。一方、作業用のメモリとしては、高速なDRAMが必要
であり、携帯機器用メモリとしては、FLASHとDRAMの両
方が搭載されている。これら２つのメモリの特長を具備
した素子が実現できれば、FLASHとDRAMを１チップ化す
ることが可能となるばかりでなく、すべての半導体メモ
リを置き換えることになるという点で、そのインパクト
は極めて大きい。こうしたメモリの１つとして、2001
IEDM(International Electron Device Meeting)におい
て、相変化を利用したメモリ（OUM:Ovonic Unified Mem
ory）がIntelより提案された。次にこのメモリの動作原
理を簡単に説明する。ＯＵＭは、結晶状態により抵抗値
が異なるカルコゲナイドという材料を記憶ノードとして
用いる。カルコゲナイドはDVDやCDの媒体に用いられて
いる材料であり、少なくともアンチモン（Sb）とテルル
（Te）を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系などがその代表である。基本的なメモリセルは、
選択トランジスタとカルコゲナイドから構成されてお
り、所謂DRAMセルと類似しており、キャパシタをカルコ
ゲナイドに置き換えたものとみなすことができる。カル
コゲナイドは、その結晶状態が単結晶かアモルファスか
で、その抵抗値が１０〜１００００倍程度異なる。この
違いを利用して、固体メモリにするものである。不揮発
メモリとして注目をあびているMRAM（Magnetic RAM）の
場合、抵抗の変化率は４０％程度であるので、OUMの方
がはるかに大きく、データのセンシングが容易である。
カルコゲナイドの結晶状態を変える為には電圧を印加す
ることにより発生するジュール熱を利用する。アモルフ
ァス化する際には、カルコゲナイドを６００℃程度に加
熱し溶解させ、急冷する。結晶化する際には、４００℃
程度の温度で５０ｎｓｅｃ程度保持する。従って、デー
タの書き込みには図２に示すようなパルスを与えること
になる。読出しの際には、ワード線をオンにし、共通グ
ラウンド線とビット線）間を流れる電流により、２値の
情報（”０”,”１”）を判別する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上で述べた、選択トラ
ンジスタとカルコゲナイドから構成される相変化メモリ
は、そのセル面積は８Ｆ２程度以上である。ここで、Ｆ
は最小加工寸法である。大容量化のためには、さらなる
メモリセル面積の縮小が課題である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為
に、縦型トランジスタを用いたメモリセル構造及びその
製造方法を提案する。本発明によれば、面積４Ｆ２のメ
モリセルが実現できる。本発明による、メモリセル構造
の代表的なものを図１に示す。下から順に、書き込み及
び読み出しのための第１の配線（７）、この配線と電気
的に接続された縦型の選択トランジスタ（１）、その上
に情報を蓄えるカルコゲナイド材料（２）、その上に書
き込み及び読み出しのための第２の配線（８）、の構成
となっている。本発明におけるメモリセルの平面レイア
ウトを図３に示す。セル配線（８０３）とワード線（４
０３）が最小ピッチ２Ｆで配置されるので、メモリセル
の面積は４Ｆ２となる。
【０００５】
【発明の実施の形態】（実施例１）本実施例では、図１
に示したメモリセルの製造方法を、その製造工程をたど
りながら詳細に説明する。本発明によれば、図１に示し
た第１の配線（７）及び第２の配線（８）を、それぞれ
分離することが可能であり、メモリセル動作の自由度を
広げるという特長がある。まず始めに、通常の製造方法
により、周辺回路用のCMOSトランジスタを形成する。そ
の上に、図４に示すように、層間絶縁膜（９）を堆積し
平坦化した後に、メモリセル領域においてはピッチが
０．２ミクロンの第１のセル配線（７０１）を、周辺回
路領域においては、ローカルインターコネクト線を形成
する。本実施例においては、配線材料としてはタングス
テンまたはＷ９０Ｔｉ１０などのタングステン合金を用
いた。勿論、タングステンまたはＷ９０Ｔｉ１０などの
タングステン合金の変わりに、不純物を高濃度含む多結
晶シリコンや、多結晶シリコンと金属あるいはシリサイ
ドとの積層膜でも構わない。さらに、層間絶縁膜（９０
１）を１００nm堆積し、不純物としてリンを1Ｅ２０／
ｃｍ２程度の高濃度に含むポリシリプラグ（１０）を形
成し、図５のようになる。このプラグにより、後に、セ
ル配線（７０１）と選択トランジスタが電気的に接続さ
れる。勿論多結晶シリコンの代わりに金属あるいは、シ
リサイドを用いることも可能である。
【０００６】次に、縦型トランジスタを形成する。ここ
では、以下の順に膜を堆積する。まず、縦型トランジス
タの拡散層となる不純物としてリンを1Ｅ２０／ｃｍ２
程度の高濃度にドープしたN+層（５０２）、チャネル部
となる不純物としてボロンを1Ｅ１６／ｃｍ２程度の濃
度で含む不純物層（６０２）、更に拡散層となる不純物
としてリンを1Ｅ２０／ｃｍ２程度の高濃度にドープし
たN+層（５０３）、を堆積する。これらがトランジスタ
部となる。ここで、不純物拡散層（５０２及び５０３）
からの、チャネル部（６０２）への、不純物の拡散を抑
えるために、厚さ１ｎｍ程度の絶縁膜を、チャネル部
（６０２）と拡散層（５０２及び５０３）の間に挟んで
も構わない。絶縁膜としては、シリコン酸化膜やシリコ
ンチッカ膜等が適用可能である。この後、シリコンの結
晶性を改善するために熱処理を施す。もちろん、この
際、レーザーアニール等の手法を用いることにより、更
に良好な結晶を形成することも可能である。この場合、
トランジスタの性能が向上することは言うまでも無い。
さらに、後に施す層間膜平坦化工程（CMP：ChemicalMec
hanical Polishing）のストッパ膜として、シリコン窒
化膜（１１）を１００nm堆積する。この積層膜を、図６
に示すように、ピッチ０．２ミクロンのラインアンドス
ペース状に加工する。引き続き、層間絶縁膜（９０２）
を堆積し、CMPにより平坦化、さらに加工用に用いたシ
リコン窒化膜を除去することにより、下地の多結晶シリ
コン（５０３）を露出させる。この時の状態を図７に示
す。
【０００７】次に膜厚５０ｎｍのカルコゲナイド材料
（２０２）と第２のセル配線（８０２）となる膜厚１０
０ｎｍのタングステンまたはＷ９０Ｔｉ１０などのタン
グステン合金、及び厚さ１００ｎｍの酸化膜（９０３）
を堆積する。この際、カルコゲナイド材料（２０２）の
多結晶シリコン（５０３）への拡散を防止する目的で、
多結晶シリコン（５０３）との間にＴｉＡｌＮ等の遷移
金属の窒化物や酸化物等のバリア膜や、Ｗ８０Ｔｉ２０
などの金属導電膜、あるいはこれらの積層膜を堆積すれ
ば、書換え可能回数が増大する利点が有る。あるいは、
カルコゲナイドの相状態を変えるのに必要な熱の拡散を
抑制する目的で、例えば、ＩＴＯ(インジウムとスズの
酸化物の混合物)のような熱伝導率の悪い導電膜を間に
挟むことも、勿論可能である。続いて、図８に示すよう
に、先に形成した第１の配線（７０１）と垂直方向に、
０．２ミクロンピッチのラインアンドスペース状に加工
する。尚、本実施例においては、第２のセル配線（８０
２）間の容量を低減する目的で、線幅の細線化を行っ
た。具体的には、レジストパタンの露光後に、軽度のア
ッシングプロセスを施し、レジスト寸法を７０ｎｍに細
線化した。
【０００８】次に、選択トランジスタのワード線の形成
を行う。まず、ワード線と第２の配線（８０２）との短
絡を防ぐ目的で、図９に示すように、膜厚３０ｎｍの側
壁酸化膜（９０４）を形成する。この工程により、カル
コゲナイド（２０２）は、第２の配線（８０２）と側壁
酸化膜（９０４）等により、完全に覆われる。さらに、
酸化膜で覆われた第２の配線（８０２）をマスクに、自
己整合的に、下地の多結晶シリコンの積層膜をエッチン
グし、図１０のようになる。続いて、低温で形成が可能
なCVD法により１０ｎｍの膜厚のゲート酸化膜を形成す
る。この際、カルコゲナイドが上記のように、完全に覆
われているので、昇華することはない。従って、より高
温プロセスである熱酸化によるゲート酸化も可能であ
る。本実施例においては、更にはワード線となるタング
ステンまたはＷ９０Ｔｉ１０などのタングステン合金
（１２）を堆積/平坦化し、図１１のようになる。本実
施例においては、タングステンまたはＷ９０Ｔｉ１０な
どのタングステン合金を用いたが、間にバリアメタルを
挟んだタングステンまたはＷ９０Ｔｉ１０などのタング
ステン合金と多結晶シリコンの積層膜や、ポリサイド等
を用いても勿論構わない。次に、通常のドライエッチ法
により、タングステンまたはＷ９０Ｔｉ１０などのタン
グステン合金を、第２のセル配線（８０２）と垂直方向
に走る、ピッチ０．２ミクロンのラインアンドスペース
状に加工する。この時の状態を図１２に示す。ワード線
（４０２）加工の際、電極材料を平坦化した結果とし
て、エッチング段差は第２のセル配線（８０２）の高さ
とキャップ酸化膜（９０３）をあわせた高さとなる。こ
のように、本実施例の場合、選択トランジスタは、ゲー
ト電極（４０２）がチャネル部を両側からはさみこんだ
ダブルゲート構造になる。この結果、トランジスタは完
全空乏型SOI（Silicon On Insulator）として動作し、
良好なスイッチング特性を実現する。最後に、必要な多
