JP2011176026A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ドリフト領域、ベース領域およびソース・エミッタ領域からなる寄生素子による影響をなくすことができ、また、オン電圧が増大することを防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板のおもて面に、ベース領域を貫通し、ドリフト領域1まで達するトレンチ3を形成する。ついで、ゲート絶縁膜4を介して、トレンチ3の内部に、ベース領域2の表面と同じ高さにまで達しないようにゲート電極5を埋め込み、第2凹部を形成する。ついで、第2凹部の内部に埋め込むように層間絶縁膜7を形成する。ついで、エッチバックを行い、ゲート電極5の表面にのみ層間絶縁膜7を残す。そして、エッチングによって、ベース領域2の表面がゲート電極5と層間絶縁膜7との界面より低い位置になるまで、ベース領域2の表面層を除去し、第1凹部6を形成する。ついで、第1凹部6の内部にソース電極8を埋め込む。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板のおもて面に、ベース領域を貫通し、ドリフト領域1まで達するトレンチ3を形成する。ついで、ゲート絶縁膜4を介して、トレンチ3の内部に、ベース領域2の表面と同じ高さにまで達しないようにゲート電極5を埋め込み、第2凹部を形成する。ついで、第2凹部の内部に埋め込むように層間絶縁膜7を形成する。ついで、エッチバックを行い、ゲート電極5の表面にのみ層間絶縁膜7を残す。そして、エッチングによって、ベース領域2の表面がゲート電極5と層間絶縁膜7との界面より低い位置になるまで、ベース領域2の表面層を除去し、第1凹部6を形成する。ついで、第1凹部6の内部にソース電極8を埋め込む。
【選択図】図1
Description
この発明は、半導体素子の製造方法に関する。
電気自動車(EV:Electric Vehicle)などに用いられる電力変換装置として、消費電力が少なく、かつ電圧制御で駆動が容易である絶縁ゲート型半導体素子が最も普及している。絶縁ゲート型半導体素子としては、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)などが公知である。
以下、本明細書および添付図面においては、nまたはpを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、nやpに付す+および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。
図6は、従来の半導体素子を示す断面図である。従来の絶縁ゲート型半導体素子として、例えばトレンチゲート構造のMOSFETについて説明する。n-型のドリフト領域101となる半導体基板の表面に、p型のベース領域102が設けられている。また、ベース領域102を貫通し、ドリフト領域101まで達するトレンチ103が設けられている。トレンチ103の内部には、ゲート絶縁膜104を介してゲート電極105が設けられている。ベース領域102の表面層には、トレンチ103に接するように、n+型のソース領域106が選択的に設けられている。ソース電極108は、ベース領域102およびソース領域106に接する。また、ソース電極108は、層間絶縁膜107によってゲート電極105と電気的に絶縁されている。半導体基板の裏面には、ドレイン電極109が設けられている。
このような半導体素子は、次に示すように動作する。ソース電極108は、グランドに接地された状態か、負の電圧が印加された状態となっている。ドレイン電極109は、正の電圧が印加された状態となっている。ここで、ゲート電極105に閾値よりも低い電圧が印加された場合、ベース領域102とドリフト領域101からなるpn接合は逆バイアスされているため、ソース・ドレイン間に電流は流れない。つまり、半導体素子はオフ状態を維持する。一方、ゲート電極105に閾値を超える電圧が印加された場合、p型のベース領域102のうち、ソース領域106下のトレンチ103に接する領域が反転し、n型のチャネル領域となる。これにより、ソース電極108から出た電子が、チャネル領域およびドリフト領域101からなるn型領域を通ってドレイン電極109へと動き、ソース・ドレイン間に電流が流れる。つまり、半導体素子はオン状態となる。
