JP4889512B2

JP4889512B2 - 半導体集積回路装置

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Publication number: JP4889512B2
Application number: JP2007011745A
Authority: JP
Inventors: 敦黒川
Original assignee: Renesas Electronics Corp
Current assignee: Renesas Electronics Corp
Priority date: 2007-01-22
Filing date: 2007-01-22
Publication date: 2012-03-07
Anticipated expiration: 2019-09-28
Also published as: JP2007103977A

Description

本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、前記半導体集積回路装置の小型化に適用して有効な技術に関するものである。

従来、携帯電話機に代表される携帯端末の小型化、低価格化を実現するために、前記携帯端末用高周波デバイスとして、トランジスタ、インダクタ、容量素子、抵抗素子等を１つのＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）チップ上に形成したモノリシックマイクロ波集積回路（Monolithic Microwave IC、以下ＭＭＩＣという）が用いられている。

前記ＭＭＩＣに形成される容量素子には、たとえば、ＧａＡｓのような半導体基板上にアルミニウム（Ａｌ）膜などで下部電極を形成し、その下部電極上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成される窒化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜などの容量絶縁膜、および金属膜の上部電極を積層した、いわゆるＭＩＭ構造のものがあげられる。以下、前記ＭＩＭ構造の容量素子を、ＭＩＭ容量という。

前記ＭＩＭ容量は、たとえば、携帯電話機の受信系回路における電源電圧の平滑化、雑音指数の劣化を防ぐためのバイパスコンデンサとして用いられる（たとえば、非特許文献１を参照。）。

前記ＭＩＭ容量で用いられる容量絶縁膜の比誘電率は、酸化シリコン膜では４．５程度、窒化シリコン膜では７〜８程度であり、厚さが５００オングストローム〜２０００オングストローム程度であるため、前記ＧａＡｓ基板上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（以下、容量密度と称する）は１００ｐＦ／ｍｍ^２〜４００ｐＦ／ｍｍ^２程度になる。そのため、前記ＭＭＩＣ等のチップ上における前記ＭＩＭ容量の占有面積が大きくなり、たとえば、携帯電話機の受信系回路に使用されるＭＭＩＣでは、前記ＭＩＭ容量の占有面積が、チップの回路形成面の面積の３０％から５０％を占めている。

そのため、前記ＭＭＩＣを小型化するには、前記ＭＩＭ容量の容量密度を高くして、前記ＭＩＭ容量の形成面積を縮小するのが一番効率的である。
中塚忠良、"携帯電話用低雑音ＧａＡｓＩＣ"、応用物理、第６７巻、第４号、４６２−４６６，１９９８

しかしながら、前記従来の技術では、上記のように、前記ＭＩＭ容量の容量密度が小さいので、前記ＭＭＩＣ等のチップ上における前記ＭＩＭ容量の形成面積を大きくしなければならない。そのため、チップサイズそのものが大きくなり、製造コスト（チップ原価）が高くなるという問題があった。

また、前記ＭＩＭ容量の容量密度を高くするために、容量絶縁膜の薄膜化が進んでいるが、前記容量絶縁膜を薄くしすぎると絶縁破壊を起こすため、前記ＭＩＭ容量の容量密度を高くすることが難しいという問題があった。そのため、前記ＭＩＭ容量の容量密度を高くして、前記ＭＭＩＣ等のチップ上における前記ＭＩＭ容量の形成面積を縮小することが難しく、前記ＭＩＭ容量を有するＭＭＩＣのチップサイズの小型化が難しいという問題があった。

本発明の目的は、ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置を小型化することが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ＭＩＭ構造の容量素子の、半導体基板上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を向上させることが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置を小型化し、前記半導体集積回路装置の製造コストを低減させることが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。

（１）半導体基板上に、第１金属膜、第１絶縁膜、第２金属膜、第２絶縁膜、および第３金属膜を順次積層してなる容量素子を有する半導体集積回路装置であって、前記第１金属膜と前記第３金属膜が電気的に接続され、前記第１金属膜、前記第１絶縁膜、および前記第２金属膜からなる第１容量と、前記第２金属膜、前記第２絶縁膜、および前記第３金属膜からなる第２容量が並列に接続されており、前記第２容量の容量として機能する第２容量真性部が、前記第１容量の容量として機能する第１容量真性部の内側に設けられており、前記第１金属膜には、前記第１金属膜の引き出し用配線と接続するための領域である第１配線接続部が設けられており、前記第２金属膜には、前記第２金属膜の引き出し用配線と接続するための領域である第２配線接続部が設けられており、前記第１配線接続部は、その平面形状において、前記第１容量真性部および前記第２容量真性部の外側に設けられ、かつ、前記第２金属膜および前記第３金属膜の外側に設けられており、前記第２配線接続部は、その平面形状において、前記第１容量真性部および前記第２容量真性部の外側に設けられている半導体集積回路装置。

（２）半導体基板上に形成された容量素子を有する半導体集積回路装置であって、前記半導体基板上に形成された第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜に形成され、かつ、前記第１金属膜と接続する第１開口部と、前記第１開口部内の前記第１金属膜上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上および前記第１層間絶縁膜上に形成された第２金属膜と、前記第１層間絶縁膜上および前記第２金属膜上に形成された第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜に形成され、かつ、前記第２金属膜と接続する第２開口部と、前記第２開口部内の前記第２金属膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成された第３金属膜と、を有し、
前記第１金属膜、前記第１絶縁膜、および前記第２金属膜は、前記容量素子の第１容量を構成しており、前記第２金属膜、前記第２絶縁膜、および前記第３金属膜は、前記容量素子の第２容量を構成しており、前記第１層間絶縁膜には、前記第１金属膜と接続する第１スルーホールが設けられており、前記第２層間絶縁膜には、前記第２金属膜と接続する第２スルーホールが設けられており、前記第２開口部は、その平面形状において、前記第１開口部の内側に設けられており、前記第１スルーホールは、その平面形状において、前記第１開口部および前記第２開口部の外側に設けられており、前記第２スルーホールは、その平面形状において、前記第１開口部および前記第２開口部の外側に設けられている半導体集積回路装置。

（３）前記（２）の半導体集積回路装置において、前記第１金属膜と前記第３金属膜とは電気的に接続しており、前記第１容量と前記第２容量とが並列接続されている半導体集積回路装置。

（４）前記（３）の半導体集積回路装置において、更に、前記第２層間絶縁膜上および前記第３金属膜上に形成された第１保護膜と、前記第１保護膜に形成され、かつ、前記第３金属膜と接続する第３開口部と、前記第１保護膜上に形成され、かつ、前記第３金属膜と電気的に接続する第４金属膜とを有し、前記第１保護膜には、前記第１スルーホール上に設けられた第３スルーホールが設けられており、前記第４金属膜は、前記第１スルーホールおよび前記第３スルーホールを介して、前記第１金属膜と電気的に接続している半導体集積回路装置。

（５）前記（４）の半導体集積回路装置において、前記第１スルーホール内には、前記第２金属膜が形成される工程と同工程で形成された金属膜が形成されている半導体集積回路装置。

（６）前記（４）または（５）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記第２スルーホールおよび前記第３スルーホール内には、前記第４金属膜が形成される工程と同工程で形成された金属膜が形成されている半導体集積回路装置。

（７）前記（１）乃至（６）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記第１金属膜は、金を含む膜である半導体集積回路装置。

（８）前記（１）乃至（６）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記第１金属膜は、アルミニウムを含む膜である半導体集積回路装置。

