JP4586956B2 - 電極膜の製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に電極膜を形成する製造方法であって、
(a)前記基板上に電極材料の初期結晶核を島状に形成し、
(b)前記初期結晶核を成長させて電極材料の成長層を形成することを含み、
前記(a)における基板温度は、前記(b)における基板温度より高い。
基板上に電極膜を形成する製造方法であって、
(a)前記基板上に電極材料の初期結晶核を島状に形成し、
(b)前記初期結晶核を成長させて電極材料の成長層を形成することを含み、
前記(a)および(b)において、前記初期結晶核を形成する際の電極材料の粒子のエネルギーは、前記成長層を形成する際の電極材料の粒子のエネルギーよりも高い。
図1(A)〜図1(D)は、本発明の第1の実施形態に係る電極膜の製造工程を模式的に示す図である。
図8(A)〜図8(D)は、本発明の第2の実施形態に係る電極膜の製造工程を模式的に示す図である。本実施の形態では、電極膜の初期結晶核について2種以上の異なる電極材料からなるものを形成する場合について説明する。
さらに、上部にPtを形成し、層膜厚150nmとしたのが図18(C)である。図18(A)の場合と粒サイズが全く異なっており、図18(A)のPt初期結晶核と図18(C)のPt成長層では、粒界が一致していないことが分かる。
本実施の形態では、第1および第2の実施形態で説明した製造方法のデバイスへの適用例について説明する。
Claims (5)
- 基板上に電極膜を形成する製造方法であって、
前記基板上に、スパッタ法を用いて、第1電極材料の第1初期結晶核を島状に形成すること、
前記第1初期結晶核上に、スパッタ法を用いて、第2電極材料の第2初期結晶核を形成すること、
真空蒸着法を用いて、前記第2初期結晶核を成長させて、前記第2電極材料の成長層を形成することを含み、
前記成長層を形成するときの基板温度は、前記第1初期結晶核および前記第2初期結晶核を形成するときの基板温度より低く、
前記第2電極材料は、前記第1電極材料と異なる材料である、電極膜の製造方法。 - 請求項1において、
前記第1初期結晶核および前記第2初期結晶核を形成するときの基板温度は、200℃以上600℃以下に設定され、
前記成長層を形成するときの基板温度は、200℃より低い温度に設定される、電極膜の製造方法。 - 請求項1または2において、
前記第1電極材料は、Irであり、
前記第2電極材料は、Ptである、電極膜の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかにおいて、
前記第1初期結晶核を島状に形成すること、前記第2初期結晶核を形成すること、および前記成長層を形成することを複数回繰り返して行って複数の電極膜を積層する、電極膜の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
前記成長層を形成した後に熱処理を行うことを含む、電極膜の製造方法。
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