DE2114363A1

DE2114363A1 - Spannungsvariabler Kondensator mit erweiterbarem pn-Übergangsbereich

Info

Publication number: DE2114363A1
Application number: DE19712114363
Authority: DE
Inventors: Raymond Arthur Schenectady N.Y. Sigsbee (V.St.A.)
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1970-04-01
Filing date: 1971-03-24
Publication date: 1971-10-21
Also published as: FR2085770A1; NL7104259A; GB1332045A; US3604990A

Description

Gpannungsvariabler Kondensator mit erweiterbarem pn-übergangs-

bereich

Die Erfindung bezieht sich auf eine Kondensatorstruktur mit variabler Spannung. Insbesondere betrifft sie eine Halbleiterstruktur, in der durch Erweiterung oder Ausdehnung eines pnüberganges erzeugte Änderungen in der Ausgangskapazität stufenförmig geregelt v/erden, indem ein Steuerelektroden-Isolator verwendet wird, der mit zunehmender Entfernung des Isolators vom Rand des erweiterten pn-überganges eine verkleinerte Kapazität aufweist.

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Einen spannungsvariablen Kondensator bildende lialbleitereiemente, d.h. Halbleitereler.ente η it einer Ausjangskaoaisität, die sich als eine Funktion der an die Eingangskleianen angelegten Spannung ändert, sind häufig bei der iierstellurik abstimmbar er Schwingkreise in integrierten Schaltungen erwünscht. Für diese Zwecke sind bisher verschiedene Strukturen verwenael worden, deren Punktion auf unterschiedlichen Prinzipien beruht. Beispielsweise verwenden herkömmliche, eine Diode mit einem pn-übergang aufweisende variable Kondensatoren eine Dickenänderung der Verarmungszone der Diode, um eine Veränderlichkeit der Ausgangskapazität zu erzeugen, während die Kapazität üblicher MOS-Elemente durch Änderung der Dicke der unter der Steuerelektrode liegenden Verarmungszone in Abhängigkeit von Änderungen der oteuerspannung variiert werden kann.

Es ist deshalb eine Aufgabe dieser Erfindung, einen halbleiterkondensator zu schaffen, der einen sich graduell ändernden Übergang zwischen weit auseinanderliegenden Kapazitätswerten aufweist.

Diese Aufgabe wird allgemeiii durch einen spannungsvariablen Halbleiterkondensator mit einem pn-übergang gelöst, der unterhalb eines Steuerelektroden-Isolators ausdehnbar ist, welcher sich durch eine graduell abnehmende Kapazität mit zunehmender Entfernung des Isolators von Rand des pn-Überganges auszeichnet. Somit würde ein erfindungsgemäßer Kondensator einen Halbleiterkörper mit einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweisen i in dem wenigstens ein Bereich mit einem zxtfeiten Leitfähigkeitstyp-vorgesehen ist, der sich bis zu einer vorbestimmten Tiefe durch eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers hindurch erstreckt. Eine Isolierschicht und ein elektrisch ununterbrochener Leiterfilm liegen der Reihe nach über wenigstens einem Teil des den ersten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereiches der Hauptfläche des Halbleiterkörpers und sie erstrecken sich über einen Rand des Bereiches mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp hinaus. Um für eine sich gleichförmig ändernde Ausgangs-

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BAQ OBtSiNAU

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kapazität geiuäß der Erfindung zu sorgen, zeichnet sich die Isolierschicht durch eine Kapazität aus, die wertmäßig mit zunehmender Entfernung der Isolierschicht vom Rand des Bereiches mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp abnimmt. Wenn nun durch eine geeignete Einrichtung ein Steuersignal mit steigender Amplitude zwischen den Leiterfilm und den Halbleiterkörper gelegt wird, ruft die graduell abnehmende Kapazität der Isolierschicht eine graduelle Ausdehnung des den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden bereiches entlang der Grenzfläche zwischen der Isolierschicht und dein Halbleiterkörper bis zu einer Weite hervor, die durch die Amplitude des angelegten oteuersignales und die Kapazität der Isolierschicht { bestimmt ist. Die Kapazität des Überganges ändert sich deshalb in gleichförmig steigernder V/eise mit jeder graduellen Erweiterung des uen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereiches unterhalb der Isolierschicht, und die Übergangskapazität kann durch eine geeignete Einrichtung festgestellt vierden, die zwischen dem bereich mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp und dem Halbleiterkörper angeschlossen ist.

In einem ersten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung wird die abnehmende Kapazität durch eine Vergrößerung, d.h. entweder linear oder stufenförmig", der Dicke der die Steuerelektrode bildenden Isolierschicht mit zunehmender Entfernung vom Rand des Bereiches mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp erhalten. In ^ einem zweiten Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung wird der pnübergang zwischen den Bereichen mit dem ersten und zweiten Leitfähigkeitstyp durch eine der Reihe nach erfolgende Verbindung eines Bereiches vom ersten Leitfähigkeitstyp mit benachbarten Bereichen des zweiten Lextfähigkeitstyps über Inversionszonen erweitert, die unter elektrisch verbundenen öteuerelektroden liegen, welche rrit zunehmender Entfernung der Steuerelektroden von dem erweiterten Bereich eine graduell herabgesetzte Kapazität relativ zun darunterliegenden Halbleiterkörper aufweisen. Obwohl zwar linear abgeschrägte Isolatoren bisher in FeId-Sffekt-Transistoren verwendet worden

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JA I-:·-.

BAD OBIQiNAL

-Z₁-

j um die Kalbleiterschicht eines Dünnfilin-Transistors zu homogenisieren, ist die Verwendung eines abgeschrägten Gate-Isolators zur Veränderung der Kapazität durch zusätzliche Erweiterung eines pn-überganges bisher nicht vorgeschlagen worden.

Die Erfindung wird nun mit weiteren Merkmalen und Vorteilen anhand der folgenden Beschreibung und der beigefügten Zeichnungen mehrerer Ausführungsbeispiele beschrieben.

Fig. 1 ist ein Schnittbild eines gleichförmig veränderbaren Kondensators gemäß der Erfindung.

