JP2009182291A - 可変容量装置 - Google Patents
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Abstract
【課題の解決手段】可変容量装置は、第1導電型の半導体領域21,22中に第1導電型の低抵抗層23を形成し、この低抵抗層23の上方に対応位置する前記半導体領域21,22表面に設けたフィールド酸化膜25aによって囲まれた領域に、第1導電型拡散領域26と第2導電型拡散領域27を順次積層してPN接合を有する可変容量素子を形成し、この可変容量素子の上に絶縁層28を介して下部電極29と、絶縁膜30と、上部電極31とを順次積層してなる固定容量素子を形成し、前記第2導電型拡散領域27とその上に積層した絶縁層28、下部電極29によってゲート容量素子を構成したものである。
【選択図】図2
Description
2 水晶振動子
3 インバータ
5,9 コンデンサ(固定容量素子)
6,10 コンデンサ(ゲート容量素子)
7,11 PN接合ダイオード(可変容量素子)
13 NPN型スナップバックトランジスタ
21 P−型半導体基板
22 P−型エピタキシャル成長層
23 P++型低抵抗層
24 P++型拡散領域
25a,25b フィールド酸化膜
26 P+型拡散領域
27 N+型拡散領域
28,30 絶縁膜
29 下部電極
31 上部電極
32 P+型拡散領域
33 N+型拡散領域
Claims (4)
- 第1導電型の半導体領域中に第1導電型の低抵抗層を形成し、この低抵抗層の上方に対応位置する前記半導体領域表面に設けたフィールド酸化膜によって囲まれた領域に、第1導電型拡散領域と第2導電型拡散領域を順次積層してPN接合を有する可変容量素子を形成し、この可変容量素子の上に絶縁層を介して下部電極と、絶縁膜と、上部電極とを順次積層してなる固定容量素子を形成し、前記第2導電型拡散領域とその上に積層した絶縁層、下部電極によってゲート容量素子を構成してなる
ことを特徴とする可変容量装置。 - 可変容量素子が隣接するフィールド酸化膜の外縁に位置して、第2の第1導電型拡散領域を、半導体領域表面から低抵抗層に達するよう形成してなることを特徴とする請求項1記載の可変容量装置。
- 半導体領域を、半導体基板とその表面に形成したエピタキシャル成長層とで構成し、低抵抗層の上部及び可変容量素子を前記エピタキシャル成長層に設けたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の可変容量装置。
- 可変容量素子が隣接するフィールド酸化膜の外縁に位置して半導体領域表面に第2の第2導電型拡散領域を形成し、この第2の第2導電型拡散領域と可変容量素子領域を接続するように前記フィールド酸化膜の下面に第3の第1導電型拡散領域を形成して、前記可変容量素子の第2導電型拡散領域と、前記第3の第1導電型拡散領域と、前記第2の第2導電型拡散領域とによって保護素子を構成してなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の可変容量装置。
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