KR970018219A - 강유전체 박막의 제조 방법 - Google Patents

강유전체 박막의 제조 방법 Download PDF

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KR970018219A
KR970018219A KR1019950032205A KR19950032205A KR970018219A KR 970018219 A KR970018219 A KR 970018219A KR 1019950032205 A KR1019950032205 A KR 1019950032205A KR 19950032205 A KR19950032205 A KR 19950032205A KR 970018219 A KR970018219 A KR 970018219A
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KR
South Korea
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thin film
ferroelectric thin
amorphous
temperature
forming
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Application number
KR1019950032205A
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Inventor
김대식
비. 데수 세슈
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 강유전체 박막의 결정 성장면을 일방향으로 배양시키는 강유전체 박막의 제조 방법에 관한 것으로, 320∼490℃의 저온에서 실리콘 기판 상에 직접 액상 주입-유기 금속 화학 기상 증착법으로 비정질의 강유전체 박막을 형성한 다음, 600℃ 이상의 고온으로 열처리를 하여 일방향을 결정을 성정시키는 방법으로, 거의 완벽에 가까운 일방향성의 결정 구조를 얻을 수 있으며, 박막의 표면이 극도로 매끄러우며, 계면 결함과 결정 입자 간의 결함을 최소할 수 있는 장점이 있다.

Description

강유전체 박막의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 방법에 의해 형성된 Pb(ZrxTi1-x)O3박막 적층의 수직단면도, 제4도는 본 발명의 방법을 구현하기 위한 MOCVD 장치의 개략적 구성도.

Claims (9)

  1. 기판 상에 소정의 제1온도에서 비정질의 강유전체 박막을 형성하는 단계; 및 상기 비정질의 강유전체 박막을 상기 제1온도 보다 높은 소정의 제2온도에서의 열처리를 통하여 일방향으로 성장된 강유전체 박막으로 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1온도는 320℃ 내지 490℃ 사이의 온도인 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2온도는 600℃ 이상인 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비정질의 강유전체 박막을 형성하는 단계에서 상기 비정질의 박막은 직접 액상 주입-유기 금속 화학 기상 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 비정질의 강유전체 박막을 형성하는 단계에서 상기 비정질의 박막은 직접 액상 주입-유기 금속 화학 기상 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 강유전체 박막은 Pb(ZrxTi1-x)O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 강유전체 박막 재료인 Pb(ZrxTi1-x)O3의 조성비가 Pb : (ZrxTil-x) =1∼1.3 : 1인 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 강유전체 박막은 Pb(ZrxTi1-x)O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 강유전체 박막 재료인 Pb(ZrxTi1-x)O3의 조성비가 Pb : (ZrxTi1-x)=1∼1.3 : 1인 것을 특징으로 하는 강유전체 박막의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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