JP2006108291A - 強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 強誘電体キャパシタの製造方法は、基体10の上方に、下部電極20、少なくとも1つの中間電極40、上部電極60が順に配置し、それぞれの電極同士の間に強誘電体膜30,50を設ける。中間電極40の形成工程で、(a)強誘電体膜30の上方に、スパッタ法によって第1の金属膜41を形成し、(b)第1の金属膜41の上方に、蒸着法によって第2の金属膜46を形成する。
【選択図】 図8
Description
基体の上方に、下部電極、少なくとも1つの中間電極、上部電極が順に配置され、それぞれの電極同士の間に強誘電体膜が設けられる強誘電体キャパシタの製造方法であって、
前記中間電極の形成工程で、
(a)前記強誘電体膜の上方に、スパッタ法によって第1の金属膜を形成し、
(b)前記第1の金属膜の上方に、蒸着法によって第2の金属膜を形成する。
前記(a)工程で、前記第1の金属膜をDCスパッタ法によって形成してもよい。
前記(a)工程後に、前記第1の金属膜の上方に、スパッタ法によって初期結晶核を島状に形成することをさらに含み、
前記(b)工程で、前記初期結晶核を成長させることによって、前記第2の金属膜を形成してもよい。
前記初期結晶核をイオンビームスパッタ法によって形成してもよい。
前記第1の金属膜、前記初期結晶核及び前記第2の金属膜を、白金族金属を含む電極材料から形成してもよい。
複数の前記中間電極を形成することを含み、
前記複数の中間電極を同一プロセスにより形成してもよい。
図1〜図8は、本発明の第1の実施の形態に係る強誘電体キャパシタの製造方法を示す図である。
図12〜図14は、本発明の第2の実施の形態に係る強誘電体キャパシタの製造方法を示す図である。なお、本実施の形態においては、第1の実施の形態から導き出せる内容を含む。
本実施の形態では、上述した強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリ装置について説明する。図15(A)は、本実施の形態に係る強誘電体メモリ装置の平面図であり、図15(B)は、本実施の形態に係る強誘電体メモリ装置の断面図である。
30…強誘電体膜 40…中間電極 41…第1の金属層 42…初期結晶核
44…成長層 46…第2の金属膜 50…強誘電体膜 60…上部電極
80…上部電極 112…密着層 120…下部電極 130…強誘電体膜
140…中間電極 141…第1の金属膜 146…第2の金属膜
150…強誘電体膜 160…上部電極
Claims (8)
- 基体の上方に、下部電極、少なくとも1つの中間電極、上部電極が順に配置され、それぞれの電極同士の間に強誘電体膜が設けられる強誘電体キャパシタの製造方法であって、
前記中間電極の形成工程で、
(a)前記強誘電体膜の上方に、スパッタ法によって第1の金属膜を形成し、
(b)前記第1の金属膜の上方に、蒸着法によって第2の金属膜を形成する、強誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項1記載の強誘電体キャパシタの製造方法において、
前記(a)工程で、前記第1の金属膜をDCスパッタ法によって形成する、強誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項1又は請求項2記載の強誘電体キャパシタの製造方法において、
前記(a)工程後に、前記第1の金属膜の上方に、スパッタ法によって初期結晶核を島状に形成することをさらに含み、
前記(b)工程で、前記初期結晶核を成長させることによって、前記第2の金属膜を形成する、強誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項3記載の強誘電体キャパシタの製造方法において、
前記初期結晶核をイオンビームスパッタ法によって形成する、強誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項3又は請求項4記載の強誘電体キャパシタの製造方法において、
前記第1の金属膜、前記初期結晶核及び前記第2の金属膜を、白金族金属を含む電極材料から形成する、強誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の強誘電体キャパシタの製造方法において、
複数の前記中間電極を形成することを含み、
前記複数の中間電極を同一プロセスにより形成する、強誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の製造方法によって製造される、強誘電体キャパシタ。
- 請求項7記載の強誘電体キャパシタを含む、強誘電体メモリ装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004291346A JP2006108291A (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置 |
US11/233,264 US7179705B2 (en) | 2004-10-04 | 2005-09-22 | Ferroelectric capacitor and its manufacturing method, and ferroelectric memory device |
CNB2005101071378A CN100449685C (zh) | 2004-10-04 | 2005-09-28 | 强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置 |
EP05021457A EP1643555A3 (en) | 2004-10-04 | 2005-09-30 | Ferroelectric capacitor and its manufacturing method, and ferroelectric memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004291346A JP2006108291A (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108291A true JP2006108291A (ja) | 2006-04-20 |
Family
ID=35474649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004291346A Withdrawn JP2006108291A (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7179705B2 (ja) |
EP (1) | EP1643555A3 (ja) |
JP (1) | JP2006108291A (ja) |
CN (1) | CN100449685C (ja) |
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EP1643555A3 (en) | 2007-03-21 |
EP1643555A2 (en) | 2006-04-05 |
US7179705B2 (en) | 2007-02-20 |
CN1763911A (zh) | 2006-04-26 |
US20060073616A1 (en) | 2006-04-06 |
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