JPS62177915A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62177915A JPS62177915A JP1940586A JP1940586A JPS62177915A JP S62177915 A JPS62177915 A JP S62177915A JP 1940586 A JP1940586 A JP 1940586A JP 1940586 A JP1940586 A JP 1940586A JP S62177915 A JPS62177915 A JP S62177915A
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- JP
- Japan
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- epitaxial growth
- gas
- pattern
- source gas
- silicon wafer
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 15
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- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンのエピタキシャル成長方法に関する
ものであり、特に、埋込み層を有し、エピタキシャル層
の膜厚が２０μ以上の厚いもののエピタキシャル成長方
法に関するものである。
ものであり、特に、埋込み層を有し、エピタキシャル層
の膜厚が２０μ以上の厚いもののエピタキシャル成長方
法に関するものである。
従来、この種のシリコンエピタキシャル成長方法は、１
０００ｔ：’−１２００Ｃの所定温度に保たれた反応管
内に、キャリヤガスである水素ガスとともに５ｉＣＪ４
又は８ｉＨ４等をソースガスとして流し、キャリヤガス
との環元反応でシリコンを成長させていた。− 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のエピタキシャル成長方法において、拡散
・醸化等により埋込みパターンが形成されたシリコンウ
ェハースを、５ｉＣＡ４ガスをソースガスとし′〔エピ
タキシャル成長した場合、下地の埋込みパターンに対し
てエピタキシャル成長後のパターンが横方向にシフトし
た形でエビ成長後のパターンが形成されるのが通常であ
る。この時のパターンシフトは、エピタキシャル層の厚
さとはぼ同程度の長さのシフトを起すため、特にエピタ
キシャル層の厚さが厚い場合には、後工程で行なうエピ
タキシャル層表面に形成されるパターンと、埋込みパタ
ーンとの位置が合わなくなり、素予形成ができないとい
う欠点があった。
０００ｔ：’−１２００Ｃの所定温度に保たれた反応管
内に、キャリヤガスである水素ガスとともに５ｉＣＪ４
又は８ｉＨ４等をソースガスとして流し、キャリヤガス
との環元反応でシリコンを成長させていた。− 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のエピタキシャル成長方法において、拡散
・醸化等により埋込みパターンが形成されたシリコンウ
ェハースを、５ｉＣＡ４ガスをソースガスとし′〔エピ
タキシャル成長した場合、下地の埋込みパターンに対し
てエピタキシャル成長後のパターンが横方向にシフトし
た形でエビ成長後のパターンが形成されるのが通常であ
る。この時のパターンシフトは、エピタキシャル層の厚
さとはぼ同程度の長さのシフトを起すため、特にエピタ
キシャル層の厚さが厚い場合には、後工程で行なうエピ
タキシャル層表面に形成されるパターンと、埋込みパタ
ーンとの位置が合わなくなり、素予形成ができないとい
う欠点があった。
また、上記エピタキシャル成長方法において、８ｉＨ４
をソースガスとして２０μ以上の厚いエピタキシャル成
長を行なうと、パターンシフトは起りにくいか、ウェハ
ース表面が梨地状となり、不良となる欠点があった。
をソースガスとして２０μ以上の厚いエピタキシャル成
長を行なうと、パターンシフトは起りにくいか、ウェハ
ース表面が梨地状となり、不良となる欠点があった。
本発明は、この欠点を解決すべくなされたもので、２０
μ以上の厚いエピタキシャル成長を行なってもパターン
シフトのズレ量が少なく、また、エビ成長後のウェハー
ス表面が梨地状とならないエピタキシャル成長方法な捉
供するものである。
μ以上の厚いエピタキシャル成長を行なってもパターン
シフトのズレ量が少なく、また、エビ成長後のウェハー
ス表面が梨地状とならないエピタキシャル成長方法な捉
供するものである。
本発明によれば、ＳｉＨ４ガスをソースガスとして所望
のエビ厚に対する約半分の膜厚をエピタキシャル成長す