Fig. 2 ist eine graphische Darstellung und zeigt die Änderung der Ausgangskapazität in Abhängigkeit von der Steuerspannung für den in Fig. 1 gezeigten Kondensator.

Fig. 3 ist ein Schnittbild eines erfindungsgemäßen Kondensators mit digitalisierter Ausgangsgröße.

Fig. 4 ist eine graphische Darstellung und zeigt die Änderung der Ausgangskapäzität in Abhängigkeit von der Steuerspannung für den in Fig. 3 gezeigten Kondensator.

Fig. 5 ist ein Schnittbild eines anderen Ausführungsbeispieles des erfindungsgemäßen Kondensators, in dem die Ausgangskapazität durch Verbindung benachbarter pn-Übergänge über der Reihe nach gebildete Inversionszonen vergrößert wird.

Fig. 6 ist ein Schnittbild eines weiteren Ausführungsbeispieles für einen gleichförmig veränderbaren Kondensator gemäß dieser Erfindung.

Fig. 7 ist ein Flußbild und zeigt in Querschnittsdarstellungen die Plerstellung eines weiteren, gleichförmig ver-.änderbaren Kondensators gemäß der Erfindung.

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BAD ORIGiNAL

In Fig. 1 ist ein gleichförmig veränderbarer spannungsvariabler Kondensator 10 gemäß der Erfindung dargestellt. Er umfaßt allgemein einen Halbleiterkörper 12, in dem ein asymmetrisch leitender übergang 14 ausgebildet ist. Dieser übergang kann beispielsweise dadurch gebildet werden, daß ein n-leitender 13ereich 16 in ein p-leitendes Siliciumstück eindiffundiert wird. Ein linear abgeschrägter Isolator 18 und eine darüberliegende Steuerelektrode 20 werden oben auf dem Halbleiterkörper 12 an einer Stelle angeordnet, die sich über einen Rand des η-leitenden Bereiches ±6 hinaus erstreckt. Ein elektrischer Kontakt zwischen einer variablen Steuerspannungsquelle 22 und der Steuerelektrode wird über einen Aluminiumkontakt 24 und einen Außenleiter 26 hergestellt. Auf ähnliche Weise wird ein Aluminiumkontakt 28 oben auf dem n-leitenden Bereich Io abgeschieden, um für den Kapazitätsausgang von der Struktur an der Klemme 30 zu sorgen. Ein elektrischer Kontakt mit dem Halbleiterkörper 12 wird in bekannter Weise hergestellt. Dies kann beispielsweise durch Bildung eines gut leitenden Bereiches 32 ähnlicher Leitfähigkeit entlang derjenigen Stirnfläche des Halbleiterkörpers geschehen, die von der Stirnfläche, durch die hindurch der Bereich 16 eindiffundiert wird, entfernt ist. Wenn eine Kühlung des Kondensators erwünscht ist, kann mit dem Bereich 32 eine metallische, beispielsweise aus Molybdän bestehende Wärmesenke 38 verbunden werden, indem zwischen dem Sxliciumplättchen und der Wärmesenke aus Molybdän eine Haftschicht 34 aus Gold angeordnet und die lamellierte Struktur auf die eutektische Temperatur von Gold-Silicium erhitzt wird.

Um den gleichförmig veränderbaren Kondensator gemäß Fig. 1 zu bilden, wird für den gut leitenden Bereich 32 ein monokristallines xialbleiterplättchen aus beispielsweise Silicium verwendet, das mit etwa 10 ^ Atomen/cm Bor dotiert ist und eine p-Leitfähigkeit besitzt, die sich durch einen spezifischen Widerstand von etwa 0,01M- cm auszeichnet. Auf dieses Halbleiterplättchen wird ein Halbleiterkörper 12 mit gerin-

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gerer Leitfähigkeit epitaxial aufgewachsen. Dieser iialbleiterkörper 12 kann beispielsweise 1 χ 10 ³ Atome/cm enthalten und einen spezifischen 'widerstand in der Größenordnung von 10 Jl cn aufweisen. Dieses Aufwachsen kann typischerweise dadurch bewirkt werden, daß eine Quelle von dotiertem Siliciura nahe gegenüber dem gut leitenden Bereich 32 angeordnet wird, wäh rend zwischen der oilicium-dotierten Quelle und den gut leitenden Bereich ein Temperaturgradient von,etwa 100 C aufrechterhalten wird, beispielsweise kann die oiliciumquelle auf einer Temperatur von etwa 1000 C und der gut leitende bereich 32 auf einer Temperatur von 1100 °C gehalten werden, jjei einem Jod-Dampfdruck von etwa 1 mm wird das dotierte .'Jilicium von der Quelle in den gut leitenden Bereich übertragen und der Halbleiterkörper 12 wird darauf epitaxial aufgewachsen. Geeigneterweise enthält die für die Abscheidung verwendete Siliciumquelle p-artige Störstellen, wie z.B. Bor, Aluminium, Gallium, Indium etc., in einer solchen Konzentration, daß der epitaxial aufgewachsene Körper mit Sicherheit einen spezifischen Widerstand von wenigstens etwa dem 100-fachen des spezifischen Widerstandes des gut leitenden Bereiches 32 aufweist. Eine vollständigere Beschreibung des oben beschriebenen Epitaxial-Aufwachsverfahrens ist dem US-Patent 3 316 zu entnehmen.

iiach dem epitaxialen Aufwachsen des Halbleiterkörpers 12 wird auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Oxidschicht thermisch bis zu einer Dicke von mehr als 500 Angstrom aufgewachsen, indem der Halbleiterkörper in einer strömenden Atmosphäre von reinem trockenem Sauerstoff auf etwa 1000 C erhitzt wird. Diese Oxidschicht läßt man typischerweise bis zu einer gleichförmigen Dicke zwischen 1000 und 5000 Angstrom wachsen, woraufhin die Oberfläche der Oxidschicht auf eine lineare Steigung zwischen 1/4 und 3 % geätzt wird, indem die Oxidschicht mit einer Flüssigkeit in Berührung gebracht wird, die eine bei Licht zersetzbare Fluorverbindung enthält. Hierfür ist beispielsweise Fluorbenzol, Fluorsulfony!benzol, SuI-fonylchlorid etc. geeignet. Die Oxid/Flüssigkeit-Grenzfläche

