DE3415799A1 - Verfahren zur herstellung eines einkristall-substrats aus siliziumcarbid - Google Patents

Description

Beschreibung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Einkristall-Substraten aus Siliziumcarbid (SiC).

SiC besitzt viele Kristallstrukturen (als "vielartig" bzw. "polytyp" bezeichnet) und weist daher in Abhängigkeit der Kristallstruktur verbotene Bandunterbrechungen bzw. -lücken von 2,2 bis 3,3 Elektronenvolt (eV) auf. SiC ist thermisch, chemisch und mechanisch sehr stabil und weist Beständigkeit gegenüber Schäden aufgrund von Bestrahlung auf. Sowohl das Material vom p-Typ als auch vom η-Typ besitzt eine gute Stabilität, was im Falle der Breitspalt (wide-gap)-Halbleiter selten ist. Demzufolge scheint SiC als Halbleitermaterial für elektronische Geräte, die bei hohen Temperaturen oder mit großer elektrischer Leistung betrieben werden können, für äußerst zuverlässige Halbleitereinrichtungen oder bestrahlungsbeständige Geräte geeignet zu sein. Weiterhin sollte SiC elektronische Geräte vorsehen, die in einer Umgebung, bei der mit Geräten, die aus herkömmlichen Halbleitermaterialien hergestellt sind, Schwierigkeiten auftreten, verwendbar sind, wodurch der Anwendungsbereich für HaIbleitergeräte bzw. -einrichtungen stark vergrößert würde. Durch Ausnutzung seiner breiten Energielücke ist SiC ebenso als Halbleitermaterial für optisch-elektronische Geräte für sichtbares Licht kurzer Wellenlängen und ultraviolett-nahes Licht geeignet. Während andere Breitspalt- bzw. Breitlücken-Halbleiter gewöhnlicherweise als Hauptbestandteil ein Schwermetall enthalten und somit mit Problemen hinsichtlich der Verschmutzung und Rohstoffquellen verbunden sind, ist SiC nicht mit diesen Problemen behaftet und scheint daher ein vielversprechendes, elektronisches Material zu sein.

Trotz dieser vielen Vorteile und Möglichkeiten kam SiC nicht zur praktischen Anwendung, da die Technik für das

Wachstum bzw. das Züchten von SiC-Kristallen mit guter Reproduzierbarkeit, die zur kommerziellen Herstellung von SiC-Substraten in großem Maßstab mit hoher Qualität und Produktivität erforderlich ist, noch nicht vervöllkommnet werden konnte.

Herkömmliche Verfahren zur Herstellung von SiC-Einkristall-Substraten im Labormaßstab umfassen das sogenannte Sublimationsverfahren (ebenso als "Lely-Verfahren" bezeichnet; "Growth Phenomena in Silicon Carbide" W.F. Knippenberg: Philips Research Reports, Band 18, Nr. 3, Seiten 161 - 21k (1963); (Kapitel 8 "The Growth of SiC by Recrystallization and Sublimation", Seiten 2HH - 266)), bei dem SiC-Pulver in einem Graphit-Tiegel bei 2 200 bis 2 600° C sublimiert und rekristallisiert wird, um ein SiC-Substrat zu erhalten; das sogenannte Lösungsverfahren (" Growth of Silicon Carbide from Solution" R.C. Marshall: Material Research Bulletin, Band H, Seiten S73 - S8H (1969)), bei dem Silizium oder eine Mischung aus Silizium mit Eisen, Kobalt, Platin oder ähnlichen Verunreinigungen in einem Graphit-Tiegel geschmolzen wird, um ein SiC-Substrat zu erhalten; sowie das Acheson-Verfahren ("Growth Phenomena in Silicon Carbide" W.F. Knippenberg: Philips Research Reports, Band 18, Nr. 3, Seiten 161 27¹J (1963); (Kapitel 2 "Preparative Procedures", Seiten 171 - 179)), das im allgemeinen zur kommerziellen Herstellung von Schleifmaterialien verwendet wird und bei dem beiläufig SiC-Substrate erhalten werden.

