JP2000514243A - 多層膜キャパシタ構造及び方法 - Google Patents
多層膜キャパシタ構造及び方法Info
- Publication number
- JP2000514243A JP2000514243A JP10503681A JP50368198A JP2000514243A JP 2000514243 A JP2000514243 A JP 2000514243A JP 10503681 A JP10503681 A JP 10503681A JP 50368198 A JP50368198 A JP 50368198A JP 2000514243 A JP2000514243 A JP 2000514243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- capacitor
- electrode
- layers
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/306—Stacked capacitors made by thin film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0805—Capacitors only
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.多層キャパシタ構造において、 (a) 基板上に敷かれている下部膜電極層と、 (b) 前記下部電極上に敷かれている膜電極及び膜誘電体材料からなる少なくと も1対の中間層と、 (c) 前記中間層の最も上層の対の上に敷かれている膜電極及び膜誘電体材料か らなる対の上部層を含み、 (d) 前記下部電極が前記中間層の外側まで側方に広がる接続部分を有し、前記 接続部分が第1の上部表面を有し、前記第1の上部表面が回路との接続に適 当な手段を含み、 (e) 前記中間層の内少なくとも1つの電極がその上方にある前記層の外側まで 側方に広がる接続部分を有し、前記接続部分が第2の上部表面を有し、前記 第2の上部表面が回路との接続に適当な手段を含み、 (f) 前記上部電極が第3の上部表面を有し、前記上部表面が回路との接続に適 当な手段を含む、 ことを特徴とするキャパシタ構造。 2.前記少なくとも1対の中間層が前記上部層の全周縁にわたって前記上部層の 外側まで側方に広がり、前記下部電極が前記少なくとも1対の中間層の全周縁 にわたって前記中間層の外側まで側方に広がるように、前記層がメサ構造に集 成されていることを特徴とする請求の範囲第1項記載のキャパシタ構造。 3.複数対の前記中間層があり、複数の前記中間層対のそれぞれにおいて、複数 の前記中間層対のそれぞれの前記電極層がそれより上方にある全ての中間層の 周縁の外側まで側方に広がっていることを特徴とする請求の範囲第2項記載の キャパシタ構造。 4.前記誘電体材料が強誘電体材料であることを特徴とする請求の範囲第1項か ら第3項のいずれかに記載のキャパシタ構造。 5.対の層のそれぞれが、隣接する対の前記電極層とキャパシタを形成し、前記 キャパシタ構造における複数の前記キャパシタが並列接続されていることを特 徴とする請求の範囲第1項から第3項のいずれかに記載のキャパシタ構造。 6.前記誘電体層の内少なくともいくつかが、他の前記誘電体層とは異なる誘電 定数を有することを特徴とする請求の範囲第1項から第3項のいずれかに記載 のキャパシタ構造。 7.前記誘電体層の内少なくともいくつかが、他の前記誘電体層とは異なる周波 数応答特性を有することを特徴とする請求の範囲第1項から第3項のいずれか に記載のキャパシタ構造。 8.前記下部電極がいかなる回路とも接続されず、少なくとも1つの前記中間層 対の前記電極層が回路に接続されることにより、前記下部電極と前記基板との 間の寄生容量の前記接続される回路への影響を低減することを特徴とする請求 の範囲第3項記載のキャパシタ構造。 9.前記下部電極が前記下部電極層に接する前記誘電体層及び前記下部電極層に 接する前記誘電体層に接する前記電極層と、前記構造における残りの層の内少 なくともいくつかにより形成される容量値よりも値の小さいキャパシタを形成 することを特徴とする請求の範囲第8項記載のキャパシタ構造。 10.前記上部及び下部電極層が接地されていることを特徴とする請求の範囲第3 項記載のキャパシタ構造。 11.前記上部及び下部電極層がそれらに隣接する誘電体層及び前記隣接する誘電 体層に接する前記電極層と上部及び下部キャパシタを形成し、前記上部及び下 部キャパシタが前記構造における残りの層の内少なくともいくつかにより形成 される容量値よりも小さい容量値を有することを特徴とする請求の範囲第10 項記載のキャパシタ構造。 12.前記層が少なくとも3つのキャパシタ、すなわち下層キャパシタ、上層キャ パシタ、及び前記下層及び上層キャパシタの間の中間キャパシタを定め、前記 中間キャパシタが前記上層及び下層キャパシタより実質的に小さい容量値を有 し、前記上層及び下層キャパシタにより環境の影響から保護され、前記上層、 下層及び中間キャパシタが直列に集成されるとともに、前記上層及び下層キャ パシタが回路との接続に適当な手段を含むことを特徴とする請求の範囲第2項 または第3項記載のキャパシタ構造。 13.多層キャパシタにおいて、 (1) 基板と、 (2) 前記基板上に形成された複数の独立したキャパシタ構造を含み、 (3) 前記キャパシタ構造のそれぞれが、 (a) 前記基板上に敷かれている下部電極層と、 (b) 前記下部電極上に敷かれた膜電極及び膜誘電体材料かならる少なくとも1 対の中間層と、 (c) 最も上層の中間層対の上に敷かれている膜電極及び膜誘電体材料からなる 上部対を含み、 (d) 前記下部電極が前記中間層の外側まで側方に広がる接続部分を有し、前記 接続部分が第1の上部表面を有し、前記第1の上部表面が回路との接続に適 当な手段を含み、 (e) 前記中間層の内少なくとも1つの電極がその上方にある前記層の外側まで 側方に広がる接続部分を有し、前記接続部分が第2の上部表面を有し、前記 第2の上部表面が回路との接続に適当な手段を含み、 (f) 前記上部電極層が第3の上部表面を有し、前記上部表面が回路との接続に 適当な手段を含み、 (g) 前記少なくとも1対の中間層が前記上部層の全周縁にわたって前記上部層 の外側まで側方に広がり、前記下部電極が前記少なくとも1対の中間層の全 周縁にわたって前記中間層の外側まで側方に広がるように、前記層がメサ構 造に集成されている、 ことを特徴とするキャパシタ。 14.それぞれのキャパシタ構造の電極層の内少なくともいくつかの電極層の前記 基板の上方における位置が、他の前記キャパシタ構造の電極層の前記基板の上 方における位置と一致し、前記キャパシタ構造において一致する電極層の厚さ が全て同じであることを特徴とする請求の範囲第13項記載のキャパシタ。 15.それぞれのキャパシタ構造の前記誘電体層の内少なくともいくつかの誘電体 層の前記基板の上方における位置が、他の前記キャパシタ構造の誘電体層の前 記基板の上方における位置と一致し、前記キャパシタ構造において一致する誘 電体層の厚さが全て同じであることを特徴とする請求の範囲第14項記載のキ ャパシタ。 16.前記膜誘電体材料が強誘電体材料であることを特徴とする請求の範囲第15 項記載のキャパシタ。 17.前記キャパシタ構造の内少なくとも2つの間の接続を含むことを特徴とする 請求の範囲第13項,第14項,第15項または第16項記載のキャパシタ。 18.前記基板上への前記電極層及び前記膜誘電体を被着し、次いで前記基板上の 前記複数の前記キャパシタ構造を形成するため、前記電極層及び前記膜誘電体 を下方進行方式でパターン形成することにより形成されることを特徴とする請 求の範囲第13項,第14項,第15項または第16項記載のキャパシタ。 19.