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wird dann einer aktivierenden Strahlung von einer Xenonlampe durch einen Lichtfilter riit einer ähnlich abgestuften (abgeschrägten) Lichtdurehlässigkeit hindurch ausgesetzt. An der Oxid/Flüssigkeit-Grenzflache wird Fluor in Mengen freigesetzt, die der auftreffenden aktivierenden Strahlungsmenge proportional sind, und das freigesetzte Fluor reagiert mit der gegenüberliegenden Oxidschicht, um diese auf die gewünschte, linear abgeschrägte Konfiguration zu lösen. Diese photolytische Methode der Ätzung des Siliciumdioxids ist zusammen mit anderen geeigneten liehtzersetzbaren Verbindungen, die für diese Zwecke geeignet sind, in dem US-Patent 3 489 564 beschrieben. Daneben können auf Wunsch aber auch andere bekannte Verfahren verwendet werden, um eine abgeschrägte Isolatorfläche zu bilden. Beispielsweise könnte dies durch eine Halbschatten-Abscheidung unter Verwendung einer langgestreckten Aufdampfungsquelle und einer Maske geschehen, die im Abstand zu einem teilweise abgeschirmten Substrat gehalten wird.

Obwohl Siliciumdioxid als Isolator für die Steuerelektrode aufgrund der leicht-en Herstellung des Isolators bevorzugt ist, kann jedes, üblicherweise bei der Halbleiterherstellung verwendete Isoliermaterial benutzt werden, um den abgeschrägten Isolator 18 zu bilden. Beispielsweise kann ein abgeschrägter Isolator aus Aluminiumoxid durch Vakuumabseheidung eines Aluminiumfilmes auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 12 gebildet werden, woraufhin das Aluminium beispielsweise durch bekannte Plasma-Anodisation anodisiert wird, um das abgeschiedene Aluminium vollständig zu oxidieren. Das Aluminiumoxid kann dann durch das oben beschriebene photolytische Ätzverfahren geätzt werden, um eine lineare Abschrägung zwischen 0,25 und 3,0 % in dem Aluminiuir.oxidfilm zu bilden. Auf ähnliche Weise können amorphe Filme, die Silicium, Sauerstoff und Stickstoff enthalten (die allgemein als Siliciumoxynitride bezeichnet werden), auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 12 durch pyrolytische Zersetzung aus einer Mischung eines Silans, Sauerstoff und Ammoniak abgeschieden werden,

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während die Oberfläche des Halbleiterkörper auf einer Tercpe-ratur von etwa 1000 - 1200 °C gehalten wird. Eine abgeschrägte Konfiguration in dem Film kann dann durch die gesteuerte Zersetzung einer fluorhaltigen Verbindung an der Isolatoroberfläche erhalten werden, indem eine Strahlung mit einer Intensität verwendet wird, die mit linearem Abstand an der Länge des Halbleiterkörper entlang allmählich abnimmt.

,Jach der Bildung des abgeschrägten Gate-Isolators 18 wird auf diesem ein metallischer Film aus Molybdän, Wolfram, Platin, Vanadium oder einem anderen feuerfesten Leiter abgeschieden, der mit derr. darunterliegenden Isolator bei Aktivator-Diffusionstemperaturen, d.h. bei üblicherweise zwischen 900 und 1400 C liegenden Temperaturen, nicht reagiert. Der Film aus feuerfestem Metall wird typischerweise durch herkömmliche Diodenzerstäubung der gewählten Quelle (im folgenden der Einfachheit halber als Molybdän bezeichnet) in einer Atmosphäre von etwa 5 x 10 Torr Argon bei einer Gleichspannung von 15OO Volt gebildet, um den Molybdänfilm mit einer Dicke zwischen 700 und 10 000 Sngström auf dem Gate-Isolator abzuscheiden. Für die praktische Ausführung dieser Erfindung wird ein 15 minütiges Zerstäuben bevorzugt, wobei ein 4000 Sngström dicker Molybdänfilm erzeugt wird. Auf Wunsch können aber zur Bildung der 3teuer-(Gate-)elektrode 20 auch andere Verfahren zur Bildung eines Filmes aus feuerfestem Metall verwendet werden, wie z.B. Vakuumaufdampfen oder pyrolytische Abscheidung.

Der abgeschiedene Molybdänfilm wird dann geätzt, wobei bekannte Photoätzverfahren Anwendung finden, um in dem Molybdänfilm an der gewünschten Stelle zur Ausbildung des η-leitenden Bereiches 16 innerhalb des Plättchens eine Öffnung 39 zu erzeugen. Wünschenswerterweise liegt der nahe dem abgeschrägten Isolator 18 gelegene Rand der öffnung 39 über einem wenigstens 500 Angstrom dicken Teil des Isolators, um für einen Isolatorrand 40 mit einer Höhe von wenigstens 500 Angstrom nach dem anschließenden Ätzen des darunterliegenden Isolators

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zu sorgen, wobei der mit einer öffnung versehene ilolybdänfilm als eine Maske verwendet wird. Typischerweise kann das Ätzen des Molybdänfilmes dadurch erfolgen, daß ein Ferrocyanid-Ätz-

j\aliummittel verwendet wird, das 92 g /ferricyanid, 20 g Kaliumhydroxid und 300 g Wasser enthält. Das durch die Molybdänätzung freiliegende Siliciumdioxid kann durch eine gepufferte HP-(Fluorwasserstoff-)Lösung entfernt werden, die einen Teil konzentrierte HF und 10 Teile einer 40 ^igen üHuF-LÖ-sung enthält. Die gepufferte HF-Lösung (desgleichen auch andere bekannte Ätzmittel) kann auch verwendet werden, wenn Aluminiumoxid oder Siliciumoxynitrid zur Bildung des Isolators 18 verwendet wird,

