JPS6347983A - 炭化珪素電界効果トランジスタ - Google Patents

炭化珪素電界効果トランジスタ

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JPS6347983A
JPS6347983A JP61193158A JP19315886A JPS6347983A JP S6347983 A JPS6347983 A JP S6347983A JP 61193158 A JP61193158 A JP 61193158A JP 19315886 A JP19315886 A JP 19315886A JP S6347983 A JPS6347983 A JP S6347983A
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effect transistor
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Akira Suzuki
彰 鈴木
Masaki Furukawa
勝紀 古川
Akitsugu Hatano
晃継 波多野
Atsuko Uemoto
植本　敦子
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は炭化珪素（ＳｉＣ）電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）の構造に関するものである。
〈従来技術〉 珪素（Ｓｉ　）半導体を初めとして、砒化ガリウム（Ｇ
ａＡｓ）やリン化ガリウム（ＧａＰ）等の化合物半導体
材料を用いたダイオード、トランジスタ。
ＩＣ，ＬＳ１．発光ダイオード、半導体レーザ。
ＣＯＤ等の半導体素子がエレクトロニクスの各種分野で
広く実用に供せられている。一方、炭化珪素半導体はこ
れらの半導体材料に比べて禁制帯幅が広（’（２，２〜
３，３ｅＶ）　　また熱的、化学的及び機械的に極めて
安定で、放射線損傷にも強いという特徴をもっている。
従って、炭化珪素を用いた半導体素子は他の半導体材料
を用いた素子では使用困難な高温、大電力、放射線照射
等の荷酷な条件で使用することができ、高い信頼性と安
定性を呈する素子として広範な分野での応用が期待され
る０ このように炭化珪素半導体素子は広範な応用分野が期待
されながら未だ実用化が阻まれている原因は、生産性を
考慮した工業的規模での量産に必要となる高品質で大面
積の炭化珪素単結晶を得るための結晶成長技術の確立が
遅れていることにある。従来、研究室規模で、昇華再結
晶法（レーリー法とも称される）等によ）成長させた炭
化珪素単結晶を用いであるいはこの単結晶上に気相成長
法や液相成長法でエピタキシャル成長させた炭化珪素単
結晶膜を用いてダイオードやトランジスタの製作が試み
られている。この技術は Ｒ，Ｂ、Ｃａｍｐｂｅｌｌ　　ａｎｄ　Ｈ，−Ｃ−Ｃｈ
ａｎｇ。
’５ｉｌｉｃｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ　　Ｊｕｎｃｔｉｏ
ｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”。
ｉｎ　　’５ｅｒｒ：１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　　ａｎ
ｄ　　Ｓｅｒｎｉｍｅｔａｌｓ”。
ｅｄｓ、Ｒ，に、Ｗｉｉｌａｒｄｓｏｎ　　ａｎｄ　　
Ａ−Ｃ，Ｂｅｅｒ（Ａｃａｄｅｍｉｃ　　Ｐｒｅｓｓ、
Ｎｅｗ　　Ｙｏｒｋ、１９７１）ｖｏ１７．Ｐａ５ｔ　
　Ｂ　　Ｃｈａｐ　　９．　　Ｐ６２５−Ｐ２Ｓ５に記
載されている。しかしながらこれによって作製された単
結晶は小面積のものしか得られず、また、寸法、形状を
制御することが困難であり、炭化珪素結晶（で存在する
結晶多形の制御及び不純物濃度の制御も容易で々く、従
ってこれらの炭化珪素単結晶を用いて半導体素子を製造
する技術は工業的規模での実用的製造方法にはほど遠い
。
最近、本発明者らは、珪素単結晶基板上に気相成長法（
ＣＶＤ法）で良質の大面積炭化珪素単結晶を成長させる
方法を確立し、特願昭５８−７６８４２号にて山頂して
いる。この方法は珪素単結晶基板上に低温ＣＶＤ１去で
炭化珪素薄膜を形成した後昇温しでＣＶＤ法で炭化珪素
単結晶を成長させる技術であり、安価で入手の容易な珪
素単結晶基板を用いて結晶多形、不純物濃度１寸法。
形状等がｆａ制御された大面積で高品質の炭化珪素単結
晶膜を供給することができるとともに量産形態にも適し
、高い生産性が期待される製造方法である。さらに、上
記発明により可能となった珪素基板上の炭化珪素膜を用
いてダイオード、トランジスタを初めとする各種半導体
素子を製作する方法についても特許出願がなされている
（特願昭５８−２４６５１１号、同５８−２４９９８１
号、同５８−２５２１５７号）。
従来、これら炭化珪素を用いた電界効果トランジスタに
おいては、チャネル層となる炭化珪素塩結晶層はこれと
伝導型を異（・でする（チャネル層がｎ型ならｐ型の、
チャネル層がｐ型ならｎ型の）炭化珪素単結晶上に形成
してｐ−ｎ接合により電気的に分離する構造が用いられ
ていた。しかしながら、このような構造の素子では結晶
に欠陥等が含まれて、ｐ−ｎ接合に逆バイアス電圧を印
加した場合に漏れ電流が流れ完全に電気的に分離するこ
とが困難であり、良好なトランジスタ特性を得ることは
ほとんど不可能であった。
〈発明の目的〉 本発明は上述の間頂点に鑑み、ホウ素（Ｂ）を添加した
半絶縁性の高抵抗炭化珪素単結晶上にチャネル層を形成
して電気的分離を行なうものである。
以下にショットキーゲート電界効果トランジスタとｐ　
−ｎ接合電界効果トランジスタを実施例として説明する
が、絶縁ゲート型などの他の構造の電界効果トランジス
タであっても良い。
〈実施例〉 （１）　　ショットキーゲート電界効果トランジスタ第
１ノは本発明の１実施例を示す炭化珪素トランジスタの
構成図である。珪素単結晶基板１上にホウ素を添加した
高抵抗炭化珪素単結晶層２（抵抗率１０００１以上）を
ＣＶＤ法で厚さ杓５μｍ堆、潰し、高抵抗炭化珪素単結
晶層２上にチャネル層として厚さ約０．５μｍのノンド
ープｎ型炭化珪素単、結晶膜３をＣＶＤ法で重畳形成す
る。次にチャネル層３上にオーミックな極となるニッケ
ル（Ｎｉ）を蒸着し、一対のソース′ミ１５及びドレイ
ン電極６としてパターン化する０ さらにショットキー電極の金（Ａｕ）をソース電極５と
ドレイン電極６間にゲート１槙７として蒸着し、ショッ
トキーゲート型電界効果トランジスターとする。ソース