このような半導体素子として、次のような装置が提案されている。一方の主面側に第1の電極が形成された第1の伝導形で高不純物密度の第1半導体領域と、第1半導体領域の他方の主面側との間に第1接合を形成する第1の伝導形の第2半導体領域と、一方の主面側が第2半導体領域と第2接合を形成する第1の伝導形とは逆の第2の伝導形の第3半導体領域と、第2の電極が一方の主面側に形成され、第3半導体領域の他方の主面側と隣接する領域と、を備えたMOS制御デバイスにおいて、第3半導体領域の他方の主面側と隣接する領域は、注入キャリア量が多くなる仕事関数を持つ金属を第3半導体領域に浸入させることにより第3半導体領域との間の全面にオーミック接触を形成する金属半導体合金層領域であり、金属半導体合金層領域から第3半導体領域を通って第2半導体領域まで延在するようにMOSゲート構造及びゲート電極を形成してなり、前記MOSゲート直下の第3半導体領域表面に反転層を形成することにより、金属半導体合金層領域から第2半導体領域にキャリアを輸送する構成を有する。このような構成は、トレンチ構造のデバイスにも応用可能である(例えば、下記特許文献1参照。)。
次に、図6に示す従来の絶縁ゲート型半導体素子の製造方法について説明する。まず、n-型のドリフト領域101となる半導体基板の表面に、p型のベース領域102を形成する。ついで、ベース領域102を貫通し、ドリフト領域101まで達するトレンチ103を形成する。ついで、ゲート絶縁膜104を介して、トレンチ103の内部にゲート電極105を形成する。ついで、ベース領域102の表面層に、トレンチ103に接するように選択的にn+型のソース領域106を形成する。ついで、半導体基板の表面に層間絶縁膜107を選択的に形成し、ゲート電極105の表面を覆う。ついで、半導体基板の表面に露出するベース領域102およびソース領域106に接するソース電極108を形成する。ついで、半導体基板の裏面に、ドリフト領域101に接するドレイン電極109を形成する。これにより、図6に示すトレンチゲート構造のMOSFETが完成する。
しかしながら、従来のMOSFETやIGBTなどの絶縁ゲート型半導体素子では、半導体素子本来の構成要素に加えて付随的に、寄生バイポーラトランジスタや寄生サイリスタなどの寄生素子が形成されてしまう。このような寄生素子は、半導体素子内に過電流が流れる異常時などに動作し易い。また、寄生素子の動作は、本来の半導体素子の動作に悪い影響を及ぼすという問題がある。
例えば、図6に示す半導体素子では、ドリフト領域101、ベース領域102およびソース領域106からなる寄生バイポーラトランジスタ121が形成される。半導体素子に過電流などの異常電流が流れて、チャネル領域の電圧降下がシリコンダイオードの順方向電圧0.7V(ダイオードのビルトイン電圧が0.6Vであるため)を超えた場合、寄生バイポーラトランジスタ121が動作し、ラッチアップや短絡を引き起こす原因となる。寄生バイポーラトランジスタ121の動作は、ゲート電極105に印加する電圧を制御することでは制御することができない。このため、半導体素子が安全動作領域を超えてしまった場合に破壊に至る恐れが生じる。
このような問題を回避する方法として、例えばソース領域106の幅を狭く形成するなどによって微細化を図る方法が公知である。しかしながら、このように作製された半導体素子では、半導体素子を微細化することによって半導体素子内の電流密度が増加し、寄生バイポーラトランジスタ121が動作しやすくなってしまう。また、別の方法として、ベース領域102を高い不純物濃度で形成する方法が公知である。しかしながら、このように作製された半導体素子では、オン状態で、チャネル領域が十分に反転しなくなってしまう。このため、オン電圧が増大するという問題が生じてしまう。また、このような問題は、トレンチゲート構造のIGBTにおいても同様に生じる。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ドリフト領域、ベース領域およびソース・エミッタ領域からなる寄生素子による影響をなくすことができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、オン電圧が増大することを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項1の発明にかかる半導体素子の製造方法は、以下の特徴を有する。まず、第1導電型の第1半導体領域の表面層に、当該第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第2半導体領域を形成する工程を行う。ついで、前記第2半導体領域を貫通し、前記第1半導体領域まで達するトレンチを形成する工程を行う。ついで、絶縁膜を介して、前記トレンチの内部に、前記第2半導体領域の表面と同じ高さにまで達しないように第1電極を埋め込む工程を行う。ついで、前記トレンチの内部に埋め込み、前記第1電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程を行う。ついで、前記第1電極の表面にのみ、前記層間絶縁膜を残す工程を行う。ついで、前記第2半導体領域の表面が、前記第1電極と前記層間絶縁膜との界面よりも低い位置となるように、当該第2半導体領域を除去する工程を行う。ついで、前記第2半導体領域に接し、かつ前記トレンチの側壁に形成された前記絶縁膜を介して前記第1電極と隣り合う第2電極を形成する工程を行う。