多層膜キャパシタ構造の作成方法において、 (a) 基板を作成し、 (b) 前記基板上に下部膜電極を形成し、 (c) 前記下部電極上に膜電極及び膜誘電体材料からなる複数対の中間層を形成 し、 (d) 前記中間層対上に膜電極及び膜誘電体材料からなる上部層対を形成し、 (e) 前記下部電極、前記上部電極、及び中間層対の前記電極が、前記電極への 電気的接続のために上方から接続するための露出した上部表面を有するよう に前記層を区画する、 工程を含むことを特徴とする方法。 20.前記層の形成後、その一部が選択的に除去されて、前記下部電極層が前記構 造の前記全周縁にわたってその上方にある前記電極層の周縁の外側まで側方に 広がり、前記中間層の前記電極層の内少なくともいくつかが前記構造の前記全 周縁にわたってその上方にある前記電極層の周縁の外側まで側方に広がる、メ サ構造を形成することを特徴とする請求の範囲第19項記載の方法。 21.前記誘電体材料が強誘電体材料であることを特徴とする請求の範囲第20項 記載の方法。 22.前記基板上の複数の前記キャパシタ構造を同時に形成するための、前記層を パターン形成する工程を含むことを特徴とする請求の範囲第19項,第20項 または第21項記載の方法。 23.前記基板上の複数の前記キャパシタ構造を同時に形成するために前記層をパ ターン形成し、次いで前記基板上の異なるキャパシタ構造に異なる接続を形成 する工程を含むことを特徴とする請求の範囲第19項,第20項または第21 項記載の方法。 24.それぞれ面積が初めに選ばれた第1及び第2の電極をそれらの電極の間の誘 電体層とともに有する強誘電体膜キャパシタの電圧による容量変動を低減する 方法において、実質的に直列に集成された積層キャパシタを含むモノリシック 構造を形成するために複数の膜電極層と交互する複数の誘電体材料膜層を有す る多層膜キャパシタ構造を形成し、前記電極層のそれぞれがさらに選ばれた面 積を有し、前記さらに選ばれた面積が前記多層膜キャパシタ構造の前記電極層 の数から1を引いた数にほぼ等しい倍率で前記初めに選ばれた面積より大きい ことを特徴とする方法。 25.それぞれ面積が初めに選ばれた第1及び第2の電極をそれらの電極の間の誘 電体層とともに有する強誘電体膜キャパシタにおいてかなりの漏洩電流が流れ 始める電圧を高める方法において、実質的に直列に集成された積層キャパシタ を含むモノリシック構造を形成するために複数の膜電極層と交互する複数の誘 電体材料膜層を有する多層膜キャパシタ構造を形成し、前記電極層のそれぞれ がさらに選ばれた面積を有し、前記さらに選ばれた面積が前記多層膜キャパシ タ構造の前記電極層の数から1を引いた数にほぼ等しい倍率で前記第1の選ば れた面積より大きいことを特徴とする方法。 26.前記電極層が少なくとも5層存在することを特徴とする請求の範囲第24項 または第25項記載の方法。 27.電気的に直列に集成された積層キャパシタを含むモノリシック構造を形成す るための複数の膜電極層と交互する複数の誘電体材料膜層を含むモノリシック 多層膜キャパシタ構造において、前記キャパシタが下層キャパシタ、上層キャ パシタ、及び前記下層及び上層キャパシタの間の中間キャパシタを含み、前記 中間キャパシタが前記上層及び下層キャパシタよりも実質的に小さい容量値を 有し、前記上層及び下層キャパシタにより環境の影響から保護されており、前 記上層、下層及び中間キャパシタが直列に集成されるとともに、前記上層及び 下層キャパシタが回路との接続に適当な手段を含むことを特徴とするキャパシ タ構造。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/671,057 US5745335A (en) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | Multi-layer film capacitor structures and method |
US08/671,057 | 1996-06-27 | ||
PCT/CA1997/000456 WO1998000871A1 (en) | 1996-06-27 | 1997-06-26 | Multi-layer film capacitor structures and method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009023545A Division JP5225879B2 (ja) | 1996-06-27 | 2009-02-04 | 多層膜キャパシタ構造及び方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000514243A true JP2000514243A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=24692974
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10503681A Ceased JP2000514243A (ja) | 1996-06-27 | 1997-06-26 | 多層膜キャパシタ構造及び方法 |
JP2009023545A Expired - Lifetime JP5225879B2 (ja) | 1996-06-27 | 2009-02-04 | 多層膜キャパシタ構造及び方法 |
JP2012237968A Expired - Lifetime JP5695628B2 (ja) | 1996-06-27 | 2012-10-29 | 多層膜キャパシタ構造及び方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009023545A Expired - Lifetime JP5225879B2 (ja) | 1996-06-27 | 2009-02-04 | 多層膜キャパシタ構造及び方法 |
JP2012237968A Expired - Lifetime JP5695628B2 (ja) | 1996-06-27 | 2012-10-29 | 多層膜キャパシタ構造及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5745335A (ja) |
EP (2) | EP1408537A3 (ja) |
JP (3) | JP2000514243A (ja) |
AU (1) | AU3250097A (ja) |
DE (1) | DE69727809T2 (ja) |
DK (1) | DK0913001T3 (ja) |
WO (1) | WO1998000871A1 (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004095638A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Fujitsu Ltd | 薄膜デカップリングキャパシタとその製造方法 |
JP2005191266A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ装置、電子部品実装構造及びキャパシタ装置の製造方法 |
JP2006511088A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | コンデンサ構成体の製造方法およびコンデンサ構成体 |
JP2006253631A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、キャパシタ構造体及びその製造方法 |
WO2009078225A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 薄膜積層キャパシタの製造方法 |