（９）前記（１）乃至（８）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記第２金属膜は、金を含む膜である半導体集積回路装置。

（１０）前記（１）乃至（９）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記第３金属膜は、金を含む膜である半導体集積回路装置。

（１１）前記（１）乃至（１０）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記第１絶縁膜は、窒化シリコン膜を含む膜である半導体集積回路装置。

（１２）前記（１）乃至（１１）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記第２絶縁膜は、窒化シリコン膜を含む膜である半導体集積回路装置。

（１３）前記（１）乃至（１２）のいずれかの半導体集積回路装置において、前記半導体基板は、ＧａＡｓである半導体集積回路装置。

本発明の半導体集積回路装置によれば、ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置を小型化することができる。

また、本発明の半導体集積回路装置によれば、ＭＩＭ構造の容量素子を半導体基板上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を向上させることができる。

またさらに、本発明によれば、ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置を小型化でき、前記半導体集積回路装置の製造コストを低減させることができる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図１および図２は、本発明による実施例１のＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図および模式断面図であり、図１は半導体集積回路装置に搭載されるＭＩＭ構造の容量素子の平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図である。なお、図１の平面図では、半導体集積回路装置のうちの、ＭＩＭ構造の容量素子（以下、ＭＩＭ容量という）が形成された部分の概略構成を、半導体集積回路装置の表面に形成された表面保護膜を省略して示している。
図１および図２において、１はＧａＡｓ基板、２は絶縁膜、３はＭＩＭ容量の第１電極、３Ａは第１電極３の配線接続部、４は第１層間絶縁膜、５は第１容量絶縁膜、６はＭＩＭ容量の第２電極、７は引き出し線、８は第２層間絶縁膜、９は第２容量絶縁膜、１０はＭＩＭ容量の第３電極、１１は第１保護膜、１２は第１金属配線、１３は第２金属配線、１４は表面保護膜、ＣＯ１は第１容量開口部、ＣＯ２は第２容量開口部、ＴＨ１は第１スルーホール、ＴＨ２は第２スルーホール、ＴＨ３は第３スルーホール、ＴＨ４は第４スルーホールである。なお、図１において、第１スルーホールＴＨ１と第３スルーホールＴＨ３は重なっており、第１金属配線１２の外周と第１電極３の外周の一部は重なっている。

実施例１のＭＩＭ容量は、たとえば、図１および図２に示すように、トランジスタやインダクタ（図示しない）が形成されたＧａＡｓ基板１上に、金属膜からなる第１電極３、絶縁膜からなる第１容量絶縁膜５、金属膜からなる第２電極６、絶縁膜からなる第２容量絶縁膜９、および金属膜からなる第３電極１０が積層されており、第１電極３、第１容量絶縁膜５、および第２電極６により構成される第１容量と、第２電極６、第２容量絶縁膜９、および第３電極１０により構成される第２容量とが、ＧａＡｓ基板１上に積層された２段構成になっている。実施例１では、たとえば、第１電極３としてモリブデン（Ｍｏ）膜およびアルミニウム（Ａｌ）膜の積層膜、前記第２電極６および第３電極１０としてモリブデン（Ｍｏ）膜、金（Ａｕ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜の積層膜、前記第１容量絶縁膜５および第２容量絶縁膜９として酸化シリコン膜、窒化シリコン膜の積層膜を用いる。前記第１容量絶縁膜５および第２容量絶縁膜９は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜の積層膜などでもよい。

前記ＭＩＭ容量の第１容量は、ＧａＡｓ基板１上に形成された第１電極３と、第１電極３上に形成された第１層間絶縁膜４の第１容量開口部ＣＯ１およびその周辺に形成された第１容量絶縁膜５と、第２電極６により構成されている。前記第２容量は、前記第２電極６と、前記第２電極６上に形成された第２層間絶縁膜８の第２容量開口部ＣＯ２およびその周辺に形成された第２容量絶縁膜９と、第３電極１０により構成されている。前記第１容量および前記第２容量において、実際に容量として機能する領域（以下、容量真性部と称する）は、それぞれの層間絶縁膜の容量開口部の内部のみである。

第２層間絶縁膜８の第２容量開口部ＣＯ２は、図１に示すように、第１層間絶縁膜４の第１容量開口部ＣＯ１より小さく、かつ、第１容量開口部ＣＯ１の内側に形成されている。すなわち、前記第２容量の容量真性部は、前記第１容量の容量真性部より小さく、前記第１容量の容量真性部の内側に形成されている。

第３電極１０上に形成された第１保護膜１１には、第２スルーホールＴＨ２が開口されており、第３電極１０と、ＧａＡｓ基板１上に形成されたトランジスタやインダクタなどの素子とを接続する第１金属配線１２が形成されている。第２スルーホールＴＨ２は、図１に示すように、第２容量開口部ＣＯ２よりも小さく、かつ、第２容量開口部ＣＯ２の内側に形成される。

第１電極３は、第２電極６および第３電極１０と重ならない位置に引き出された配線接続部３Ａを有し、第１電極３の配線接続部３Ａ上の第１層間絶縁膜４を開口した第１スルーホールＴＨ１に形成された引き出し線７により、第１層間絶縁膜４上に引き出されている。引き出し線７は、引き出し線７上の第２層間絶縁膜８および第１保護膜１１を開口した第３スルーホールＴＨ３を介して、第１金属配線１２と接続している。

一方、第２電極６は、第１電極３の配線接続部３Ａおよび第３電極１０と重ならない位置に引き出された配線接続部６Ａを有し、第２電極の配線接続部６Ａ上の第２層間絶縁膜８および第１保護膜１１を開口した第４スルーホールＴＨ４を介して、第１保護膜１１上に形成された第２金属配線１３と接続される。第２金属配線１３は、ＧａＡｓ基板１上に形成されたトランジスタやインダクタ等であって、第１金属配線１２により接続されると素子は異なる素子と接続される。すなわち、ＧａＡｓ基板１上に積層された第１容量と第２容量は、第１金属配線１２と第２金属配線１３との間に並列に接続されている。

前記ＭＩＭ容量が形成されたＧａＡｓ基板１の表面は、第２保護膜（表面保護膜）１４が形成され、前記ＭＩＭ容量を含む他の素子および金属配線の保護をしている。

図３乃至図５は、実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の各製造工程における平面図である。

以下、実施例１のＭＩＭ容量の製造方法について、図３乃至図５に沿って簡単に説明する。なお、実施例１のＭＩＭ容量を有する半導体集積回路装置には、トランジスタ、抵抗等の素子も形成されているが、それらの製造方法については省略する。また、図３乃至図５の断面の構成については図２の模式断面図を参照するものとする。

まず、トランジスタや抵抗等の素子が形成されたＧａＡｓ基板１上に、絶縁膜２を形成した後、図３に示すように、リフトオフ法を用いて、配線接続部３Ａが設けられた第１電極３を形成する。第１電極３は、ＧａＡｓ基板１との接着性を良くするために、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）膜、およびアルミニウム（Ａｌ）膜を順次積層して形成する。絶縁膜２は、たとえば、厚さ約０．５ミクロンのシリコン酸化膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成する。また、絶縁膜２はリン（Ｐ）を含んだＰＳＧ（Phospho Silicate Grass）膜であっても良い。