また、請求項2の発明にかかる半導体素子の製造方法は、請求項1に記載の発明において、前記第2電極は、前記トレンチの側壁に形成された前記絶縁膜と前記第2半導体領域とで構成された凹部に埋め込まれることを特徴とする。
また、請求項3の発明にかかる半導体素子の製造方法は、請求項1または2に記載の発明において、前記第2半導体領域は、前記層間絶縁膜をマスクとして、エッチングによって除去されることを特徴とする。
また、請求項4の発明にかかる半導体素子の製造方法は、請求項1〜3のいずれか一つに記載の発明において、前記第2半導体領域は、前記第1電極と前記層間絶縁膜との界面から、当該第2半導体領域の表面までの深さが0.05μm以上2μm以下となる深さまで除去されることを特徴とする。
また、請求項5の発明にかかる半導体素子の製造方法は、請求項1〜4のいずれか一つに記載の発明において、以下の特徴を有する。さらに、前記第1半導体領域の表面に、当該第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第3半導体領域を形成する工程を行う。ついで、前記第3半導体領域の表面に、第3電極を形成する工程を行う。
上述した発明によれば、エッチングによって、第2半導体領域の表面が第1電極と層間絶縁膜との界面よりも低い位置となるまで、第2半導体領域の表面層を除去する。つまり、半導体基板の表面に、トレンチの側壁に沿って設けられた絶縁膜と、第2半導体領域とで構成された凹部を形成する。ついで、凹部の内部に、第2電極を埋め込んで、第2半導体領域に接し、かつ絶縁膜を介して第1電極と隣り合う第2電極を形成する。このため、第2半導体領域のうち、絶縁膜を介して第1電極に隣り合う領域にチャネル領域が形成される。これにより、第2半導体領域の表面層にソース領域を形成せずに、従来と同様に動作する半導体素子を作製することができる。また、このように作製された半導体素子では、第1半導体領域、第2半導体領域およびソース領域からなる寄生バイポーラトランジスタ(寄生素子)は形成されない。
上述した請求項6の発明によれば、第2半導体領域の表面層にエミッタ領域を形成せずに、従来と同様に動作する半導体素子を作製することができる。このように作製された半導体素子では、第3半導体領域、第1半導体領域、第2半導体領域およびエミッタ領域からなる寄生サイリスタ(寄生素子)は形成されない。
また、上述した請求項1〜6の発明によれば、半導体素子にドリフト領域、ベース領域およびソース・エミッタ領域からなる寄生素子が形成されないため、半導体素子を微細化したとしても、従来の半導体素子を微細化する際に、ドリフト領域、ベース領域およびソース・エミッタ領域からなる寄生素子によって生じていた問題を回避することができる。さらにまた、ドリフト領域、ベース領域およびソース・エミッタ領域からなる寄生素子が形成されないため、第2半導体領域の不純物濃度を高くする必要がない。これにより、オン電圧を上げることなく、チャネル領域を十分に反転させることができる。
本発明にかかる半導体素子の製造方法によれば、ドリフト領域、ベース領域およびソース・エミッタ領域からなる寄生素子による影響をなくすことができるという効果を奏する。また、オン電圧が増大することを防止することができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体素子の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、実施の形態にかかる半導体素子を示す断面図である。図1に示す半導体素子では、n-型(第1導電型)のドリフト領域1となる半導体基板の表面層に、p型(第2導電型)のベース領域2が設けられている。ベース領域2は、ドリフト領域1よりも高い不純物濃度を有する。半導体基板のおもて面には、ベース領域2を貫通し、ドリフト領域1まで達するトレンチ3からなるトレンチ構造が設けられている。ドリフト領域1は、第1半導体領域に相当する。ベース領域2は、第2半導体領域に相当する。