層金属配線層を形成し、所望の半導体装置を得ることが
できる。本実施例においては、縦型トランジスタを用い
ることにより、従来ＤＲＡＭの約半分のセル面積を有す
る半導体記憶装置を実現できる。
【０００９】（実施例２）実施例１においては、第１の
配線（７０１）をワード線（４０２）毎に分離する構造
としたが、本実施例はこの第１の配線（７０２）を分離
加工しないメモリセルに関するものである。セルの構造
を図１３に示す。製造方法は実施例１とほぼ同様であ
る。本実施例の場合、第１の配線（７０２）の電位が安
定するという効果がある。
【００１０】（実施例３）実施例１においては、第１の
配線（７０１）と第２の配線（８０２）が互いに直交す
る構成としたが、お互いに並行になるような構成が可能
なことは明らかである。メモリセルの構造を図１４に示
す。製造方法は実施例１とほぼ同様である。この場合、
第１と第２のメモリセル配線をペアとし、このペア線と
ワード線でメモリセルを選択することが可能になる。
【００１１】（実施例４）実施例１〜３においては、カ
ルコゲナイド材料製膜後に、ゲート酸化膜が形成される
ため、カルコゲナイドが高温にさらされるという問題が
ある。実施例１で述べたように、電極等で完全に覆われ
ていれば問題はないが、わずかながら体積変化するの
で、カルコゲナイドに対し、高温プロセスを行なうこと
は避けた方が望ましい。この目的のため、本実施例にお
いてはゲート酸化膜形成後に、カルコゲナイドを形成す
ることとした。本実施例におけるメモリセルレイアウト
を図１５に示す。後に説明するが、自己整合的にワード
線を形成するために、横方向（Ａ−Ａ）と縦方向（Ｂ−
Ｂ）とでセル配置のピッチが異なっている。図１５にお
いては、最小加工寸法をFとした時に、横方向（Ａ−
Ａ）は最小ピッチである２Ｆ、縦方向（Ｂ−Ｂ）は３Ｆ
とした。すなわち、セル面積は６Ｆ２である。もちろ
ん、このレイアウトは任意に設定可能であり、本発明が
面積６Ｆ２のメモリセルに限るものでないことは、いう
までもない。
【００１２】図５に示す工程まで、実施例１と同様な製
造工程を行う。続いて、縦型トランジスタの拡散層とな
る不純物を高濃度にドープしたN+層（５０４）、チャネ
ル部となる低濃度不純物層（６０３）、更に拡散層とな
るN+層（５０５）、を堆積し、アニール工程により結晶
化した。次に、通常のドライエッチング工程により、図
１６に示すようにメモリセル毎に分離し、更に、１０ｎ
ｍのゲート酸化膜をＣＶＤ法により堆積した。もちろ
ん、ゲート酸化膜形成は熱酸化工程でも構わない。その
後、通常のＣＶＤ法により、高濃度に不純物をふくんだ
多結晶シリコンを堆積し、ドライエッチングプロセスに
より、側壁ゲート電極を形成する。この時の図１５にお
ける（Ａ−Ａ）及び（Ｂ−Ｂ）方向の断面図をそれぞれ
図１７、１８に示す。すなわち、メモリセルのピッチが
異なるので、自己整合的に、（Ａ−Ａ）方向では側壁ワ
ード電極がつながり、（Ｂ−Ｂ）方向では分離した構造
になる。本実施例においては、自己整合的にワード線を
分離する手法を用いたが、レジストマスク等を用いた通
常のドライエッチ法により形成することも可能である。
続いて、公知のＣＶＤ法により１ミクロン程度の酸化膜
を堆積し、公知のＣＭＰ法による平坦化を行い、コンタ
クトを開口し、下地の多結晶シリコンを露出させて、断
面図は図１９のようになる。続いて、酸化膜を３０ｎｍ
程度堆積させ、ドライエッチングによりエッチバックを
行ない、側壁酸化膜（９０６）を形成し、図２０のよう
になる。このように、自己整合的にコンタクト寸法を縮
めた理由は次の通りである。カルコゲナイドの相状態を
変える為には、熱を与える必要がある。効率良くカルコ
ゲナイドの温度を上昇させるためには、カルコゲナイド
の抵抗をある程度大きくする必要がある。これは、低電
圧動作をさせるという観点からも重要である。この目的
のためには、選択トランジスタの拡散層とカルコゲナイ
ド接触面積を低減することが効果的である。こうした理
由から、自己整合的にコンタクト寸法を縮める手段をと
った。
【００１３】続いて、カルコゲナイド材料（２０３）及
び、第２のセル配線（８０３）となるタングステンまた
はＷ９０Ｔｉ１０などのタングステン合金を堆積し、図
２１のようになる。カルコゲナイド材料積層前にＴｉＡ
ｌＮ等の遷移金属の窒化物や酸化物等のバリア膜や、Ｗ
８０Ｔｉ２０ などの金属導電膜、あるいはこれらの積
層膜を堆積すれば、書換え可能回数が増大する利点が有
る。あるいは、カルコゲナイドの相状態を変えるのに必
要な熱の拡散を抑制する目的で、例えば、ＩＴＯ(イン
ジウムとスズの酸化物の混合物)のような熱伝導率の悪
い導電膜を間に挟むことも、勿論可能である。メモリセ
ルに関しては、図２１のままでも動作する。すなわち第
２の配線（８０３）が共通線となり、第１の配線（７０
１）がデータ線となる。この場合、カルコゲナイドを加
工しないで済むという特長がある。更には、相状態を変
える際に発生する熱を、平面状に形成された第２の配線
（８０３）を通して、効果的に逃がすことが可能にな
り、熱履歴の影響を排除する結果として動作が安定す
る。また、メモリセル動作としては、第２の配線（８０
３）を一枚板とすることにより、電位が安定するという
効果がある。もちろん、第２の配線（８０３）を分離す
ることも可能である。その際、タングステンまたはＷ９
０Ｔｉ１０などのタングステン合金を通常のドライエッ
チング法により、第１のセル配線と並行方向に分離し、
図２２のようになる。最後に、必要な多層金属配線を形
成し、所望の半導体記憶装置を得る。
【００１４】（実施例５）実施例４において、選択トラ
ンジスタとカルコゲナイドの接触面積を低減すること
が、低電圧動作をさせるのに有効であることを述べた。
これは、実施例１〜３に述べた構造に対しても適用可能
である。以下、その実現方法を図面を用いて説明する。
図６までは、実施例１と同様な製造工程を行なう。続い
て、層間絶縁膜（９０２）を堆積し、ＣＭＰにより平坦
化し、下地のシリコン窒化膜を露出させて図２３のよう
になる。さらに、熱リン酸によるウエット処理によりシ
リコン窒化膜を除去し、通常のCVD法により、３０ｎｍ
のシリコン酸化膜を堆積し、エッチバックプロセスによ
り側壁酸化膜（９０７）を形成し、図２４のようにな
る。このように、自己整合的にコンタクトの寸法を縮め
た。本実施例においては、側壁膜を通常のシリコン酸化
膜により形成したが、熱伝導率の悪いポーラス状の酸化
膜等を用いることも可能である。この場合、カルコゲナ
イドの相状態を変えるのに必要な熱の拡散を防ぐことが
できるので、更に効率良く、相状態を変えることが可能
になる。同様な目的に適した材料としてゲルマニウムオ
キサイド（ＧｅＯ２）も適用できる。続いて、カルコゲ
ナイド材料（２０４）及び、第２のセル配線（８０４）
となるタングステンまたはＷ９０Ｔｉ１０などのタング
ステン合金、さらには及び酸化膜（９０８）を堆積し
て、図２５のようになる。カルコゲナイド材料積層前に
ＴｉＡｌＮ等の遷移金属の窒化物や酸化物等のバリア膜
や、Ｗ８０Ｔｉ２０などの金属導電膜、あるいはこれら
の積層膜を堆積すれば、書換え可能回数が増大する利点
が有る。あるいは、カルコゲナイドの相状態を変えるの
に必要な熱の拡散を抑制する目的で、例えば、ＩＴＯ
(インジウムとスズの酸化物の混合物)のような熱伝導率
の悪い導電膜を間に挟むことも、勿論可能である。以降
は、実施例１における図８から図１２までと同様な製造
工程を経て、更には必要な多層金属配線を形成し、所望
の半導体装置を得る。
【００１５】（実施例６）これまでの実施例において
は、プロセスの簡易性から、選択トランジスタを多結晶
シリコンにより形成したが、勿論、シリコン基板中に形
成することも可能である。この場合、多結晶からなるト
ランジスタよりも良好な特性を実現するという特長があ
る。本実施例においては、エピタキシャル成長したシリ
コン基板を用いた。以下、図面を用いて製造方法を説明
する。ｐ型半導体基板を用意して、アンチモン（Ｓｂ）
を１Ｅ２０／ｃｍ２のドーズ量で打ち込み、エピタキシ
ャル成長させる。勿論、アンチモンの代わりにヒソ（Ａ
ｓ）やリン（Ｐ）を用いることも可能である。この結
果、図２６に示すような高濃度N型不純物層（１５）が
内部に形成された基板ができる。高濃度N型不純物層
（１５）は選択トランジスタの拡散層となる。続いて、
ヒ素を１Ｅ２０／ｃｍ２のドーズ量で注入し、アニール
工程により活性化する。これが、選択トランジスタのも
う１つの拡散層となる。さらに、後で施す層間膜平坦化
工程（CMP：Chemical Mechanical Polishing）のストッ
パ膜として、シリコン窒化膜（１１０２）を100nm堆積
して、図２７のようになる。次に図２８に示すように、
通常のドライエッチングプロセスにより、０．２ミクロ
ンピッチのラインアンドスペース状に、埋め込まれた不
純物拡散層（１５）まで掘り、柱状に分離する。この工
程は実施例１における図６と同様である。引き続き、層
間絶縁膜（９０９）を堆積し、ＣＭＰにより平坦化、さ
らに加工用に用いたシリコン窒化膜（１１０２）を露出
して図２９のようになる。ついで、シリコン窒化膜（１
１０２）を除去し、下地の不純物拡散層（１５０１）を
露出させる。さらには、選択トランジスタの拡散層とカ
ルコゲナイドの接触面積を低減するために、酸化膜を３
０ｎｍ程度堆積させ、ドライエッチングによりエッチバ
ックを行ない、側壁酸化膜（９１０）を形成し、図３０
のようになる。続いて、カルコゲナイド材料（２０５）