次に、図４に示すように、第１層間絶縁膜４を形成し、エッチングにより第１層間絶縁膜４に、第１電極３上の第１容量開口部ＣＯ１、および第１電極３の配線接続部３Ａ上の第１スルーホールＴＨ１を開口し、第１容量開口部ＣＯ１およびその周辺に窒化シリコン膜、シリコン酸化膜からなる第１容量絶縁膜５を形成した後、配線接続部６Ａを持つ第２電極６および第１スルーホールＴＨ１内の引き出し線７を形成する。このとき、第２電極６の配線接続部６Ａは、たとえば、図４に示すように、第１電極３の配線接続部３Ａと重ならない位置に形成する。

第１層間絶縁膜４は、たとえば、厚さ約０．８ミクロンのＰＳＧ膜をＣＶＤ法により形成する。また、第１層間絶縁膜４はシリコン酸化膜であっても良い。第１容量絶縁膜５は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜を、ＰＣＶＤ（Plasma CVD）法により順次積層した後、エッチングして形成する。第２電極６および引出し線７は、たとえば、Ｍｏ膜、Ａｕ膜、Ｍｏ膜を順次積層した後、同時にエッチングして所望のパターンに形成する。

次に、図５に示すように、全面に第２層間絶縁膜８を形成し、エッチングにより第２層間絶縁膜８に、第２電極６上の第２容量開口部ＣＯ２を開口し、第２容量開口部ＣＯ２およびその周辺に第２容量絶縁膜９を形成した後、第３電極１０を形成する。第２容量開口部ＣＯ２は、第１層間絶縁膜４に形成した第１容量開口部ＣＯ１よりも小さくし、第１容量開口部ＣＯ１の内側に形成する。すなわち、第２容量開口部ＣＯ２内の第２電極６、第２容量絶縁膜９、および第３電極１０により構成される第２容量の容量真性部が、第１容量開口部ＣＯ１内の第１電極３、第１容量絶縁膜５、および第２電極６により構成される第１容量の容量真性部の内側に形成されるようにする。

第２層間絶縁膜８は、たとえば、厚さ約０．５ミクロンのＰＳＧ膜をＣＶＤ法により形成する。また、第２層間絶縁膜８はシリコン酸化膜であっても良い。第２容量絶縁膜９は酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の積層膜で、ＰＣＶＤ法により順次積層した後、エッチングして形成する。第３電極１０は、たとえば、Ｍｏ膜、Ａｕ膜、Ｍｏ膜を順次積層した後、エッチングして形成する。

このとき、第３電極１０の外周部が、第２電極６の外周部、特に第２電極６の配線接続部６Ａの外周部と平面的に交わらないように形成する。

次に、全面に第１保護膜１１を形成した後、エッチングにより第３電極１０上の配線接続用の第２スルーホールＴＨ２、引き出し線７上の第３スルーホールＴＨ３、第２電極６の配線接続部６Ａ上の第４スルーホールＴＨ４を形成した後、第３電極１０および第１電極３から引き出された引き出し線７をＧａＡｓ基板１上に形成された他の素子と接続する第１金属配線１２、および第２電極６とＧａＡｓ基板１上に形成された他の素子とを接続する第２金属配線１３を形成する。第１保護膜１１は、たとえば、耐湿性の高い窒化シリコン膜などで形成する。第１金属配線１２および第２金属配線１３は、たとえば、Ｍｏ膜、Ａｕ膜を順次積層した後、エッチングして形成する。

図６は、実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の作用効果を説明するための図であり、Ｘは第３電極１０の外周と第２電極６の交差部である。

第３電極１０を形成したときに、たとえば、図６に示すように、第３電極１０の外周と第２電極６の配線接続部６Ａ付近の外周に平面的な交差部Ｘができると、第２電極６の側面の段差部で生じるエッチ残りにより、第２電極６と第３電極１０がショート不良を起こす可能性がある。すなわち、後の工程で第２電極６の配線接続部６Ａ上に形成される第４スルーホールＴＨ４が、図６に示すような合わせずれにより配線接続部６Ａからずれ落ちた場合、第２金属配線１３と第３電極１０がショートする。その結果、第２電極６と第３電極１０がショートする。そのため、図５に示したように、第３電極１０の外周部が第２電極６の外周部と交わらないようにする。

最後に、ポリイミド樹脂などで厚さ約２ミクロンの表面保護膜１４を形成する。

以上の手順に沿って、第１電極３、第１容量絶縁膜５、および第２電極６からなる前記第１容量と、第２電極６、第２容量絶縁膜９、および第３電極１０からなる前記第２容量をＧａＡｓ基板１上に積層し、第１電極３と第３電極１０を第１スルーホールＴＨ１および第３スルーホールＴＨ３を介して電気的に接続し、第１電極３および第３電極１０を第１金属配線１２により、ＧａＡｓ基板１上に形成された他の素子と接続し、第２電極６を第２金属配線１３により、第１金属配線１２とは異なる素子と接続することで、第１容量および第２容量を並列に接続することになる。このとき、前記第１容量および前記第２容量は、ＧａＡｓ基板１上に積層されているので、前記ＭＩＭ容量のＧａＡｓ基板１上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を高くすることができる。

実施例１のＭＩＭ容量では、たとえば、前記第１容量の容量密度は２００ｐＦ／ｍｍ^２、前記第２容量の容量密度は３５０ｐＦ／ｍｍ^２となり、前記第１容量および前記第２容量をＧａＡｓ基板１上に積層することにより５５０ｐＦ／ｍｍ^２の容量密度を持つＭＩＭ容量として用いることができる。

ここで、前記第１容量の容量密度が前記第２容量の容量密度より低いのは、前記第１容量の第1電極３にＡｌ膜を用いているためであり、前記Ａｌ膜上に生じる突起（ヒロック）による容量の破壊耐圧の低下を防ぐために、たとえば、前記第１容量絶縁膜５を２００ｎｍ以上の厚さにしなければならないためである。

また、前記第２層間絶縁膜８の第２容量開口部ＣＯ２を、前記第１層間絶縁膜４の第１容量開口部ＣＯ１よりも小さく、かつ前記第１容量開口部ＣＯ１の内側に形成することにより、上層に形成される前記第２容量の容量真性部を平坦に形成することができる。そのため、第２容量絶縁膜９の膜質および膜厚を均一にすることができ、前記ＭＩＭ容量の破壊耐圧、信頼性が向上する。

また、第３電極１０を耐腐食性の高いＡｕ膜を含む積層膜で形成し、かつ、第３電極１０上の耐湿性の高い第１保護膜１１に形成された第２スルーホールＴＨ２を介して、第３電極１０と第１金属配線１２と接続しているため、外部からの水分の侵入などによる第１金属配線１２からの腐食の進行を、第３電極１０上で阻止することができ、前記ＭＩＭ容量の信頼度の低下を防ぐことができる。なお、第３電極１０は、前記Ａｕ膜以外の耐腐食性のある金属膜を含む積層膜であってもよい。

図７は、実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の変形例を示す模式断面図であり、図２に示す断面図と対応する図である。

実施例１のＭＩＭ容量では、たとえば、図２に示すように、第３電極１０上に第１金属配線１２を設けたが、これに限らず、たとえば、図７に示すように、第３電極１０を第３スルーホールＴＨ３上まで延長し、第１金属配線１２の変わりに第３電極１０により第１電極３からの引き出し線７と接続することもできる。

この場合、第３電極１０上に第２スルーホールＴＨ２は設ける必要がないため、第３電極１０上に形成される第１保護膜１１は開口されていない。第１保護膜１１は窒化シリコン膜を含む積層膜からなり、大面積の第３電極１０上を全面覆っているため、窒化シリコン膜の応力を抑えるようにしないと、第１保護膜１１が第３電極１０から剥離しやすくなる。実施例１のように前記第３電極１０の上層をＭｏ膜とした場合、前記Ｍｏ膜の製造過程での酸化等により必ずしも第１保護膜１１との密着性がよくない。