トレンチ3の内部には、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極5が設けられている。ゲート絶縁膜4およびゲート電極5は、ベース領域2の半導体基板のおもて面側の表面よりも、半導体基板のおもて面側に張り出している。つまり、半導体基板のおもて面にほぼ垂直に、トレンチ3の側壁に沿って設けられたゲート絶縁膜4を側壁とし、隣り合うトレンチ3間に設けられ、半導体基板のおもて面にほぼ平行な面を有するベース領域2を底面とした第1凹部6が構成されている。ゲート電極5の表面は、層間絶縁膜7によって覆われている。ゲート絶縁膜4は、絶縁膜に相当する。ゲート電極5は、第1電極に相当する。第1凹部6は、凹部に相当する。
ソース電極8は、第1凹部6の内部に埋め込まれている。つまり、ソース電極8は、ベース領域2に接し、かつ、ベース領域2のおもて面側の表面から張り出して設けられたゲート絶縁膜4を介して、ゲート電極5と隣り合うように設けられている。また、ソース電極8は、層間絶縁膜7によってゲート電極5と電気的に絶縁されている。ソース電極8は、第2電極に相当する。ドリフト領域1の裏面には、ドレイン電極9が設けられている。
このように、第1凹部6の底面であるベース領域2とソース電極8との界面(以下、ベース領域2の上端とする)は、ゲート電極5と層間絶縁膜7との界面(以下、ゲート電極5の上端とする)よりもドリフト領域1の裏面側に位置する。第1凹部6内に設けられたソース電極8が、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極5と隣り合うことで、ベース領域2にチャネル領域11が形成される。ベース領域2のうち、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極5に隣り合う領域がチャネル領域11である。
ベース領域2の上端からゲート電極5の上端までの距離dは、0.05μm以上2μm以下であるのが望ましい。その理由は、次に示すとおりである。距離dが0.05μm未満である場合、第1凹部6内に設けられたソース電極8が、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極5と隣り合う距離が短くなる。このため、半導体素子の動作が不安定になってしまうからである。一方、距離dが2μmまで深くすれば、全ての領域でゲート電極5とソース電極6がゲート絶縁膜4を介して対面するので、素子の動作が安定する。
このような半導体素子の製造方法について説明する。図2〜図5は、実施の形態にかかる半導体素子の製造方法を示す断面図である。まず、図2に示すように、n-型のドリフト領域1となる半導体基板の表面層に、例えばボロン(B)などをイオン注入し、p型のベース領域2を形成する。ベース領域2は、ドリフト領域1よりも高い不純物濃度で形成される。ついで、例えばフォトリソグラフィにより、ベース領域2を貫通し、ドリフト領域1まで達するトレンチ3を形成する。
ついで、例えば熱酸化法により、トレンチ3の側壁および底面に、薄い二酸化シリコン膜(SiO2)からなるゲート絶縁膜4を形成する。ついで、ゲート絶縁膜4を介して、トレンチ3の内部に、例えばポリシリコン(Poly−Si)などを埋め込んでゲート電極5を形成する。ゲート電極5は、ベース領域2の表面と同じ高さにまで達しないように埋め込まれる。つまり、ゲート電極5の表面は、ベース領域2の表面よりも低い位置となる。これにより、半導体基板の表面には、ゲート電極5を底面とし、トレンチ3の側壁に形成されたゲート絶縁膜4を側壁として構成される第2凹部16が形成される。
ついで、図3に示すように、例えば化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法を用いて、半導体基板の表面に例えばPSG(Phospho Silicate Glass)膜などからなる層間絶縁膜7を形成する。層間絶縁膜7は、第2凹部16の内部に埋め込まれ、ゲート電極5の表面を覆うように形成される。CVD法を用いることで、層間絶縁膜7は、半導体基板の表面の全体に、凹凸なくほぼ平坦に堆積される。このため、層間絶縁膜7のうち、第2凹部16の上に形成された部分では、第2凹部16の深さだけ厚みが増す。つまり、層間絶縁膜7のうち、第2凹部16の上に形成された部分は、ベース領域2の表面に形成された部分よりも厚く形成される。層間絶縁膜7の形成には、上述したCVD法に限らず、層間絶縁膜7のうち、第2凹部16の上に形成された部分の厚みを、ベース領域2の表面に形成された部分よりも厚く形成することができる方法であれば他の方法を用いてもよい。