る工程と、５ｉＣ１４ガスをソースガスとして残りの半
分の膜厚をエピタキシャル成長する工程とで構成される
、２段階エピタキシャル成長を行なうことで、パターン
シフトのズレ量を従来の約半分程度に防止することがで
き、また、表面か梨地状となることも防止することがで
きる。
のエビ厚に対する約半分の膜厚をエピタキシャル成長す
る工程と、５ｉＣ１４ガスをソースガスとして残りの半
分の膜厚をエピタキシャル成長する工程とで構成される
、２段階エピタキシャル成長を行なうことで、パターン
シフトのズレ量を従来の約半分程度に防止することがで
き、また、表面か梨地状となることも防止することがで
きる。
次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を説明するためのシリコン
ウェハースの断面を示した工程図であり、ａは、エピタ
キシャル成長前のシリコンウェハースの断面図を示し、
ｂは、第一段階エピタキシャル成長後のシリコンウェハ
ースの断面図を示し、Ｃは、第二段階エピタキシャル成
長後のシリコンウェハースの断面図を示ず。
ウェハースの断面を示した工程図であり、ａは、エピタ
キシャル成長前のシリコンウェハースの断面図を示し、
ｂは、第一段階エピタキシャル成長後のシリコンウェハ
ースの断面図を示し、Ｃは、第二段階エピタキシャル成
長後のシリコンウェハースの断面図を示ず。
ます、第１図ａに示すように、従来から用いられている
方法によって、埋込み拡散Ｎ４が形成されＣいるシリコ
ンウェハース１を準備した。この時の、埋込みパターン
形成面２と、シリコンウェハース表面との段差３は、２
００Ａであった。
方法によって、埋込み拡散Ｎ４が形成されＣいるシリコ
ンウェハース１を準備した。この時の、埋込みパターン
形成面２と、シリコンウェハース表面との段差３は、２
００Ａであった。
次に、第１図すに示すように、前記埋込み済みシリコン
ウェハースに、第１段階のエピタキシャル成長５を行な
った。この時のエピタキシャル成長時のソースガスとし
て、ＳｉＨ４ガスを用い、０．３μ／ ｍ ｉ”ｎ の
成長速度で２０μのエビタギシャル層を成長した。
ウェハースに、第１段階のエピタキシャル成長５を行な
った。この時のエピタキシャル成長時のソースガスとし
て、ＳｉＨ４ガスを用い、０．３μ／ ｍ ｉ”ｎ の
成長速度で２０μのエビタギシャル層を成長した。
次に第１段階のエピタキシャル成長済みウエノ・−スの
表面を顕微鏡にてチェックした結果、梨地状の不良が発
生し゛〔いないことが確認された。また、埋込みパター
ン面２の段差３と、第１段階エピタキシャル成長済のパ
ーターン面６の段差７とのパターンシフトを測定した結
果、）くターンシフトは認められなかった。
表面を顕微鏡にてチェックした結果、梨地状の不良が発
生し゛〔いないことが確認された。また、埋込みパター
ン面２の段差３と、第１段階エピタキシャル成長済のパ
ーターン面６の段差７とのパターンシフトを測定した結
果、）くターンシフトは認められなかった。
次に、第１図Ｃに示すように、前記第一段階エピタキシ
ャル成長済みウニ／・−スに、第２段階のエピタキシャ
ル成長を行なった。この時のエピタキシャル成長時のソ
ースガスとして、５ｉＣＪ４ガスを用い、０．５μ／ｍ
ｉ ｎの成長速腿で２０μのエピタキシャル成長８を
行ない、トータル４０μの厚いエピタキシャル成長を行
なった。
ャル成長済みウニ／・−スに、第２段階のエピタキシャ
ル成長を行なった。この時のエピタキシャル成長時のソ
ースガスとして、５ｉＣＪ４ガスを用い、０．５μ／ｍ
ｉ ｎの成長速腿で２０μのエピタキシャル成長８を
行ない、トータル４０μの厚いエピタキシャル成長を行
なった。
次に、第２段階のエピタキシャル成長済みウェハースの
表面を顕微鏡に′〔チェックした結果、梨地状の不良が
発生していないことが確認された。
表面を顕微鏡に′〔チェックした結果、梨地状の不良が
発生していないことが確認された。
また、埋込みパターン面２０段差３と、第２段階エピタ
キシャル成長済みのパターン面９の段差１０のパターン
シフ）１１を測定した結果、２０μのズレ量であり、従
来の約半分のズレ量であることが確認された。
キシャル成長済みのパターン面９の段差１０のパターン
シフ）１１を測定した結果、２０μのズレ量であり、従
来の約半分のズレ量であることが確認された。
以上説明したように本発明は、８ｉＨ４ガスをソースガ
スとして所望のエビ厚に対する約半分のエビ膜厚をエピ
タキシャル成長する工程と、５ｉＣ−４１ｉ４ガスをソ
ースガスとして残りの半分の膜厚をエピタキシャル成長
する工程とで構成される２段階エピタキシャル成長を行
なうことにより、２０μ以上の厚いエピタキシャル成長
を行なっても、パターンシフトのＸし量を従来の約半分
に防止することができ、また、表面が梨地状となること
を防止できる効果がある。