Uach dem Ätzen des Molybdänfilms und der darunterliegenden Siliciumdioxidschicht, um die Öffnung 39 zu bilden, wird über der gesamten Oberfläche der Struktur eine Glasschicht 42 abgeschieden, die ein Dotier,ungsmittel mit einer solchen Leitfähigkeit besitzt, die zu der Leitfähigkeit der Dotierungsmittel des ilalbleiterkörpers 12 entgegengesetzt ist. Somit kann in dem η-leitenden Halbleiterkörper, der als ein spezielles Beispiel in Fig. 1 dargestellt ist, eine Donator-dotierte Glasschicht pyrolytisch abgeschieden werden, indem die Struktur auf 800 C erhitzt und ein mit Äthylorthosilikat und Triäthylphosphat gesättigter Argonstrom über die Struktur geleitet wird. Jach der Abscheidung der Glasschicht 42 bis zu einer Dicke von etwa 4000 Sngström wird die gesarate Struktur in Vakuum für etwa 1 1/2 Stunden auf etwa 1150 C erhitzt, damit das Phosphor-Dotierungsmittel von der Glasschicht 42 durch die öffnung 39 hindurch bis zu einer Tiefe von etwa 3000 Angstrom in den Halbleiterkörper 12 eindiffundiert. Dadurch wird sowohl der η-leitende Bereich 16 innerhalb des Halbleiterkörpers als auch der pn-übergang 14 an der Grenzfläche zwischen dem Bereich 16 und dem Halbleiterkörper gebildet. Typischerweise ist der Bereich ΐβ zwischen etwa 3 ~ 20 Mikron weit und weist eine kreisförmige geometrische Konfiguration auf. Da die Steuerelektrode 20 und der darunter-

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liegende Isolator IG währc-nc* der Diffujion des n-leitenden Bereiches l6 als eine Maske dienen, stellt die während des Eintretens von liatur aus auftretende, leicht seitwärts gerichtete Diffusion des Bereiches eine Registration (Justierung) zwischen der Steuerelektrode 20 und dem Rand des nleitenden Bereiches sicher.

Die Glasschicht 42 wird dann mit einem photobeständigen Ilittel und einem geeigneten iitziaittel, wie z.B. der oben beschriebenen gepufferten KF-Lösung, geätzt, urn einen Teil des η-leitenden Bereiches Io und der Steuerelektrode 20 freizu- ^ legen. Daraufhin wird ein Metall, vorzugsweise Aluminium, selektiv auf der Oberfläche des Kondensators abgeschieden, um elektrische Kontakte 28 und 24 für den diffundierten, nleitenden Bereich bzw. die Steuerelektrode zu bilden. Als

32 nächstes wird der.gut leitende Bereich/des Kondensators mit der Wärmesenke 38 aus Molybdän verbunden. Ein Außenkontakt des Kondensators wird durch Thermokompression oder Ultraschallverbindung von Goldleitern mit den Aluminiumkontakten 24 und 28 und der Wärmesenke 38 hergestellt.

Der gleichförmig veränderbare Kondensator 10 weist zwar vorzugsweise eine Steuerelektrode aus feuerfestem Metall auf, um eine natürliche Registration (Justierung) zwischen dem Rand ™ des erweiterten Bereiches und der Steuerelektrode zu erzeugen, die die nach außen verlaufende Inversionszone an der Grenzfläche zwischen Isolator und Halbleiterkörper bildet« Der Kondensator kann aber auch unter Verwendung bekannter Halbleiter-Registrationsverfahren und mit Steuerelektroden aus Metallen, wie z.B. Aluminium, Kupfer, Gold, IJickel etc», hergestellt werden. Beispielsweise kann der Kondensator 10 dadurch gebildet werden, daß man eine nicht gezeigte, beispielsweise 10 000 Sngström dicke Oxidschicht auf dem epitaxial gewachsenen Halbleiterkörper 12 thermisch wachsen läßt und anschließend das Oxid mit einer öffnung versieht, um ein Fenster für die Diffusion des Bereiches l6 durch Erhitzen des

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Halbleiterkörpers auf eine Temperatur von etwa 1000 C in einer Vakuumkammer zu bilden, die einen Donator-Danpf, wie z.'6. Zink, enthält. Daraufhin wird di<? dicke Oxidschichtmaske von der Oberfläche des Halbleiterkörper weggeätzt. Dann wird eine dünnere, beispielsweise 3000 Angstrom dicke Oxidschicht auf die Halbleiteroberfläche aufgewachsen und auf eine lineare Steigung Zivischen l/'4 und 3 % weggeätzt, wobei ein wenigstens 500 angstrom dicker Rand über dein Bereich 16 liegt, um den Steuerelektroden-Isolator zu bilden. Daraufhin kann auf dem abgeschrägten Isolator Aluminium abgeschieden werden, um die mit dein η-leitenden Rand des Bereiches l6 registrierte Steuerelektrode 20 zu bilden. Ähnlich ist zviav Silicium fur den Kalbleiterkörper 12 bevorzugt, weil es hervorragende elektrische Eigenschaften aufweist und die herstellung von Silieiumhalbieitern billig ist, trotzdem kann aber auf V.unsch jedes halbleitermaterial_s wie z.r>. Germanium oder eine Verbindung der Gruppen III - V, wie z.b. Galliumarsenid, für den Halbleiterkörper 12 verwendet werden.

Im betrieb ist die Steuerelektrode 20 über einen Außenleiter 26 und den Aluminiumkontakt 2¹J mit einer variablen Steuerspannung 22 verbunden, während der η-leitende Halbleiterkörper 12 über die elektrisch geerdete "Wärmesenke 38 aus Molybdän auf Erd-(Hasse-)potential gehalten ist. Wenn die Steuerspannung 22 in positiver Richtung erhöht wird, wobei der Diodenkondensator 10 in Sperrichtung vorgespannt ist, d.h. wenn eine positive Spannung zwischen 0,1 und 3 Volt an den n-leitenden Bereich 16 angelegt wird, werden die Majoritäts-Ladungsträger, d.h. die Löcher bzw. Fehlstellen, unter der Steuerelektrode 20 an der Grenzfläche zwischen dem Isolator 13 und dem angrenzenden p-leitenden bereich des Halbleiterkörpers 12 nahe dem Rand des η-leitenden Bereiches 16 abgestoßen, um eine Verarmungszone zu erzeugen, an der die resultierende Konzentration der Ladungsträger unter die Konzentration der unkompensierten Akzeptorionen abgesenkt wird. Da das positive Potential an der Steuerelektrode weiter erhöht wird, werden die Minoritäts-Ladungsträger sur Verarmungszone an der

