SU408509A1 - о П и с ХТГи Е ИЗОБРЕТЕНИЯ(Ц)408509 - Google Patents
о П и с ХТГи Е ИЗОБРЕТЕНИЯ(Ц)408509Info
- Publication number
- SU408509A1 SU408509A1 SU1492735A SU1492735A SU408509A1 SU 408509 A1 SU408509 A1 SU 408509A1 SU 1492735 A SU1492735 A SU 1492735A SU 1492735 A SU1492735 A SU 1492735A SU 408509 A1 SU408509 A1 SU 408509A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layers
- layer
- thickness
- ctgi
- inventions
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относитс к получениюэпитаксиалшых слоев полупроводниковых материалов , в частности к пр-одессаМ получени эпитаксиалыных слоев гермадаи восстановлением его тетрахлорида в водороде.
Известен способ получени эпитаксиальных слоев германи воостаиовлением тетрахлорида германи в водороде на германиевых подложках с ориентацией III в интервале 820- 850° С.
Цель изобретени - получить эпитаксиальные слои Германи без .макроскопических дефектов «бугорков или с неэначителыньш их количеством.
Это достигаетс тем, что при 780-810° С наращивают слой тоЛЩиной 0,1 - 1 мкм. Затем inpH телшературе до (820-860° С продолжают рост сло до заданной толщииы.
Наращивание монокристаллического эпитаксиального сло толщиной 0,1 - 1 мкм не позвол ет воЗНикать «бугоркам, «запечатыва дефекты подложки, и преп тствует образованию микросплавОВ, возникающих до начала эпнтаксиального роста при взаимодействии с заЛр зненИ ми нодложки, газов и примен емых материалов.
Пример 1. СнОСОб испытан на онытнопро .мышленных установках.
При испытаНи х наращивают слои толщиной 150 МКМ со скоростью 0,7 мкм/мин на
германиевых подложках р-тина нроводи.МОсти с удельным сопротивлением 0,75 ом-см, ориентированных в нанравленИИ III, Яиаметром 28 MiM. Окончательна обработка поверхности подложек - ал.мазна полировка. Перед наращиванием нодложжи трав т газообразным хлористым водородом.
Наращивают слой толщиной 1,0 мжм при 780° (3, а затем повышают температуру до 830° С со скоростью 50 град-мин и наращивают слои заданной толщины. Среднее количество бугорков на il4 сло х не более 4.
Пример 2. По прИмеру 1 наращивают слои толщиной 0,1 -мкм при вОО°С, затем новышают температуру до 830°С со скоростью 10 Град-мин и нродолжаЮт рост при этой температуре. Среднее количество бугорков на 14 сло х Не более 5.
При наращивании сло известным способом при 830° с; среднее количество бугорков на 14 сло х составл ет не менее 150 шт, т. е. 25 см-2.
Предмет изобретени
25
Способ выращивани эпитаксиальных слоев
гер 1ани осаждением их на подложке при
восстановлении тетрахлорида германи при
30 820-850°С, отличающийс тем, что, с
Целью лолучени слоев без дефектов под «азваиием «бугорки, иа подложке шредварителыно при 780-810°С наращивают слой толЩИ1НОЙ 0,1 - 1 М:КМ.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1492735A SU408509A1 (ru) | 1970-11-09 | 1970-11-09 | о П и с ХТГи Е ИЗОБРЕТЕНИЯ(Ц)408509 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1492735A SU408509A1 (ru) | 1970-11-09 | 1970-11-09 | о П и с ХТГи Е ИЗОБРЕТЕНИЯ(Ц)408509 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU408509A1 true SU408509A1 (ru) | 1974-04-15 |
Family
ID=20459959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1492735A SU408509A1 (ru) | 1970-11-09 | 1970-11-09 | о П и с ХТГи Е ИЗОБРЕТЕНИЯ(Ц)408509 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU408509A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4623425A (en) * | 1983-04-28 | 1986-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide |
-
1970
- 1970-11-09 SU SU1492735A patent/SU408509A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4623425A (en) * | 1983-04-28 | 1986-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58130517A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| DE2555155C2 (ru) | ||
| Rai‐Choudhury et al. | Selective silicon epitaxy and orientation dependence of growth | |
| KR950009904A (ko) | 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막의 제조 방법 | |
| US4012235A (en) | Solid phase epitaxial growth | |
| SU408509A1 (ru) | о П и с ХТГи Е ИЗОБРЕТЕНИЯ(Ц)408509 | |
| US4972251A (en) | Multilayer glass passivation structure and method for forming the same | |
| US4235662A (en) | Layer of crystalline silicon having (111) orientation on (111) surface of lithium aluminum | |
| Heya et al. | Control of polycrystalline silicon structure by the two-step deposition method | |
| Solomon | On the establishment of an inversion layer in p‐and n‐type silicon substrates under conditions of high oxide fields | |
| JPS5512735A (en) | Semiconductor device | |
| Vasilevskaja et al. | The effect of growth conditions on the structural and electrical properties of the Si Ge heteroepitaxial system | |
| JP3060486B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の形成方法 | |
| JP2752164B2 (ja) | 多結晶シリコン膜の製造方法 | |
| JPH03169010A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59225516A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS5810854B2 (ja) | 半導体集積回路用基板の製法 | |
| JPH0443413B2 (ru) | ||
| JPS59195881A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02130917A (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
| JPH01300528A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS62177915A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970018219A (ko) | 강유전체 박막의 제조 방법 | |
| JPS59107541A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61107724A (ja) | 半導体装置の製造方法 |