及び、第２のセル配線（８０５）となるタングステンま
たはＷ９０Ｔｉ１０などのタングステン合金、さらには
酸化膜（９１１）を堆積して、図３１のようになる。
【００１６】カルコゲナイド材料積層前にＴｉＡｌＮ等
の遷移金属の窒化物や酸化物等のバリア膜や、Ｗ８０Ｔ
ｉ２０などの金属導電膜、あるいはこれらの積層膜を堆
積すれば、書換え可能回数が増大する利点が有る。ある
いは、カルコゲナイドの相状態を変えるのに必要な熱の
拡散を抑制する目的で、例えば、ＩＴＯ(インジウムと
スズの酸化物の混合物)のような熱伝導率の悪い導電膜
を間に挟むことも、勿論可能である。続いて、通常のド
ライエッチング工程により、図２８で形成したパターン
と垂直方向に、酸化膜（９１１）、第２のセル配線（８
０５）、カルコゲナイド材料（２０５）、の積層膜をラ
インアンドスペース状に加工する。さらに、第２のセル
配線（８０５）と後に形成するワード線との短絡を防ぐ
為に酸化膜を３０ｎｍ堆積し、エッチバックプロセスに
より、側壁酸化膜（９１２）を形成する。続けて、ドラ
イエッチングにより、下地の不純物拡散層（１５０１）
とエピタキシャル成長部分（１６）まで完全に分離し、
不純物拡散層（１５）の途中で加工を止め、図３２のよ
うになる。尚、図３２は第２のセル配線（８０５）に垂
直な方向の断面図を示している。以降は実施例１の図１
１から図１２に示す製造工程を経て、最後に多層金属配
線層を形成し、所望の半導体記憶装置を得る。
【００１７】また本発明においては、さらに、図３３に
等価回路を示す本発明によるメモリセルを用いれば、図
３４に示すようなメモリアレイを構成することができ
る。本アレイにおいては、データ線に相当する第２のセ
ル配線（８０６）に平行な、ソース線に相当する第１の
セル選択線（７０４）が設けられ、メモリセル内の選択
トランジスタのソースが対応するソース線に接続された
構成とすることにより、読み出し動作における消費電力
を低減することができる。具体的には、選択したいデー
タ線（たとえばＤＬ１）に対応するソース線（たとえば
ＳＬ１）だけをソース電圧（たとえば０．５Ｖ）に駆動
することができる。次に選択ワード線（たとえばWL1）
を非選択状態の０Ｖから、選択状態の高電圧（たとえば
１．５Ｖ）に駆動する。このため、選択ワード（たとえ
ばＷＬ１）と選択データ線（たとえばＤＬ１）の交点の
セルＭＣ１１にのみ電流経路を形成し、選択データ線に
のみ読み出し信号を発生することができる。したがっ
て、多数の非選択データ線の充放電はなくなるので、読
み出し動作における消費電力を低減することができる。
なお、書き込み動作においても読み出し動作と同様の選
択動作が行われるので、全体として低電力の相変化メモ
リを実現することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、相変化材料を利用した
メモリにおいて、選択トランジスタを縦型構造にするこ
とにより、セル面積を従来のDRAMより減らすことができ
るという特長がある。さらに、読み出し動作における消
費電力を低減することができる。また、書き込み動作に
おいても読み出し動作と同様の選択動作が行われるの
で、全体として低電力の相変化メモリを実現することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のメモリセル構造。
【図２】カルコゲナイドの相状態を変える際のパルス仕
様。
【図３】実施例１のメモリセルレイアウト。
【図４】本発明の半導体記憶装置の１製造工程における
鳥瞰図。
【図５】本発明の半導体記憶装置の１製造工程における
鳥瞰図。
【図６】本発明の半導体記憶装置の１製造工程における
鳥瞰図。
【図７】本発明の半導体記憶装置の１製造工程における
鳥瞰図。
【図８】本発明の半導体記憶装置の１製造工程における
鳥瞰図。
【図９】本発明の半導体記憶装置の１製造工程における
鳥瞰図。
【図１０】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る鳥瞰図。
【図１１】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る鳥瞰図。
【図１２】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る鳥瞰図。
【図１３】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る鳥瞰図。
【図１４】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る鳥瞰図。
【図１５】実施例４のメモリセルレイアウト。
【図１６】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る鳥瞰図。
【図１７】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図１８】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図１９】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２０】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２１】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２２】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２３】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２４】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２５】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２６】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２７】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２８】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図２９】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図３０】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図３１】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図３２】本発明の半導体記憶装置の１製造工程におけ
る断面図。
【図３３】本発明の半導体記憶装置の等価回路。
【図３４】本発明の半導体記憶装置を用いたメモリアレ
イ。
【符号の説明】
１，１０１−選択トランジスタ、２，２０１，２０２，
２０３，２０４，２０５，２０６−相変化材料（カルコ
ゲナイド）、３−抵抗体（ヒーター）、４，４０１，４
０２，４０３，４０４−ワード電極、５，５０１，５０
２，５０３，５０４，５０５，５０６−不純物拡散層、
６，６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，６０６
−チャネル部、 ７，７０１，７０２，７０３，７０４
−第１セル配線、８，８０１，８０２，８０３，８０
４，８０５，８０６−第２セル配線、９，９０１，９０
２，９０３，９０４，９０５，９０６，９０７，９０
８，９０９，９１０，９１１，９１２−Ｓｉ酸化膜、１
０−プラグ電極、１１，１１０１−シリコン窒化膜、１
２−タングステンまたはＷ９０Ｔｉ１０などのタングス
テン合金、１３−メモリセル、１４−シリコン基板、１
５，１５０１−不純物拡散層（シリコン基板内）、１６
−エピタキシャル成長層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺尾 元康 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 半澤 悟 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 阪田 健 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5F083 AD06 FZ10 GA05 GA09 JA19 JA32 JA35 JA39 JA44 JA60 PR03 PR25 PR29 PR39

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のワード線と、絶縁層を介して前記ワ
    ード線と少なくとも一方が交差する第１及び第２の複数
    の配線と、前記ワード線と前記配線の交点に設けられた
    複数のメモリセルを有する半導体記憶装置において、前
    記メモリセルは、チャネル部が該メモリセルの深さ方向
    に形成された縦型トランジスタと、その上方に配置され
    た少なくともTe（テルル）を含有する材料、からなるこ
    とを特徴とする半導体記憶装置。
  2. 【請求項２】前記縦型トランジスタは、半導体基板上に
    形成された多結晶シリコンからなることを特徴とする請
    求項１に記載の半導体記憶装置。