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Oberfläche des Halbleiterkörper nahe dem η-leitenden Bereich 16 gezogen. Dadurch wird eine Inversionsschicht 56 gebildet, die sich von dem pn-übergang I^ an der Oberfläche des Halbleiterkörpers 12 entlang nach außen erstreckt. Da sich die Dicke des Isolators l8 mit zunehmender Entfernung des Isolators vom n-leitenden Bereich l6 linear vergrößert, erzeugt die an die Steuerelektrode 20 angelegte, positiv werdende Regelspannung zunächst eine maximale Verarmung am Rand des η-leitenden Bereiches l6, der unter dem relativ eng beabstandeten Teil der Steuerelektrode liegt. Der pn-übergang zwischen dem η-leitenden Bereich 16 und dem Halbleiterkörper 12 wird somit durch die Inversionsschicht 56 von dem n-leitenden Bereich l6 nach außen graduell ausgedehnt oder erweitert. Die Länge der Inversionsschicht 56 hängt von der Steigung des Isolators 18 und der zwischen der Steuerelektrode und dem darunterliegenden Halbleiterkörper 12 angelegten Spannung ab. Da die Kapazität des Kondensators 10 (festgestellt an der Ausgangsklemme ,30) sich als eine Punktion der Erweiterung des pn-überganges 14 ändert, erzeugt jede Zuwachsänderung in der Steuerspannungsquelle 22 eine Zuxvachsänderung in der Ausgangskapazität. Ein derartiges Verhalten der Kondensatoreigenschaften ist durch die Kurve 60 in Fig. 2 dargestellt. Wie hieraus ersichtlich ist, steigt die Kapazität der in Fig. 1 gezeigten Struktur langsam mit steigender Steuerspannung an, bis die Grenzfläche zwischen dem Halbleiterkörper 12 und dem Isolator 18 vollständig umgekehrt ist (dieser Zustand ist durch den Punkt 61 der Kurve 60 dargestellt), woraufhin eine maximale Ausgangskapazität erhalten ist.

Zwar ist der spannungsvariable Kondensator 10 höchst erstrebenswert, wenn eine sich linear ändernde Kapazität erwünscht ist. Es können aber auch digitalisierte Zuwachsänderungen in der Ausgangskapazität in Abhängigkeit von der Steuerspannung erhalten werden, indem ein spannungsvariabler Diodenkondensator 62 gemäß Fig. 3 verwendet wird. Strukturell ist der Kondensator 62 mit dem Kondensator 10 identisch, außer daß der

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Isolator 64 für die Steuerelektrode photolytisch durch eine nicht gezeigte transparente Vorrichtung mit einer Lichtdurchlässigkeit geätzt worden ist, die sich stufenförmig ändert. Dadurch wird entlang der vom Halbleiterkörper 12 entfernten Isolatoroberfläche eine stufenförmige Kontur 66 gebildet. Der Kondensator 62 ist auch nicht auf einer metallischen Wärmesenke angebracht und der ohmische Kontakt zum gut leitenden Bereich 32 ist in herkömmlicher Weise durch Vakuumaufdampfen eines Aluminiumfilms 50 erzeugt. Zweckmäßigerweise ist der Halbleiterkörper 12 nicht geerdet₃ so daß die Steuerspannung 22 an die Steuerelektrode und den Halbleiterkörper über Leiter 26 und 70 angelegt werden muß, die mit dem Aluminiumkontakt 24 bzw. dem Film 50 verbunden sind. Die Ausgangskapazität wird über der Ausgangsklemme 30 und dem Film 50 festgestellt. Da der Isolator 64 als eine Reihe von Ebenen graduell ansteigender höhe ausgebildet ist, versucht eine langsam ansteigende positive Spannung, die zwischen die Steuerelektrode 20 und den Halbleiterkörper 12 gelegt ist, den n-leitenden bereich Ib praktisch in Momentanschritten von etwa der gleichen Länge wie der jeder Ebene nach außen zu erweitern oder auszudehnen, wenn die angelegte Steuersparxnung den jeweiligen Schwellwert zur Bildung einer Inversionsschicht unterhalb einer Isolatorstufe überschreitet. Somit wird trotz einer linearen Erhöhung der Steuerspannung 22 zwischen der Ausgangsklemme 30 und dem Film 50 eine digitalisierte Kapazitätsänderung (die durch die Stufen 74 in der Kurve 76 gemäß Fig. 4 dargestellt ist) erzeugt, wenn der jeweilige, jeder Dicke des Siliciumdioxidisolators 64 entsprechende Schwellwert überschritten wird. Wünschenswerterweise beträgt die erste, über dem η-leitenden Bereich 16 liegende Stufe des Isolators 64 wenigstens etwa 500 Sngström. Dann sollte die liöhe des Isolators in im wesentlichen gleichen Zuwachsstufen zwischen 200 und 5OO Sngström für Stufen mit einer Länge zwischen 2 und 10 Mikron zunehmen.

Ein anderes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung, in dem der pn-übergang durch Verbindung von Bereichen ähnlichen Leitfä-

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higkeitstyps mit einer Inversionsschicht erweitert ist, ist in Fig. 5 dargestellt. Hier ist ein η-leitender Bereich 78 des Kondensators 80 mit benachbarten η-leitenden Bereichen 78a, 78B und 78c durch die aufeinanderfolgende Bildung von Inversionsschichten 82A₅ 82B und 82C an der xlalbleiterkörper/Isolator-Grenzflache verbunden. Um eine gleichförmige Änderung in der Ausgangskapazität mit in positiver Richtung ansteigender Steuerspannung 22 sicherzustellen, sind die Steuerelektroden-Isolatoren 84A, 84B und 84C photolytisch geätzt, um die Dicken mit der Entfernung von dem Bereich 78 graduell ansteigen zu lassen. Dadurch wird eine der Reihe nach erfolgende Bildung von Inversionszonen 82A, 82B und 82C zwischen den Bereichen 73 und 78A, den Bereichen 78A und 78B bzw. den Bereichen 78B und 78C sichergestellt. Da jeder Cteuerelektroden-Isolator zwischen benachbarten η-leitenden Bereichen eine gleichförmige Dicke aufweist (d.h. die vom planaren Halbleiterkörper 12 entfernte Oberfläche jedes Isolators verläuft im wesentlichen parallel zur Ebene des Kalbleiterkörpers, im Gegensatz zur abgeschrägten Isolatorkonfiguration in dem Kondensator 10 gemäß Pig. I), wird jede Inversionsschicht, z.B. die Inversionsschicht 32A, im wesentlichen augenblicklich oder momentan erzeugt, und der Kondensator weist eine digitalisierte Erhöhung der Ausgangskapazität mit der Erzeugung jeder nachfolgenden Inversionsschicht auf.

Der Diodenkondensator 80 wird in praktisch identischer «eise hergestellt wie der Kondensator 62. Zunächst wird auf dem Halbleiterkörper 12 eine Siliciumdioxidschicht bis zu einer solchen Dicke thermisch aufgewachsen, die für den Steuerelektroden-Isolator, d.h. den Isolator 84C, erwünscht ist, der am weitesten entfernt von dem zunächst erweiterten nleitenden Bereich angeordnet ist. Die oiliciumdioxidschicht wird dann geätzt, indem beispielsweise eine Reihe von bekannten Photolack-Ätzschritten verwendet wird, um eine abgestufte Siliciuradioxiddicke von beispielsweise 500 Angstrom, 1000 Sngström und 15OO Sngström für die Isolatoren 84A, 84ß und

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84c zu erzeugen. Daraufhin wird über der gesamten Oberfläche der Struktur ein Molybdänfilm abgeschieden. Der abgeschiedene Molybdänfilm wird dann selektiv mit einem photobeständigen Mittel maskiert und mit einem geeigneten Ätzmittel, wie z.B. einer Lösung von 76 7» Orthophosphorsäure, 6 % Eisessig, 3 % Salpetersäure und 15 % Wasser, geätzt, um die Steuerelektroden 8IA, 8IB und SIC zu bilden. Das durch die Molybdänätzung freiliegende Siliciumdioxid wird unter Verwendung eines gepufferten ilF-ätzmittels von dem halbleiterkörper 12 entfernt. Nachdem die dotierte Glasschicht 83 pyrolytisch auf der gesamten Oberfläche der Struktur abgeschieden ist, indem die Struktur in einem mit Athylorthosilikat und Triäthylphosphat gesättigten Argonstrom auf 8OO C erhitzt wird, werden die η-leitenden Bereiche 78, 78A, 7δΒ und 78C in den Halbleiterkörper 12 eindiffundiert, indem die Struktur für etwa 1 1/2 Stunden bei einer Temperatur von etwa 1100 C gebrannt wird. Dann wird das dotierte Glas beispielsweise in gepuffertem HP geätzt, um sowohl einen Teil der Steuerelektroden 8IA - 8IC als auch den η-leitenden Bereich 78 freizulegen. Daraufhin wird auf jeder Steuerelektrode ein Aluminiumkontakt 24 abgeschieden, damit die Steuerelektroden durch die variable Spannungsquelle 22 gleichzeitig gespeist werden können. Ein Kontakt mit dem freiliegenden, n-leitenden Bereich 78 wird durch einen Aluminiumkontakt 28 hergestellt, der das Ausgangssignal aus dem Kondensator liefert.

Wenn die Spannungsquelle 22 das positive Potential der Steuerelektroden 8IA - 8IC relativ zum Halbleiterkörper 12 vergrößert, führt die -hohe Kapazität zwischen der Steuerelektrode 8IA und dem Halbleiterkörper (infolge der relativen Dünnheit des Siliciumdioxid-Isolators 84A) dazu, daß die Inversionsschicht 82A die η-leitenden Bereiche 78 und 78A miteinander verbindet, wenn die angelegte Steuerspannung den Schwellwert für die Bildung einer η-leitenden Inversionszone unterhalb der Steuerelektrode 8IA überschreitet. Die Ausdehnung des pn-überganges 14 vom η-leitenden Bereich 78 zum Bereich 78A

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durch die Inversionsschicht 82A vergrößert schnell die Kapazität der Struktur bis zu einem zweiten Wert. Die Ausgangskapazität verbleibt dabei im wesentlichen konstant, bis die Steuerspannung einen Schwellwert überschreitet, der eine Inversionsschicht 82B unterhalb der Steuerelektrode 8lB bildet. Der pn-übergang wird dann unter einer entsprechenden Vergrößerung der Übergangskapazität bis zum benachbarten n-leitenden Bereich 78C ausgedehnt. Wenn die Steuerspannung 22 anschließend herabgesetzt wird, sinkt die Ausgangskapazität stufenförmig in der Weise, wie die Inversionsschichten 82C, 82B und 82A der Reihe nach beseitigt werden.

Der spannungsvariable Kondensator gemäß der Erfindung kann auch mit Steuerelektroden-Isolatoren gleicher Dicke hergestellt werden, wenn für die Isolatoren unterschiedliche dielektrische Materialien verwendet werden, wie es bei dem Kondensator 88 in Fig. 6 gezeigt ist. Zunächst wird bei dem Kondensator 88 ein epitaxial au^wachsener p-leitender Halbleiterkörper 12 auf einem gut leitenden Bereich 32 gebildet, woraufhin auf der Oberfläche des halbleiterkörpers ein nicht gezeigter Aluminiumfilm bis zu einer Dicke von etwa 2000 8ngström abgeschieden wird. Dieser Aluminiumfilm kann durch Aufdampfen in Vakuum bei einem Druck von bezeichnenderweise weniger als 5 x 10 Torr hergestellt werden. Nachdem der abgeschiedene Aluminiumfilm durch übliche Plasma-Anodisation oxidiert ist, wird das Aluminiumoxid unter Verwendung üblicher Photomaskierungsverfahren und eines gepufferten HF-Ätzmittels geätzt, um den Isolator 89A aus Aluminiumoxid zu bilden. Die Struktur wird dann in einer strömenden Säuerstoffatmosphäre beispielsweise auf eine Temperatur von mehr als 1000 C erhitzt, um Siliciumdioxid oben auf der freiliegenden Siliciumflache thermisch aufzuwachsen. Über der gesamten Struktur wird dann ein Molybdänfilm abgeschieden. Nach der Ätzung des Molybdänfilmes, um die Steuerelektroden 8lA und 8IB zu bilden, werden die oteuerelektroden als eine Maske sowohl für die Ätzung des oiliciumdioxids als auch des AIu-