Mit dem Sublimations- und dem Lösungsverfahren können eine große Anzahl von Kristallen erhalten werden, jedoch ist es schwierig, große SiC-Einkristall-Substrate herzustellen, da viele Kristallkeime in der Anfangsstufe des Kristallwachstums auftreten, während das SiC-Produkt verschiedene Arten von Kristallstrukturen (polytyp) aufweist. Diese Verfahren sind somit hinsichtlich der Herstellung großer SiC-Einkristalle vom Einzel-Polytyp mit guter Reproduzierbarkeit immer noch zu verbessern.

/t.

Das nach dem Acheson-Verfahren beiläufig erhaltene SiC-Substrat muß hinsichtlich der Reinheit und Kristallinität zur Verwendung als Halbleitermaterial verbessert werden, so daß dieses Verfahren zur kommerziellen Herstellung von SiC-Substraten nicht geeignet ist.

Durch Verbesserungen der Halbleitertechniken in den jüngsten Jahren wurde es möglich, einen dünnen Einkristall-Film aus SiC vom 3C-Typ (mit einer Kristallstruktür vom kubischen System und einer Energielücke von 2,2 eV) auf einem fremden Substrat aus Silizium (Si), das als großformatiges Einkristallsubstrat guter Qualität erhältlich ist, durch die Heteroepitaxial-Technik mittels chemischer Dampfabscheidung (CVD) zu bilden ("Some properties of Vapor Deposited SiC" K.E. Bean und P.S.

Gleim: Journal of the Electrochemical Society, Band 114, Nr. 11, Seiten 1 158 - 1 161 (1967); " ß-Silicon Carbide Films" P. Rai-Choudhury und N.P. Formigoni: Journal of the Electrochemical Society, Band 116, Nr. 10, Seiten 1 440 - 1 443 (1969); "Growth, Texture, and Surface Morphology of SiC Layers" K.A. Jacobson: Journal of the Electrochemical Society, Band 118. Nr. 6, Seiten 1 001 1 006 (1971); "Vapor-Phase Deposition of Beta-Silicon Carbide on Silicon Substrates" K. Kuroiwa und T. Sugano: Journal of the Electronical Society, Band 120, Nr. 1, Seiten 138 - 140 (1973)). Das CVD-Verfahren ist eine Herstellungstechnik mit hoher Produktivität in einem kommerziellen Maßstab und eine vielversprechende Technik zum Züchten eines SiC-Einkristall-Films mit großer Fläche und hoher Qualität über Si-Substraten mit guter Reproduzierbarkeit. Gewöhnlicherweise werden bei diesem Verfahren als Siliziumquelle SiH₂,,

₂Cl₂, (CH₃KSiCl oder (CHO₂SiCl₂, als Kohlenstoffquelle CCl₁J, CH₂₊, C₃Hg oder C₅Hg und als Trägergas

₁J

₂₊

Wasserstoff, Argon oder dergleichen zur epitaxialen Bildung eines dünnen Einkristall-Films aus SiC vom 3C-Typ auf einem Si-Substrat, das auf eine Temperatur von 1 200 bic 1 400° C erhitzt wird, verwendet.

SiC ist jedoch mit dem Si-fremden Substrat nicht ausreichend verträglich (benetzbar), trotzdem SiC a:ioh von Si in der Gitterkonstanten um so viel wie 20 % unterscheidet, so daß, selbst wenn versucht wird, einen Einkristall aus SiC direkt auf dem Si-Substrat zu züchten, SiC nicht zu einer Schicht aus einem Einkristall-Film, sondern zu einer polykristallinen Form mit dendritischer Struktur wächst oder ein sehr dünner Einkristall-Film, falls erhalten, dazu neigt, mitzunehmender Dicke sich zu verschlechtern oder polykristallin zu werden.

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristall-Substrats (Einzelkristall-Substrats) aus SiC mit großer Fläche und hoher Qualität, indem man zuerst die Oberfläche eines Si-Substrats mit einer sehr dünnen SiC-Schicht, die mittels dem CVD-Verfahren bei einer niederen Temperatur gezüchtet wurde, an Stelle daß ein Einzelkristall aus SiC direkt auf dem Si-Substratkristall gezüchtet wird, überzieht und danach einen Einzelkristall aus SiC auf dieser Schicht mittels dem CVD-Verfahren unter Bedingungen des Einzelkristall-Wachstums züchtet.

Die beiliegende Zeichnung zeigt eine Wachstumsvorrichtung, wie sie in den nachfolgenden Beispielen verwendet wurde.

