JPS63115325A - シリコン薄膜およびその製造方法 - Google Patents
シリコン薄膜およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS63115325A JPS63115325A JP26125486A JP26125486A JPS63115325A JP S63115325 A JPS63115325 A JP S63115325A JP 26125486 A JP26125486 A JP 26125486A JP 26125486 A JP26125486 A JP 26125486A JP S63115325 A JPS63115325 A JP S63115325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- silicon thin
- layers
- substrate
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 60
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は絶縁基板上にシリコン薄膜を形成し、これを用
いて半導体の能動素子例えば薄膜トランジスタ（ＴＰＴ
）を作成する方法および高性能な能動素子が作成できる
シリコン薄膜の構造に関するものである。
いて半導体の能動素子例えば薄膜トランジスタ（ＴＰＴ
）を作成する方法および高性能な能動素子が作成できる
シリコン薄膜の構造に関するものである。
３ベー／
従来の技術
絶縁基板例えば石英ガラス上に低圧気相成長法でシリコ
ン薄膜を堆積するときは、０゜５ Ｔｏｒｒ程度一定で
６００〜６５０°Ｃの基板温度を固定し、結晶性シリコ
ン薄膜を形成していた。条件は堆積中には故意に変化さ
せてい々かった。
ン薄膜を堆積するときは、０゜５ Ｔｏｒｒ程度一定で
６００〜６５０°Ｃの基板温度を固定し、結晶性シリコ
ン薄膜を形成していた。条件は堆積中には故意に変化さ
せてい々かった。
発明が解決しようとする問題点
このよう左方法であると石英ガラスとシリコン薄膜との
熱膨張係数が異なるため、その界面でストレスがかかり
、シリコン薄膜中に引っばり応力が加わっていた。この
ような状態のままで例えば、ＴＰＴを作成すると、リー
ク電流が増加し、０Ｎ１０ＦＦ比が小さくなっていた。
熱膨張係数が異なるため、その界面でストレスがかかり
、シリコン薄膜中に引っばり応力が加わっていた。この
ような状態のままで例えば、ＴＰＴを作成すると、リー
ク電流が増加し、０Ｎ１０ＦＦ比が小さくなっていた。
問題点を解決するだめの手段
本発明は基板上に非晶質シリコン薄膜と結晶性シリコン
薄膜を交互に堆積する。非晶質にしたり結晶質にしたり
する方法として、堆積中の基板温度を変化させたり、希
釈ガスを用いたり、真空度を変化させることによって本
発明を実現した。
薄膜を交互に堆積する。非晶質にしたり結晶質にしたり
する方法として、堆積中の基板温度を変化させたり、希
釈ガスを用いたり、真空度を変化させることによって本
発明を実現した。
作用
非晶質シリコン薄膜と結晶性シリコン薄膜を交互に堆積
することにより序々に基板とシリコン薄膜との界面に存
在するストレスが緩和された。
することにより序々に基板とシリコン薄膜との界面に存
在するストレスが緩和された。
実施例
以下に本発明の１つの実施例について図面に基づいて説
明する。第１図は本発明の一実施例による石英ガラス基
板１上のシリコン薄膜２である。
明する。第１図は本発明の一実施例による石英ガラス基
板１上のシリコン薄膜２である。
本実施例のシリコン薄膜２は図に示すように４層構造に
なっており、３と５は非晶質シリコンで、４と６は結晶
質シリコンで々っている。これらのシリコン薄膜は、Ｌ
ＰＣＶＤ法によって作成された。第２図に作成装置の概
略を示す。電気炉１０の中に石英管１１があり、原料ガ
ス導入口を兼ねたザンプル出入れ用のフランジ１２と１
、原料ガスを排気するフランジ１３が両端についている
。原料ガスはＳｉＨ、Ｓｉ Ｈ、５ｉＨＣβ３．５ｉＨ
２Ｃ：Ａ２゜ＳｉＨ５Ｃβ、 ＳｉＣβ４． ＳｉＦ４
等のガスまたはこれらの混合ガスを用いた。原料ガスは
ボンベ１４の中に入っており、流量計１５で制御されて
いる。電気炉１ｏはコンピュータが内蔵されており、あ
る５べ−７ 一定の時間が経過すると、電気炉の温度や、石英管内の
真空度および流量計のガス流量さらには希釈ガス用の流
量計１６のガス流量を変化できるように外っている。こ
の装置によって、電気炉の温度を６５０℃にした場合に
は非晶質のシリコン薄膜が、６３０°Ｃにした場合には