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miniumoxids verwendet, wobei beispielsweise eine gepufferte xiF-Lösung Anwendung findet, um die Steuerelektroden-Isolatoren 89A bzw. 89B mit den darüberliegenden Steuerelektroden aus Molybdän genau zu registrieren. Dann werden Donator-Störstellen von der Phosphor-dotierten Glasschicht 42 durch die Molybdän-Maske hindurch in die Oberfläche des Halbleiterkörpers 12 eindiffundiert, um die mit den Steuerelektroden registrierten Bereiche 78, 78A und 78B zu bilden. Typischerweise ist jeder η-leitende Bereich etwa 3-20 Mikron weit. Zwischen diesen Bereichen ist ein Zwischenraum von etwa 5 Mikron vorgesehen.

wenn die Steuerelektroden des variablen Kondensators elektrisch mit der Steuerspannungsquelle 22 verbunden und von dieser gespeist werden, erzeugt die große Dielektrizitätskonstante des Aluminiumoxid-Isolators 89A relativ zum SiIiciumdioxid-Isolator 89B bei einem ersten Schwellwert eine Anfangs-Inversionsschicht 82A zwischen den Bereichen 78 und 78A, um die Kapazität zwischen dem Bereich 78 und dem Halbleiterkörper 12 zu vergrößern. Wenn die Steuerspannungsquelle 22 weiter ansteigt, wird anschließend die Inversionsschicht 82B unter dem Siliciumdioxid-Isolator 89B gebildet, um die an der Ausgangsklemme 30 festgestellte Kapazität weiter zu erhöhen. Ganz allgemein sollten, wenn die abfallende Kapazität des ."teuerelektroden-Isolators durch Verwendung von Materialien mit unterschiedlichen Dielektrizitätskonstanten erzeugt wird, die Dielektrizitätskonstanten benachbarter Steuerelektroden-Isolatoren mit einem Paktor von wenigstens 1,5 abfallen, wobei die Materialien mit der kleineren Dielektrizitätskonstante in einem größeren Abstand von dem zunächst erweiterten pn-übergang anzuordnen sind.

Der gleichförmig veränderbare Kondensator gemäß der Erfindung kann auch lamellierte Schichten aus unterschiedlichen Dielektrizitätsmaterialien für die Steuerelektroden-Isolatoren verwenden, wie os durch den Kondensator 9^ in Fig. 7 gezeigt ist.

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Um einen derartigen Kondensator herzustellen, wird eine erste Schicht 96 aus einem Material mit relativ kleiner Dielektrizitätskonstante, wie z.B. Siliciumdioxid, abgeschieden, indem die bekannte Zerstäubung oder Oxidation und Ätzung angewendet wird, wobei das Siliciumdioxid auf einem Teil oben auf der,, Halbleiterkörper 12 stehen bleibt. Über der gesamten Oberfläche der Struktur wird dann ein Material mit relativ hoher Dielektrizitätskonstante, wie z.L;. Aluminiumoxid, durch bekannte Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren abgeschieden, wie es in Pig. 7a dargestellt ist. Anschließend wird durch Zerstäubung ein Molybdänfilm auf der Silbiumdioxidschicht abgeschieden, und das Molybdän wird geätzt, um die Steuerelektroden 8OA und 8OB zu" bilden, wie es aus Fig. 7b ersichtlich ist. Dadurch können das freiliegende Siliciumdioxid und Aluminiumoxid mit Löchern .versehen werden, indem die Steuerelektroden als eine Maske und gepuffertes HP als ein Ätzmittel verwendet werden. Dann wird auf der Struktur eine in Fig. 7c gezeigte, dotierte Glasschicht 99 abgeschieden, und die Struktur wird bei einer Temperatur von mehr als 1000 C gebrannt, um die η-leitenden Bereiche Jo₃ 78A und 7SB mit unter den Steuerelektroden liegenden Rändern zu bilden. Daraufhin wird das dotierte Glas geätzt, damit Aluminiumkontakte 24 und 28 auf den Steuerelektroden bzw. dem η-leitenden Bereich 78 abgeschieden itferden können.

V/enn die gleichzeitig an die Steuerelektroden angelegte oteuerspannungsquelle 22 vergrößert wird, wird der Bereich 78 der Reihe nach mit den'benachbarten Bereichen 73A und 7öB über Inversionsschichten verbunden, die zwischen den Steuerelektroden-Isolatoren und dem Halbleiterkörper 12 mit der größeren Dielektrizitätskonstante des Aluminiumoxid-Isolators 96 gebildet werden, der unter der Steuerelektrode BOA liegt. Dadurch ist eine Verbindung der Bereiche 78 und 78A sichergestellt, bevor die Bildung einer Inversionsschicht zwischen dem Siliciumdioxid-Isolator 9^A und dem Halbleiterkörper 12 erfolgt. Allgemein kann jede Kombination von Halbleiteriso-

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latoren, wie z.B. Siliciumdioxid, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid, Aluminiumoxid, verwendet werden, um den lamellierten bzw. geschichteten Isolator zu bilden. Die Differenz zwischen den Dielektrizitätskonstanten der gewählten Schichten, die den lamellierten Isolator bilden, sollte jedoch größer sein als ein Faktor 2, um sicherzustellen, daß die Kapazität zwischen der oben liegenden Steuerelektrode und dem darunterliegenden rialbleiterkörper nahezu vollständig durch das Material mit der kleineren Dielektrizitätskonstante zwischen der Steuerelektrode und dem Halbleiterplättchen bestimmt wird.