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist somit ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristall-Substrats aus Siliziumcarbid, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man die Oberfläche eines Siliziumsubstrats mit einem einheitlichen, dünnen Film aus Siliziumcarbid, der nach dem CVD-Verfahren bei·einer niedrigen Temperatur gezüchtet wurde, überzieht und danach einen Einkristall-Film aus Siliziumcarbid auf dem dünnen Film nach dem CVD-Verfahren bei einer höheren Temperatur als in der vorangehenden Stufe züchtet.

ys-

F>findungsgemaß wird zuerst die Oberfläche eines Si-Subötrats einheitlich mit einem sehr dünnen SiC-FiIm überzogen, indem man den Film durch das CVD-Verfahren bei einer niedrigen Temperatur züchtet. Dadurch, daß man das Si-Substrat in dieser Stufe bei einer niedrigeren Temperatur als in der Stufe der Züchtung eines Einzelkristalls hält, kann die Wachstumsatmosphäre mit den Ausgangsgasen zu einem größeren Ausmaß übersättigt werden, wodurch die Bildung von SiC-Wachstumskeimen auf dem Substrat mit einer erhöhten Dichte möglich ist, um die Substratoberfläche mit einem einheitlichen SiC-FiIm zu überziehen. Wenn die Temperatur des Substrats niedrig ist, wird im allgemeinen ein polykristalliner oder amorpher SiC-FiIm von geringer Kristallinitat auf dem Substrat abgeschieden. Dieser Film sorgt dafür, daß das Si -Substrat nicht in direkten Kontakt mit dem anschließend zu bildenden SiC-Einkristall-F'ilm kommt und wirkt somit einer Verschlechterung bzw. einem Zerfall des SiC-Einkristall-Films , die bzw. der aufgrund des Unterschiedes in der Gitterkonstante zwischen Si und dem SiC-Einkristall auftreten könnte, entgegen. Zufriedenstellende Ergebnisse können insofern erzielt werden, wie der durch das CVD-Verfahren bei einer niedrigen Temperatur gebildete, dünne Film die Substratoberfläche einheitlich bedeckt. Der dünne Film besitzt somit eine geringe Dicke

von etwa 10 bis etwa 1 000 A, vorzugsweise etwa 100 bis etwa 500 A.

Der Ausdruck "niedrige Temperatur", wie hierin verwendet, bedeutet eine Temperatur, die niedriger als die Temperatur zur Züchtung eines Einzelkristalls aus SiC ist und bei der ein dünner SiC-FiIm gebildet werden kann. Insbesondere liegt diese niedrige Temperatur im Bereich von 800 bis 1 200° C, vorzugsweise 1 000 bis 1 100° C, bei Atmosphärendruck. Andererseits beträgt die Temperatur zur Züchtung des Einzelkristalls aus SiC 1 ?0ö bis 1 400° C. vorzugsweise 1 300 bis 1 350° C, bei Atmor.phärendruck.

I 3 / jo

Das CVD-Verfahren wird durch Zuführen einer Mischung aus Siliziumgas und Kohlenstoffgas zu der Oberfläche eines Si-Substrats durchgeführt. Wie bereits unter Bezugnahme auf den Stand der Technik erwähnt, setzt sich die Gasmischung aus einer Siliziumquelle (wie etwa SiH₁₊, SiCl₂₄, SiH₂Cl₂, (CH₃KSiCl oder (CH^)₂SiCl₂) und einer Kohlenstoffquelle (wie etwa CCl^, Ch^, C^Hp oder CHc) zusammen. Weiterhin kann ein Trägergas, wie etwa Wasserstoff oder Argon, verwendet werden.

Für das Niedertempertur-CVD-Verfahren wird die Gasmischung im allgemeinen mit einer Geschwindigkeit von 0,01 bis 10 cm³/min , vorzugsweise 0,05 bis 5 cm^a/min, zugeführt. Das Mischungsverhältnis der Siliziumquelle zu der Kohlenstoffquelle beträgt im allgemeinen 0,OT bis IC, vorzugsweise 0,5 bis 5, ausgedrückt als Si/C-Ordnungszahlen-Verhältnis. Die zur Bildung des dünnen Films angewandte Zeit beträgt 0,5 bis 10 Minuten, vorzugsweise 1 bis 5 Minuten. Die Dicke des dünnen Films kann primär durch Einregulierung der Zuführung der Gasmischung und der Filmbildungszeit reguliert werden. Es ist, kurz gesagt, erwünscht, diese Faktoren zu regulieren bzw. zu kontrollieren, um die eben genannte Filmdicke zu erreichen.