  3. 【請求項３】前記縦型トランジスタは、半導体基板内に
    形成された単結晶シリコンからなることを特徴とする請
    求項１に記載の半導体記憶装置。
  4. 【請求項４】前記縦型トランジスタのゲートはワード線
    の一部を構成し、該トランジスタのドレイン（あるいは
    ソース）は該第１の配線に接続され、該トランジスタの
    ソース（あるいはドレイン）は、少なくとも該Teを含有
    する材料を間にはさんで、第２の配線に接続されたこと
    を特徴とする請求項２から請求項３のいずれ１項に記載
    の半導体記憶装置。
  5. 【請求項５】前記ワード線は前記第１及び第２の複数の
    配線の上方に延在して存在することを特徴とする請求項
    ２から請求項３のいずれか１項に記載の半導体記憶装
    置。
  6. 【請求項６】前記Te（テルル）を含有する材料は、前記
    ワード線の下方に存在することを特徴とする請求項２か
    ら請求項３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
  7. 【請求項７】前記Te（テルル）を含有する材料は、前記
    ワード線の上方に位置することを特徴とする請求項２か
    ら請求項３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
  8. 【請求項８】前記第１及び第２の複数の配線のうち少な
    くとも１つは、共通電極となっていることを特徴とする
    請求項１に記載の半導体記憶装置。
  9. 【請求項９】複数のワード線と、絶縁層を介して前記ワ
    ード線と交差する複数の配線と、前記ワード線と前記配
    線の交点に設けられた複数のメモリセルを有する半導体
    記憶装置において、前記メモリセルは、チャネル部が該
    メモリセルの深さ方向に形成された縦型トランジスタ
    と、その上方に配置された少なくともTe（テルル）を含
    有する材料、からなることを特徴とする半導体記憶装
    置。
  10. 【請求項１０】複数のワード線と、絶縁層を介して前記
    ワード線と少なくとも一方が交差する第一及び第二の複
    数の配線と、前記ワード線と前記配線の交点に設けられ
    た複数のメモリセルを有する半導体記憶装置において、
    前記メモリセルは、チャネル部が該メモリセルの深さ方
    向に形成された縦型トランジスタと、その上方に配置さ
    れた、抵抗値が電気的に可変な材料、からなることを特
    徴とする、半導体記憶装置。
  11. 【請求項１１】複数のワード線と、絶縁層を介して前記
    ワード線と交差する複数の配線と、前記ワード線と前記
    配線の交点に設けられた複数のメモリセルを有する半導
    体記憶装置において、前記メモリセルは、チャネル部が
    該メモリセルの深さ方向に形成された縦型トランジスタ
    と、その上方に配置された、抵抗値が電気的に可変な材
    料、からなることを特徴とする、半導体記憶装置。
JP2002024918A 2002-02-01 2002-02-01 半導体記憶装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3948292B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002024918A JP3948292B2 (ja) 2002-02-01 2002-02-01 半導体記憶装置及びその製造方法
US10/307,373 US6740921B2 (en) 2002-02-01 2002-12-02 Semiconductor memory cell and method of forming same
US10/808,510 US6946704B2 (en) 2002-02-01 2004-03-25 Semiconductor memory cell and method of forming same
US10/876,461 US7078273B2 (en) 2002-02-01 2004-06-28 Semiconductor memory cell and method of forming same
US11/368,603 US7341892B2 (en) 2002-02-01 2006-03-07 Semiconductor memory cell and method of forming same
US12/007,851 US20080121860A1 (en) 2002-02-01 2008-01-16 Semiconductor memory cell and method of forming same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002024918A JP3948292B2 (ja) 2002-02-01 2002-02-01 半導体記憶装置及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006287115A Division JP2007019559A (ja) 2006-10-23 2006-10-23 半導体記憶装置及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003229537A true JP2003229537A (ja) 2003-08-15
JP2003229537A5 JP2003229537A5 (ja) 2005-04-28
JP3948292B2 JP3948292B2 (ja) 2007-07-25

Family

ID=27654506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002024918A Expired - Fee Related JP3948292B2 (ja) 2002-02-01 2002-02-01 半導体記憶装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (5) US6740921B2 (ja)
JP (1) JP3948292B2 (ja)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349504A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
WO2004114315A1 (ja) * 2003-06-25 2004-12-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 不揮発性メモリを駆動する方法
JP2005093619A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Sumio Hosaka 記録素子
WO2005076280A1 (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Renesas Technology Corp. 半導体装置
WO2005076355A1 (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Renesas Technology Corp. 記憶装置
JP2005260014A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置
US7053431B2 (en) 2003-11-12 2006-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase-change memory device using chalcogenide compound as the material of memory cells
JP2007019305A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
JP2007501520A (ja) * 2003-08-04 2007-01-25 オヴォニクス，インコーポレイテッド 下地メモリ素子と接触するダマシン導線
JP2007142224A (ja) * 2005-11-19 2007-06-07 Elpida Memory Inc 不揮発性半導体記憶装置
JP2007273963A (ja) * 2006-03-02 2007-10-18 Qimonda Ag 自己整合プロセスを用いて形成された相変化メモリ
JP2007324600A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Qimonda Ag メモリデバイス、特にトランジスタを有する相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスの形成方法
US7335907B2 (en) 2003-03-25 2008-02-26 Hitachi, Ltd. Memory device
JPWO2006027887A1 (ja) * 2004-09-08 2008-05-08 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性記憶装置