また、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜の応力は、酸化シリコン膜などに比べると比較的高いため、第３電極１０の上部で前記窒化シリコン膜、すなわち第１保護膜１１が剥離しやすくなるので、たとえば、窒化シリコン膜の膜厚を抑えるなどの方法が必要となる。

一方、図２に示した構成のＭＩＭ容量では、第３電極１０上の第１保護膜１１は第２スルーホールＴＨ２を開口することにより除去されているので、第１保護膜１１が第３電極１０から剥離しやすいという問題も解決されている。

また、図２に示した構成のＭＩＭ容量では、第３電極１０に接続する第１金属配線１２を設け、第３スルーホールＴＨ３で第１電極３からの引き出し線７と接続した後、他の素子と接続している。しかしながら、他の素子への配線方法（接続方法）としては、第１金属配線１２の代りに第３電極１０を延長して接続してもよいし、図７に示すように、第２電極６と同時に形成した引き出し線７から延長させた配線部７Ａを用いて接続してもよい。また、図７に示したように、第１金属配線１２の代りに第３電極１０により前記第１電極３からの引き出し線７と接続する場合にも、第３電極１０を延長して他の素子と接続してもよい。すなわち、第１電極３と第３電極１０が電気的に接続されていれば、他の素子への配線はどの電極（金属膜）を延長させて行ってもよい。

同様に、図２に示した構成のＭＩＭ容量では、第２電極６を第４スルーホールＴＨ４を介して第２金属配線１３と接続し、他の素子に配線（接続）しているが、これに限らず、図７に示すように、第２電極６をそのまま延長して他の素子に接続する配線として用いてもよい。

以上のようなことから、前記ＭＩＭ容量から他の素子への配線方法の自由度が高いため、前記ＭＩＭ容量と接続する他の素子の近傍に別途スルーホールを設ける必要がないなど、半導体集積回路装置の面積を小さくレイアウトすることができる。

また、第１電極３の配線接続部３Ａ上に第１スルーホールＴＨ１、第３スルーホールＴＨ３を設けることにより、それぞれのスルーホールが深くなりすぎることを防げる。すなわち、第１スルーホールＴＨ１と第３スルーホールＴＨ３を一度に形成して第１金属配線１２と第１電極３を接続するよりも、第１スルーホール内に引出し線７を形成したほうが、第１金属配線１２のカバレジが良好になり、製造上安定した電気的接続をすることができる。なお、図１および図２に示したＭＩＭ容量では、第１スルーホールＴＨ１、第３スルーホールＴＨ３が同一のレイアウト形状となっているが、製造プロセスの作りやすさに応じてそれぞれの形状を変えたり、位置をずらして形成してもよい。

図８は、実施例１のＭＩＭ構造の容量素子を搭載した半導体集積回路装置の概略構成の一例を示す模式平面図である。
図８において、Ｃ１，Ｃ２はそれぞれＭＩＭ容量、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３はそれぞれインダクタ、Ｆ１，Ｆ２はそれぞれ電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６はそれぞれボンディングパッド、Ｗ１は電界効果型トランジスタＦ１と電極パッドＷ１を接続する金属配線、Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４はＭＩＭ容量に接続される金属配線である。なお、図８では、金属配線Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４以外の金属配線および抵抗素子は省略している。

実施例１のＭＩＭ容量を搭載した半導体集積回路装置は、図８に示すように、電源電圧の平滑化、雑音指数の劣化を防ぐためのバイパスコンデンサ等として用いられる第１ＭＩＭ容量Ｃ１および第２ＭＩＭ容量Ｃ２の２つのＭＩＭ容量が搭載されている。またこのとき、たとえば、前記第１ＭＩＭ容量Ｃ１の容量値は４０ｐＦ、ＭＩＭ容量Ｃ２の容量値は８ｐＦである。実施例１のＭＩＭ容量の容量密度は、たとえば、５５０ｐＦ／ｍｍ^２であるため、ＧａＡｓ基板１上における第１ＭＩＭ容量Ｃ１と第２ＭＩＭ容量Ｃ２の２つのＭＩＭ容量の形成面積は０．０８７ｍｍ^２になる。

また、ＧａＡｓ基板１（半導体集積回路装置）の大きさは、たとえば、縦０．６７ｍｍ、横０．６７ｍｍであり、面積は０．４４９ｍｍ^２である。そのため、ＧａＡｓ基板１上のＭＩＭ容量の占有面積は全体の約１９パーセントとなる。

従来のＭＩＭ容量は、たとえば、ＧａＡｓ基板１上に形成した時に単位面積あたりで得られる容量値（容量密度）が約２００ｐＦ／ｍｍ^２なので、容量値４８ｐＦのＭＩＭ容量を形成するためには、０．２４ｍｍ^２の面積が必要となり、図８に示したような、実施例１のＭＩＭ容量を搭載した半導体集積回路装置と同等の機能を有する半導体集積回路装置を作成する場合には、面積が０．８６ｍｍ^２のＧａＡｓ基板１が必要であった。すなわち、並列に接続されるＭＩＭ容量をＧａＡｓ基板１上に積層することにより、ＧａＡｓ基板１上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）が高くなるので、ＧａＡｓ基板１上のＭＩＭ容量の形成面積を小さくできる。そのため、ＧａＡｓ基板１（半導体集積回路装置）を小型化することができる。

また、図８に示した金属配線Ｗ１のように、たとえば、第１ＭＩＭ容量Ｃ１の外周に沿ったような金属配線のレイアウトの場合、ＧａＡｓ基板１上における第１ＭＩＭ容量Ｃ１の形成面積を小さくすることにより、金属配線Ｗ１の配線長も短くできる。すなわち、ＧａＡｓ基板１上におけるＭＩＭ容量の形成面積を小さくすることにより、金属配線を短くするとともに、金属配線のレイアウト設計に自由度ができ、ＭＭＩＣ等の半導体集積回路装置の小型化が容易になり、特に、前記金属配線の太さが３０ミクロンから５０ミクロンの太い配線の場合に有効である。

さらに、図８に示した半導体集積回路装置では、第１ＭＩＭ容量Ｃ１に接続した金属配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４のうち、金属配線Ｗ２は第１ＭＩＭ容量Ｃ１の第１電極３と同一金属で形成されており、第１ＭＩＭ容量Ｃ１の一部を延長して金属配線として用い、金属配線Ｗ１を第１電極３と同一金属で形成することにより、第１ＭＩＭ容量Ｃ１を迂回した配線を別途設けなくても、金属配線Ｗ１と金属配線Ｗ２を接続することができる。

また、金属配線Ｗ４は、図２に示したＭＩＭ容量の第１金属配線１２と接続されている。第１金属配線は、第１ＭＩＭ容量Ｃ１の第３電極１０と第１ＭＩＭ容量Ｃ１が有する第３スルーホールＴＨ３および第１スルーホールＴＨ１を介して第１電極３と電気的に接続されている。そのため、金属配線Ｗ４は別途スルーホールを設けることなく、金属配線Ｗ１，Ｗ２と結線することができる。