Daran anschließend wird ein Einkrjstall-FiIm aus SiC auf dem dünnen SiC-FiIm mittels dem CVD-Verfahren bei einer erhöhten Wachstumstemperatur von 1 200 bis 1 400° C bei Atmosphärendruck gebildet. Tn diesem Fall kann die Zufuhr der Gasmischung nach Bildung des dünnen SiC-Filres unterbrochen werden, um die Wachstumstemperatur zu erhöhen und danach das Verfahren zur Bildung des SiC-Einkristall-Films wiederaufzunehmen. Alternativ hierzu kann die Wachstumstemperatur erhöht werden, während die Gasmischung zugeführt wird, um den SiC-Einkristall-Filin zu züchten.

Der SiC-Einkristall-Film besitzt geeigneterweise ei'" Dicke von

1 bis 50 μΓπ, insbesondere 0,5 bis 5 μΐη oder 10 bis 50 μπκ Ein Film mit einer solchen Dicke kann im allgemeinen dadurch erhalten werden, daß man die Gasmischung mit einer Geschwindigkeit von 0,01 bis 10 cm³/min, vorzugsweise 0,05 bis 5 cm³/min bei einem Mischungsverhältnis (Si/C-Ordnungszahlen-Verhältnis) von 0,01 bis 10, vorzugsweise 0,5 bis 5 über einen Zeitraum von 0,5 bis 15 Stunden (Wachstums- bzw. Züchtungszeit) zuführt.

Die vorgenannten Bedingungen für das bei der niedrigen Temperatur sowie bei der höheren Temperatur durchzuführende CVD-Verfahren umfassen Atmosphärendruck, obwohl das erfindungsgemäße Verfahren auch bei einem verringertem Druck, beispielsweise 0,01 bis 100 Torr, vorzugsweise 0,1 bis 10 Torr, durchgeführt werden kann. Die niedrige Temperatur sowie auch die höhere Temperatur kann dann etwas geringer sein (beispielsweise um 100° C), wobei sich ein noch einheitlicherer SiC-FiIm über der gesamten Oberfläche des Siliziumsubstrats bilden kann.

Pie vorgenannten Bedingungen können geeigneterweise variiert werden, wenn die Arten der Ausgangsgase und die Größe der Vorrichtung geändert werden.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird auf einem Si-Substrat ein Einkristall-Film aus SiC mit einer Dicke von mindestens 1 μΐη, einer besseren Qualität und einer großen Fläche gebildet, so daß sich das erfindungsgemäße Verfahren für die Massenproduktion eignet und daher eine deutlich verbesserte Produktivität sicherstellt. Dies ermöglicht die Anwendung von Halbleitergeräten bzw. -einrichtungen unter Verwendung von Siliziumcarbid in einem kommerziellen Maßstab.

Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich nicht nur zur Kombination aus einem Si-Substrat und einem Einkristall-Film aus SiC, sondern ebenso für eine breite Anwendung, einschließlich der heteroepitaxialen Züchtung von Einkristallen auf Substraten verschiedener Arten.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist daher von großer technischer Bedeutung.

Die nachfolgenden Beispiele erläutern die Erfindung. 5

Die Fig. 1 zeigt die in den Beispielen verwendete Vorrichtung. Die Vorrichtung umfaßt eine wassergekühlte, horizontale Doppelreaktorröhre 1 aus Quartz, die im Inneren mit einer Quartzauflagescheibe 3 mit einem darauf angeordneten Graphit-Probenträger 2 ausgestattet ist. Die Reaktorröhre 1 ist mit einer Betriebsspule 4 umwickelt, durch die ein Hochfrequenzstrom (HF) geführt wird, um den Probenträger 2 durch Induktion zu erhitzen. Der Probenträger 2 kann horizontal oder (soweit geeignet) schräg angeordnet sein. Die Reaktorröhre 1 besitzt an einem Ende ein Abzweigungsrohr 5, um einen Gaseinlaß vorzusehen. Durch die Abzweigungsrohre 6 und 7 wird Kühlwasser in den Innenraum der Außenröhre der Reaktorröhre