JP2008311641A (ja) * 2007-05-17 2008-12-25 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2009010366A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置及びその製造方法、並びに、データ処理システム
JP2009059735A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
US7554147B2 (en) 2005-03-15 2009-06-30 Elpida Memory, Inc. Memory device and manufacturing method thereof
JP2009158514A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP2009526389A (ja) * 2006-02-08 2009-07-16 キモンダ アクチエンゲゼルシャフト ナノチューブトランジスタアクセスデバイスを備えたメモリ
JP2009199713A (ja) * 2007-06-22 2009-09-03 Panasonic Corp 抵抗変化型不揮発性記憶装置
JP2010080718A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Sharp Corp 半導体記憶装置
KR100960461B1 (ko) 2008-04-18 2010-05-28 주식회사 하이닉스반도체 상 변화 메모리 장치 및 그 형성 방법
KR100960462B1 (ko) 2008-04-18 2010-05-31 주식회사 하이닉스반도체 상 변화 메모리 장치 및 그 형성 방법
JP2011155275A (ja) * 2002-07-31 2011-08-11 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP2012039134A (ja) * 2004-05-14 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2012089643A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Sony Corp 記憶装置の製造方法、並びに記憶素子および記憶装置
US8247788B2 (en) 2009-03-19 2012-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device
US8264018B2 (en) 2009-05-15 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP2013528935A (ja) * 2010-04-19 2013-07-11 マイクロン テクノロジー， インク． 縦型トランジスタ相変化メモリ
JP2015521382A (ja) * 2012-05-07 2015-07-27 マイクロン テクノロジー， インク． スイッチングデバイスの構造および方法
US9842990B2 (en) 2016-03-18 2017-12-12 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Families Citing this family (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7889544B2 (en) 2004-04-05 2011-02-15 Super Talent Electronics, Inc. High-speed controller for phase-change memory peripheral device
US7471556B2 (en) * 2007-05-15 2008-12-30 Super Talent Electronics, Inc. Local bank write buffers for accelerating a phase-change memory
US7966429B2 (en) * 2007-05-28 2011-06-21 Super Talent Electronics, Inc. Peripheral devices using phase-change memory
US20080209114A1 (en) * 1999-08-04 2008-08-28 Super Talent Electronics, Inc. Reliability High Endurance Non-Volatile Memory Device with Zone-Based Non-Volatile Memory File System
US20080195798A1 (en) * 2000-01-06 2008-08-14 Super Talent Electronics, Inc. Non-Volatile Memory Based Computer Systems and Methods Thereof
JP2004096065A (ja) 2002-07-08 2004-03-25 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP4343571B2 (ja) * 2002-07-31 2009-10-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
EP1554763B1 (en) * 2002-10-11 2006-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electric device comprising phase change material
JP2004185755A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Sharp Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7589343B2 (en) * 2002-12-13 2009-09-15 Intel Corporation Memory and access device and method therefor
KR100497419B1 (ko) * 2002-12-23 2005-07-01 한국전자통신연구원 정보저장매체 및 이를 이용한 광학 장치
US7227170B2 (en) * 2003-03-10 2007-06-05 Energy Conversion Devices, Inc. Multiple bit chalcogenide storage device
KR100491978B1 (ko) * 2003-04-12 2005-05-27 한국전자통신연구원 저 전력 동작이 가능한 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR100979710B1 (ko) * 2003-05-23 2010-09-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 제조방법
KR100504700B1 (ko) * 2003-06-04 2005-08-03 삼성전자주식회사 고집적 상변환 램
US20050029504A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-10 Karpov Ilya V. Reducing parasitic conductive paths in phase change memories
US7050319B2 (en) * 2003-12-03 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Memory architecture and method of manufacture and operation thereof
KR100615598B1 (ko) * 2004-07-19 2006-08-25 삼성전자주식회사 평탄화 절연막을 갖는 반도체 장치들 및 그 형성방법들
US7138681B2 (en) * 2004-07-27 2006-11-21 Micron Technology, Inc. High density stepped, non-planar nitride read only memory
US20110029723A1 (en) * 2004-08-06 2011-02-03 Super Talent Electronics, Inc. Non-Volatile Memory Based Computer Systems
US7212432B2 (en) * 2004-09-30 2007-05-01 Infineon Technologies Ag Resistive memory cell random access memory device and method of fabrication
KR100593450B1 (ko) * 2004-10-08 2006-06-28 삼성전자주식회사 수직하게 차례로 위치된 복수 개의 활성 영역들을 갖는피이. 램들 및 그 형성방법들.