スとして所望のエビ厚に対する約半分のエビ膜厚をエピ
タキシャル成長する工程と、５ｉＣ−４１ｉ４ガスをソ
ースガスとして残りの半分の膜厚をエピタキシャル成長
する工程とで構成される２段階エピタキシャル成長を行
なうことにより、２０μ以上の厚いエピタキシャル成長
を行なっても、パターンシフトのＸし量を従来の約半分
に防止することができ、また、表面が梨地状となること
を防止できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例である２段階エピタキシャ
ル成長方法を説明するための工程図であ’）、（ａｌは
、エピタキシャル成長前のシリコンウェハースの断面図
、（ｂ丹ま、第１段階のエビタキシャル成長後のシリコ
ンウェハースの断面図、（Ｃ）は、第２段階のエピタキ
シャル成長後のシリコンウェハースの断面図である。 ■・・・・・・シリコンウェハース、２・・・・・・埋
込ミパターン面、３・・・・・・埋込み段差、４・・・
・・・埋込み拡散層、５・・・・・・第１エビタキシヤ
ル成畏層、６・・・・・・第１エビパターン面、７・・
・・・・第１エビ段差、８・・・・・・第２エピタキシ
ャル成長層、９・・・・・・第２エビパターン面、１０
・・・・・・第２エビ段差、ｌｌ・・・・・・パターン
シフト量。 第 １ 図 ｔｌｌ、）
ル成長方法を説明するための工程図であ’）、（ａｌは
、エピタキシャル成長前のシリコンウェハースの断面図
、（ｂ丹ま、第１段階のエビタキシャル成長後のシリコ
ンウェハースの断面図、（Ｃ）は、第２段階のエピタキ
シャル成長後のシリコンウェハースの断面図である。 ■・・・・・・シリコンウェハース、２・・・・・・埋
込ミパターン面、３・・・・・・埋込み段差、４・・・
・・・埋込み拡散層、５・・・・・・第１エビタキシヤ
ル成畏層、６・・・・・・第１エビパターン面、７・・
・・・・第１エビ段差、８・・・・・・第２エピタキシ
ャル成長層、９・・・・・・第２エビパターン面、１０
・・・・・・第２エビ段差、ｌｌ・・・・・・パターン
シフト量。 第 １ 図 ｔｌｌ、）
Claims (1)
- ＳｉＨ＿４ガスをソースガスとして所望のエピタキシ
ャル層の膜厚に対する約半分の膜厚をエピタキシャル成
長をする工程と、ＳｉＣｌ＿４ガスをソースガスとして
残りの約半分の膜厚をエピタキシャル成長する工程とで
構成される、２段階エピタキシャル成長を行なうことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1940586A JPS62177915A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1940586A JPS62177915A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177915A true JPS62177915A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=11998349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1940586A Pending JPS62177915A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177915A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4878873A (ja) * | 1972-01-20 | 1973-10-23 | ||
| JPS5841799A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | 結晶成長法 |
| JPS61264720A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多結晶シリコンの製造方法 |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP1940586A patent/JPS62177915A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4878873A (ja) * | 1972-01-20 | 1973-10-23 | ||
| JPS5841799A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | 結晶成長法 |
| JPS61264720A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多結晶シリコンの製造方法 |
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