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Claims

Ansprüche

Spannungsvariabler Kondensator gekennzeichnet durch einen einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Halbleiterkörper (12), wenigstens einen, einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereich (16), der sich bis zu einer vorbestimmten Tiefe durch eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers (12) hindurch erstreckt, eine Isolierschicht (18) und einen elektrisch leitenden Film (20)j die der Reihe nach über wenigstens einem Teil des den ersten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereiches der Hauptfläche liegen und sich über einen Rand des den z\\reiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereiches (16) hinaus erstrecken,wobei die Isolierschicht (18) eine Kapazität aufweist, deren Wert mit zunehmender Entfernung der Isolierschicht (18) vom Rand des den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereiches (16) abnimmt, Mittel (22j 24_s 26) zum Anlegen eines Steuersignales zwischen den leitenden Film (20) und den Halbleiterkörper (12), wodurch der den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisende Bereich (16) entlang der Grenzfläche zwischen der Isolierschicht (18) und dem Halbleiterkörper (12) graduell nach außen erweiterbar und das Ausmaß der Erweiterungszunahme durch die Größe des angelegten Steuersignales steuerbar ist, und Ausgangsanschlüsse (28, 30), die zwischen den Bereich (16) und den Halbleiterkörper (12) gelegt sind und an denen die sich mit der Erweiterung des Bereiches (16) unterhalb der Isolierschicht (18) ändernde Kapazität feststellbar ist.

opannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 1, dadurch bekenn zeichnet , daß die abnehmende Kapazität der Isolierschicht (13) durch eine Dickeriaunahme der Isolierschicht mit zunehmender Entfernung der Isolierschicht vom Rand des den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereiches (10) erzeurbar ist.

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3. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschicht (18) eine Siliciumdioxidschicht ist, deren Dicke am Rand des Bereiches (15) wenigstens 500 Ängström beträgt und die mit zunehmender Entfernung vom Rand des Bereiches (16) linear zunimmt.

4. opannungsvariabler kondensator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumdioxidschicht eine lineare Steigung zwischen 0,25 und 3j0 % aufweist.

5. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die abnehmende Kapazität der Isolierschicht (64) zur Erzeugung einer digitalisierten Änderung in der Ausgangskapazität des Kondensators durch eine stufenförmige Zunahme der Dicke der Isolierschicht (64) erzeugbar ist, wobei jede Erweiterung des den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Bereiches (16) unter sukzessiv dickeren Stufen (66) der Isolierschicht (64) erfolgt.

6. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der Isolierschicht (64) in Zuwachsstufen mit einer Höhe zwischen 200 und 500 Sngstrom zunimmt.

7. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterkörper (12) Silicium, die Isolierschicht (18) Siliciumdioxid und der leitende Film (20) ein Metall ist, das aus der aus Molybdän, Wolfram und Platin bestehenden Gruppe ausgewählt

ο, opannungsvariabler Kondensator nach Anspruch ?, dadurch gekennzeichnet ₃ daß mit dem

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Halbleiterkörper (12) eine Wärmesenke (38) aus Molybdän verbunden ist»

9. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß zahlreiche Bereiche (78, 78A, 78B, 78C) des zweiten Leitfähigkeits-• typs im Abstand zueinander angeordnet sind, die sich durch eine Kauptflache des Halbleiterkörpers (12) hindurch erstrecken, die Ausgangsanschlüsse (28, 30) zwischen den einen Bereich (78) des zweiten Leitfähigkeitstyps und den Halbleiterkörper (12) gelegt sind, die Isolierschicht und der leitende Film in Abschnitten (84A, 84B, 84C; 8IA, 8IB, SIC) ausgebildet sind,.die zwischen und über den Rändern benachbarter Bereiche (78, 78A, 78B, 78C) des zweiten Leitfähigkeitstyps, liegen, von denen jeder leitende Filmabschnitt (8IA, 8IB, SlC) von der Hauptfläche des Halbleiterkörper (12) durch die diskreten Isolierschichten (84A, 84B₉ 84c) isoliert ist, die mit zunehmender Entfernung jeder Isolierschicht von dem mit dem Ausgang verbundenen Abschnitt (?8) eine abnehmende Kapazität zwischen dem leitenden Film und dem darunterliegenden Halbleiterkörper aufweisen, daß ferner ein Kontakt (24) die leitenden Filmabschnitte (8IA, 8lB, 8IC) elektrisch miteinander verbindet und Mittel (22) zur Zuführung eines Steuersignales vorgesehen sind_s das benachbarte Bereiche (78A, 73B₅ 78C) des zweiten Leitfähigkeitstyps der Reihe nach miteinander verbindet.

10. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschichten (84a, .84b, 84c) aus Siliciumdioxid sind, und die Dicke jeder Siliciumdioxidschicht mit zunehmender Entfernung der Isolierschichten von dem mit dem Ausgang verbundenen Bereich (78) des zweiten Leitfähigkeitstyps annimmt«

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11. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschichten (89A, 89B) eine vergleichbare Dicke und eine unterschiedliche Zusammensetzung aufweisen und eine Dielektrizitätskonstante besitzen, die sich zum Abstand Jeder Isolierschicht von dem mit dem Ausgang (30) verbundenen Bereich (73) invers ändert.

12. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschicht (97)» die über eineia Rand des mit dem Ausgang verbundenen Bereiches (78) liegt, aus einem ersten Material mit einer ersten Dielektrizitätskonstante besteht und die unmittelbar benachbarte Isolierschicht aus einem lameliierten Film zusammengesetzt ist, der aus einer Schicht (97) des ersten Materials und einer darunterliegenden Schicht (96a) aus einem zweiten Material besteht, dessen Dielektrizitätskonstante kleiner ist als die des ersten Materials.

13. -Spannungs variabler Kondensator nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß das erste Material Aluminiumoxid und das zweite Material Siliciumdioxid ist»

14. Spannungsvariabler Kondensator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterkörper (12) Silicium ist, die Isolierschichten Siliciumdioxid sind, deren Dicken mit zunehmender Entfernung jeder Isolierschicht von deir. nit den: Ausgang verbundenen Bereich des aweiten Leitfähigkeitstyps graduell zunimmt und der leitende Film ein Metall ist, das aus der aus Molybdän, Violfrani und Fiatin bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

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