DE3727019A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer
Siliciumkarbid(SIC)-Schicht.
Halbleiterbauelemente wie Dioden, Transistoren, integrier
te Schaltungen (ICs), hochintegrierte Schaltungen (LSI),
lichtemittierende Dioden, Halbleiterlaser oder Charged-
Coupled-Devices (CCDs), also ladungsgekoppelte Bildwand
lerelemente, die aus Silicium (Si) oder Verbindungshalb
leitern wie Gallium Arsenid (GaAs) oder Gallium Phosphid
(GaP) hergestellt sind, werden in weitem Umfang auf elek
tronischem Gebiet genutzt. Siliciumkarbid hat gegenüber
derartigen Materialien Vorteile, z. B. durch eine größere
Bandlücke (2,2 bis 3,3 eV) und durch größere thermische,
chemische und mechanische Stabilität und geringe Beein
flußbarkeit durch Strahlung. Daher können Halbleiterbau
elemente mit Siliciumkarbid bei großer Temperatur, hohem
Strom, unter Strahlungsbelastung oder anderen hohen Be
lastungen verwendet werden, bei denen Halbleiterbauele
mente aus anderen Materialien kaum eingesetzt werden
können. Es wird daher erwartet, daß derartige Halblei
terbauelemente mit hoher Zuverlässigkeit und Stabilität
auf zahlreichen Gebieten eingesetzt werden können.
An der Umsetzung in die Praxis hat es jedoch trotz der
hohen Erwartungen wegen Verzögerungen in der Kristall
herstellung auf sich warten lassen, da es schwierig ist,
Siliciumkarbid-Einkristalle hoher Qualität und großer
Abmessungen, wie sie für produktive Massenherstellung in
der Industrie benötigt werden, zu erzeugen. Bisher wurden
Dioden und Transistoren im Labormaßstab hergestellt, die
Silicium-Einkristallschichten auf einem Einkristall
aufwiesen, die durch Sublimations-Rückkristallisierung
(Lely-Methode) durch Epitaxie durch CVD oder durch Flüs
sigphasen-Epitaxie hergestellt wurden. Über ein Verfahren wurde von
R. B. Campbell und H. C. Chang in der Zeitschrift "Semicon
ductors and Semimetals", Academic Press, New York, 1971,
vo. 7 Part B Seiten 625 bis 683 unter dem Titel "Silicon
Carbide Junction Devices" berichtet. Mit der beschriebenen
Technik kann jedoch nur ein Einkristall kleiner Fläche her
gestellt werden, dessen Abmessungen und Formen schwer zu
steuern waren. Darüber hinaus ist es nicht einfach, die Men
ge von Polykristallen im Siliciumkarbid-Kristall sowie die
Verunreinigungskonzentration zu steuern. Die Herstellverfah
ren für Halbleiterbauelemente mit Siliciumkarbidschichten
befanden sich also weit entfernt von industrieller Anwend
barkeit.
Die Erfindung haben gemäß der DE-OS 34 15 799 bereits ein
Verfahren zum Herstellen von Siliciumkarbid-Einzelkristal
len hoher Qualität und großer Abmessungen auf einem einkri
stallinen Siliciumsubstrat durch CVD beschrieben. Bei die
sem Verfahren wird zunächst durch CVD eine dünne Schicht
aus Siliciumkarbid auf dem einkristallinen Siliciumsubstrat
niedergeschlagen, woraufhin die Temperatur erhöht wird und
eine einkristalline Siliciumkarbidschicht durch das CVD-Ver
fahren erhalten wird. Das einkristalline Siliciumsubstrat
ist billig und einfach erhältlich und das Verfahren erlaubt
es, eine einkristalline Siliciumkarbidschicht großer Fläche
zu erhalten, in der die Anzahl von Polykristallen, die Ver
unreinigungskonzentration, die Abmessungen und die Form und
andere Größen gut gesteuert werden können. Das Verfahren
eignet sich zur produktiven Massenherstellung. Ein Nachteil
des Verfahrens ist jedoch, daß zwischen der aktiven Schicht
des Bauelements und der Substratschicht schlechte elektri
sche Isolierung besteht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Bauelement
der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die Silicium
karbidschicht vom Siliciumsubstrat besser isoliert ist als
bisher.
Die Erfindung ist durch die Merkmale von Anspruch 1 gege
ben. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauteil zeichnet sich
dadurch aus, daß zwischen dem Substrat und der aktiven Sili
ciumkarbidschicht eine bordotierte Siliciumkarbidschicht
mit hohem Widerstand liegt.
Gemäß den Unteransprüchen kann ein derartiges Bauteil in
unterschiedlicher Art und Weise ausgebildet sein, z. B. als
Transistor, als Widerstand oder als Kondensator.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren näher
erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch einen Feld
effekttransistor mit Schottky Barriere;
Fig. 2 einen schematischen Querschnitt durch einen Feld
effekttransistor mit PN-Übergang;
Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch einen Wider
stand und
Fig. 4 einen schematischen Querschnitt durch einen Kon
densator.