JP2009182291A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Seiko Npc Corp | 可変容量装置 |
JP2009224565A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7910973B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
US8178861B2 (en) | 2008-10-15 | 2012-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US9070434B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2016527700A (ja) * | 2013-06-13 | 2016-09-08 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 金属絶縁体金属キャパシタ構造 |
KR20170109924A (ko) | 2016-03-22 | 2017-10-10 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
KR20180058462A (ko) | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 삼성전기주식회사 | 박막 커패시터 |
US10153092B2 (en) | 2016-10-11 | 2018-12-11 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor |
US10297389B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-05-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film capacitor having asymmetric shaped vias |
US10319524B2 (en) | 2016-10-11 | 2019-06-11 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor |
US10332682B2 (en) | 2016-09-01 | 2019-06-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film capacitor having vias connected to respective electrode layers |
US10468187B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-11-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film ceramic capacitor having capacitance forming portions separated by separation slit |
US10529495B2 (en) | 2016-10-11 | 2020-01-07 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor |
US10720280B2 (en) | 2016-08-05 | 2020-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film ceramic capacitor having capacitance forming portions separated by separation slit |
WO2021193513A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Tdk株式会社 | コンデンサ部品及びこれを備える電子回路モジュール |
WO2021193512A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ及びこれを備える電子回路モジュール |
WO2022210551A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | アイソレータ、絶縁モジュールおよびゲートドライバ |
JP7385949B2 (ja) | 2021-11-08 | 2023-11-24 | ウィズメムズ カンパニー リミテッド | トレンチキャパシタ及びその製造方法 |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6079089A (en) * | 1997-06-10 | 2000-06-27 | Usf Filtration And Separations Group, Inc. | Method of making a capacitor |
US5978206A (en) * | 1997-09-30 | 1999-11-02 | Hewlett-Packard Company | Stacked-fringe integrated circuit capacitors |
US6727535B1 (en) | 1998-11-09 | 2004-04-27 | Paratek Microwave, Inc. | Ferroelectric varactor with built-in DC blocks |
EP1135825B1 (en) * | 1998-11-09 | 2005-04-27 | Paratek Microwave, Inc. | Ferroelectric varactor with built-in dc blocks |
ATE337606T1 (de) * | 1999-04-09 | 2006-09-15 | St Microelectronics Nv | Schichtförmige kondensatorvorrichtung |
SE513809C2 (sv) * | 1999-04-13 | 2000-11-06 | Ericsson Telefon Ab L M | Avstämbara mikrovågsanordningar |
JP3701138B2 (ja) * | 1999-04-23 | 2005-09-28 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
FR2801425B1 (fr) * | 1999-11-18 | 2004-05-28 | St Microelectronics Sa | Capacite integree a dielectrique hybride |
US6370013B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-04-09 | Kyocera Corporation | Electric element incorporating wiring board |
US6801422B2 (en) * | 1999-12-28 | 2004-10-05 | Intel Corporation | High performance capacitor |
US6724611B1 (en) * | 2000-03-29 | 2004-04-20 | Intel Corporation | Multi-layer chip capacitor |
US6411494B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-06-25 | Gennum Corporation | Distributed capacitor |
US6970362B1 (en) | 2000-07-31 | 2005-11-29 | Intel Corporation | Electronic assemblies and systems comprising interposer with embedded capacitors |
US6611419B1 (en) | 2000-07-31 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Electronic assembly comprising substrate with embedded capacitors |
US6775150B1 (en) * | 2000-08-30 | 2004-08-10 | Intel Corporation | Electronic assembly comprising ceramic/organic hybrid substrate with embedded capacitors and methods of manufacture |
US7327582B2 (en) * | 2000-09-21 | 2008-02-05 | Ultrasource, Inc. | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
US6890629B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-05-10 | Michael D. Casper | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
WO2002025709A2 (en) | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Casper Michael D | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
US6549396B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-04-15 | Gennum Corporation | Multiple terminal capacitor structure |
US6577492B2 (en) | 2001-07-10 | 2003-06-10 | 3M Innovative Properties Company | Capacitor having epoxy dielectric layer cured with aminophenylfluorenes |
JP2003060054A (ja) | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Rohm Co Ltd | 強誘電体キャパシタを有する半導体装置 |
US7425877B2 (en) * | 2001-09-21 | 2008-09-16 | Ultrasource, Inc. | Lange coupler system and method |
US6998696B2 (en) * | 2001-09-21 | 2006-02-14 | Casper Michael D | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
US8569142B2 (en) * | 2003-11-28 | 2013-10-29 | Blackberry Limited | Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same |
DE102004026232B4 (de) * | 2004-05-28 | 2006-05-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ausbilden einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung |
JP2006108291A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置 |
FR2881567A1 (fr) * | 2005-02-01 | 2006-08-04 | Commissariat Energie Atomique | Condensateur a champ de claquage eleve |
JP2006228828A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Seiko Npc Corp | キャパシタを有する半導体装置 |
JP4928748B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2012-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102005044330A1 (de) | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Epcos Ag | Abstimmbarer Kondensator und Schaltung mit einem solchen Kondensator |
DE102005056906B4 (de) * | 2005-11-29 | 2010-01-07 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltungsanordnung mit in Reihe geschalteten Kondensatoren und Verwendung |
WO2008029361A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Nxp B.V. | Integrated circuit and use thereof |
JP4889512B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-03-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US8467169B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-06-18 | Research In Motion Rf, Inc. | Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation |
US7936553B2 (en) * | 2007-03-22 | 2011-05-03 | Paratek Microwave, Inc. | Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation |
JP2008277546A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US7981759B2 (en) * | 2007-07-11 | 2011-07-19 | Paratek Microwave, Inc. | Local oxidation of silicon planarization for polysilicon layers under thin film structures |
US20090230446A1 (en) | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Technology Alliance Group, Inc. | Semiconductor device and bypass capacitor module |
US8680649B2 (en) * | 2008-08-22 | 2014-03-25 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Multi-layer film capacitor with tapered film sidewalls |
US8242375B2 (en) * | 2008-09-18 | 2012-08-14 | United Technologies Corporation | Conductive emissions protection |
US8194387B2 (en) | 2009-03-20 | 2012-06-05 | Paratek Microwave, Inc. | Electrostrictive resonance suppression for tunable capacitors |
JP5267268B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-08-21 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
US9908817B2 (en) | 2009-06-02 | 2018-03-06 | Uchicago Argonne, Llc | Multilayer capacitors, method for making multilayer capacitors |
RU2443033C1 (ru) * | 2010-12-24 | 2012-02-20 | Владимир Андреевич Степанец | Способ управления емкостью электрического конденсатора и конденсатор переменной емкости на основе этого способа |
US8842411B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-09-23 | Pacesetter, Inc. | RF trapezoidal capacitor based EMI feedthru filter assembly |
US9082555B2 (en) | 2011-08-22 | 2015-07-14 | Micron Technology, Inc. | Structure comprising multiple capacitors and methods for forming the structure |
KR20130070153A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 캐패시터, 레지스터, 메모리 시스템 및 이들의 제조 방법 |
US10133420B2 (en) * | 2012-06-09 | 2018-11-20 | Visteon Global Technologies, Inc. | Capacitive sensor arrangement and touch-sensitive screen having a capacitive sensor arrangement |
US9299498B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-03-29 | Eulex Corp. | Miniature wire-bondable capacitor |
KR101537717B1 (ko) * | 2013-09-17 | 2015-07-20 | 신유선 | 임베디드용 적층 세라믹 캐패시터 및 임베디드용 적층 세라믹 캐패시터의 제조 방법 |
US20150125342A1 (en) * | 2013-11-06 | 2015-05-07 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Controlled Retention and Removal of Biomaterials and Microbes |
CN103745828B (zh) * | 2013-11-25 | 2016-09-28 | 大连天壹电子有限公司 | 干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法 |
FR3022072B1 (fr) | 2014-06-10 | 2017-08-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electrique multicouches |
US20160181233A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-23 | Qualcomm Incorporated | Metal-insulator-metal (mim) capacitors arranged in a pattern to reduce inductance, and related methods |
JP2016162904A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10115527B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-10-30 | Blackberry Limited | Thin film dielectric stack |
EP3262680B1 (en) * | 2015-06-15 | 2019-08-21 | SanDisk Technologies LLC | Passive devices for integration with three-dimensional memory devices |
US9673271B2 (en) * | 2015-10-12 | 2017-06-06 | Qorvo Us, Inc. | Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same |
US10297658B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-05-21 | Blackberry Limited | Method and apparatus for a thin film dielectric stack |
JP2018073888A (ja) * | 2016-10-25 | 2018-05-10 | 大日本印刷株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
US10896950B2 (en) | 2017-02-27 | 2021-01-19 | Nxp Usa, Inc. | Method and apparatus for a thin film dielectric stack |
US10497774B2 (en) | 2017-10-23 | 2019-12-03 | Blackberry Limited | Small-gap coplanar tunable capacitors and methods for manufacturing thereof |
US10332687B2 (en) | 2017-10-23 | 2019-06-25 | Blackberry Limited | Tunable coplanar capacitor with vertical tuning and lateral RF path and methods for manufacturing thereof |
US10923286B2 (en) * | 2018-02-21 | 2021-02-16 | Nxp Usa, Inc. | Method and apparatus for compensating for high thermal expansion coefficient mismatch of a stacked device |
JP6988688B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2022-01-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US10615294B2 (en) * | 2018-06-13 | 2020-04-07 | Qualcomm Incorporated | Variable capacitor |
US11004614B2 (en) | 2018-12-06 | 2021-05-11 | International Business Machines Corporation | Stacked capacitors for use in integrated circuit modules and the like |
CN111788649A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-10-16 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电容器及其制作方法 |
TWI744183B (zh) * | 2021-02-01 | 2021-10-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 電容單元及其製造方法 |
US20230103003A1 (en) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | International Business Machines Corporation | Ferroelectric and paraelectric stack capacitors |
US11869725B2 (en) * | 2021-11-30 | 2024-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Multi-stacked capacitor |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4470099A (en) * | 1982-09-17 | 1984-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated capacitor |
JPH0682783B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1994-10-19 | 三菱電機株式会社 | 容量およびその製造方法 |
US4827323A (en) * | 1986-01-07 | 1989-05-02 | Texas Instruments Incorporated | Stacked capacitor |
JPH01120858A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路装置 |
JP2630421B2 (ja) * | 1988-04-30 | 1997-07-16 | 富士通株式会社 | 集積回路装置の製造方法 |
US4914546A (en) * | 1989-02-03 | 1990-04-03 | Micrel Incorporated | Stacked multi-polysilicon layer capacitor |
JPH0312909A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フィルムコンデンサ |
JPH0334580A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | 電子部品 |
JPH04111462A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH04207011A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Toshiba Corp | 薄膜コンデンサ部品 |
US5206788A (en) * | 1991-12-12 | 1993-04-27 | Ramtron Corporation | Series ferroelectric capacitor structure for monolithic integrated circuits and method |
JPH0613258A (ja) * | 1991-12-20 | 1994-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜積層コンデンサのパターン形成方法 |
US5191510A (en) * | 1992-04-29 | 1993-03-02 | Ramtron International Corporation | Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices |
US5367430A (en) * | 1992-10-21 | 1994-11-22 | Presidio Components, Inc. | Monolithic multiple capacitor |
JPH06231991A (ja) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜積層コンデンサの製造方法 |
JPH0745786A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Tdk Corp | 複合集積回路部品 |
JP3190177B2 (ja) * | 1993-06-01 | 2001-07-23 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型セラミックチップコンデンサの製造方法 |
CN1030158C (zh) * | 1993-09-14 | 1995-10-25 | 山东大学 | 多层高压大容量陶瓷电容器及其包封方法和包封专用模具 |
US5414588A (en) * | 1993-09-20 | 1995-05-09 | The Regents Of The University Of California | High performance capacitors using nano-structure multilayer materials fabrication |
JPH07245232A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
US5457598A (en) * | 1994-04-08 | 1995-10-10 | Radford; Kenneth C. | High capacitance thin film capacitor |
JPH07283076A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | キャパシタ |
-
1996
- 1996-06-27 US US08/671,057 patent/US5745335A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-26 AU AU32500/97A patent/AU3250097A/en not_active Abandoned