DE102005001253A1 (de) * 2005-01-11 2006-07-20 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleiterspeichereinrichtung
US7453715B2 (en) * 2005-03-30 2008-11-18 Ovonyx, Inc. Reading a phase change memory
EP1717861B1 (en) 2005-04-27 2010-08-25 STMicroelectronics Srl Vertical MOSFET transistor operating as a selector in nonvolatile memory devices
US7910904B2 (en) * 2005-05-12 2011-03-22 Ovonyx, Inc. Multi-level phase change memory
US20060273298A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Matrix Semiconductor, Inc. Rewriteable memory cell comprising a transistor and resistance-switching material in series
US7514288B2 (en) * 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing methods for thin film fuse phase change ram
KR100699848B1 (ko) * 2005-06-21 2007-03-27 삼성전자주식회사 코어 구조가 개선된 상 변화 메모리 장치
KR100642645B1 (ko) * 2005-07-01 2006-11-10 삼성전자주식회사 고집적 셀 구조를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법
US7579615B2 (en) * 2005-08-09 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Access transistor for memory device
DE102005046774B4 (de) * 2005-09-29 2011-11-10 Altis Semiconductor Halbleiterspeicher-Einrichtung mit vergrabenem Masse-Kontakt und Verfahren zu deren Herstellung
JP4268607B2 (ja) * 2005-09-30 2009-05-27 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置に配設される中継部材及び半導体装置
DE102005053496B4 (de) * 2005-11-09 2008-05-08 Qimonda Ag Speicherbauelement mit mehreren resistiv schaltenden Speicherzellen, insbesondere PCM-Speicherzellen
US7463507B2 (en) * 2005-11-09 2008-12-09 Ulrike Gruening-Von Schwerin Memory device with a plurality of memory cells, in particular PCM memory cells, and method for operating such a memory cell device
US7635855B2 (en) * 2005-11-15 2009-12-22 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell
US7786460B2 (en) 2005-11-15 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7449710B2 (en) 2005-11-21 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacket for phase change memory element
US7688619B2 (en) 2005-11-28 2010-03-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7459717B2 (en) 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7531825B2 (en) 2005-12-27 2009-05-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array
US8716772B2 (en) 2005-12-28 2014-05-06 Micron Technology, Inc. DRAM cell design with folded digitline sense amplifier
US8062833B2 (en) 2005-12-30 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Chalcogenide layer etching method
US7741636B2 (en) 2006-01-09 2010-06-22 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7560337B2 (en) 2006-01-09 2009-07-14 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
DE102006026949A1 (de) * 2006-06-09 2007-12-13 Infineon Technologies Ag Speicherbauelement, insbesondere Phasenwechselspeicherbauelement mit wahlfreiem Zugriff mit Transistor, und Verfahren zum Herstellen eines Speicherbauelements
JP4437297B2 (ja) 2006-06-22 2010-03-24 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
US7785920B2 (en) 2006-07-12 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Method for making a pillar-type phase change memory element
JP4344372B2 (ja) * 2006-08-22 2009-10-14 シャープ株式会社 半導体記憶装置及びその駆動方法
US7825460B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-02 International Business Machines Corporation Vertical field effect transistor arrays and methods for fabrication thereof
US7504653B2 (en) 2006-10-04 2009-03-17 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device with circumferentially-extending memory element
US7863655B2 (en) * 2006-10-24 2011-01-04 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cells with dual access devices
DE102006051137A1 (de) * 2006-10-30 2008-05-08 Qimonda Ag Anordnung vertikaler Transistoren in einem Substrat und Verfahren zur Herstellung
US20080099814A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Qimonda Ag Integrated circuit and method for production
US7476587B2 (en) * 2006-12-06 2009-01-13 Macronix International Co., Ltd. Method for making a self-converged memory material element for memory cell
US7903447B2 (en) 2006-12-13 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for read before programming process on programmable resistive memory cell
US7718989B2 (en) 2006-12-28 2010-05-18 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory cell device
US7619311B2 (en) 2007-02-02 2009-11-17 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device with coplanar electrode surface and method
US7859037B2 (en) * 2007-02-16 2010-12-28 Power Integrations, Inc. Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout
US7956344B2 (en) 2007-02-27 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory element contacting ring-shaped upper end of bottom electrode
DE102007009876A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-11 Qimonda Ag Anordnung von Speicherzellen umfassend Doppel-Gate-Transistoren mit gebogenem Stromfluss, sowie Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung derselben
US20080203469A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Qimonda Ag Integrated circuit including an array of memory cells having dual gate transistors
US7786461B2 (en) 2007-04-03 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Memory structure with reduced-size memory element between memory material portions
US7745231B2 (en) * 2007-04-17 2010-06-29 Micron Technology, Inc. Resistive memory cell fabrication methods and devices
US20080270811A1 (en) * 2007-04-26 2008-10-30 Super Talent Electronics Inc. Fast Suspend-Resume of Computer Motherboard Using Phase-Change Memory
US7643334B1 (en) 2007-04-26 2010-01-05 Super Talent Electronics, Inc. High-speed controller for phase-change memory peripheral device
US7440316B1 (en) 2007-04-30 2008-10-21 Super Talent Electronics, Inc 8/9 and 8/10-bit encoding to reduce peak surge currents when writing phase-change memory
KR100857466B1 (ko) * 2007-05-16 2008-09-08 한국전자통신연구원 안티몬-아연 합금을 이용한 상변화형 비휘발성 메모리 소자및 이의 제조방법
US7932167B2 (en) * 2007-06-29 2011-04-26 International Business Machines Corporation Phase change memory cell with vertical transistor
US7777215B2 (en) 2007-07-20 2010-08-17 Macronix International Co., Ltd. Resistive memory structure with buffer layer
US7729161B2 (en) 2007-08-02 2010-06-01 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with dual word lines and source lines and method of operating same
US7918984B2 (en) * 2007-09-17 2011-04-05 International Business Machines Corporation Method of electrodepositing germanium compound materials on a substrate
JP2009094354A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7919766B2 (en) 2007-10-22 2011-04-05 Macronix International Co., Ltd. Method for making self aligning pillar memory cell device
US20090108249A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Fang-Shi Jordan Lai Phase Change Memory with Diodes Embedded in Substrate
US20090196091A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Kau Derchang Self-aligned phase change memory
US8158965B2 (en) 2008-02-05 2012-04-17 Macronix International Co., Ltd. Heating center PCRAM structure and methods for making
US8084842B2 (en) 2008-03-25 2011-12-27 Macronix International Co., Ltd. Thermally stabilized electrode structure
US8030634B2 (en) 2008-03-31 2011-10-04 Macronix International Co., Ltd. Memory array with diode driver and method for fabricating the same
US7825398B2 (en) 2008-04-07 2010-11-02 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having improved mechanical stability
US7791057B2 (en) 2008-04-22 2010-09-07 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having a buried phase change region and method for fabricating the same
JP2009267219A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Hitachi Ltd 半導体記憶装置およびその製造方法
US8077505B2 (en) 2008-05-07 2011-12-13 Macronix International Co., Ltd. Bipolar switching of phase change device
US7701750B2 (en) 2008-05-08 2010-04-20 Macronix International Co., Ltd. Phase change device having two or more substantial amorphous regions in high resistance state
US8415651B2 (en) 2008-06-12 2013-04-09 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having top and bottom sidewall contacts
US8134857B2 (en) 2008-06-27 2012-03-13 Macronix International Co., Ltd. Methods for high speed reading operation of phase change memory and device employing same
US7932506B2 (en) 2008-07-22 2011-04-26 Macronix International Co., Ltd. Fully self-aligned pore-type memory cell having diode access device
JP5342189B2 (ja) 2008-08-06 2013-11-13 株式会社日立製作所 不揮発性記憶装置及びその製造方法
US7903457B2 (en) 2008-08-19 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application
US7719913B2 (en) 2008-09-12 2010-05-18 Macronix International Co., Ltd. Sensing circuit for PCRAM applications
US8101456B2 (en) * 2008-10-01 2012-01-24 International Business Machines Corporation Method to reduce a via area in a phase change memory cell
US8324605B2 (en) 2008-10-02 2012-12-04 Macronix International Co., Ltd. Dielectric mesh isolated phase change structure for phase change memory
US8105884B2 (en) * 2008-10-06 2012-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Cross point memory arrays, methods of manufacturing the same, masters for imprint processes, and methods of manufacturing masters
US8586962B2 (en) 2008-10-06 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Cross point memory arrays, methods of manufacturing the same, masters for imprint processes, and methods of manufacturing masters