I zugeführt. Das andere Ende der Reaktorröhre 1 wird mittels eines korrosionsbeständigen Stahlflansches 8, einer Halterungsscheibe 9, den Schrauben 10, den Muttern

II und einem O-Ring 12 abgedichtet. Der Flansch 8 weist ein Abzweigungsrohr 13 auf, um einen Gasauslaß vorzusehen. Unter Verwendung dieser Vorrichtung wurden in folgender Weise Kristalle gezüchtet.

Beispiel 1

(1) Ein Einkristall-Substrat aus Si (Abmessung 15 mm χ 15 mm) 14 wurde auf den Probenträger 2 aufgebracht. Mit dem Austausch der Luft innerhalb der Reaktorröhre 1 durch Wasserstoffgas wurde HF-Strom durch die Betriebsspule 4 geschickt, um den Graphit-Probenträger 2 zu erhitzen und die Temperatur des Si-Substrats 14 auf etwa 1 050° C zu erhöhen. Als Ausgangsgase wurden Monosilan (SiHk) der Reaktorröhre mit einer Geschwindigkeit von 0,? cm-/min und Propan (C^Hg) mit 0,4 cm³/min zugeführt. Als Trägergas wurde der Röhre mit einer Geschwir ''gkeit von

3 l/min Wasserstoff zugeführt. Diese Gase wurden durch das Abzweigungsrohr 5 über 1 Minute eingespeist, wodurch ein sehr dünner, polykristalliner Film aus SiC von 3C-Typ mit einer Dicke von etwa

250 α gebildet wurde, der die Oberfläche des Si-Substrats 14 einheitlich bedeckte.

(2) Während dem Durchleiten von Wasserstoff-Trägergas durch die Reaktorröhre 1 wurde die Zufuhr der Ausgangs- bzw. Materialgase unterbrochen. Danach wurde eine erhöhte Menge an HF-Strom durch die Betriebsspule 4 geschickt, um den Probenträger 2 zu erhitzen und das Si-Substrat 14 auf eine Temperatur von etwa 1 350° C einzustellen. Während die Zufuhr von Wasserstoff-Trägergas mit einer Geschwindigkeit von 3 l/min aufrechterhalten wurde, wurden SiHn mit einer Geschwindigkeit von 0,04 cm³/min und C^Hg mit 0,02 cm³/min eingespeist, um einen Einkristall-Film aus SiC vom 3C-Typ auf dem Si-Substrat 14, das mit dem sehr dünnen SiC-FiIm bedeckt war, zu bilden. Über die gesamte Oberfläche des Substrats wuchs der Einkristall-Film in 30 Minuten nach Beginn der zweiten Stufe zu einer Dicke von 0,7 um und in zwei Stunden zu einer Dicke von 2,5 um.

Beispiel 2

(1) Ein Si-Einkristall-Substrat (Abmessungen 15 mm χ 15 mm) 14 wurde auf den Probenträger 2 aufgebracht. Während dem Austausch der Luft innerhalb der Reak-

^ torröhre 1 durch Wasserstoffgas wurde HF-Strom durch die Betriebsspule 4 geschickt, um den Graphit-Probenträger 2 zu erhitzen und die Temperatur des Si-Substrats auf etwa 1 050° C zu erhöhen. Als Ausgangsgase wurden Dichlorsilan (SiHpCIp) der Reaktorröhre mit einer Geschwindigkeit von 0,58 cm³/min und Propan (C-,Hn) mit 0,77 cm³/min zugeführt. Als Trägergas wurde Wasserstoff der Röhre 1 mit einer Geschwindigkeit von 3 l/min zugeführt. Diese Gase

η.

wurden durch das Abzweigungsrohr 5 während 1 Minute eingespeist, wodurch ein sehr dünner, polykriM all aner Film aus SiC von 3C-Typ mit einer Dicke von etwa

100 A gebildet wurde, der die Oberfläche des Si-Substrats 14 einheitlich bedeckte.

(2) Danach wurden unter Aufrechterhalten der Zufuhr von Wasserstoffgas mit einer Geschwindigkeit von 3 l/min SiHpCIp und C^Hg der Reaktorröhre 1 mit verringerten Geschwindigkeiten von 0,15 cm³/min bzw. 0,075 cm³/min zugeführt und eine erhöhte Menge an HF-Strom durch die Betriebsspule 4 geschickt, um den Probenträger 2 zu erhitzen und das Si-Substrat 14 auf eine Temperatur von etwa 1 350° C einzustellen.