なお、図８において、第１ＭＩＭ容量Ｃ１が多角形になっているのは、実際には３個の小容量が並列に接続された構造になっており、それぞれの小容量の第１容量開口部ＣＯ１も６角以上の多角形になっているためである。第１ＭＩＭ容量Ｃ１内には、第３電極１０と第１電極３の電気的接続部である第１スルーホールＴＨ１および第３スルーホールＴＨ３は一箇所のみ設けられている。それぞれの小容量の第２容量開口部ＣＯ２は第１容量開口部ＣＯ１の一回り内側に３個設けられている。すなわち、図１および図２に示したＭＩＭ容量では、第１電極３上に設ける第１容量開口部ＣＯ１は一つであるが、これに限らず、開口部が前記第１電極３の内側であれば、複数個設けても良い。

また、前記金属配線のレイアウト設計以外にも、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３、および電界効果型トランジスタＦ１，Ｆ２等の素子のレイアウト設計の自由度も高くなるので、前記金属配線のレイアウト設計の自由度がさらに向上し、前記金属配線の配線長を短くした効率の良い配線を行うことができる。

以上説明したように、実施例１の半導体集積回路装置によれば、並列に接続された２つのＭＩＭ容量を半導体基板上に積層することにより、半導体基板上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を高くすることができる。そのため、半導体基板上における前記ＭＩＭ容量の形成面積を小さくし、半導体集積回路装置を小型化することが可能となる。

また、前記ＭＩＭ容量の第２容量開口部ＣＯ２は第１容量開口部ＣＯ１よりも内側に形成されているので、前記第２容量開口部ＣＯ２内の第２容量の容量として機能する部分（容量信性部）が平坦になり、前記第２容量の容量真性部の第２容量絶縁膜９の膜質、膜厚を均一にすることができ、前記ＭＩＭ容量の破壊耐圧、信頼性が向上する。

また、第３電極１０と第１金属配線１２が別々に形成されており、第１金属配線１２をＭｏ膜、Ａｕ膜を順次積層した２層膜で形成し、第３電極１０をＡｕ膜を含む積層膜とすることにより、外部からの水分等の侵入による、第１金属配線１２からの腐食の進行を第３電極１０上で阻止することができ、前記ＭＩＭ容量の信頼度の低下を防ぐことができる。

以上のようなことから、半導体基板上における前記ＭＩＭ容量の形成面積を小さくして、半導体集積回路装置を小型化するとともに、前記ＭＩＭ容量の信頼性の低下を防ぎ、製造歩留まりを向上させることができるため、半導体集積回路装置の製造コストを低減させることができる。

また、実施例１のＭＩＭ容量では、第１電極３にＡｌ膜を用いているので、前記Ａｌ膜上に発生する突起（ヒロック）による前記第１容量の破壊耐圧の低下を防ぐために、第１容量絶縁膜５の膜厚が厚くなっている。そのため、前記第１容量の容量密度は前記第２容量の容量密度に比べて低くなっている。しかしながら、前記Ａｌ膜の代わりに、Ａｕ膜を含み、かつ、第１容量絶縁膜５との界面側がチタン（Ｔｉ）を含む金属膜である積層膜を第１電極３として用いることもできる。第１電極３を前記Ａｕ膜を含む積層膜とすることにより、前記Ａｌ膜のような突起（ヒロック）の発生がなくなり、第１容量絶縁膜５を薄くして前記第１容量の容量密度を高くすることができる。また、第１電極３の第１容量絶縁膜５との界面側にＴｉを含む金属膜を用いることにより、第１電極３と第１容量絶縁膜５との接着性が向上し、製造歩留まりが向上する。第１容量絶縁膜５との界面に形成されるチタン（Ｔｉ）を含む金属膜としては、単体のＴｉ膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、Ｔｉとタングステン（Ｗ）の化合物膜等があげられる。このとき、前記Ｔｉを含む金属膜と、Ａｕ膜との間に、Ｍｏ膜や、Ｐｔ膜を挿入しても良い。

また、実施例１のＭＩＭ容量では、第１容量絶縁膜５および第２容量絶縁膜９として、窒化シリコン膜およびシリコン酸化膜の積層膜を用いたが、これに限らず、第１容量絶縁膜５および第２容量絶縁膜９として、たとえば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ２；ＳＴＯ）膜を用いても良い。また、第１電極３および第３金属配線１８として、チタン膜、金膜、チタン膜、白金膜を順次積層した４層膜、第２電極６および第３電極１０として、白金膜、チタン膜、金膜、チタン膜を順次積層した４層膜をそれぞれ用いることで、さらに容量密度を高くすることが可能である。

またさらに、実施例１では、第１層間絶縁膜４あるいは第２層間絶縁膜８に容量開口部を形成した後に、第１容量絶縁膜５あるいは第２容量絶縁膜９を形成したが、これに限らず、第１電極３上に直接第１容量絶縁膜５を形成してもよい。

図９および図１０は、実施例１の変形例の概略構成を示す図であり、図９はＭＩＭ構造の容量素子の平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ′線での模式断面図である。
図９および図１０において、１はＧａＡｓ基板、２は絶縁膜、３は第１電極、３Ａは第１電極３の配線接続部、４は第１層間絶縁膜、５は第１容量絶縁膜、６は第２電極、７は引き出し線、９は第２容量絶縁膜、１０は第３電極、１１は第１保護膜、１２は第１金属配線、１３は第２金属配線、１４は第２保護膜（表面保護膜）、１５は中間配線、１５Ａは中間配線の配線接続部、ＴＨ１は第１スルーホール、ＴＨ２は第２スルーホール、ＴＨ３は第３スルーホール、ＴＨ４は第４スルーホール、ＴＨ５は第５スルーホールである。なお、図９において、第１スルーホールＴＨ１と第３スルーホールＴＨ３は重なっており、第１金属配線１２の外周と第１電極３の外周も重なっているとする。

図９および図１０に示した前記ＭＩＭ容量は、トランジスタやインダクタ等（図示しない）が形成されたＧａＡｓ基板１上に、金属膜からなる第１電極３、絶縁膜からなる第１容量絶縁膜５、金属膜からなる第２電極６、金属膜からなる中間配線１５、絶縁膜からなる第２容量絶縁膜９、金属膜からなる第３電極１０を積層し、第１電極３、第１容量絶縁膜５、および第２電極６により構成される第１容量と、第２電極６上に第１層間絶縁膜４に形成された第５スルーホールＴＨ５を介した接続された中間配線１５、第２容量絶縁膜９、および第３電極１０により構成される第２容量が積層された２段構成となっている。図９および図１０に示した構成では、前記第１電極３は、チタン（Ｔｉ）膜、白金（Ｐｔ）膜、金（Ａｕ）膜、Ｐｔ膜、Ｔｉ膜を順次積層した５層膜からなり、前記第３金属配線は、モリブデン（Ｍｏ）膜、Ａｕ膜、Ｍｏ膜、ＴｉＷ膜を順次積層した４層膜からなるものとする。また、第１容量絶縁膜５および第２容量絶縁膜９は窒化シリコン膜、酸化シリコン膜の積層膜からなるものとする。

前記第２容量の第３電極１０は、実施例１と同様に、第３電極１０上の第１保護膜１１に形成された第２スルーホールＴＨ２を介して第１金属配線１２と接続されている。また、第１金属配線１２は、第１電極３の配線接続部３Ａ上に形成される第１スルーホールＴＨ１および第３スルーホールＴＨ３を介して第１電極３とも電気的に接続されている。また、第２電極６と接続された中間配線１５には、第１電極３の配線接続部３Ａとは異なる位置に引き出された配線接続部１５Ａが設けられており、中間配線１５の配線接続部１５Ａ上に形成された第４スルーホールＴＨ４を介して第２金属配線１３と接続される。

図９および図１０に示した構成のＭＩＭ容量では、層間絶縁膜に容量開口部を設けずに、第１電極３上に直接第１容量絶縁膜５および第２電極６を形成し、第２電極６と接続される中間配線１５上の平坦な領域に第２容量絶縁膜９および第３電極１０を形成しており、図９に示すように、第１容量絶縁膜５および第２電極６全体が第１容量の容量として機能する部分（容量真性部）となり、第２容量絶縁膜９および第３電極１０全体が第２容量の容量として機能する部分（容量真性部）となる。この場合においても、前記第２容量の容量真性部は、前記第１容量の容量真性部より小さく、かつ第１容量の容量真性部の内側に形成されている。

以下、図９および図１０に示した構成のＭＩＭ容量の製造方法について簡単に説明する。

まず、トランジスタ、インダクタ等が形成されたＧａＡｓ基板１上に絶縁膜２を形成した後、絶縁膜２上にイオンミリング法により、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜、Ａｕ膜、Ｐｔ膜、Ｔｉ膜を順次積層して配線接続部３Ａを有する第１電極３を形成する。第１電極３はイオンミリング法の代わりにリフトオフ法で形成してもよい。

次に、ＰＣＶＤ法により窒化シリコン膜、シリコン酸化膜を積層し、続けてＷＳｉ膜を積層した後、パターニングして前記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜からなる第１容量絶縁膜５および前記ＷＳｉ膜からなる第２電極６を形成する。

次に、全面に第１層間絶縁膜４を形成し、第２電極６上の第５スルーホールＴＨ５および第１電極３の配線接続部３Ａ上の第１スルーホールＴＨ１を開口し、Ｍｏ膜、Ａｕ膜、Ｍｏ膜、ＴｉＷ膜を順次積層した後、パターニングして配線接続部１５Ａを有する中間配線１５および第１電極３の引き出し線７を形成する。このとき、中間配線１５の配線接続部１５Ａは、第１電極３の配線接続部３Ａと重ならない位置に引き出す。

次に、ＰＣＶＤ法により窒化シリコン膜、シリコン酸化膜を積層し、続けてＭｏ膜、Ａｕ膜、Ｍｏ膜を順次積層した後、パターニングして前記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜からなる第２容量絶縁膜９およびＭｏ膜、Ａｕ膜、Ｍｏ膜からなる第３電極１０を形成する。このとき、第２容量絶縁膜９および第３電極１０が、第２電極６の内側で、かつ、中間配線１５の平坦部に形成されるようにパターニングする。

次に、全面に第１保護膜１１を形成し、第３電極１０上の第２スルーホールＴＨ２、引き出し線７上の第３スルーホールＴＨ３、および中間配線１５の配線接続部１５Ａ上の第４スルーホールＴＨ４を開口し、Ｍｏ膜、Ａｕ膜を順次積層した後、パターニングして第１金属配線１２および第２金属配線１３を形成する。第１金属配線１２は、第２スルーホールＴＨ２を介して第３電極１０と接続されるとともに、第３スルーホールＴＨ３を介して、第１電極３から引き出された引き出し線７と接続される。また、第２金属配線１３は、第４スルーホールＴＨ４を介して中間配線１５と接続される。そのため、第１金属配線１２と第２金属配線１３の間に、並列に接続された前記第１容量および前記第２容量がＧａＡｓ基板１上に積層されることになり、前記ＭＩＭ容量をＧａＡｓ基板１上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を高くすることができる。そのため、前記ＭＩＭ容量の形成面積を小さくして、半導体集積回路装置を小型化することができる。

さらに、第１電極３および中間配線１５がアルミニウム（Ａｌ）膜を含まないので、それぞれの表面に突起（ヒロック）が発生することがなく、第１容量絶縁膜５および第２容量絶縁膜９を、ともに薄膜化することができ容量密度を高くすることができる。たとえば、前記第１容量および前記第２容量のそれぞれの容量密度を約３００ｐＦ／ｍｍ^２から５００ｐＦ／ｍｍ^２とすることができるので、ＧａＡｓ基板１上に形成したときに単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）が約６００ｐＦ／ｍｍ^２から１０００ｐＦ／ｍｍ^２のＭＩＭ容量を得ることができる。そのため、前記ＭＩＭ容量の形成面積をさらに縮小して、半導体集積回路装置を小型化することができる。

また、第１電極３の第１容量絶縁膜５との界面、および第３金属配線１８の第２容量絶縁膜９との界面には、それぞれチタン（Ｔｉ）を含む金属膜が形成されているため、第１電極３と第１容量絶縁膜５の接着性、および中間配線１５と第２容量絶縁膜９の接着性が向上し、製造歩留まりが向上する。

また、前記実施例１の場合、第１層間絶縁膜４を先に形成し、第１層間絶縁膜４に第１容量開口部ＣＯ１を設け、その内部に第１容量絶縁膜５を形成しており、第１容量開口部ＣＯ１の外周部分で、第１容量絶縁膜５が第１層間絶縁膜４上に乗り上げる形になるため、前記第１容量の容量真性部の外周付近で膜厚が不均一になり前記ＭＩＭ容量の信頼性が低下する可能性がある。そのため、図９および図１０に示した構成のＭＩＭ容量のように、第１電極３上に先に第１容量絶縁膜５および第２電極６を形成することにより、第１容量絶縁膜５の外周部分においても膜厚を均一にすることができ、ＭＩＭ容量の信頼性の低下を防ぐことができる。

図１１および図１２は、本発明による実施例２のＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図および模式断面図であり、図１１は平面図、図１２は図１０のＣ−Ｃ′線断面図である。なお、図１１の平面図では、半導体基板上に積層される絶縁膜は省略しており、前記ＭＩＭ容量の電極となる金属膜および、金属配線の構成を示している。
図１１および図１２において、ＣＯ１は第１容量開口部、ＣＯ２は第２容量開口部、ＣＯ３は第３容量開口部、ＴＨ１は第１スルーホール、ＴＨ２は第２スルーホール、ＴＨ６は第６スルーホール、ＴＨ７は第７スルーホール、ＴＨ８は第８スルーホール、ＴＨ９は第９スルーホール、１はＧａＡｓ基板、２は絶縁膜、３は第１電極、３Ａは第１電極３の配線接続部、４は第１層間絶縁膜、５は第１容量絶縁膜、６は第２電極、６Ａは第２電極６の配線接続部、７は第１引き出し線、８は第２層間絶縁膜、９は第２容量絶縁膜、１０は第３電極、１０Ａは第３電極１０の配線接続部、１１は第１保護膜、１２は第１金属配線、１３は第２金属配線、１４は第２保護膜（表面保護膜）、１６は第２引き出し線、１７は第３層間絶縁膜、１８は第３容量絶縁膜、１９は第４電極である。図１１において、第１スルーホールＴＨ１、第６スルーホールＴＨ６、第８スルーホールＴＨ８は同じ位置に形成されているため重ねて示しており、第７スルーホールＴＨ７、第９スルーホールＴＨ９も同様に重ねて示してある。

実施例２のＭＩＭ容量は、たとえば、図１１および図１２に示すように、ＧａＡｓ基板１上に形成された第１電極３上に、第１容量絶縁膜５、第２電極６、第２容量絶縁膜９、第３電極１０、第３容量絶縁膜１８、第４電極１９が順次積層されている。第１電極３、第２電極６、第３電極１０、第４電極１９のそれぞれは金属膜からなり、第１容量絶縁膜５、第２容量絶縁膜９、第３容量絶縁膜のそれぞれは絶縁膜からなり、第１電極３、第１容量絶縁膜５、および第２電極６からなる第１容量と、第２電極６、第２容量絶縁膜９、および第３電極１０からなる第２容量と、第３電極１０、第３容量絶縁膜１６、および第４電極１７からなる第３容量とがＧａＡｓ基板１上に積層された３段構成のＭＩＭ容量である。なお、実施例２のＭＩＭ容量の基本的な構成は、前記実施例１の２段構成のＭＩＭ容量と同様であるため、その詳細な説明は省略する。

実施例２のＭＩＭ容量では、図１１に示すように、第３容量開口部ＣＯ３は第２容量開口部ＣＯ２の内側に形成され、第２容量開口部ＣＯ２は第１容量開口部ＣＯ１の内側に形成される。

また、図１２に示すように、第４電極１９は、第４電極１９上に形成される第１保護膜１１に開口された第２スルーホールＴＨ２を介して第１金属配線１２と接続され、第２電極６は、配線接続部６Ａ上に形成された第７スルーホールＴＨ７により引き出された第２引き出し線１６が第２引き出し線１６上に形成される第９スルーホールＴＨ９を介して第１金属配線１２と接続されている。

一方、第１電極３の配線接続部３Ａ上の第１スルーホールＴＨ１により引き出された第１引き出し線７は、第６スルーホールＴＨ６を介して第３電極１０の配線接続部１０Ａに接続されており、第３電極１０は、配線接続部１０Ａ上に形成された第８スルーホールＴＨ８を介して第２金属配線１３と接続される。すなわち、前記第１容量、前記第２容量、および前記第３容量の３つの容量が並列に接続され、ＧａＡｓ基板１上に積層されている。

実施例２のＭＩＭ容量のように並列に接続される前記第１容量、前記第２容量、および前記第３容量を前記ＧａＡｓ基板１上に積層することにより、ＧａＡｓ基板１上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を高くすることができる。そのため、前記ＭＩＭ容量の形成面積を小さくして、半導体装置を小型化することができる。

また、前記第２容量の容量真性部は前記第１容量の容量真性部より小さく、かつ第１容量の容量真性部の内側に形成されており、同様に、前記第３容量の容量真性部は、前記第２容量の容量真性部より小さく、かつ第２容量の容量真性部の内側に形成されている。そのため、それぞれの容量の容量真性部が平坦になるため、それぞれの容量の容量絶縁膜の膜質および膜厚を均一に形成できるために、容量の破壊耐圧、信頼度が向上する。

また、第１電極３を、Ａｕ膜を含む積層膜とし、第１容量絶縁膜５との界面に、Ｔｉ膜、ＴｉＷ膜、ＴｉＮ膜等のチタン（Ｔｉ）を含む金属膜を形成することにより、従来のアルミニウム（Ａｌ）電極のような突起（ヒロック）の発生を防ぎ、第１容量絶縁膜５の膜厚を薄くできるので、前記ＭＩＭ容量の容量密度を高くすることができる。そのため、前記ＭＩＭ容量の形成面積を小さくし、半導体集積回路装置を小型化することができる。このとき、前記チタン（Ｔｉ）を含む金属膜と、Ａｕ膜との間に、Ｍｏ膜や、Ｐｔ膜を挿入しても良い。

また、前記実施例１と同様に、最上層に形成される第４電極１９と第１金属配線１２とが別々に形成されており、第１金属配線１２をＭｏ膜、Ａｕ膜を順次積層した２層膜で形成し、第４電極１９をＡｕ膜を含む積層膜とすることにより、外部からの水分等の侵入による、第１金属配線１２の腐食からの進行を第４電極１９上で阻止することができ、前記ＭＩＭ容量の信頼度の低下を防ぐことができる。

なお、実施例２では、４層の金属膜を積層させた３段構成のＭＩＭ容量について説明したが、これに限らず、一般にｎを３以上の整数とする第１電極から第ｎ電極までのｎ層の電極を積層したＭＩＭ容量においても、前記第１電極から第ｎ電極までのうち、第２ｍ−１電極（ｍは１から（ｎ＋１）／２までの整数）同士を電気的に接続し、第２ｍ電極同士を電気的に接続しても良い。ここで、前記ｎが３の場合は、前記実施例１で説明したような構成のＭＩＭ容量となり、前記第２ｍ電極に該当する電極が第２電極６のみであるが、第２電極６自身が前記第２ｍ電極同士の電気的接続を満たしている。

前記ｎ層の電極を積層したＭＩＭ容量の場合、半導体基板上に順次積層される第１電極から第ｎ電極までの各電極の配線接続部を、第２ｍ−１電極の各電極の配線接続部同士が重なるようにして、前記第２ｍ−１電極同士の電気的接続を各電極間の層間絶縁膜に形成されるスルーホールを介して行い、前記第２ｍ−１電極の各電極の配線接続部と重ならない位置で第２ｍ電極の各電極の配線接続部同士が重なるようにして、前記第２ｍ電極同士の電気的接続を各電極間の層間絶縁膜に形成されるスルーホールを介して行い、最上層の第ｎ電極は、前記第ｎ電極上の第１保護絶縁膜に設けられたスルーホールを介して接続される第１金属配線により、第ｎ−２電極と接続し、第ｎ−１電極を第２金属配線と接続することにより、並列に接続されたｎ−１個の容量を前記半導体基板上に積層したＭＩＭ容量となり、半導体基板上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を高くすることができる。そのため、前記ＭＩＭ容量の形成面積を小さくし、半導体集積回路装置を小型化することができる。

また、第ｋ電極、第ｋ容量絶縁膜、第ｋ＋１容量（ｋは２からｎ−１までの整数）からなる第ｋ容量の容量真性部が、その下層の第ｋ−１電極、第ｋ−１容量絶縁膜、第ｋ電極からなる第ｋ−１容量の容量真性部より小さく、かつ第ｋ−１容量の容量真性部の内側に形成することで、それぞれの容量の容量真性部が平坦になり、それぞれの容量の容量真性部において、容量絶縁膜の膜質および膜厚を均一に形成できるため、前記ＭＩＭ容量の破壊耐圧、信頼度が向上する。

また、最上層の第ｎ電極と第１金属配線を別々に形成し、前記第１金属配線をＭｏ膜、Ａｕ膜を順次積層した２層膜で形成し、前記第ｎ電極をＡｕ膜を含む積層膜とすることにより、外部からの水分等の侵入による、前記第１金属配線からの腐食の進行を前記第ｎ電極上で阻止することができ、前記ＭＩＭ容量の信頼度の低下を防ぐことができる。

図１３および図１４は、本発明による実施例３のＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置の概略構成を示す図で、図１３は平面図、図１４は図１３のＤ−Ｄ′線での模式断面図である。なお、図１３の平面図は、実施例３のＭＩＭ構造を有する容量素子部分を、表面保護膜を省略して示している。
図１３および図１４において、１はＧａＡｓ基板、２は絶縁膜、２０は下部電極（第１電極）、２１は層間絶縁膜、２２は容量絶縁膜、２３は上部電極（第２電極）、１１は第１保護膜、１２は第１金属配線、１３は第２金属配線、１４は第２保護膜（表面保護膜）、ＴＨ２は第２スルーホール、ＴＨ１０は第１０スルーホール、ＴＨ１１は第１１スルーホールである。

実施例３のＭＩＭ容量は、たとえば、図１３および図１４に示すように、ＧａＡｓ基板１上に、下部電極（第１電極）２０、容量絶縁膜２２、上部電極（第２電極）２３を順次積層した従来の１段構成ものと同様であり、上部電極２３は、上部電極２３上の第１保護膜１１を開口した第２スルーホールＴＨ２を介して接続される第１金属配線１２によりＧａＡｓ基板１上の他の素子と接続され、下部電極（第１電極）２０は、容量絶縁膜２１および第１保護膜１１を開口した第１１スルーホールＴＨ１１を介して接続される第２金属配線１３により、ＧａＡｓ基板１上の他の素子と接続される。

実施例３のＭＩＭ容量においても、上部電極（第２電極）２３と第１金属配線１２が別々に形成されており、第１金属配線１２をＭｏ膜、Ａｕ膜を順次積層した２層膜で形成し、上部電極（第２電極）２３をＡｕ膜を含む積層膜とすることにより、外部からの水分等の侵入による、第１金属配線１２の腐食からの進行を上部電極（第２電極）２３上で阻止することができ、前記ＭＩＭ容量の信頼度の低下を防ぐことができる。

また、下部電極（第１電極）２０を、Ａｕ膜を含む積層膜とし、容量絶縁膜２２との界面に、Ｔｉ膜、ＴｉＷ膜、ＴｉＮ膜等のチタン（Ｔｉ）を含む金属膜を形成することにより、従来のアルミニウム（Ａｌ）電極のような突起（ヒロック）の発生を防ぎ、前記容量絶縁膜２２の膜厚を薄くできるので、前記ＭＩＭ容量を、ＧａＡｓ基板１上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を高くすることができる。そのため、前記ＭＩＭ容量の形成面積を小さくし、半導体集積回路装置を小型化することができる。このとき、前記チタン（Ｔｉ）を含む金属膜と、Ａｕ膜との間に、Ｍｏ膜や、Ｐｔ膜を挿入しても良い。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

たとえば、ＧａＡｓ基板上に形成したＨＢＴ(Hetero Bipolar Transistor)と容量素子、抵抗素子を集積化した半導体集積回路装置においても、前記容量素子に本発明のＭＩＭ構造の容量素子を用いることにより、前記半導体集積回路装置の小型化、および製造コストの低減が可能である。なお、本発明における半導体集積回路装置は、素子の数の多い、いわゆる大規模の集積回路に限らず、２個以上の素子が同一の半導体基板上に形成されている場合も含む。

本発明による実施例１のＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図である。図１のＡ−Ａ′線での模式断面図である。実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の各製造工程における平面図である。実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の各製造工程における平面図である。実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の各製造工程における平面図である。実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の作用効果を説明するための平面図である。実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の変形例を示す模式断面図である。実施例１のＭＩＭ構造の容量素子を搭載した半導体集積回路装置の概略構成の一例を示す図である。前記実施例１のＭＩＭ構造の容量素子の変形例の概略構成を示す平面図である。図９のＢ−Ｂ′線での模式断面図である。本発明による実施例２のＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図である。図１１のＣ−Ｃ′線での模式断面図である。本発明による実施例３のＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図である。図１３のＤ−Ｄ′線での模式断面図である。

符号の説明

１…ＧａＡｓ基板
２…絶縁膜
３…第１電極
３Ａ…第１電極の配線接続部
４…第１層間絶縁膜
５…第１容量絶縁膜
６…第２電極
６Ａ…第２電極の配線接続部
７…引き出し線（第１引き出し線）
７Ａ…引き出し線の配線部
８…第２層間絶縁膜
９…第２容量絶縁膜
１０…第３電極
１０Ａ…第３電極の配線接続部
１１…第１保護膜
１２…第１金属配線
１３…第２金属配線
１４…第２保護膜（表面保護膜）
１５…中間配線
１６…第２引き出し線
１７…第３層間絶縁膜
１８…第３容量絶縁膜
１９…第４電極
２０…下部電極（第１電極）
２１…層間絶縁膜
２２…容量絶縁膜
２３上部電極（第２電極）
ＣＯ１…第１容量開口部
ＣＯ２…第２容量開口部
ＣＯ３…第３容量開口部
ＴＨ１…第１スルーホール
ＴＨ２…第２スルーホール
ＴＨ３…第３スルーホール
ＴＨ４…第４スルーホール
ＴＨ５…第５スルーホール
ＴＨ６…第６スルーホール
ＴＨ７…第７スルーホール
ＴＨ８…第８スルーホール
ＴＨ９…第９スルーホール
ＴＨ１０…第１０スルーホール
ＴＨ１１第１１スルーホール
Ｃ１…第１ＭＩＭ容量
Ｃ２…第２ＭＩＭ容量
Ｆ１，Ｆ２…電界効果型トランジスタ
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６…ボンディングパッド
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…金属配線

Claims

半導体基板上に形成された容量素子を有する半導体集積回路装置であって、
前記半導体基板上に形成された第１金属膜と、
前記第１金属膜上に形成された第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜に形成され、かつ、前記第１金属膜と接続する第１開口部と、
前記第１開口部内の前記第１金属膜上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上および前記第１層間絶縁膜上に形成された第２金属膜と、
前記第１層間絶縁膜上および前記第２金属膜上に形成された第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜に形成され、かつ、前記第２金属膜と接続する第２開口部と、
前記第２開口部内の前記第２金属膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された第３金属膜と、
を有し、
前記第１金属膜、前記第１絶縁膜、および前記第２金属膜は、前記容量素子の第１容量を構成しており、
前記第２金属膜、前記第２絶縁膜、および前記第３金属膜は、前記容量素子の第２容量を構成しており、
前記第１層間絶縁膜には、前記第１金属膜と接続する第１スルーホールが設けられており、
前記第２層間絶縁膜には、前記第２金属膜と接続する第２スルーホールが設けられており、
前記第２開口部は、その平面形状において、前記第１開口部の内側に設けられており、
前記第１スルーホールは、その平面形状において、前記第１開口部および前記第２開口部の外側に設けられており、
前記第２スルーホールは、その平面形状において、前記第１開口部および前記第２開口部の外側に設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１金属膜と前記第３金属膜とは電気的に接続しており、
前記第１容量と前記第２容量とが並列接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項２に記載の半導体集積回路装置は更に、
前記第２層間絶縁膜上および前記第３金属膜上に形成された第１保護膜と、
前記第１保護膜に形成され、かつ、前記第３金属膜と接続する第３開口部と、
前記第１保護膜上に形成され、かつ、前記第３金属膜と電気的に接続する第４金属膜とを有し、
前記第１保護膜には、前記第１スルーホール上に設けられた第３スルーホールが設けられており、
前記第４金属膜は、前記第１スルーホールおよび前記第３スルーホールを介して、前記第１金属膜と電気的に接続していることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項３に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１スルーホール内には、前記第２金属膜が形成される工程と同工程で形成された金属膜が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項３または請求項４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第２スルーホールおよび前記第３スルーホール内には、前記第４金属膜が形成される工程と同工程で形成された金属膜が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１金属膜は、金を含む膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１金属膜は、アルミニウムを含む膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第２金属膜は、金を含む膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第３金属膜は、金を含む膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１絶縁膜は、窒化シリコン膜を含む膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第２絶縁膜は、窒化シリコン膜を含む膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体基板は、ＧａＡｓであることを特徴とする半導体集積回路装置。