US7897954B2 (en) * 2008-10-10 2011-03-01 Macronix International Co., Ltd. Dielectric-sandwiched pillar memory device
US20100096611A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Seagate Technology Llc Vertically integrated memory structures
US8036014B2 (en) 2008-11-06 2011-10-11 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory program method without over-reset
US8907316B2 (en) 2008-11-07 2014-12-09 Macronix International Co., Ltd. Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline and single crystal semiconductor regions
US8664689B2 (en) 2008-11-07 2014-03-04 Macronix International Co., Ltd. Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline plug and single-crystal semiconductor regions
US7869270B2 (en) 2008-12-29 2011-01-11 Macronix International Co., Ltd. Set algorithm for phase change memory cell
US8089137B2 (en) 2009-01-07 2012-01-03 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit memory with single crystal silicon on silicide driver and manufacturing method
US8107283B2 (en) 2009-01-12 2012-01-31 Macronix International Co., Ltd. Method for setting PCRAM devices
US8030635B2 (en) 2009-01-13 2011-10-04 Macronix International Co., Ltd. Polysilicon plug bipolar transistor for phase change memory
US8064247B2 (en) 2009-01-14 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Rewritable memory device based on segregation/re-absorption
US8933536B2 (en) 2009-01-22 2015-01-13 Macronix International Co., Ltd. Polysilicon pillar bipolar transistor with self-aligned memory element
US8084760B2 (en) 2009-04-20 2011-12-27 Macronix International Co., Ltd. Ring-shaped electrode and manufacturing method for same
US8173987B2 (en) 2009-04-27 2012-05-08 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method
US8097871B2 (en) 2009-04-30 2012-01-17 Macronix International Co., Ltd. Low operational current phase change memory structures
US7933139B2 (en) 2009-05-15 2011-04-26 Macronix International Co., Ltd. One-transistor, one-resistor, one-capacitor phase change memory
US8350316B2 (en) 2009-05-22 2013-01-08 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cells having vertical channel access transistor and memory plane
US7968876B2 (en) 2009-05-22 2011-06-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having vertical channel access transistor
US8809829B2 (en) 2009-06-15 2014-08-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method
US8406033B2 (en) 2009-06-22 2013-03-26 Macronix International Co., Ltd. Memory device and method for sensing and fixing margin cells
US8363463B2 (en) 2009-06-25 2013-01-29 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having one or more non-constant doping profiles
US8238149B2 (en) 2009-06-25 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory
US8198619B2 (en) 2009-07-15 2012-06-12 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell structure
US7894254B2 (en) 2009-07-15 2011-02-22 Macronix International Co., Ltd. Refresh circuitry for phase change memory
US8110822B2 (en) 2009-07-15 2012-02-07 Macronix International Co., Ltd. Thermal protect PCRAM structure and methods for making
US8064248B2 (en) 2009-09-17 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. 2T2R-1T1R mix mode phase change memory array
KR20110032252A (ko) 2009-09-22 2011-03-30 삼성전자주식회사 수직 어레이 트랜지스터를 갖는 저항성 메모리 소자
US8178387B2 (en) 2009-10-23 2012-05-15 Macronix International Co., Ltd. Methods for reducing recrystallization time for a phase change material
CN102812552B (zh) * 2010-03-15 2015-11-25 美光科技公司 半导体存储器装置及用于对半导体存储器装置进行偏置的方法
US8729521B2 (en) 2010-05-12 2014-05-20 Macronix International Co., Ltd. Self aligned fin-type programmable memory cell
US9570678B1 (en) 2010-06-08 2017-02-14 Crossbar, Inc. Resistive RAM with preferental filament formation region and methods
US8946046B1 (en) 2012-05-02 2015-02-03 Crossbar, Inc. Guided path for forming a conductive filament in RRAM
US9012307B2 (en) * 2010-07-13 2015-04-21 Crossbar, Inc. Two terminal resistive switching device structure and method of fabricating
US9601692B1 (en) 2010-07-13 2017-03-21 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US8310864B2 (en) * 2010-06-15 2012-11-13 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned bit line under word line memory array
US8569172B1 (en) 2012-08-14 2013-10-29 Crossbar, Inc. Noble metal/non-noble metal electrode for RRAM applications
US8168506B2 (en) 2010-07-13 2012-05-01 Crossbar, Inc. On/off ratio for non-volatile memory device and method
US8492195B2 (en) 2010-08-23 2013-07-23 Crossbar, Inc. Method for forming stackable non-volatile resistive switching memory devices
CN102403453A (zh) * 2010-09-17 2012-04-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 相变存储器的制作方法
US8395935B2 (en) 2010-10-06 2013-03-12 Macronix International Co., Ltd. Cross-point self-aligned reduced cell size phase change memory
WO2012057772A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristive devices and memristors with ribbon-like junctions and methods for fabricating the same
US8502185B2 (en) 2011-05-31 2013-08-06 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
USRE46335E1 (en) 2010-11-04 2017-03-07 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
US8497705B2 (en) 2010-11-09 2013-07-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change device for interconnection of programmable logic device
US8467238B2 (en) 2010-11-15 2013-06-18 Macronix International Co., Ltd. Dynamic pulse operation for phase change memory
US8351243B2 (en) 2010-11-16 2013-01-08 Sandisk 3D Llc Transistor driven 3D memory
US8921899B2 (en) 2010-11-19 2014-12-30 Micron Technology, Inc. Double gated 4F2 dram CHC cell and methods of fabricating the same
CN102544049B (zh) * 2010-12-22 2014-04-16 中国科学院微电子研究所 三维半导体存储器件及其制备方法
US9673102B2 (en) 2011-04-01 2017-06-06 Micron Technology, Inc. Methods of forming vertical field-effect transistor with self-aligned contacts for memory devices with planar periphery/array and intermediate structures formed thereby
CN102185105A (zh) * 2011-04-22 2011-09-14 复旦大学 一种半导体存储器结构及其制造方法
US9620206B2 (en) 2011-05-31 2017-04-11 Crossbar, Inc. Memory array architecture with two-terminal memory cells
US8619459B1 (en) 2011-06-23 2013-12-31 Crossbar, Inc. High operating speed resistive random access memory
US9564587B1 (en) 2011-06-30 2017-02-07 Crossbar, Inc. Three-dimensional two-terminal memory with enhanced electric field and segmented interconnects
US8946669B1 (en) 2012-04-05 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive memory device and fabrication methods
US9166163B2 (en) 2011-06-30 2015-10-20 Crossbar, Inc. Sub-oxide interface layer for two-terminal memory
US9627443B2 (en) 2011-06-30 2017-04-18 Crossbar, Inc. Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field
US8987700B2 (en) 2011-12-02 2015-03-24 Macronix International Co., Ltd. Thermally confined electrode for programmable resistance memory
KR102008317B1 (ko) 2012-03-07 2019-08-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법
US9685608B2 (en) 2012-04-13 2017-06-20 Crossbar, Inc. Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory
US8658476B1 (en) 2012-04-20 2014-02-25 Crossbar, Inc. Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device
US10096653B2 (en) 2012-08-14 2018-10-09 Crossbar, Inc. Monolithically integrated resistive memory using integrated-circuit foundry compatible processes
US9583701B1 (en) 2012-08-14 2017-02-28 Crossbar, Inc. Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation
US9576616B2 (en) 2012-10-10 2017-02-21 Crossbar, Inc. Non-volatile memory with overwrite capability and low write amplification
US9336879B2 (en) 2014-01-24 2016-05-10 Macronix International Co., Ltd. Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application
US10290801B2 (en) 2014-02-07 2019-05-14 Crossbar, Inc. Scalable silicon based resistive memory device
US9559113B2 (en) 2014-05-01 2017-01-31 Macronix International Co., Ltd. SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND
EP3306688B1 (en) * 2015-06-03 2022-03-02 Japan Science and Technology Agency Magnetoresistive element and storage circuit
US9672906B2 (en) 2015-06-19 2017-06-06 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with inter-granular switching
US20180144240A1 (en) * 2016-11-21 2018-05-24 Imec Vzw Semiconductor cell configured to perform logic operations
US10886130B2 (en) * 2018-08-24 2021-01-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming crystalline semiconductor material, and methods of forming transistors
EP3736865B1 (en) 2019-03-08 2023-11-08 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. 1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032538A (en) * 1979-08-10 1991-07-16 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor embedded layer technology utilizing selective epitaxial growth methods
IL61671A (en) 1979-12-13 1984-04-30 Energy Conversion Devices Inc Diode and rom or eeprom devices using it
IL61678A (en) 1979-12-13 1984-04-30 Energy Conversion Devices Inc Programmable cell and programmable electronic arrays comprising such cells
US4845533A (en) * 1986-08-22 1989-07-04 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electrical devices with amorphous carbon electrodes and method of making same