(3) Während die Zufuhr von Wasserstoffgas weiterhin

mit einer Geschwindigkeit von 3 l/min aufrechterhalten wurde, wurden dann SiHpCIp und C^Hr dem Reaktor mit erhöhten Geschwindigkeiten von 0,20 cm³/min bzw. 0,15 cm³/min zugeführt, um einen Einkristall-Film aus SiC vom 3C-Typ auf dem dünnen SiC-FiIm über dem Si-Substrat zu bilden. Über der gesamten Oberfläche des Substrats wuchs der Einkristall-Film in zwei Stunden zu einer Dicke von 1.4 um und in sechs Stunden zu einer Dicke von 4,5 Mm.

Zwar wurden in den obigen Beispielen die Niedertemperatur-SiC-Wachstumsstufe und die SiC-Einkristall-Wachstumsstufe bei höherer Temperatur beide mittels dem CVD-Verfahren bei Atmosphärendruck durchgeführt, jedoch kann das CVD-Verfahren auch bei verringertem Druck für eine oder beide dieser Stufen durchgeführt werden. Das Trägergas, das in den Beispielen Wasserstoff war, kann ebenso ein anderes Inertgas, wie etwa Argon, Helium oder dergleichen sein. Ebenso können das als Ausgangsgas für Silizium verwendete SiH^ oder SiH„Clp und das als Ausgangsgas für Kohlenstoff verwendete C-Hp durch andere Silizium- und Kohlenstoffgase ersetzt, werden.

v/fc

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Claims (11)

Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung eines Einkristall-Substrats aus Siliziumcarbid, dadurch gekennzeichnet, daß man die Oberfläche eines Silizium-Substrats mit einem einheitlichen, dünnen Film aus Siliziumcarbid, der nach dem chemischen Dampfabscheidungsverfahren (CVD-Verfahren) bei einer niedrigen Temperatur gezüchtet wurde, überzieht und danach einen Einkristall-Film aus Siliziumcarbid auf dem dünnen Film nach dem chemischen Dampfabscheidungsverfahren bei einer höheren Temperatur als in der vorangehenden Stufe züchtet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet, daß die niedrige Temperatur im Bereich von 800 bis 1 200° C und die höhere Temperatur im Bereich von 1 200 bis 1 400° C, bei Atmosphärendruck, liegt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die niedrige Temperatur im Bereich von 1 000 bis 1 100° C und die höhere Temperatur im Bereich von 1 300 bis 1 350° C, bei Atmosphärendruck, liegt.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß jede Stufe des CVD-Verfahrens durch Zuführen einer Mischung aus Siliziumgas und Kohlenstoffgas, wahlweise mit einem Trägergas, zur Oberfläche des Substrats durchgeführt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Siliziumgas ein Gas aus SiHjj, SiCl^, SiH₂Cl₂, (CH-JoSiCl und/oder (CHo)₂SiCl₂ und das Kohlenstoffgas ein Gas aus CCIm, CHL, C-Hg und/oder C₂Hg ist.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch g e k e η η zeichnet, daß das Mischungsverhältnis der Mischung aus Siliziumgas und Kohlenstoffgas 0,01 bis 10, ausgedrückt als Si/C-Ordnungszahl (Atomnummer)-Verhältnis, beträgt.

7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Mischungsverhältnis 0,5 bis 5 beträgt.

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet, daß der dünne Film aus Siliziumcarbid, der nach dem CVD-Verfahren bei einer niedrigen Temperatur gezüchtet wurde, eine Dicke von 10 bis 1 000 A besitzt.

9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der dünne Film eine Dicke von

100 bis 500 A besitzt.

10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Einkristall-Film aus Siliziumcarbid auf dem dünnen Film eine Dicke von 1 bis 50 μΐη besitzt.

11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Einkristall-Film eine Dicke von 0,5 bis 5 μΐη oder 10 bis 50 um besitzt.