Der Grundaufbau aller Halbleiterbauelemente gemäß den Aus
führungsbeispielen ist der, daß auf einem Siliciumsubstrat
zunächst eine bordotierte Siliciumkarbidschicht hohen Wider
standes aufgebracht ist, über der eine weitere Siliciumkar
bidschicht liegt.
Die bordotierte Siliciumkarbidschicht hohen Widerstandes
wird dadurch hergestellt, daß eine einkristalline Schicht
von Siliciumkarbid auf einem Siliciumsubstrat dadurch er
zeugt wird, daß bei geeigneten Bedingungen Monosilan (SiH4)
und Propan (C3H8) zugeführt werden. Gleichzeitig wird da
durch, daß Diboran (B2H6) als Verunreinigungsgas zugeführt
wird, Bor als Verunreinigung in die einkristalline Sili
ciumkarbidschicht dotiert. Bor ist ein Element mit extrem
kleinem Atomradius und wird in einkristallinen Siliciumkar
bidschichten in der Regel als Zwischengitteratom eingela
gert. Es wirkt dort als Punkteffekt, der das Siliciumkarbid
gitter verzerrt. Dadurch steigt der elektrische Widerstand
des Siliciumkarbids, und zwar in einem der Konzentration
von Bor entsprechenden Ausmaß.
Werden mehrere Halbleiterbauelemente wie z. B. mehrere Dio
den und Transistoren auf einer auf diese Art und Weise er
zeugten Siliciumkarbidschicht hohen Widerstandes aufge
bracht, sind diese Bauteile durch die guten Isolationsei
genschaften der dotierten Siliciumkarbidschicht gut vonein
ander isoliert.
Der Feldeffekttransistor gemäß Fig. 1 weist ein einkristal
lines Siliciumsubstrat 1, eine bordotierte Siliciumkarbid
schicht 2 hohen Widerstandes (Widerstand mindestens
100 ohmcm) einer Dicke von etwa 5 µm, erzeugt durch ein CVD-
Verfahren, und über dieser Schicht eine undotierte einkri
stalline N-Typ Siliciumkarbidschicht 3 von etwa 0,5 µm
Dicke auf, die durch ein CVD-Verfahren hergestellt ist und
als Kanalschicht wirkt. Eine ohmsche Source-Elektrode 5 und
eine ohmsche Drain-Elektrode 6 sind durch Aufdampfen von
Nickel (Ni) auf die Kanalschicht 3 hergestellt.
Daran anschließend wird Gold (Au) als Gate-Elektrode 7 vom
Schottky Typ zwischen der Source-Elektrode 5 und der Drain-
Elektrode 6 aufgedampft, wodurch der Feldeffekttransistor
vom Schottky Typ fertiggestellt ist. Wenn Strom der Source-
Elektrode 5 zugeführt und von der Drain-Elektrode 6 abgezo
gen wird, fließt dieser Strom in der Kanalschicht 3 zwi
schen Source-Elektrode 5 und Drain-Elektrode 6 und er kann
in seiner Stärke durch die an die Gate-Elektrode 7 angeleg
te Spannung gesteuert werden, wodurch die Transistoreigen
schaften erzielt werden.
Elektrische Isolierung ist dadurch gewährleistet, daß die
einkristalline Siliciumkarbid-Kanalschicht auf der bordo
lierten Siliciumkarbidschicht hohen Widerstands liegt.
Der Feldeffekttransistor gemäß Fig. 2 weist wie der von
Fig. 1 das Siliciumsubstrat 1, die hochisolierende Silicium
karbidschicht 2 und die leitende Karbidschicht 3 auf. Die
Abmessungen und die Herstellverfahren sind dieselben wie
für die Schichten des Transistors gemäß Fig. 1. Auf der
einkristallinen Siliciumkarbidschicht 3 ist jedoch zusätz
lich bereichsweise eine einkristalline Siliciumkarbid
schicht 4 vom P-Typ dadurch gebildet, daß bei der CVD-Her
stellung Aluminium zugefügt wurde. Die Dicke der Schicht
beträgt etwa 3 µm.
Nach dem Herstellen der Siliciumkarbidschicht 4 vom P-Typ
wird diese teilweise soweit entfernt, daß die N-Typ Sili
ciumkarbidschicht 3 wieder freiliegt, auf der eine Source-
Elektrode 5 und eine Drain-Elektrode 6 durch Aufdampfen von
Nickel gebildet werden. Auf die P-Typ Siliciumkarbidschicht
4 wird dagegen eine Aluminium-Silicium(AL-Si)-Verbindung
aufgedampft, die eine ohmsche Gate-Elektrode 8 bildet.
Der durch die Kanalschicht 3 zwischen der Source-Elektrode
5 und der Drainschicht 6 fließende Strom kann durch eine an
die Gate-Elektrode 8 angelegte Spannung gesteuert werden,
wodurch Transistoreigenschaften erzielt werden.