ついで、エッチバックを行い、ベース領域2の表面が露出するまで、層間絶縁膜7を全面的に除去する。このエッチバックによって、層間絶縁膜7のうち、ベース領域2の表面に形成された部分は、すべて除去される。一方、層間絶縁膜7のうち、第2凹部16の上に形成された部分は、第2凹部16の深さとほぼ同様の厚さで、除去されずに残る。つまり、図4に示すように、第2凹部16の内部のゲート電極5の表面にのみ、層間絶縁膜7が残る。
ついで、図5に示すように、エッチング行い、ベース領域2の表面(ベース領域2の上端)がゲート電極5と層間絶縁膜7との界面(ゲート電極5の上端)よりも低い位置となるまで、ベース領域2の表面層を除去する。このエッチング処理では、ゲート絶縁膜4および層間絶縁膜7に対するベース領域2の選択比が高くなるようにエッチング方法やエッチング条件が選択される。このため、エッチングによって、層間絶縁膜7およびゲート絶縁膜4は除去されない。これにより、半導体基板の表面には、トレンチ3の側壁に形成されたゲート絶縁膜4を側壁とし、ベース領域2を底面として構成される第1凹部6が形成される。
また、図5に示すエッチング処理では、ゲート電極5の上端からベース領域2の表面までの深さ(距離d)が0.05μm以上2μm以下となる深さまで、ベース領域2の表面層が除去されるのが望ましい。その理由は、上述したとおりである。エッチング方法として、例えばフッ酸(HF)および硝酸(HNO3)を含む混合酸または水酸化カリウム水溶液(KOH)などを用いたウエットエッチングを選択してもよいし、例えばプラズマガスなどを用いたドライエッチングを選択してもよい。
ついで、図1に示すように、例えばめっき法により、第1凹部6の内部にソース電極8を埋め込む。これにより、ソース電極8は、第1凹部6の底面においてベース領域2に接し、かつ第1凹部6の側壁においてゲート絶縁膜4を介してゲート電極5と隣り合う。ソース電極8の形成には、めっき法の他に、化学気相成長法を用いてもよいし、スパッタリング法を用いてもよい。ソース電極8に用いる金属材料として、ニッケル(Ni)やタングステン(W)、アルミニウム(Al)などを用いてもよい。
また、ソース電極8は、複数の金属電極層が積層されてなる構成としてもよい。このとき、形成方法や金属材料を種々変更し、ソース電極8となる複数の金属電極層を積層してもよい。例えば、第1凹部6の内部に埋め込むソース電極8は、CVD法を用いてタングステン電極層を積層し、続けて、基板表面に形成するソース電極8は、スパッタリング法やめっき法を用いてアルミニウム電極層を積層してもよい。望ましくは、少なくとも最下層の金属電極層は、CVD法を用いてタングステン電極層を形成するのがよい。これにより、第1凹部6の底面の角部などにも、ソース電極8となる金属材料を精度よく埋め込むことができる。このため、例えばソース電極8が剥離してしまうなどの問題を回避することができる。
ついで、半導体基板の裏面に、ドリフト領域1に接するドレイン電極9を形成する。これにより、図1に示すようなトレンチゲート構造のMOSFETが完成する。
以上、説明したように、実施の形態によれば、第1凹部6を形成し、第1凹部6の内部に、ソース電極8を埋め込む。このため、ベース領域2のうち、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極5に隣り合う領域にチャネル領域11が形成される。これにより、ベース領域2の表面層にソース領域(図6のソース領域106)を形成せずに、従来と同様に動作する半導体素子を作製することができる。また、このように作製された半導体素子では、ドリフト領域1、ベース領域2およびソース領域からなる寄生バイポーラトランジスタ(寄生素子)は形成されない。このため、ドリフト領域1、ベース領域2およびソース領域からなる寄生素子による影響をなくすことができる。これにより、半導体素子に異常電流が流れたときに、半導体素子が破壊されることを防止することができる。また、半導体素子にドリフト領域1、ベース領域2およびソース領域からなる寄生素子が形成されないため、半導体素子を微細化したとしても、従来の半導体素子を微細化する際に、ドリフト領域1、ベース領域2およびソース領域からなる寄生素子によって生じていた問題を回避することができる。また、ドリフト領域1、ベース領域2およびソース領域からなる寄生素子が形成されないため、ベース領域の不純物濃度を高くする必要がない。これにより、オン電圧を上げることなく、チャネル領域11を十分に反転させることができる。したがって、オン電圧が増大することを防止することができる。また、半導体素子を作製するに際し、CVD法を用いて第2凹部16を埋め込むように層間絶縁膜7を形成し、層間絶縁膜7をエッチバックする。このため、新たにマスクなどを形成することなく、ゲート電極5の表面にのみ層間絶縁膜7を残すことができる。また、ゲート絶縁膜4および層間絶縁膜7に対するベース領域2の選択比を高くして、ベース領域2をエッチングする。このため、新たにマスクなどを形成することなく、ベース領域2の表面層を所望の厚さだけ除去して第1凹部6を形成することができる。
上述した各実施の形態では、ドリフト領域と裏面電極の間に、ドリフト領域よりも高い不純物濃度を有するp型のコレクタ領域を形成することで、トレンチゲート構造のIGBTを作製してもよい。このように作製された半導体素子では、コレクタ領域、ドリフト領域、ベース領域およびエミッタ領域からなる寄生サイリスタ(寄生素子)が形成されない。このため、上述した各実施の形態と同様の効果を得ることができる。ここで、裏面電極は、コレクタ電極である。コレクタ電極は、第3電極に相当する。コレクタ領域は、第3半導体領域に相当する。
以上において本発明では、半導体基板上に1つの半導体素子が設けられた構成の回路を例に説明しているが、上述した実施の形態に限らず、同一基板上に2つ以上の半導体素子が設けられた構成の集積回路(IC:Integrated Circuit)に適用することが可能である。例えば相補型MOS(CMOS LSI:Complementary MOS)では、n型ドリフト領域、p型ウェル領域、n型MOSFETのn型ソース領域、p型MOSFETのp型ソース領域によって形成される寄生的なpnpとnpnトランジスタをつないだ寄生サイリスタが形成されない。また、半導体素子の各領域におけるn型とp型をすべて逆転した構成としてもよい。
以上のように、本発明にかかる半導体素子の製造方法は、大電力の半導体素子を製造するのに有用であり、特に、MOSFETやIGBTなどの絶縁ゲート型半導体素子を製造するのに適している。
1 ドリフト領域
2 ベース領域
3 トレンチ
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6 第1凹部
7 層間絶縁膜
8 ソース電極
9 ドレイン電極
11 チャネル領域
d ベース領域の上端からゲート電極の上端までの距離
2 ベース領域
3 トレンチ
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6 第1凹部
7 層間絶縁膜
8 ソース電極
9 ドレイン電極
11 チャネル領域
d ベース領域の上端からゲート電極の上端までの距離
Claims (5)
- 第1導電型の第1半導体領域の表面層に、当該第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第2半導体領域を形成する工程と、
前記第2半導体領域を貫通し、前記第1半導体領域まで達するトレンチを形成する工程と、
絶縁膜を介して、前記トレンチの内部に、前記第2半導体領域の表面と同じ高さにまで達しないように第1電極を埋め込む工程と、
前記トレンチの内部に埋め込み、前記第1電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1電極の表面にのみ、前記層間絶縁膜を残す工程と、
前記第2半導体領域の表面が、前記第1電極と前記層間絶縁膜との界面よりも低い位置となるように、当該第2半導体領域を除去する工程と、
前記第2半導体領域に接し、かつ前記トレンチの側壁に形成された前記絶縁膜を介して前記第1電極と隣り合う第2電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第2電極は、前記トレンチの側壁に形成された前記絶縁膜と前記第2半導体領域とで構成された凹部に埋め込まれることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2半導体領域は、前記層間絶縁膜をマスクとして、エッチングによって除去されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2半導体領域は、前記第1電極と前記層間絶縁膜との界面から、当該第2半導体領域の表面までの深さが0.05μm以上2μm以下となる深さまで除去されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1半導体領域の表面に、当該第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第3半導体領域を形成する工程と、
前記第3半導体領域の表面に、第3電極を形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
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