- 1997-06-26 EP EP03078542A patent/EP1408537A3/en not_active Withdrawn
- 1997-06-26 DK DK97928073T patent/DK0913001T3/da active
- 1997-06-26 EP EP97928073A patent/EP0913001B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-26 JP JP10503681A patent/JP2000514243A/ja not_active Ceased
- 1997-06-26 DE DE1997627809 patent/DE69727809T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-26 WO PCT/CA1997/000456 patent/WO1998000871A1/en active IP Right Grant
-
2009
- 2009-02-04 JP JP2009023545A patent/JP5225879B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-10-29 JP JP2012237968A patent/JP5695628B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004036607A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-04-29 | Fujitsu Limited | 薄膜キャパシタとその製造方法 |
CN100437849C (zh) * | 2002-08-29 | 2008-11-26 | 富士通株式会社 | 薄膜电容器及其制造方法 |
JP2004095638A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Fujitsu Ltd | 薄膜デカップリングキャパシタとその製造方法 |
US8008161B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-08-30 | Infineon Technologies Ag | Capacitor assemblies |
JP2006511088A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | コンデンサ構成体の製造方法およびコンデンサ構成体 |
JP2005191266A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ装置、電子部品実装構造及びキャパシタ装置の製造方法 |
JP2006253631A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、キャパシタ構造体及びその製造方法 |
WO2009078225A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 薄膜積層キャパシタの製造方法 |
US8343361B2 (en) | 2007-12-14 | 2013-01-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing a thin film laminated capacitor |
JP4930602B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-05-16 | 株式会社村田製作所 | 薄膜積層キャパシタの製造方法 |
JP2009182291A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Seiko Npc Corp | 可変容量装置 |
US7910973B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
JP2009224565A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4660566B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2011-03-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8178861B2 (en) | 2008-10-15 | 2012-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US9070434B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2016527700A (ja) * | 2013-06-13 | 2016-09-08 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 金属絶縁体金属キャパシタ構造 |
KR20170109924A (ko) | 2016-03-22 | 2017-10-10 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
US10553363B2 (en) | 2016-03-22 | 2020-02-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having via electrode and method of manufacturing the same |
US10297389B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-05-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film capacitor having asymmetric shaped vias |
US10720280B2 (en) | 2016-08-05 | 2020-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film ceramic capacitor having capacitance forming portions separated by separation slit |
US10468187B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-11-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film ceramic capacitor having capacitance forming portions separated by separation slit |
US10332682B2 (en) | 2016-09-01 | 2019-06-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film capacitor having vias connected to respective electrode layers |
US10319524B2 (en) | 2016-10-11 | 2019-06-11 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor |
US10529495B2 (en) | 2016-10-11 | 2020-01-07 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor |
US10153092B2 (en) | 2016-10-11 | 2018-12-11 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor |
KR20180058462A (ko) | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 삼성전기주식회사 | 박막 커패시터 |
WO2021193512A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ及びこれを備える電子回路モジュール |
WO2021193513A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Tdk株式会社 | コンデンサ部品及びこれを備える電子回路モジュール |
WO2022210551A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | アイソレータ、絶縁モジュールおよびゲートドライバ |
JP7385949B2 (ja) | 2021-11-08 | 2023-11-24 | ウィズメムズ カンパニー リミテッド | トレンチキャパシタ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5745335A (en) | 1998-04-28 |
AU3250097A (en) | 1998-01-21 |
JP5695628B2 (ja) | 2015-04-08 |
DE69727809D1 (de) | 2004-04-01 |
JP5225879B2 (ja) | 2013-07-03 |
EP0913001B1 (en) | 2004-02-25 |
JP2009152621A (ja) | 2009-07-09 |
WO1998000871A1 (en) | 1998-01-08 |
DK0913001T3 (da) | 2004-06-28 |
EP1408537A3 (en) | 2004-07-07 |
EP1408537A2 (en) | 2004-04-14 |
DE69727809T2 (de) | 2005-01-13 |
EP0913001A1 (en) | 1999-05-06 |
JP2013055344A (ja) | 2013-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000514243A (ja) | 多層膜キャパシタ構造及び方法 | |
US6297524B1 (en) | Multilayer capacitor structure having an array of concentric ring-shaped plates for deep sub-micron CMOS | |
US6410954B1 (en) | Multilayered capacitor structure with alternately connected concentric lines for deep sub-micron CMOS | |
JP3207110B2 (ja) | コンデンサとその形成方法 | |
US6570210B1 (en) | Multilayer pillar array capacitor structure for deep sub-micron CMOS | |
US5825073A (en) | Electronic component for an integrated circuit | |
US5978206A (en) | Stacked-fringe integrated circuit capacitors | |
US6781185B2 (en) | Semiconductor high dielectric constant decoupling capacitor structures and process for fabrication | |
US6391707B1 (en) | Method of manufacturing a zero mask high density metal/insulator/metal capacitor | |
US8680649B2 (en) | Multi-layer film capacitor with tapered film sidewalls | |
WO2001078093A2 (en) | Distributed capacitor | |
US20060228855A1 (en) | Capacitor with co-planar electrodes | |
JP2830845B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH07302888A (ja) | 半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造 | |
US5539613A (en) | Compact semiconductor device including a thin film capacitor of high reliability | |
JPH0685193A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6074470A (ja) | 半導体装置 | |
US6046467A (en) | Semiconductor device having capacitor | |
JPH0888334A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2875777B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2926050B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005528800A (ja) | セル群内におけるメモリーセルの可変キャパシタンス | |
KR950010874B1 (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 형성방법 | |
JPH09205179A (ja) | 薄膜回路素子およびその製造方法 | |
JPH11251554A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080311 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080428 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080411 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080519 |
|
A313 | Final decision of rejection without a dissenting response from the applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A313 Effective date: 20080722 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080930 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090105 |
|
A72 | Notification of change in name of applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A721 Effective date: 20090105 |