Auch das Halbleiterelement gemäß Fig. 3 weist ein Sub
strat 1 und eine Schicht 2 hohen Widerstandes aus Materia
lien und mit Abmessungen auf, wie bereits anhand von Fig. 1
beschrieben. Auf der Siliciumkarbidschicht 2 hohen Wider
standes ist eine stickstoffdotierte einkristalline Silicium
karbidschicht 9 vom N-Typ mit eingestelltem Widerstand vor
handen. Sie ist durch ein CVD-Verfahren mit einer Dicke von
etwa 1 µm aufgebracht.
Zum Einstellen des Widerstandes wird die Menge dotierten
Stickstoffes gesteuert. Wenn die genannten Schichten fertig
gestellt sind, werden auf der Widerstandsschicht 9 ohmsche
Elektroden 10 und 11 durch Aufdampfen von Nickel herge
stellt. Der Raum zwischen den beiden Elektroden 10 und 11
stellt ein Widerstandsbauteil dar, dessen Widerstandswert
von der Leitfähigkeit der Widerstandsschicht 9, dem Abstand
zwischen dem Elektroden und der Dicke und Breite der Wider
standsschicht 9 abhängt.
Auch das Bauteil gemäß Fig. 4 weist das Siliciumsubstrat 1
und die Siliciumkarbidschicht 2 hohen Widerstandes auf, wie
anhand von Fig. 1 erläutert. Auf der Siliciumkarbidschicht
2 hohen Widerstandes ist eine stickstoffdotierte einkristal
line N-Typ Siliciumkarbidschicht 15 niedrigen Widerstandes
(höchstens etwa 0,1 ohmcm) mit einer Dicke von etwa 1 µm
durch ein CVD-Verfahren aufgebracht. Die Oberfläche dieser
Schicht ist durch thermisches Oxidieren in einer Sauerstoff
atmosphäre bei etwa 1000 Grad C oxidiert. Dadurch ist eine
Oxidschicht 12 von etwa 10 nm bis etwa 200 nm Dicke gebil
det. Ein Teil der Oxidschicht 12 ist abgeäzt, um Platz für
eine ohmsche Elektrode 13 zu schaffen, die direkt auf der
N-Typ Siliciumkarbidschicht 15 aufgebracht ist. Eine kapazi
tive Elektrode 14 aus Aluminium ist auf der Oxidschicht 12
aufgebracht. Der Raum zwischen den beiden Elektroden 13 und
14 bildet einen Kondensator, dessen Kapazität von der Dicke
der Oxidschicht und der Fläche der Elektroden abhängt.
Die als Ausführungsbeispiele beschriebenen Bauteile können
auch anders aufgebaut sein als hier angegeben. Außerdem ist
es möglich, andere Bauteile, wie z. B. Dioden, entsprechend
aufzubauen.
Wesentlich für alle Ausführungsformen ist, daß sie zwischen
einem Siliciumsubstrat und dem aktiven Teil des Bauelemen
tes eine Siliciumkarbidschicht hohen Widerstandes aufwei
sen. So aufgebaute Bauelemente lassen sich mit hoher Quali
tät und definierten Eigenschaften in Massenfertigung her
stellen.
Claims (9)
1. Halbleiterbauelement mit einem Siliciumsubstrat und
einer Siliciumkarbidschicht,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - eine bohrdotierte Siliciumkarbidschicht (2) hohen
Widerstands auf dem Siliciumsubstrat (1) ausgebildet
ist und
- die Siliciumkarbidschicht (3, 9, 15) auf der Sili ciumkarbidschicht mit hohem Widerstand ausgebildet ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Siliciumsubstrat (1), die Siliciumkarbidschicht mit
hohem Widerstand (2) und die Siliciumkarbidschicht (3,
9, 15) einkristalline Schichten sind.
3. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens zwei Elektroden (5, 6) auf der Siliciumkar
bidschicht (3, 9) aufgebracht sind.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine dritte Elektrode (7; 8) zwischen den beiden ande
ren Elektroden (5, 6) angebracht ist.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine zweite Siliciumkarbidschicht (4) von anderem Typ
als dem der Siliciumkarbidschicht (3) zwischen der
dritten Elektrode (8) und der Siliciumkarbidschicht
angeordnet ist.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest ein Teil der Oberfläche der Siliciumkarbid
schicht (15) zu einer Oxidschicht (12) oxidiert ist.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6,
gekennzeichnet durch
eine ohmsche Elektrode (13) auf der Siliciumkarbid
schicht (15) und eine kapazitive Elektrode (14) auf der
Oxidschicht (12).
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Widerstand der Siliciumkarbidschicht mit hohem
Widerstand (3, 9, 15) mindestens etwa 100 ohmcm be
trägt.
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
es als Feldeffekttransistor ausgebildet ist, wobei die
Siliciumkarbidschicht auf einer bohrdotierten Silicium
karbidschicht mit hohem Widerstand ausgebildet ist und
die Kanalschicht bildet.
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