JP2003110095A5 - - Google Patents
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- 基板上に設けられた１つ以上の半導体デバイスと、その上に設けられ、少なくとも１つの貫通する接触バイアを有するトランジスタ絶縁構造とを備えるトランジスタレベルと、
前記トランジスタ絶縁構造上に設けられた強誘電体デバイスレベルであって、電気接触領域を有する上部電極と、底部電極と、前記上部および底部電極間に設けられた強誘電体材料とを備える少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造を含み、前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の前記上部電極の少なくとも一部上に設けられ、かつ前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の非電気接触領域を、その上に設けられた隣接する電気構造から電気的に絶縁する強誘電体絶縁構造をさらに含み、前記強誘電体絶縁構造は、そこを貫通して延びかつ前記トランジスタ絶縁構造の対応する接触バイアと整列する少なくとも１つのバイアを有し、前記強誘電体絶縁構造を貫通して延びる前記少なくとも１つのバイアは、それと整列する前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有している強誘電体デバイスレベルと、
前記強誘電体デバイスレベル上に設けられた第一の金属レベルと、
前記第一の金属レベル上に設けられたレベル間誘電体レベルと、
前記レベル間誘電体レベル上に設けられた第二の金属レベルと、
を備えることを特徴とする集積回路。 - 前記各接触バイアがそれぞれのタングステン接触プラグで充填されたことを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
- 前記各強誘電体キャパシタ構造がそれぞれのタングステン接触プラグ上に形成されたことを特徴とする請求項２に記載の集積回路。
- 前記強誘電体デバイスレベルと前記トランジスタ絶縁構造間に配線レベルが全く介在しないことを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
- 前記強誘電体絶縁構造を通って延びる前記少なくとも１つの貫通するバイアは、前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有していることを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
- 基板上に設けられた１つ以上の半導体デバイスと、その上に設けられ、少なくとも１つの貫通する接触バイアを有するトランジスタ絶縁構造とを備えるトランジスタレベルを形成するステップと、
前記トランジスタ絶縁構造上に設けられた強誘電体デバイスレベルであって、電気接触領域を有する上部電極と、底部電極と、前記上部および底部電極間に設けられた強誘電体材料とを備える少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造を含み、前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の前記上部電極の少なくとも一部上に設けられ、かつ前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の非電気接触領域を、その上に設けられた隣接する電気構造から電気的に絶縁する強誘電体絶縁構造をさらに含み、前記強誘電体絶縁構造は、そこを貫通して延びかつ前記トランジスタ絶縁構造の対応する接触バイアと整列する少なくとも１つのバイアを有し、前記強誘電体絶縁構造を貫通して延びる前記少なくとも１つのバイアは、それと整列する前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有している強誘電体デバイスレベルを形成するステップと、
前記強誘電体デバイスレベル上に設けられた第一の金属レベルを形成するステップと、
前記第一の金属レベル上に設けられたレベル間誘電体レベルを形成するステップと、
前記レベル間誘電体レベル上に設けられた第二の金属レベルを形成するステップと、
を含むことを特徴とする集積回路を形成するための方法。 - 前記各接触バイアがそれぞれのタングステン接触プラグで充填されたことを特徴とする請求項６に記載の集積回路を形成するための方法。
- 前記各強誘電体キャパシタ構造がそれぞれのタングステン接触プラグ上に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の集積回路を形成するための方法。
- 前記強誘電体デバイスレベルと前記トランジスタ絶縁構造間に配線レベルが全く介在しないことを特徴とする請求項６に記載の集積回路を形成するための方法 。
- 前記強誘電体絶縁構造を通って延びる前記少なくとも１つの貫通するバイアは、前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有していることを特徴とする請求項６に記載の集積回路を形成するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/925214 | 2001-08-08 | ||
| US09/925,214 US6734477B2 (en) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | Fabricating an embedded ferroelectric memory cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003110095A JP2003110095A (ja) | 2003-04-11 |
| JP2003110095A5 true JP2003110095A5 (ja) | 2005-11-04 |
Family
ID=25451394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002232063A Pending JP2003110095A (ja) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | 集積回路およびその形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6734477B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003110095A (ja) |
| KR (1) | KR100901950B1 (ja) |
| DE (1) | DE10228765A1 (ja) |
Families Citing this family (69)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256089B2 (en) * | 2001-09-24 | 2007-08-14 | Intel Corporation | Top electrode barrier for on-chip die de-coupling capacitor and method of making same |
| TWI261892B (en) * | 2001-11-05 | 2006-09-11 | Zycube Co Ltd | Semiconductor device using low-k material and method of fabricating the same |
| KR100561839B1 (ko) * | 2001-11-10 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 커패시터 및 그 제조방법 |
| US6767750B2 (en) * | 2001-12-31 | 2004-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Detection of AIOx ears for process control in FeRAM processing |
| US7535066B2 (en) * | 2002-01-23 | 2009-05-19 | Texas Instruments Incorporated | Gate structure and method |
| US6656748B2 (en) * | 2002-01-31 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | FeRAM capacitor post stack etch clean/repair |
| US6830984B2 (en) * | 2002-02-15 | 2004-12-14 | Lsi Logic Corporation | Thick traces from multiple damascene layers |
| JP2003243630A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Sony Corp | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
| JP4340040B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6746914B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-06-08 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Metal sandwich structure for MIM capacitor onto dual damascene |
| JP4037711B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2008-01-23 | 株式会社東芝 | 層間絶縁膜内に形成されたキャパシタを有する半導体装置 |
| US20040163233A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-26 | Stefan Gernhardt | Methods of forming electrical connections within ferroelectric devices |
| KR100532427B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 |
| JP4319147B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2009-08-26 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004349474A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP3961994B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| KR101001741B1 (ko) * | 2003-08-18 | 2010-12-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조 방법과 커패시터를구비하는 메모리 장치 |
| DE10344018B4 (de) * | 2003-09-15 | 2016-12-22 | Mahle International Gmbh | Kühlsystem eingerichtet für einen Verbrennungsmotor mit einem Heißwasserspeicher |
| CN100442490C (zh) * | 2003-12-16 | 2008-12-10 | 国际商业机器公司 | 减小接触高度的双极型和cmos集成 |
| WO2005067051A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Fujitsu Limited | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| JP4308691B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2009-08-05 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体基板および半導体基板の製造方法 |
| WO2005101508A1 (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-27 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4713286B2 (ja) | 2004-12-03 | 2011-06-29 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7220600B2 (en) * | 2004-12-17 | 2007-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric capacitor stack etch cleaning methods |
| JP4375561B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2009-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JP2006245457A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006261443A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4422644B2 (ja) | 2005-03-30 | 2010-02-24 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4756915B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-08-24 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 強誘電体メモリ装置及びその製造方法 |
| US8405216B2 (en) * | 2005-06-29 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Interconnect structure for integrated circuits |
| JP2007096178A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4778765B2 (ja) | 2005-10-07 | 2011-09-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR101027993B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2011-04-13 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4596167B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2010-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | キャパシタの製造方法 |
| JP5028829B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2012-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
| JP4853057B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2012-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
| KR100814602B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2008-03-17 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100822806B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2008-04-18 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
| US20080185687A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-07 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Memory device and method for fabricating the same |
| KR101109028B1 (ko) | 2007-02-21 | 2012-02-09 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101110802B1 (ko) * | 2007-03-20 | 2012-02-24 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 |
| JP2008270277A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Nec Electronics Corp | 位置ずれ検出パターン、位置ずれ検出方法および半導体装置 |
| US7812384B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including a transistor and a ferroelectric capacitor |
| JP2008300376A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2008277514A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| KR100875161B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2008-12-22 | 주식회사 동부하이텍 | 금속 절연체 금속 캐패시터 제조 방법 |
| US7847374B1 (en) * | 2007-07-06 | 2010-12-07 | Chih-Hsin Wang | Non-volatile memory cell array and logic |
| US20090065842A1 (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Matthew Buynoski | Ta-lined tungsten plugs for transistor-local hydrogen gathering |
| JP5667875B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2015-02-12 | ローム株式会社 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法 |
| US7829923B2 (en) * | 2008-10-23 | 2010-11-09 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction and method of fabrication |
| JP5487625B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2014-05-07 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US8191217B2 (en) * | 2009-08-05 | 2012-06-05 | International Business Machines Corporation | Complimentary metal-insulator-metal (MIM) capacitors and method of manufacture |
| JP2011044660A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8450168B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-05-28 | International Business Machines Corporation | Ferro-electric capacitor modules, methods of manufacture and design structures |
| JP5785523B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2015-09-30 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| FR2993705B1 (fr) * | 2012-07-20 | 2015-05-29 | Thales Sa | Dispositif comportant une pluralite de couches minces |
| JP2014220376A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE112016007550T5 (de) * | 2016-12-27 | 2019-09-26 | Intel Corporation | Amorphe oxid-halbleiter-speicherbauelemente |
| WO2019066967A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Intel Corporation | FERROELECTRIC CAPACITORS WITH BACKSTREAM TRANSISTORS |
| US10748931B2 (en) * | 2018-05-08 | 2020-08-18 | Micron Technology, Inc. | Integrated assemblies having ferroelectric transistors with body regions coupled to carrier reservoirs |
| US11476261B2 (en) | 2019-02-27 | 2022-10-18 | Kepler Computing Inc. | High-density low voltage non-volatile memory with unidirectional plate-line and bit-line and pillar capacitor |
| CN112490357A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 华邦电子股份有限公司 | 半导体组件及其制造方法 |
| US11527277B1 (en) | 2021-06-04 | 2022-12-13 | Kepler Computing Inc. | High-density low voltage ferroelectric memory bit-cell |
| US11832451B1 (en) | 2021-08-06 | 2023-11-28 | Kepler Computing Inc. | High density ferroelectric random access memory (FeRAM) devices and methods of fabrication |
| US20230067612A1 (en) * | 2021-09-02 | 2023-03-02 | Kepler Computing, Inc. | Pocket integration process for embedded memory |
| US11942133B2 (en) | 2021-09-02 | 2024-03-26 | Kepler Computing Inc. | Pedestal-based pocket integration process for embedded memory |
| US11961877B1 (en) | 2021-12-14 | 2024-04-16 | Kepler Computing Inc. | Dual hydrogen barrier layer for trench capacitors integrated with low density film for logic structures |
| US11869928B2 (en) | 2021-12-14 | 2024-01-09 | Kepler Computing Inc. | Dual hydrogen barrier layer for memory devices |
| US11997853B1 (en) | 2022-03-07 | 2024-05-28 | Kepler Computing Inc. | 1TnC memory bit-cell having stacked and folded planar capacitors with lateral offset |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5046043A (en) | 1987-10-08 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | Ferroelectric capacitor and memory cell including barrier and isolation layers |
| JP3322031B2 (ja) * | 1994-10-11 | 2002-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP4167727B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2008-10-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
| US5990507A (en) * | 1996-07-09 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having ferroelectric capacitor structures |
| JP3343055B2 (ja) * | 1996-07-09 | 2002-11-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US6051858A (en) | 1996-07-26 | 2000-04-18 | Symetrix Corporation | Ferroelectric/high dielectric constant integrated circuit and method of fabricating same |
| US5807774A (en) | 1996-12-06 | 1998-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Simple method of fabricating ferroelectric capacitors |
| US5773314A (en) | 1997-04-25 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Plug protection process for use in the manufacture of embedded dynamic random access memory (DRAM) cells |
| US5902131A (en) | 1997-05-09 | 1999-05-11 | Ramtron International Corporation | Dual-level metalization method for integrated circuit ferroelectric devices |
| KR100436056B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 커패시터의 확산장벽막 형성방법 |
| US6586790B2 (en) * | 1998-07-24 | 2003-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2000049301A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP3931445B2 (ja) * | 1998-09-10 | 2007-06-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100267108B1 (ko) * | 1998-09-16 | 2000-10-02 | 윤종용 | 다층배선을구비한반도체소자및그제조방법 |
| US6174735B1 (en) | 1998-10-23 | 2001-01-16 | Ramtron International Corporation | Method of manufacturing ferroelectric memory device useful for preventing hydrogen line degradation |
| KR20000053391A (ko) * | 1999-01-12 | 2000-08-25 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 다이나믹 램 셀을 포함하는 집적 회로 및 집적 회로 형성방법 |
| US6140672A (en) | 1999-03-05 | 2000-10-31 | Symetrix Corporation | Ferroelectric field effect transistor having a gate electrode being electrically connected to the bottom electrode of a ferroelectric capacitor |
| WO2001024237A1 (en) * | 1999-09-28 | 2001-04-05 | Symetrix Corporation | Integrated circuits with barrier layers and methods of fabricating same |
| JP2001210798A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-08-03 | Texas Instr Inc <Ti> | コンデンサ構造の保護のための絶縁性と導電性の障壁の使用 |
-
2001
- 2001-08-08 US US09/925,214 patent/US6734477B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-27 DE DE10228765A patent/DE10228765A1/de not_active Withdrawn
- 2002-08-07 KR KR1020020046457A patent/KR100901950B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-08-08 JP JP2002232063A patent/JP2003110095A/ja active Pending
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