電極５に電流を供給し、ドレイン電極６でこの電流を取
り出す場合ソース電極５とドレイン電極６間のチャネル
層３領域に流れる電流はゲート電極７に印加される電圧
で制御することができ、トランジスタ特性が得られる。
尚、ＣＶＤ法によりホウ素を添加した高抵抗炭化珪素単
結晶膜を製造する方法については特願昭５９　１２０６
１１号にて出願されている。
（２）ｐ−ｎ接合電界効果トランジスタ第２図は本発明
の他の実施例を示す炭化珪素トランジスタの構成図であ
る。珪素単結晶基板１上にホウ素を添加した高抵抗炭化
珪素単結晶７層２（抵抗ぶ１００Ｇ１以上）を第１図同
様ＣＶＤ法で厚さ約５μｍ堆積し、高抵抗炭化珪素単１
詰晶２上ンてチャネル層として厚さ約０．５μｍのノン
ドープｎ型炭化珪素足結晶漢３をＣＶＤ法で重畳形成す
る。更にアルミニウムを添加したｐ型炭化珪素単結晶膜
４を同様にＣＶＤ法で厚さ約３メｍ重畳形成する。
次に、ｐ型炭化珪素単結晶膜４の両側部を除去して、ｎ
型炭化珪素単結晶膜３を露呈させこの上にオーミック電
極としてニッケルを蒸着し、一対のソース電極５及びド
レイン１甑６としてパターン化する。またｐ型炭化珪素
単結晶膜４のオーミック電極となるアルミニウムーシリ
コンＣＡｆ−８ｉ）　　をゲート電極８として蒸着する
。
ソース電極５とドレイン電極６間のチャネル層３に流れ
る電流を第１図同様ゲート電極８に印加する電圧で制御
することができ、トランジスタ特性が得られる。
〈発明の効果〉 本発明によれば、炭化珪素単結晶膜を用いた電界効果ト
ランジスタの特性を大傷に改善することができ、珪素な
どの他の半導体にはない優れた特徴をもつ炭化珪素半導
体の広範な応用分野の開拓に貢献する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ショットキーゲート電界効果トランジスター）
及び第２図（ｐ　　ｎ接合電界効果トランジスター）は
それぞれ本発明の詳細な説明する断面図である。 １・・・珪素単結晶基板 ２・・・高抵抗炭化珪素単結晶膜 ３・・・ｎ型炭化珪素単結晶膜 ４・・・ｐ型炭化珪素単結晶膜 ５・・・ソース電極 ６・・・ドレイン電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、ホウ素を添加した高抵抗炭化珪素上にチャネル層と
    なる炭化珪素層が形成されて成ることを特徴とする炭化
    珪素電界効果トランジスタ。
JP61193158A 1986-08-18 1986-08-18 炭化珪素電界効果トランジスタ Pending JPS6347983A (ja)

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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384270A (en) * 1992-11-12 1995-01-24 Fuji Electric Co., Ltd. Method of producing silicon carbide MOSFET
US5719409A (en) * 1996-06-06 1998-02-17 Cree Research, Inc. Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor
US5969378A (en) * 1997-06-12 1999-10-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power UMOS-bipolar transistor
US6121633A (en) * 1997-06-12 2000-09-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power MOS-bipolar transistor
US6344663B1 (en) 1992-06-05 2002-02-05 Cree, Inc. Silicon carbide CMOS devices
US6686616B1 (en) 2000-05-10 2004-02-03 Cree, Inc. Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors
US6902964B2 (en) 2001-10-24 2005-06-07 Cree, Inc. Methods of fabricating delta doped silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors having a gate disposed in a double recess structure
US6956239B2 (en) 2002-11-26 2005-10-18 Cree, Inc. Transistors having buried p-type layers beneath the source region
US7265399B2 (en) 2004-10-29 2007-09-04 Cree, Inc. Asymetric layout structures for transistors and methods of fabricating the same
US7326962B2 (en) 2004-12-15 2008-02-05 Cree, Inc. Transistors having buried N-type and P-type regions beneath the source region and methods of fabricating the same
US7348612B2 (en) 2004-10-29 2008-03-25 Cree, Inc. Metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same
US7402844B2 (en) 2005-11-29 2008-07-22 Cree, Inc. Metal semiconductor field effect transistors (MESFETS) having channels of varying thicknesses and related methods
US7646043B2 (en) 2006-09-28 2010-01-12 Cree, Inc. Transistors having buried p-type layers coupled to the gate
US8203185B2 (en) 2005-06-21 2012-06-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having varying electrode widths to provide non-uniform gate pitches and related methods

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229625A (en) * 1986-08-18 1993-07-20 Sharp Kabushiki Kaisha Schottky barrier gate type field effect transistor
US5216264A (en) * 1989-06-07 1993-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Silicon carbide MOS type field-effect transistor with at least one of the source and drain regions is formed by the use of a schottky contact
US5008735A (en) * 1989-12-07 1991-04-16 General Instrument Corporation Packaged diode for high temperature operation
JP2542448B2 (ja) * 1990-05-24 1996-10-09 シャープ株式会社 電界効果トランジスタおよびその製造方法
KR930001428A (ko) * 1991-06-12 1993-01-16 김광호 반도체장치의 제조방법
US5264713A (en) * 1991-06-14 1993-11-23 Cree Research, Inc. Junction field-effect transistor formed in silicon carbide
US5270554A (en) * 1991-06-14 1993-12-14 Cree Research, Inc. High power high frequency metal-semiconductor field-effect transistor formed in silicon carbide
JPH0685173A (ja) * 1992-07-17 1994-03-25 Toshiba Corp 半導体集積回路用キャパシタ
US5298767A (en) * 1992-10-06 1994-03-29 Kulite Semiconductor Products, Inc. Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device
US5378642A (en) * 1993-04-19 1995-01-03 General Electric Company Method of making a silicon carbide junction field effect transistor device for high temperature applications
US5510630A (en) * 1993-10-18 1996-04-23 Westinghouse Electric Corporation Non-volatile random access memory cell constructed of silicon carbide
US5925895A (en) * 1993-10-18 1999-07-20 Northrop Grumman Corporation Silicon carbide power MESFET with surface effect supressive layer
US5396085A (en) * 1993-12-28 1995-03-07 North Carolina State University Silicon carbide switching device with rectifying-gate
US5488236A (en) * 1994-05-26 1996-01-30 North Carolina State University Latch-up resistant bipolar transistor with trench IGFET and buried collector
US6746893B1 (en) 1997-07-29 2004-06-08 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US6936849B1 (en) 1997-07-29 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Silicon carbide gate transistor
US7196929B1 (en) * 1997-07-29 2007-03-27 Micron Technology Inc Method for operating a memory device having an amorphous silicon carbide gate insulator
US7154153B1 (en) * 1997-07-29 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Memory device
US6965123B1 (en) 1997-07-29 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US6794255B1 (en) 1997-07-29 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Carburized silicon gate insulators for integrated circuits
US6031263A (en) * 1997-07-29 2000-02-29 Micron Technology, Inc. DEAPROM and transistor with gallium nitride or gallium aluminum nitride gate
US7389905B2 (en) 1999-02-25 2008-06-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool tip
US6354479B1 (en) * 1999-02-25 2002-03-12 Sjm Technologies Dissipative ceramic bonding tip
US7032802B2 (en) * 1999-02-25 2006-04-25 Reiber Steven F Bonding tool with resistance
US20080197172A1 (en) * 1999-02-25 2008-08-21 Reiber Steven F Bonding Tool
US20060071050A1 (en) * 1999-02-25 2006-04-06 Reiber Steven F Multi-head tab bonding tool
US20060261132A1 (en) * 1999-02-25 2006-11-23 Reiber Steven F Low range bonding tool
US6651864B2 (en) * 1999-02-25 2003-11-25 Steven Frederick Reiber Dissipative ceramic bonding tool tip
US20070131661A1 (en) * 1999-02-25 2007-06-14 Reiber Steven F Solder ball placement system
US7124927B2 (en) * 1999-02-25 2006-10-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool and ball placement capillary
US6396080B2 (en) 1999-05-18 2002-05-28 Cree, Inc Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination
US6218680B1 (en) 1999-05-18 2001-04-17 Cree, Inc. Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination
JP4423699B2 (ja) * 1999-05-27 2010-03-03 ソニー株式会社 半導体レーザ素子及びその作製方法
US6412919B1 (en) 2000-09-05 2002-07-02 Hewlett-Packard Company Transistor drop ejectors in ink-jet print heads
US7238224B2 (en) * 2004-10-29 2007-07-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid-gas separator
US20060091606A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Gary Paugh Magnetic building game
US20070085085A1 (en) * 2005-08-08 2007-04-19 Reiber Steven F Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60136223A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 Sharp Corp 炭化珪素半導体素子の製造方法
JPS60142568A (ja) * 1983-12-29 1985-07-27 Sharp Corp 炭化珪素電界効果トランジスタの製造方法
JPS60264399A (ja) * 1984-06-11 1985-12-27 Sharp Corp 炭化珪素単結晶の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3497773A (en) * 1967-02-20 1970-02-24 Westinghouse Electric Corp Passive circuit elements
US3716844A (en) * 1970-07-29 1973-02-13 Ibm Image recording on tetrahedrally coordinated amorphous films
US3982262A (en) * 1974-04-17 1976-09-21 Karatsjuba Anatoly Prokofievic Semiconductor indicating instrument
DE2658304C2 (de) * 1975-12-24 1984-12-20 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Halbleitervorrichtung
US4177474A (en) * 1977-05-18 1979-12-04 Energy Conversion Devices, Inc. High temperature amorphous semiconductor member and method of making the same
US4109271A (en) * 1977-05-27 1978-08-22 Rca Corporation Amorphous silicon-amorphous silicon carbide photovoltaic device
US4329699A (en) * 1979-03-26 1982-05-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US4385199A (en) * 1980-12-03 1983-05-24 Yoshihiro Hamakawa Photovoltaic cell having a hetero junction of amorphous silicon carbide and amorphous silicon
DE3208638A1 (de) * 1982-03-10 1983-09-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lumineszenzdiode aus siliziumkarbid
US4536459A (en) * 1982-03-12 1985-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member having multiple amorphous layers
US4633287A (en) * 1982-08-09 1986-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor photoelectric conversion device
JPS59203799A (ja) * 1983-04-28 1984-11-17 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60136223A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 Sharp Corp 炭化珪素半導体素子の製造方法
JPS60142568A (ja) * 1983-12-29 1985-07-27 Sharp Corp 炭化珪素電界効果トランジスタの製造方法
JPS60264399A (ja) * 1984-06-11 1985-12-27 Sharp Corp 炭化珪素単結晶の製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344663B1 (en) 1992-06-05 2002-02-05 Cree, Inc. Silicon carbide CMOS devices
US5384270A (en) * 1992-11-12 1995-01-24 Fuji Electric Co., Ltd. Method of producing silicon carbide MOSFET
US5719409A (en) * 1996-06-06 1998-02-17 Cree Research, Inc. Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor
US5831288A (en) * 1996-06-06 1998-11-03 Cree Research, Inc. Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor
US5969378A (en) * 1997-06-12 1999-10-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power UMOS-bipolar transistor
US6121633A (en) * 1997-06-12 2000-09-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power MOS-bipolar transistor
US7067361B2 (en) 2000-05-10 2006-06-27 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors
US6686616B1 (en) 2000-05-10 2004-02-03 Cree, Inc. Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors
US6902964B2 (en) 2001-10-24 2005-06-07 Cree, Inc. Methods of fabricating delta doped silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors having a gate disposed in a double recess structure
US6956239B2 (en) 2002-11-26 2005-10-18 Cree, Inc. Transistors having buried p-type layers beneath the source region
US7297580B2 (en) 2002-11-26 2007-11-20 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors having buried p-type layers beneath the source region
US7265399B2 (en) 2004-10-29 2007-09-04 Cree, Inc. Asymetric layout structures for transistors and methods of fabricating the same
US7348612B2 (en) 2004-10-29 2008-03-25 Cree, Inc. Metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same
US7326962B2 (en) 2004-12-15 2008-02-05 Cree, Inc. Transistors having buried N-type and P-type regions beneath the source region and methods of fabricating the same
US8203185B2 (en) 2005-06-21 2012-06-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having varying electrode widths to provide non-uniform gate pitches and related methods
US7402844B2 (en) 2005-11-29 2008-07-22 Cree, Inc. Metal semiconductor field effect transistors (MESFETS) having channels of varying thicknesses and related methods
US7646043B2 (en) 2006-09-28 2010-01-12 Cree, Inc. Transistors having buried p-type layers coupled to the gate
US7943972B2 (en) 2006-09-28 2011-05-17 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors having buried P-type layers coupled to the gate

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