JPH05121693A (ja) 1991-10-24 1993-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体メモリセル
JPH06268173A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US5535156A (en) * 1994-05-05 1996-07-09 California Institute Of Technology Transistorless, multistable current-mode memory cells and memory arrays and methods of reading and writing to the same
US5789758A (en) 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US5831276A (en) 1995-06-07 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Three-dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US6087674A (en) 1996-10-28 2000-07-11 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material
US6034882A (en) * 1998-11-16 2000-03-07 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6437383B1 (en) 2000-12-21 2002-08-20 Intel Corporation Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same
WO2002088619A1 (fr) * 2001-04-27 2002-11-07 Daicel Chemical Industries, Ltd. Ensemble initiateur et generateur de gaz utilisant cet initiateur
US6737312B2 (en) * 2001-08-27 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode
US6549447B1 (en) * 2001-10-31 2003-04-15 Peter Fricke Memory cell structure

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011155275A (ja) * 2002-07-31 2011-08-11 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US7335907B2 (en) 2003-03-25 2008-02-26 Hitachi, Ltd. Memory device
JP4634014B2 (ja) * 2003-05-22 2011-02-16 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US7470923B2 (en) 2003-05-22 2008-12-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
US8129707B2 (en) 2003-05-22 2012-03-06 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
US7071485B2 (en) 2003-05-22 2006-07-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
JP2004349504A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
WO2004114315A1 (ja) * 2003-06-25 2004-12-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 不揮発性メモリを駆動する方法
JP2007501520A (ja) * 2003-08-04 2007-01-25 オヴォニクス，インコーポレイテッド 下地メモリ素子と接触するダマシン導線
JP2005093619A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Sumio Hosaka 記録素子
US7053431B2 (en) 2003-11-12 2006-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase-change memory device using chalcogenide compound as the material of memory cells
JP4500268B2 (ja) * 2004-02-05 2010-07-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
WO2005076280A1 (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Renesas Technology Corp. 半導体装置
JP2012178216A (ja) * 2004-02-05 2012-09-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JPWO2005076280A1 (ja) * 2004-02-05 2007-10-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
WO2005076355A1 (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Renesas Technology Corp. 記憶装置
US7379328B2 (en) 2004-03-12 2008-05-27 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JP2005260014A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置
KR101028645B1 (ko) * 2004-03-12 2011-04-11 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치
JP4529493B2 (ja) * 2004-03-12 2010-08-25 株式会社日立製作所 半導体装置
US8890107B2 (en) 2004-05-14 2014-11-18 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory
JP2012039134A (ja) * 2004-05-14 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
US8866120B2 (en) 2004-05-14 2014-10-21 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory
US8859344B2 (en) 2004-05-14 2014-10-14 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory
JPWO2006027887A1 (ja) * 2004-09-08 2008-05-08 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性記憶装置
JP4795961B2 (ja) * 2004-09-08 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性記憶装置
US7554147B2 (en) 2005-03-15 2009-06-30 Elpida Memory, Inc. Memory device and manufacturing method thereof
JP2007019305A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
JP2007142224A (ja) * 2005-11-19 2007-06-07 Elpida Memory Inc 不揮発性半導体記憶装置
JP4628935B2 (ja) * 2005-11-19 2011-02-09 エルピーダメモリ株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP2009526389A (ja) * 2006-02-08 2009-07-16 キモンダ アクチエンゲゼルシャフト ナノチューブトランジスタアクセスデバイスを備えたメモリ
JP2007273963A (ja) * 2006-03-02 2007-10-18 Qimonda Ag 自己整合プロセスを用いて形成された相変化メモリ
JP2007324600A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Qimonda Ag メモリデバイス、特にトランジスタを有する相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスの形成方法
US7842999B2 (en) 2007-05-17 2010-11-30 Elpida Memory, Inc. Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2008311641A (ja) * 2007-05-17 2008-12-25 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置及びその製造方法
US7910986B2 (en) 2007-05-31 2011-03-22 Elpida Memory, Inc. Semiconductor memory device and data processing system
JP4690438B2 (ja) * 2007-05-31 2011-06-01 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法、並びに、データ処理システム
JP2009010366A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置及びその製造方法、並びに、データ処理システム
JP2009199713A (ja) * 2007-06-22 2009-09-03 Panasonic Corp 抵抗変化型不揮発性記憶装置
JP2009059735A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
US9202529B2 (en) 2007-08-29 2015-12-01 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor memory device having vertical transistors
JP2009158514A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
KR100960462B1 (ko) 2008-04-18 2010-05-31 주식회사 하이닉스반도체 상 변화 메모리 장치 및 그 형성 방법
KR100960461B1 (ko) 2008-04-18 2010-05-28 주식회사 하이닉스반도체 상 변화 메모리 장치 및 그 형성 방법
US8036017B2 (en) 2008-09-26 2011-10-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
JP2010080718A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Sharp Corp 半導体記憶装置
US8247788B2 (en) 2009-03-19 2012-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device
KR101497547B1 (ko) * 2009-03-19 2015-03-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자
US8264018B2 (en) 2009-05-15 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR101384061B1 (ko) 2010-04-19 2014-04-09 마이크론 테크놀로지, 인크. 수직 트랜지스터 상변화 메모리
US8816316B2 (en) 2010-04-19 2014-08-26 Micron Technology, Inc. Vertical transistor phase change memory
JP2013528935A (ja) * 2010-04-19 2013-07-11 マイクロン テクノロジー， インク． 縦型トランジスタ相変化メモリ
US9024290B2 (en) 2010-04-19 2015-05-05 Micron Technology, Inc. Vertical transistor phase change memory
US9118005B2 (en) 2010-10-19 2015-08-25 Sony Corporation Manufacturing method of a memory device with a reversible variable-resistance memory layer between electrodes extending along intersecting directions
JP2012089643A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Sony Corp 記憶装置の製造方法、並びに記憶素子および記憶装置
JP2015521382A (ja) * 2012-05-07 2015-07-27 マイクロン テクノロジー， インク． スイッチングデバイスの構造および方法
US9331275B2 (en) 2012-05-07 2016-05-03 Micron Technology, Inc. Switching device structures and methods
US9478740B2 (en) 2012-05-07 2016-10-25 Micron Technology, Inc. Switching device structures and methods
US9842990B2 (en) 2016-03-18 2017-12-12 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3948292B2 (ja) 2007-07-25
US20080121860A1 (en) 2008-05-29
US20030146469A1 (en) 2003-08-07
US6740921B2 (en) 2004-05-25
US6946704B2 (en) 2005-09-20
US20060148135A1 (en) 2006-07-06
US7078273B2 (en) 2006-07-18
US7341892B2 (en) 2008-03-11
US20040179388A1 (en) 2004-09-16
US20040233769A1 (en) 2004-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3948292B2 (ja) 半導体記憶装置及びその製造方法
US7910986B2 (en) Semiconductor memory device and data processing system
US7842999B2 (en) Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US7359226B2 (en) Transistor, memory cell array and method for forming and operating a memory device
US7582889B2 (en) Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same
US9196827B2 (en) Non-volatile memory devices having dual heater configurations and methods of fabricating the same
US9893281B2 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
US7732250B2 (en) Methods of forming phase changeable layers including protruding portions in electrodes thereof
US20080203469A1 (en) Integrated circuit including an array of memory cells having dual gate transistors
US20210043834A1 (en) Method and apparatus providing multi-planed array memory device
US8120085B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2009212369A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法並びにデータ処理システム
JP2003229537A5 (ja)
JP2009267219A (ja) 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2002208682A (ja) 磁気半導体記憶装置及びその製造方法
TWI390781B (zh) 記憶單元、形成記憶單元之方法、及形成程式化記憶單元之方法
JP2007019559A (ja) 半導体記憶装置及びその製造方法
US20080099814A1 (en) Integrated circuit and method for production
US7898006B2 (en) Integrated circuit having memory cells and method of manufacture
JP2009206418A (ja) 不揮発性メモリ装置及びその製造方法
JP5634002B2 (ja) 相変化型不揮発性メモリ及び半導体装置
US20200373307A1 (en) Integrated Circuity, DRAM Circuitry, Methods Used In Forming Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming DRAM Circuitry
JP2008004715A (ja) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
US10741491B1 (en) Electronic device and method of fabricating the same
JP2006332671A (ja) 相変化記憶素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040616

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040616

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061023

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070214

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070327

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070409

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140427

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees