JPH0429368A - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタおよびその製造方法Info
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 62
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 37
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 27
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 62
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003682 SiB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 high temperatures Chemical compound 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7839—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with Schottky drain or source contact
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は炭化珪素を用いた電界効果トランジスタおよび
その製造方法に関する。さらに詳しくは。
その製造方法に関する。さらに詳しくは。
本発明は、炭化珪素からなるチャネル形成層とソース領
域およびドレイン領域との間に形成される接合が互いに
異なる特性を示す電界効果トラン：スタおよびその製造
方法に関する。
域およびドレイン領域との間に形成される接合が互いに
異なる特性を示す電界効果トラン：スタおよびその製造
方法に関する。
（従来の技術）
炭化珪素は広い禁制帯幅（２，２〜３．３ｅＶ）を有す
一半導体材料である。また、熱的、化学的、およζ機械
的に極めて安定であり、放射線損傷にも強しという優れ
た特徴を持っている。しかも、炭化工素中における電子
の飽和移動速度は、珪素などり他の半導体材料に比べて
大きい。一般に、珪素Ｏような従来の半導体材料を用い
た半導体素子は。
一半導体材料である。また、熱的、化学的、およζ機械
的に極めて安定であり、放射線損傷にも強しという優れ
た特徴を持っている。しかも、炭化工素中における電子
の飽和移動速度は、珪素などり他の半導体材料に比べて
大きい。一般に、珪素Ｏような従来の半導体材料を用い
た半導体素子は。
特に高温、高出力駆動、放射線照射、高側波動ヂなどの
苛酷な条件下では使用が困難である。しｔがって、炭化
珪素を用いた半導体素子は、このＪうな苛酷な条件下で
も使用し得る半導体素子として広範な分野での利用が期
待されている。
苛酷な条件下では使用が困難である。しｔがって、炭化
珪素を用いた半導体素子は、このＪうな苛酷な条件下で
も使用し得る半導体素子として広範な分野での利用が期
待されている。
このような半導体素子の作製を目的として炭化珪素単結
晶を成長させる方法としては、安価で２手の容易な珪素
単結晶基板上に、大きな面積を苓する良質の炭化珪素単
結晶を、化学的気相成長ｎ（ＣＶＤ法）により形成する
方法がある（特開昭５９−２０７９９号）。また、大き
な面積を有する高純度で高品質の炭化珪素バルク単結晶
を昇華法により得ることが可能である（Ｙｔ＋、Ｍ、Ｔ
ａ１ｒｏｖ ａｎｄ Ｖ、Ｆ、Ｔｓｖｅｔｋｏｖ。
晶を成長させる方法としては、安価で２手の容易な珪素
単結晶基板上に、大きな面積を苓する良質の炭化珪素単
結晶を、化学的気相成長ｎ（ＣＶＤ法）により形成する
方法がある（特開昭５９−２０７９９号）。また、大き
な面積を有する高純度で高品質の炭化珪素バルク単結晶
を昇華法により得ることが可能である（Ｙｔ＋、Ｍ、Ｔ
ａ１ｒｏｖ ａｎｄ Ｖ、Ｆ、Ｔｓｖｅｔｋｏｖ。
Ｊ、 Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ５２（１９８１
）、 ｐ、１４６）。この炭化珪素バルク単結晶を成長
用基板として用い、 ＣＶＤ法により、さらに炭化珪
素単結晶層を成長させる方法が開発されている。
）、 ｐ、１４６）。この炭化珪素バルク単結晶を成長
用基板として用い、 ＣＶＤ法により、さらに炭化珪
素単結晶層を成長させる方法が開発されている。
上記いずれの方法を用いても、炭化珪素単結晶を気相成
長させる際に適当な不純物を添加すれば。
長させる際に適当な不純物を添加すれば。
得られた炭化珪素単結晶の導電型や不純物濃度を制御す
ることができる。それゆえ、この方法で得られた炭化珪
素単結晶を用いて各種の半導体素子が開発されている。
ることができる。それゆえ、この方法で得られた炭化珪
素単結晶を用いて各種の半導体素子が開発されている。
これらのなかには、チャネル形成層に炭化珪素を用いた
ＭＯＳ構造の反転型電界効果トランジスタのような半導
体素子も含まれる。
ＭＯＳ構造の反転型電界効果トランジスタのような半導
体素子も含まれる。
例えば、 ＭＯＳ反転型電界効果トランジスタにおい
ては、半導体基板またはその上に形成された半導体層に
チャネル形成層を設け、このチャネル形成層に、チャネ
ル形成層とは異なる導電型を有するソース領域およびド
レイン領域を設けなければならない。つまり、 ｐ型の
チャネル形成層を用いたｎ−チャネル反転型の場合には
、 ｐ型チャネル形成層にｎ型のソース領域およびドレ
イン領域を形成する必要がある。他方、 ｎ型のチャネ
ル形成層を用いたｐ−チャネル反転型の場合には、 ｎ
型チャネル形成層にｐ型のソース領域およびドレイン領
域を形成する必要がある。このような電界効果トランジ
スタでは、チャネル形成層とソース領域およびドレイン
領域との間に形成される各接合の特性がトランジスタ特
性に大きな影響を与えることが知られている。
ては、半導体基板またはその上に形成された半導体層に
チャネル形成層を設け、このチャネル形成層に、チャネ
ル形成層とは異なる導電型を有するソース領域およびド
レイン領域を設けなければならない。つまり、 ｐ型の
チャネル形成層を用いたｎ−チャネル反転型の場合には
、 ｐ型チャネル形成層にｎ型のソース領域およびドレ
イン領域を形成する必要がある。他方、 ｎ型のチャネ
ル形成層を用いたｐ−チャネル反転型の場合には、 ｎ
型チャネル形成層にｐ型のソース領域およびドレイン領
域を形成する必要がある。このような電界効果トランジ
スタでは、チャネル形成層とソース領域およびドレイン
領域との間に形成される各接合の特性がトランジスタ特
性に大きな影響を与えることが知られている。
一般に、電界効果トランジスタを実用化するのに必要な
特性条件としては、（１）ソース・ドレイン間の耐圧が
高いこと、（２）ドレイン電圧を印加することによる基
板へのリーク電流が充分に小さいこと、および（３）ト
ランジスタのオン抵抗が充分に小さいことなどが挙げら
れる。
特性条件としては、（１）ソース・ドレイン間の耐圧が
高いこと、（２）ドレイン電圧を印加することによる基
板へのリーク電流が充分に小さいこと、および（３）ト
ランジスタのオン抵抗が充分に小さいことなどが挙げら
れる。
（発明が解決しようとする課題）
現在、開発されている炭化珪素を用いた電界効果トラン
ジスタでは、そのソース領域およびドレイン領域は２例
えばイオン注入法により同時に形成されている。したが
って、チャネル形成層とソース領域との間に形成される
ｐｎ接合は、チャネル形成層とドレイン領域との間に形
成されるｐｎ接合と同じ特性を示すことになる。
ジスタでは、そのソース領域およびドレイン領域は２例
えばイオン注入法により同時に形成されている。したが
って、チャネル形成層とソース領域との間に形成される
ｐｎ接合は、チャネル形成層とドレイン領域との間に形
成されるｐｎ接合と同じ特性を示すことになる。
電界効果トランジスタを実用化するのに必要な上記の特
性条件のうち、（１）および（２）はチャネル形成層と
ドレイン領域との間に形成されるｐｎ接合の特性（特に
、逆方向特性）に依存し、（３）はチャネル形成層とソ
ース領域との間に形成されるｐｎ接合の特性（特に、順
方向特性）、およびソース領域の抵抗に依存する。しか
し、現在のところ、このような条件をすべて満足するよ
うなソース領域およびドレイン領域は得られておらず、
したがって。
性条件のうち、（１）および（２）はチャネル形成層と
ドレイン領域との間に形成されるｐｎ接合の特性（特に
、逆方向特性）に依存し、（３）はチャネル形成層とソ
ース領域との間に形成されるｐｎ接合の特性（特に、順
方向特性）、およびソース領域の抵抗に依存する。しか
し、現在のところ、このような条件をすべて満足するよ
うなソース領域およびドレイン領域は得られておらず、
したがって。
炭化珪素を用いた電界効果トランジスタは実用化される
までには至っていない。
までには至っていない。
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、その
目的とするところは、耐圧が高く、リーク電流が少なく
、そしてオン抵抗が小さいという優れた素子特性を有す
る。炭化珪素を用いた電界効果トランジスタを提供する
ことにある。また。
目的とするところは、耐圧が高く、リーク電流が少なく
、そしてオン抵抗が小さいという優れた素子特性を有す
る。炭化珪素を用いた電界効果トランジスタを提供する
ことにある。また。
本発明の他の目的は、このような優れた素子特性を有す
る。炭化珪素を用いた電界効果トランジスタの製造方法
を提供することにある。
る。炭化珪素を用いた電界効果トランジスタの製造方法
を提供することにある。
（課題を解決するための手段および作用）本発明の電界
効果トランジスタは、炭化珪素からなるチャネル形成層
を有し、このチャネル形成層とソース領域との間に形成
される第１の接合が。
効果トランジスタは、炭化珪素からなるチャネル形成層
を有し、このチャネル形成層とソース領域との間に形成
される第１の接合が。
このチャネル形成層とドレイン領域との間に形成される
第２の接合とは異なる特性を示すことにより、上記目的
が達成される。
第２の接合とは異なる特性を示すことにより、上記目的
が達成される。
このような電界効果トランジスタを製造する本発明の方
法は、チャネル形成層とソース領域との間に第１の接合
を形成する工程と、チャネル形成層とドレイン領域との
間に第２の接合を形成する工程とを包含し、これらの第
１および第２の接合が互いに異なる特性を示すように、
その構造および／または形成プロセスを選択することに
より。
法は、チャネル形成層とソース領域との間に第１の接合
を形成する工程と、チャネル形成層とドレイン領域との
間に第２の接合を形成する工程とを包含し、これらの第
１および第２の接合が互いに異なる特性を示すように、
その構造および／または形成プロセスを選択することに
より。
上記目的が達成される。
一般に、電界効果トランジスタのチャネル形成層とソー
ス領域およびドレイン領域との間に形成される接合の特
性は、その構造および／または形成プロセスに依存する
。したがって、上記の特性条件を満足する接合を得るに
は、その構造および形成プロセスを適切に選択すればよ
い。
ス領域およびドレイン領域との間に形成される接合の特
性は、その構造および／または形成プロセスに依存する
。したがって、上記の特性条件を満足する接合を得るに
は、その構造および形成プロセスを適切に選択すればよ
い。
例えば、イオン注入法によりソース領域およびドレイン
領域を形成し、チャネル形成層との間にｐｎ接合を形成
する場合には、イオン注入後の熱処理条件（例えば、処
理時間）を調節することにより。
領域を形成し、チャネル形成層との間にｐｎ接合を形成
する場合には、イオン注入後の熱処理条件（例えば、処
理時間）を調節することにより。
各接合に良好な特性を与えることができる。
また、イオン注入法は、成長後の半導体層に不純物を注
入する方法であるので、不純物の量および分布を非常に
正確にかつ再現性よく制御し得る。
入する方法であるので、不純物の量および分布を非常に
正確にかつ再現性よく制御し得る。
それゆえ、イオン注入法によれば、半導体層の成長中に
不純物を添加するＣＶＤ法に比べて、抵抗率の小さいｎ
型およびｐ型の半導体層を容易に形成することができ、
しかも接合面の特性が良好であるので、順方向特性の良
好なｐｎ接合が得られる。
不純物を添加するＣＶＤ法に比べて、抵抗率の小さいｎ
型およびｐ型の半導体層を容易に形成することができ、
しかも接合面の特性が良好であるので、順方向特性の良
好なｐｎ接合が得られる。
しかし、イオン注入法では、接合面付近に注入損傷に起
因する欠陥が残存するので、得られたｐｎ接合は、
ＣＶＤ法によるｐｎ接合に比べて、逆方向特性に劣る。
因する欠陥が残存するので、得られたｐｎ接合は、
ＣＶＤ法によるｐｎ接合に比べて、逆方向特性に劣る。
したがって、チャネル形成層とソース領域との間に、イ
オン注入法によってｐｎ接合を形成すれば、トランジス
タのオン抵抗を低下させることができる。
オン注入法によってｐｎ接合を形成すれば、トランジス
タのオン抵抗を低下させることができる。
電界効果トランジスタのオン抵抗を低下させるためには
、イオン注入法によるｐｎ接合だけでなく。
、イオン注入法によるｐｎ接合だけでなく。
ｐｎ接合と同様に整流特性を示すショットキー接合を用
いることができる。ショットキー接合は、炭化珪素単結
晶層の表面に金属薄膜を蒸着することにより形成するか
、あるいはこの金属薄膜をさらに炭化珪素単結晶層と反
応させて、この金属の化合物からなる薄膜を形成するこ
とにより、容易に得られる。この場合、イオン注入法な
どとは異なり、炭化珪素単結晶層自体が変化しないので
、ショットキー接合は、イオン注入法によるｐｎ接合に
比べて良好な整流特性を有する。また、ショットキー接
合を形成するための金属は、一般に、その抵抗率が半導
体に比べてはるかに小さく、シかも配線材料の金属との
接触抵抗が充分に小さい。従って、ショットキー接合を
用いれば、 トランジスタのオン抵抗を充分に低下させ
ることができる。
いることができる。ショットキー接合は、炭化珪素単結
晶層の表面に金属薄膜を蒸着することにより形成するか
、あるいはこの金属薄膜をさらに炭化珪素単結晶層と反
応させて、この金属の化合物からなる薄膜を形成するこ
とにより、容易に得られる。この場合、イオン注入法な
どとは異なり、炭化珪素単結晶層自体が変化しないので
、ショットキー接合は、イオン注入法によるｐｎ接合に
比べて良好な整流特性を有する。また、ショットキー接
合を形成するための金属は、一般に、その抵抗率が半導
体に比べてはるかに小さく、シかも配線材料の金属との
接触抵抗が充分に小さい。従って、ショットキー接合を
用いれば、 トランジスタのオン抵抗を充分に低下させ
ることができる。
ショットキー接合を形成するための金属またはその化合
物は、炭化珪素とショット牛−接合を形成し得るもので
あればよく、アルミニウム（ＡＩ）。
物は、炭化珪素とショット牛−接合を形成し得るもので
あればよく、アルミニウム（ＡＩ）。
白金（Ｐｔ）、 金（Ａｕ）などの金属またはその化
合物（例えば、この金属と珪素や炭素とを含む化合物）
が挙げられる。
合物（例えば、この金属と珪素や炭素とを含む化合物）
が挙げられる。
これに対し、 ＣＶＤ法によるｐｎ接合は、イオン注
入法によるｐｎ接合やショットキー接合より良好な逆方
向特性を有する。したがって、チャネル形成層とドレイ
ン領域との間に、 ＣＶＤ法によってｐｎ接合を形成
すれば、ソース・ドレイン間の耐圧を高め、かつリーク
電流を低減することができる。
入法によるｐｎ接合やショットキー接合より良好な逆方
向特性を有する。したがって、チャネル形成層とドレイ
ン領域との間に、 ＣＶＤ法によってｐｎ接合を形成
すれば、ソース・ドレイン間の耐圧を高め、かつリーク
電流を低減することができる。
このように、 ＣＶＯ法により 得られるｐｎ接合を
。
。
イオン注入法により得られるｐｎ接合またはショットキ
ー接合と組み合わせることにより、各接合に必要とされ
る良好な特性を与えることができる。
ー接合と組み合わせることにより、各接合に必要とされ
る良好な特性を与えることができる。
（実施例）
以下に本発明の実施例について説明する。
実！ＪＬＬ
本実施例では、珪素（Ｓｔ＞単結晶基板上に成長させた
炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶を用いて、ｎ−チャネル反転
型ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を作製
した。このＭＯＳＦＥＴのソース領域およびドレイン領
域は、いずれもイオン注入法により形成され、チャネル
形成層との間には＋ ｐｎ接合が形成されている。こ
れらのｐｎ接合は、イオン注入後の熱処理時間を調節す
ることにより、必要とされる良好な特性が与えられてい
る。
炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶を用いて、ｎ−チャネル反転
型ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を作製
した。このＭＯＳＦＥＴのソース領域およびドレイン領
域は、いずれもイオン注入法により形成され、チャネル
形成層との間には＋ ｐｎ接合が形成されている。こ
れらのｐｎ接合は、イオン注入後の熱処理時間を調節す
ることにより、必要とされる良好な特性が与えられてい
る。
第１図（ａ）は本実施例のＭＯＳＦＥＴの構造を示す断
面図である。このＭＯＳＦＥＴは以下のようにして作製
された。
面図である。このＭＯＳＦＥＴは以下のようにして作製
された。
まず、第１図（ｂ）に示すように、 ＣＶＤ法により
。
。
Ｓｔ単単結晶基板ｌ上上、アルミニウム（ＡＩ）がドー
プされたβ型のｐ−Ｓ ｉＣ単結晶層１１（厚さ約１０
μｍ、キャリア密度５ ｘｌｏ”ｃｍ−’）を成長させ
て、チャネル形成層とした。なお、原料ガスとしては、
シラン（ＳｉＢ６）ガスおよびプロパン（Ｃ３８８）ガ
スを用いた。
プされたβ型のｐ−Ｓ ｉＣ単結晶層１１（厚さ約１０
μｍ、キャリア密度５ ｘｌｏ”ｃｍ−’）を成長させ
て、チャネル形成層とした。なお、原料ガスとしては、
シラン（ＳｉＢ６）ガスおよびプロパン（Ｃ３８８）ガ
スを用いた。
また、 ドーピング用の不純物ガスとしては、 トリメ
チルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａ １）ガスを用いた
。
チルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａ １）ガスを用いた
。
引き続いて、 ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によ
り。
り。
ｐ−ＳｉＣ単結晶層１１上に５ｉ０２膜を形成した後、
ホトリソグラフィーを用いて、 ５ｉ０２膜の素子形
成領域に対応する部分をエツチングにより開口して、第
１図（ｂ）に示すようなフィールド絶縁膜１２を形成し
た。なお、エッチャントとしては、フッ化水素（）ＩＦ
）溶液を用いた。
ホトリソグラフィーを用いて、 ５ｉ０２膜の素子形
成領域に対応する部分をエツチングにより開口して、第
１図（ｂ）に示すようなフィールド絶縁膜１２を形成し
た。なお、エッチャントとしては、フッ化水素（）ＩＦ
）溶液を用いた。
そして、酸素雰囲気中で約１．１００℃にて３時間の熱
酸化を行うことにより、開口部のｐ−５ｉＣ単結晶層１
１上に熱酸化Ｊ！ｌｌ９（厚さ約５０ｎｍ）を形成した
後。
酸化を行うことにより、開口部のｐ−５ｉＣ単結晶層１
１上に熱酸化Ｊ！ｌｌ９（厚さ約５０ｎｍ）を形成した
後。
さらに、 ＣＶＤ法により、第１図（Ｃ）に示すよう
に。
に。
熱酸化膜１９上に、リン（Ｐ）をドープした多結晶Ｓｉ
膜２０（厚さ約５００ｎｍ）を形成した。
膜２０（厚さ約５００ｎｍ）を形成した。
次いで、ホトリソグラフィーを用いて、ゲート形成用の
レジストパターン２１（長さ５μｍ）を形成した後、ソ
ース領域とドレイン領域とに対応する部分の熱酸化ａ１
９および多結晶Ｓｉ膜２０をエツチングにより除去し、
第１図（ｄ）に示すようなゲート絶縁膜１３およびゲー
ト電極１４を形成した。
レジストパターン２１（長さ５μｍ）を形成した後、ソ
ース領域とドレイン領域とに対応する部分の熱酸化ａ１
９および多結晶Ｓｉ膜２０をエツチングにより除去し、
第１図（ｄ）に示すようなゲート絶縁膜１３およびゲー
ト電極１４を形成した。
そして、レジストパターン２工を除去した後、ホトリソ
グラフィーを用いて、開口部２２のｐ−ＳｉＣ単結晶層
１１のみをレジスト膜で被覆した後、このレジスト膜、
フィールド絶縁膜１２．ゲート絶縁膜１３゜およびゲー
ト電極１４をマスクとして、開口部２３のｐ−Ｓ ｉｃ
単結晶層１１に、リン（Ｐ′″）イオンを注入した。
グラフィーを用いて、開口部２２のｐ−ＳｉＣ単結晶層
１１のみをレジスト膜で被覆した後、このレジスト膜、
フィールド絶縁膜１２．ゲート絶縁膜１３゜およびゲー
ト電極１４をマスクとして、開口部２３のｐ−Ｓ ｉｃ
単結晶層１１に、リン（Ｐ′″）イオンを注入した。
注入エネルギーは１００ｋｅＶであり、イオン注入量は
３ ｘｌｏ”ａｍ−２であった。次いで、開口部２２の
レジスト膜を除去した後、窒素雰囲気中で１．１００℃
にて５時間の熱処理を行うことにより、第１図（ｅ）に
示すような ドレイン領域１５を形成した。なお。
３ ｘｌｏ”ａｍ−２であった。次いで、開口部２２の
レジスト膜を除去した後、窒素雰囲気中で１．１００℃
にて５時間の熱処理を行うことにより、第１図（ｅ）に
示すような ドレイン領域１５を形成した。なお。
チャネル形成層であるｐ−ＳｉＣ単結晶層１１とドレイ
ン領域１５とは、 ｐｎ接合を形成している。
ン領域１５とは、 ｐｎ接合を形成している。
同様にして、開口部２３のｐ−ＳｉＣ単結晶層１１のみ
をレジスト膜で被覆した後、開口部２２のｐ−ＳｉＣ単
結晶層１１に、リン（Ｐ”）イオンを注入した。なお。
をレジスト膜で被覆した後、開口部２２のｐ−ＳｉＣ単
結晶層１１に、リン（Ｐ”）イオンを注入した。なお。
イオン注入の条件は上記と同じであった。次いで。
窒素雰囲気中で１，１００℃にて３０分間の熱処理を行
うことにより、第１図（ｆ）に示すような ソース領域
１６を形成した。なお、チャネル形成層であるｐ−Ｓｉ
Ｃ単結晶層１１と ソース領域１６とはｌ ｐｎ接合
を形成している。
うことにより、第１図（ｆ）に示すような ソース領域
１６を形成した。なお、チャネル形成層であるｐ−Ｓｉ
Ｃ単結晶層１１と ソース領域１６とはｌ ｐｎ接合
を形成している。
最後に、配線材料としてアルミニウム（ＡＩ）を真空蒸
着した後、パターニングして配線電極１７． １８を形
成することにより、第１図（ａ）に示すようなｎ−チャ
ネル反転型ＭＯＳＦＥＴを得た。
着した後、パターニングして配線電極１７． １８を形
成することにより、第１図（ａ）に示すようなｎ−チャ
ネル反転型ＭＯＳＦＥＴを得た。
第２図は、 ｐ−ＳｉＣ単結晶層１１と、Ｐ＋イオン
注入領域との間に形成されるｐｎ接合の特性を示す。実
線は３０分間の熱処理を行ったソース領域１６のｐｎ接
合特性を示し、破線は５時間の熱処理を行ったドレイン
領域１５のｐｎ接合特性を示す。この図から明らかなよ
うに、イオン注入の条件が同じであっても、その後の熱
処理条件（本実施例では、処理時間）の違いにより、接
合特性は著しく変化する。
注入領域との間に形成されるｐｎ接合の特性を示す。実
線は３０分間の熱処理を行ったソース領域１６のｐｎ接
合特性を示し、破線は５時間の熱処理を行ったドレイン
領域１５のｐｎ接合特性を示す。この図から明らかなよ
うに、イオン注入の条件が同じであっても、その後の熱
処理条件（本実施例では、処理時間）の違いにより、接
合特性は著しく変化する。
つまり、熱処理時間が比較的短い（例えば、３０分間）
場合には、逆方向特性は劣る（リーク電流が大きい）が
、順方向特性は良好である（直列抵抗および立ち上がり
電圧が小さい）。 熱処理時間が比較的長い（例えば、
５時間）場合には、順方向特性は劣る（直列抵抗および
立ち上がり電圧が大きい）が。
場合には、逆方向特性は劣る（リーク電流が大きい）が
、順方向特性は良好である（直列抵抗および立ち上がり
電圧が小さい）。 熱処理時間が比較的長い（例えば、
５時間）場合には、順方向特性は劣る（直列抵抗および
立ち上がり電圧が大きい）が。
逆方向特性は良好である（リーク電流が小さい）。
したがって１本実施例のＭＯＳＦＥＴでは、ソース領域
のｐｎ接合が良好な順方向特性を示すのに対し。
のｐｎ接合が良好な順方向特性を示すのに対し。
ドレイン領域のｐｎ接合は逆方向特性が良好である。
それゆえ２本実施例のＭＯＤＦＥＴは、ソース領域およ
びドレイン領域を同一のプロセスで形成した従来のＭＯ
ＳＦＥＴに比べて、リーク電流が小さいだけでなく、オ
ン抵抗も小さい。実際９本実施例のＭＯＳＦＥＴのリー
ク電流およびオン抵抗を測定したところ。
びドレイン領域を同一のプロセスで形成した従来のＭＯ
ＳＦＥＴに比べて、リーク電流が小さいだけでなく、オ
ン抵抗も小さい。実際９本実施例のＭＯＳＦＥＴのリー
ク電流およびオン抵抗を測定したところ。
ドレイン電圧５Ｖ（ゲート電圧ＯＶ）でのリーク電流は
２μＡであり、ゲート電圧印加時のオン抵抗は８００Ω
であった。これに対し、従来のＭＯＳＦＥＴでは。
２μＡであり、ゲート電圧印加時のオン抵抗は８００Ω
であった。これに対し、従来のＭＯＳＦＥＴでは。
熱処理を３０分間行った場合、同じ条件下でのｙ−り電
流は５０μＡであり、オン抵抗は８００Ωであった。ま
た、熱処理を５時間行った場合には、同じ条件下でのリ
ーク電流は ２μＡであり、オン抵抗は２にΩであった
。
流は５０μＡであり、オン抵抗は８００Ωであった。ま
た、熱処理を５時間行った場合には、同じ条件下でのリ
ーク電流は ２μＡであり、オン抵抗は２にΩであった
。
実ｍ
本実施例では、炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶基板上に成長
させた炭化珪素（ＳｆＣ）単結晶を用いて、ｎ−チャネ
ル反転型ＭＯＳ’ｌ界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ
）を作製した。このＭＯＳＦＥＴは、ソース層およびド
レイン層がチャネル層であるＳｉＣ単結晶層の厚さ方向
に形成された縦型ＭＯＳＦＥＴである。なお、ソース層
はアルミニウム（ＡＩ）を蒸着することにより形成され
、チャネル形成層と、このソース層との間には、ショッ
トキー接合が形成されている。また。
させた炭化珪素（ＳｆＣ）単結晶を用いて、ｎ−チャネ
ル反転型ＭＯＳ’ｌ界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ
）を作製した。このＭＯＳＦＥＴは、ソース層およびド
レイン層がチャネル層であるＳｉＣ単結晶層の厚さ方向
に形成された縦型ＭＯＳＦＥＴである。なお、ソース層
はアルミニウム（ＡＩ）を蒸着することにより形成され
、チャネル形成層と、このソース層との間には、ショッ
トキー接合が形成されている。また。
チャネル形成層と ドレイン層との間には、 ＣＶＯ
法によるｐｎ接合が形成されている。
法によるｐｎ接合が形成されている。
第３図（ａ）は本実施例のＭＯＳＦＥＴの構造を示す断
面図である。このＭＯＳＦＥＴは以下のようにして作製
された。
面図である。このＭＯＳＦＥＴは以下のようにして作製
された。
まず、第３図（ｂ）に示すように、 ＳＨ型のｎ−Ｓ
ｉ Ｃ単結晶基板３０（抵抗率０．０５Ω・ｃ＋＋＋
）上に、 ＣＶＤ法により、 ６Ｈ型のｎ−ＳｉＣ
単結晶層３１（厚さ約１０μ町 キャリア密度は１ ｘ
ｌＯ”ｃｍ−３）を成長させ、 ドレイン層とした。な
お、原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨａ）ガスおよび
プロパン（Ｃ３Ｈ１１）ガスを用いた。引き続いて、
トリメチルアルミニウム（（ＣＨ３）３ＡＩ）ガスを原
料ガスに添加することにより、 ｎ−ＳｉＣ単結晶層
３Ｉ上に、アルミニウム（Ａ１）がドープされたｐ−Ｓ
ｉ Ｃ単結晶層３２（厚さ約３μｍ、キャリア密度１
ｘｌｏ”ｃｍ−３）を成長させ、チャネル形成層とし
た。なお。
ｉ Ｃ単結晶基板３０（抵抗率０．０５Ω・ｃ＋＋＋
）上に、 ＣＶＤ法により、 ６Ｈ型のｎ−ＳｉＣ
単結晶層３１（厚さ約１０μ町 キャリア密度は１ ｘ
ｌＯ”ｃｍ−３）を成長させ、 ドレイン層とした。な
お、原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨａ）ガスおよび
プロパン（Ｃ３Ｈ１１）ガスを用いた。引き続いて、
トリメチルアルミニウム（（ＣＨ３）３ＡＩ）ガスを原
料ガスに添加することにより、 ｎ−ＳｉＣ単結晶層
３Ｉ上に、アルミニウム（Ａ１）がドープされたｐ−Ｓ
ｉ Ｃ単結晶層３２（厚さ約３μｍ、キャリア密度１
ｘｌｏ”ｃｍ−３）を成長させ、チャネル形成層とし
た。なお。
チャネル形成層であるｐ−ＳｉＣ単結晶層３２と、 ド
レイン層であるｎ−ＳｉＣ単結晶層３１とは、 ｐｎ
接合を形成している。
レイン層であるｎ−ＳｉＣ単結晶層３１とは、 ｐｎ
接合を形成している。
次いで、アルミニウム（ＡＩ）膜３７を全面にＸ 空Ｚ
着した後、ホトリソグラフィーを用いてバターニングし
、これをマスクとして９反応性エツチングにより、
ｎ−ＳｉＣ単結晶層３１およびｐ−ＳｉＣ単結晶層３２
の所定領域を、第３図（ｃ）に示すように２合わせて約
５μｍの深さまで除去した。なお、エツチングガスとし
ては、四フッ化メタン（テトラフルオロメタン、 Ｃ
Ｆ４）ガス および酸素（０２）ガスを用いた。
着した後、ホトリソグラフィーを用いてバターニングし
、これをマスクとして９反応性エツチングにより、
ｎ−ＳｉＣ単結晶層３１およびｐ−ＳｉＣ単結晶層３２
の所定領域を、第３図（ｃ）に示すように２合わせて約
５μｍの深さまで除去した。なお、エツチングガスとし
ては、四フッ化メタン（テトラフルオロメタン、 Ｃ
Ｆ４）ガス および酸素（０２）ガスを用いた。
そして、アルミニウム（ＡＩ）膜３７を除去した後。
酸素雰囲気中で約１．１００°Ｃにて ３時間の熱酸化
を行うことにより、熱酸化膜３８（厚さ約５００ｎｍ）
を形成し、さらにＣＶＤ法により、第３図（ｄ）に示す
ように、熱酸化膜３８上に、リン（Ｐ）をドープした多
結晶Ｓｉ膜３９（厚さ約５００ｎｍ）を形成した。
を行うことにより、熱酸化膜３８（厚さ約５００ｎｍ）
を形成し、さらにＣＶＤ法により、第３図（ｄ）に示す
ように、熱酸化膜３８上に、リン（Ｐ）をドープした多
結晶Ｓｉ膜３９（厚さ約５００ｎｍ）を形成した。
次いで、熱酸化膜３８および多結晶５ｉｐ３９のパタニ
ングを行って、ゲート絶縁膜３３およびゲート電極３４
を形成した後、 ｐ−ＳｉＣ単結晶層３２上にアルミ
ニウム（Ａｌ）を真空蒸着して、バターニンクスルこと
により、第３図（ｅ）に示すような アルミニウム電極
３５を形成した。なお、アルミニウム電極３５はソース
層として機能し、チャネル形成層であるｐ−ＳｉＣ単結
晶層３２と、このソース層とは、ショットキー接合を形
成している。
ングを行って、ゲート絶縁膜３３およびゲート電極３４
を形成した後、 ｐ−ＳｉＣ単結晶層３２上にアルミ
ニウム（Ａｌ）を真空蒸着して、バターニンクスルこと
により、第３図（ｅ）に示すような アルミニウム電極
３５を形成した。なお、アルミニウム電極３５はソース
層として機能し、チャネル形成層であるｐ−ＳｉＣ単結
晶層３２と、このソース層とは、ショットキー接合を形
成している。
最後に、 ｎ−３ｉＣ単結晶基板３０の裏面にチタン
を真空蒸着して、オーム性電極３６を形成することによ
り、第３図（ａ）に示すようなｎ−チャネル反転型ＭＯ
ＳＦＥＴを得た。
を真空蒸着して、オーム性電極３６を形成することによ
り、第３図（ａ）に示すようなｎ−チャネル反転型ＭＯ
ＳＦＥＴを得た。
本実施例のＭＯＳＦＥＴにおいて、 ｐ−ＳｉＣ単結
晶層３２とｎ−ＳｉＣ単結晶層３１との間に形成される
ｐｎ接合は。
晶層３２とｎ−ＳｉＣ単結晶層３１との間に形成される
ｐｎ接合は。
逆耐圧５ｏｏｖ、 −ｓｏｗ印加時のリーク電流３ｎ
Ａという良好な逆方向特性を示した。しかし、順方向特
性のｎ値は２に近く、再結合電流が支配的であり。
Ａという良好な逆方向特性を示した。しかし、順方向特
性のｎ値は２に近く、再結合電流が支配的であり。
直列抵抗は２ｏΩであった。これに対し、 ｐ−Ｓｉ
Ｃ単結晶層３２とアルミニウム層３５（ソース層）との
間ニ形成されるショット牛−接合は、上記のｐｎ接合に
比べて逆方向特性に劣り、逆耐圧３００Ｖ、 −５０
Ｖ印加時のリーク電流１μＡであった。しかし、順方向
特性は良好であり、そのｎ値は１．０５． 直列抵抗
は０．５Ωであった。
Ｃ単結晶層３２とアルミニウム層３５（ソース層）との
間ニ形成されるショット牛−接合は、上記のｐｎ接合に
比べて逆方向特性に劣り、逆耐圧３００Ｖ、 −５０
Ｖ印加時のリーク電流１μＡであった。しかし、順方向
特性は良好であり、そのｎ値は１．０５． 直列抵抗
は０．５Ωであった。
本実施例のＭＯＳＦＥＴは、ソース層が炭化珪素とのシ
ョットキー接合を形成し、 ドレイン層がＣＶＤ法によ
るｐｎ接合を形成しているので、ソース・ドレイン間の
耐圧が５００ｖであり、 ドレイン電圧５０Ｖ（ゲート
電圧Ｏｖ）でのリーク電流が３ｎＡであり、そしてゲー
ト電圧５ｖ印加時のオン抵抗が２００Ωという良好な素
子特性を示した。
ョットキー接合を形成し、 ドレイン層がＣＶＤ法によ
るｐｎ接合を形成しているので、ソース・ドレイン間の
耐圧が５００ｖであり、 ドレイン電圧５０Ｖ（ゲート
電圧Ｏｖ）でのリーク電流が３ｎＡであり、そしてゲー
ト電圧５ｖ印加時のオン抵抗が２００Ωという良好な素
子特性を示した。
Ｌ１匹立
本実施例では、上記の実施例２と同様、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）単結晶基板上に成長させた炭化珪素（ＳｉＣ）単結
晶を用いて、ｎ−チャネル反転型ＭＯＳ Ｉｉ界効果ト
ランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を作製した。このＭＯＳＦ
ＥＴは。
Ｃ）単結晶基板上に成長させた炭化珪素（ＳｉＣ）単結
晶を用いて、ｎ−チャネル反転型ＭＯＳ Ｉｉ界効果ト
ランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を作製した。このＭＯＳＦ
ＥＴは。
ソース領域およびドレイン層がチャネル層であるＳｉＣ
単結晶層の厚さ方向に形成された縦型ＭＯＳＦＥＴであ
る。なお、このＭＯＳＦＥＴのチャネル形成層とソース
領域との間には、イオン注入法によるｐｎ接合が形成さ
れ、チャネル形成層とドレイン層との間には、 ＣＶ
Ｄ法によるｐｎ接合が形成されている。
単結晶層の厚さ方向に形成された縦型ＭＯＳＦＥＴであ
る。なお、このＭＯＳＦＥＴのチャネル形成層とソース
領域との間には、イオン注入法によるｐｎ接合が形成さ
れ、チャネル形成層とドレイン層との間には、 ＣＶ
Ｄ法によるｐｎ接合が形成されている。
第４図（ａ）は本実施例のＭＯＳＦＥＴの構造を示す断
面図である。このＭＯＳＦＥＴは以下のようにして作製
された。
面図である。このＭＯＳＦＥＴは以下のようにして作製
された。
まず、第４図（ｂ）に示すように、 ＳＨ型のｎ−Ｓ
ｉＣ単結晶基板４０（抵抗率０．０５Ω・ｃｍ）上に、
ＣＶＤ法により、 ６Ｈ型のｎ−ＳｉＣ単結晶層
４１（厚さ約１０μｍ、 キャリア密度は１ ｘｌｏ
”ｃｍ−３）を成長させ、 ドレイン層とした。なお、
原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨａ）ガスおよびプロ
パン（Ｃ３Ｈ８）ガスを用いた。引き続いて、トリメチ
ルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａ１）ガスを原料ガスに
添加することにより、 ｎ−ＳｉＣ単結晶層４１上に
、アルミニウム（Ａｌ）がドープされたｐ−ＳｉＣ単結
晶層４２（厚さ約３μｍ、キャリア密度１ ｘｌｏ”ｃ
ｍ−３）を成長させ、チャネル形成層とした。なお。
ｉＣ単結晶基板４０（抵抗率０．０５Ω・ｃｍ）上に、
ＣＶＤ法により、 ６Ｈ型のｎ−ＳｉＣ単結晶層
４１（厚さ約１０μｍ、 キャリア密度は１ ｘｌｏ
”ｃｍ−３）を成長させ、 ドレイン層とした。なお、
原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨａ）ガスおよびプロ
パン（Ｃ３Ｈ８）ガスを用いた。引き続いて、トリメチ
ルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａ１）ガスを原料ガスに
添加することにより、 ｎ−ＳｉＣ単結晶層４１上に
、アルミニウム（Ａｌ）がドープされたｐ−ＳｉＣ単結
晶層４２（厚さ約３μｍ、キャリア密度１ ｘｌｏ”ｃ
ｍ−３）を成長させ、チャネル形成層とした。なお。
チャネル形成層であるｐ−ＳｉＣ単結晶層４２と、ドレ
イン層である ｎ−ＳｉＣ単結晶層４Ｉとは、 ｐｎ
ｎ接合影形成ている。
イン層である ｎ−ＳｉＣ単結晶層４Ｉとは、 ｐｎ
ｎ接合影形成ている。
引き続いて、 ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によ
り。
り。
ｐ−Ｓ ｉｃ単結晶層４２上に５ｉ０２膜を形成した後
、ホトリソグラフィーを用いて、 ＳｉＯ２膜の素子
形成領域に対応する部分をエツチングにより開口して、
第４図（Ｃ）に示すようなフィールド絶縁膜４３を形成
した。なお、エッチャントとしては、フッ化水素（ＨＰ
）溶液を用いた。
、ホトリソグラフィーを用いて、 ＳｉＯ２膜の素子
形成領域に対応する部分をエツチングにより開口して、
第４図（Ｃ）に示すようなフィールド絶縁膜４３を形成
した。なお、エッチャントとしては、フッ化水素（ＨＰ
）溶液を用いた。
そして、フィールド絶縁膜４３をマスクとして。
開口部のｐ−ＳｉＣ単結晶層４２に、窒素（Ｎ４）イオ
ンを注入した。注入エネルギーは７０ｋｅＶであり、イ
オン注入量は５ ｘｌｏ”ｃｍ−２であった。次いで、
窒素雰囲気中で１．１００°Ｃにて３０時間の熱処理を
行うことにより、第４図（Ｃ）に示すイオン注入層５０
を活性化した。
ンを注入した。注入エネルギーは７０ｋｅＶであり、イ
オン注入量は５ ｘｌｏ”ｃｍ−２であった。次いで、
窒素雰囲気中で１．１００°Ｃにて３０時間の熱処理を
行うことにより、第４図（Ｃ）に示すイオン注入層５０
を活性化した。
次いで、アルミニウム（ＡＩ）膜５１を全面に真空蒸着
した後、ホトリソグラフィーを用いてパターニングし、
これをマスクとして２反応性エツチングにより、 ｎ
−ＳｉＣ単結晶層４１およびｐ−ＳｉＣ単結晶層４２の
所定領域を、第４図（ｃ）に示すように２合わせて約５
μｍの深さまで除去した。なお、エツチングガスとして
は、四フッ化メタン（テトラフルオロメタン、 ＣＦ
４）ガス および酸素（０２）ガスを用いた。
した後、ホトリソグラフィーを用いてパターニングし、
これをマスクとして２反応性エツチングにより、 ｎ
−ＳｉＣ単結晶層４１およびｐ−ＳｉＣ単結晶層４２の
所定領域を、第４図（ｃ）に示すように２合わせて約５
μｍの深さまで除去した。なお、エツチングガスとして
は、四フッ化メタン（テトラフルオロメタン、 ＣＦ
４）ガス および酸素（０２）ガスを用いた。
このエツチング後に残存するイオン注入層５０の部分は
ソース領域４６として機能し、チャネル形成層であるｐ
−ＳｉＣ単結晶層４２と、このソース領域４６とは、ｐ
ｎ接合を形成している。
ソース領域４６として機能し、チャネル形成層であるｐ
−ＳｉＣ単結晶層４２と、このソース領域４６とは、ｐ
ｎ接合を形成している。
そして、アルミニウム（ＡＩ）膜５１を除去した後。
酸素雰囲気中で約１．１００°Ｃにて ３時間の熱酸化
を行うことにより、熱酸化膜５２（厚さ約５００ｎｍ）
を形成し、さらにＣ’／Ｄ法により、第４図（ｅ）に示
すように、熱酸化膜５２上に、リン（Ｐ）をドープした
多結晶Ｓｉ膜５３（厚さ約５０Ｏｎｍ）を形成した。次
いで、熱酸化膜５２および多結晶Ｓｉ膜５３のパターニ
ングを行うことにより、第４図（ａ）に示すようなゲー
ト絶縁膜４４よびゲート電極４５を形成した。
を行うことにより、熱酸化膜５２（厚さ約５００ｎｍ）
を形成し、さらにＣ’／Ｄ法により、第４図（ｅ）に示
すように、熱酸化膜５２上に、リン（Ｐ）をドープした
多結晶Ｓｉ膜５３（厚さ約５０Ｏｎｍ）を形成した。次
いで、熱酸化膜５２および多結晶Ｓｉ膜５３のパターニ
ングを行うことにより、第４図（ａ）に示すようなゲー
ト絶縁膜４４よびゲート電極４５を形成した。
最後に、配線材料としてニッケル（Ｎｉ）を全面および
ｎ−ＳｉＣ単結晶基板４０の裏面に真空蒸着してパター
ニングした後、アルゴン雰囲気中で１．０５０°Ｃにて
５分間の熱処理を行ってオーム性電極４７． ４８およ
び４９を形成することにより、第４図（ａ）に示すよう
なｎ−チャネル反転型ＭＯＳ ＦＥＴを得た。
ｎ−ＳｉＣ単結晶基板４０の裏面に真空蒸着してパター
ニングした後、アルゴン雰囲気中で１．０５０°Ｃにて
５分間の熱処理を行ってオーム性電極４７． ４８およ
び４９を形成することにより、第４図（ａ）に示すよう
なｎ−チャネル反転型ＭＯＳ ＦＥＴを得た。
本実施例のＭＯＳＦＥＴは、ソース領域がイオン注入法
によるｐｎ接合を形成し、 ドレイン層がＣＶＤ法によ
るｐｎ接合を形成しているので、ソース・ドレイン間の
耐圧が５ｏｏｖであり、 ドレイン電圧５０ｖ（ゲート
電圧Ｏ■）でのリーク電流が３ｎＡであり、そしてゲー
ト電圧５ｖ印加時のオン抵抗が３００Ωという良好な素
子特性を示した。
によるｐｎ接合を形成し、 ドレイン層がＣＶＤ法によ
るｐｎ接合を形成しているので、ソース・ドレイン間の
耐圧が５ｏｏｖであり、 ドレイン電圧５０ｖ（ゲート
電圧Ｏ■）でのリーク電流が３ｎＡであり、そしてゲー
ト電圧５ｖ印加時のオン抵抗が３００Ωという良好な素
子特性を示した。
（発明の効果）
本発明によれば、ソース領域およびドレイン領域の各々
がチャネル形成層との間に最適の接合を形成しているの
で、耐圧が高く、リーク電流が少なく、そしてオン抵抗
が小さいという優れた素子特性を有する。炭化珪素を用
いた電界効果トランジスタおよびその製造方法が提供さ
れる。このような電界効果トランジスタは、珪素のよう
な他の半導体材料を用いた場合には使用が困難な条件下
（例えば、高温、高出力駆動、高周波動作、放射線照射
など）においても使用可能な半導体素子として有用であ
る。
がチャネル形成層との間に最適の接合を形成しているの
で、耐圧が高く、リーク電流が少なく、そしてオン抵抗
が小さいという優れた素子特性を有する。炭化珪素を用
いた電界効果トランジスタおよびその製造方法が提供さ
れる。このような電界効果トランジスタは、珪素のよう
な他の半導体材料を用いた場合には使用が困難な条件下
（例えば、高温、高出力駆動、高周波動作、放射線照射
など）においても使用可能な半導体素子として有用であ
る。
４、 の な号 日
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例である電界効
果トランジスタの製造工程を説明するための断面図、第
２図はイオン注入法により形成されたソース領域および
ドレイン領域とチャネル形成層との間におけるｐｎ接合
の電流−電圧特性を示すグラフ、第３図（ａ）〜（ｅ）
は本発明の他の実施例である電界効果トランジスタの製
造工程を説明するための断面図、第４図（ａ）〜（ｅ）
は本発明のさらに他の実施例である電界効果トランジス
タの製造工程を説明するための断面図である。
果トランジスタの製造工程を説明するための断面図、第
２図はイオン注入法により形成されたソース領域および
ドレイン領域とチャネル形成層との間におけるｐｎ接合
の電流−電圧特性を示すグラフ、第３図（ａ）〜（ｅ）
は本発明の他の実施例である電界効果トランジスタの製
造工程を説明するための断面図、第４図（ａ）〜（ｅ）
は本発明のさらに他の実施例である電界効果トランジス
タの製造工程を説明するための断面図である。
１０・・・Ｓｉ単結晶基板、 １１．３２．４２・・
・ｐ−Ｓ １ｃ４１結晶層（チャネル形成層）、 １
２．４３・・・フィールド絶縁膜。
・ｐ−Ｓ １ｃ４１結晶層（チャネル形成層）、 １
２．４３・・・フィールド絶縁膜。
１９、３８．５２・・・熱酸化膜、 ２０．３９．５
３・・・多結晶Ｓｉ膜。
３・・・多結晶Ｓｉ膜。
１３、３３．４４・・・ゲート絶縁膜、 １４．３４
．４５・・・ゲート電極、１５・・・ドレイン領域、
１６． ４６・・・ソース領域。
．４５・・・ゲート電極、１５・・・ドレイン領域、
１６． ４６・・・ソース領域。
３０、４０− ｎ−ＳｉＣ単結晶基板、 ３１．４１
− ｎ−ＳｉＣ単結晶層（ドレイン層）、３５・・・ア
ルミニウム電極（ソース層）、５０・・・イオン注入層
。
− ｎ−ＳｉＣ単結晶層（ドレイン層）、３５・・・ア
ルミニウム電極（ソース層）、５０・・・イオン注入層
。
以上
第１
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、炭化珪素からなるチャネル形成層を有する電界効果
トランジスタであって、 該チャネル形成層とソース領域との間に形成される第１
の接合が該チャネル形成層とドレイン領域との間に形成
される第２の接合とは異なる特性を示す、電界効果トラ
ンジスタ。 ２、炭化珪素からなるチャネル形成層を有する電界効果
トランジスタの製造方法であって、該チャネル形成層と
ソース領域との間に第１の接合を形成する工程と、 該チャネル形成層とドレイン領域との間に第２の接合を
形成する工程と、 を包含し、該第１および第２の接合が互いに異なる特性
を示すように、その構造および／または形成プロセスを
選択する、電界効果トランジスタの製造方法。 ３、前記第１および第２の接合がイオン注入法を用いて
得られるｐｎ接合であり、イオン注入後の熱処理条件を
調節することにより、該ｐｎ接合が互いに異なる特性を
示す、請求項２に記載の製造方法。 ４、前記第１の接合が炭化珪素と金属またはその化合物
とのショットキー接合であり、前記第２の接合が化学的
気相成長法を用いて得られるｐｎ接合である、請求項２
に記載の製造方法。 ５、前記第１の接合がイオン注入法を用いて得られるｐ
ｎ接合であり、前記第２の接合が化学的気相成長法を用
いて得られるｐｎ接合である、請求項２に記載の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134780A JP2542448B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| US07/705,630 US5170231A (en) | 1990-05-24 | 1991-05-24 | Silicon carbide field-effect transistor with improved breakdown voltage and low leakage current |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134780A JP2542448B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429368A true JPH0429368A (ja) | 1992-01-31 |
| JP2542448B2 JP2542448B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=15136384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2134780A Expired - Fee Related JP2542448B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5170231A (ja) |
| JP (1) | JP2542448B2 (ja) |
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