結晶質のシリコン薄膜が得られた。電気炉の温度を６１
０°Ｃにしておき、真空度を、０．２ Ｔｏｒｒにする
と結晶質のシリコン薄膜が、２ ’ｒｏｒｒにすると非
晶質のシリコン薄膜が得られた。真空度の変化は排気系
のバルブのコンダクタンスを変えても、原料ガスの流量
を変えても、希釈ガス流量を変えても実現できた。
なっており、３と５は非晶質シリコンで、４と６は結晶
質シリコンで々っている。これらのシリコン薄膜は、Ｌ
ＰＣＶＤ法によって作成された。第２図に作成装置の概
略を示す。電気炉１０の中に石英管１１があり、原料ガ
ス導入口を兼ねたザンプル出入れ用のフランジ１２と１
、原料ガスを排気するフランジ１３が両端についている
。原料ガスはＳｉＨ、Ｓｉ Ｈ、５ｉＨＣβ３．５ｉＨ
２Ｃ：Ａ２゜ＳｉＨ５Ｃβ、 ＳｉＣβ４． ＳｉＦ４
等のガスまたはこれらの混合ガスを用いた。原料ガスは
ボンベ１４の中に入っており、流量計１５で制御されて
いる。電気炉１ｏはコンピュータが内蔵されており、あ
る５べ−７ 一定の時間が経過すると、電気炉の温度や、石英管内の
真空度および流量計のガス流量さらには希釈ガス用の流
量計１６のガス流量を変化できるように外っている。こ
の装置によって、電気炉の温度を６５０℃にした場合に
は非晶質のシリコン薄膜が、６３０°Ｃにした場合には
結晶質のシリコン薄膜が得られた。電気炉の温度を６１
０°Ｃにしておき、真空度を、０．２ Ｔｏｒｒにする
と結晶質のシリコン薄膜が、２ ’ｒｏｒｒにすると非
晶質のシリコン薄膜が得られた。真空度の変化は排気系
のバルブのコンダクタンスを変えても、原料ガスの流量
を変えても、希釈ガス流量を変えても実現できた。
希釈ガスとしては、Ａｒ 、 Ｈｅ 、 Ｎｅ 、 Ｎ
２． Ｎ２゜等を用いた。希釈ガスの種類や混合比によ
って結晶質、非晶質の境界の温度が変わった。
２． Ｎ２゜等を用いた。希釈ガスの種類や混合比によ
って結晶質、非晶質の境界の温度が変わった。
なお、電気炉内の基板温度を変化させるのは、電気炉の
温度を変えるだけで々く、補助加熱用として光による加
熱や、流量にも依存するが希釈ガスを加熱して電気炉中
へ導入するんどの方法もあり、いずれの場合においても
これらを変化させる６ベー７ ことで、非晶質、結晶質のシリコン薄膜を順に交互に堆
積させることができた。
温度を変えるだけで々く、補助加熱用として光による加
熱や、流量にも依存するが希釈ガスを加熱して電気炉中
へ導入するんどの方法もあり、いずれの場合においても
これらを変化させる６ベー７ ことで、非晶質、結晶質のシリコン薄膜を順に交互に堆
積させることができた。
このようにして得られたシリコン薄膜を用いて薄膜トラ
ンジスタｌ’ＴＰＴ ）を作成した。完成した断面略図
を第３図に示す。石英ガラス基板１上にシリコン薄膜２
を形成した後、ゲート酸化膜２０を形成する。ゲート酸
化膜２０はシリコン薄膜２を９００〜１ｏ○○°Ｃに昇
温した電気炉中で酸化する方法や、酸素を含むプラズマ
中で酸化させる方法や、スパタリング等で８１０２々と
を蒸着する方法がある。ソース、ドレインになる領域２
１゜２２を選択的に酸化膜２０をエツチングして不純物
を拡散させてソース、ドレイン２１．２２を低抵抗化す
る。この後、Ａ１等の金属膜２３を蒸着し、選択エツチ
ングしてＴＰＴは完成する。
ンジスタｌ’ＴＰＴ ）を作成した。完成した断面略図
を第３図に示す。石英ガラス基板１上にシリコン薄膜２
を形成した後、ゲート酸化膜２０を形成する。ゲート酸
化膜２０はシリコン薄膜２を９００〜１ｏ○○°Ｃに昇
温した電気炉中で酸化する方法や、酸素を含むプラズマ
中で酸化させる方法や、スパタリング等で８１０２々と
を蒸着する方法がある。ソース、ドレインになる領域２
１゜２２を選択的に酸化膜２０をエツチングして不純物
を拡散させてソース、ドレイン２１．２２を低抵抗化す
る。この後、Ａ１等の金属膜２３を蒸着し、選択エツチ
ングしてＴＰＴは完成する。
このようにして作成されたＴＰＴのＩ−Ｖ特性を示した
のが第４図である。第４図の横軸はソース、ドレイン電
圧で縦軸はドレイン電流である。
のが第４図である。第４図の横軸はソース、ドレイン電
圧で縦軸はドレイン電流である。
ゲートにかける電圧は５ｖとした。３０は石英基板」二
に従来の単層のシリコン薄膜を形成してＴＰＴ７ペー。
に従来の単層のシリコン薄膜を形成してＴＰＴ７ペー。
を作成した場合であり、３１は本発明による多層シリコ
ンにした場合である。３２は単結晶シリコン表面を酸化
し、その上に本発明による多層シリコンを形成した特性
である。このように多層構造にすることによってリーク
電流を小さくすることができだ。丑だ多結晶層４，６中
のストレスも非晶質層３，５によって序々に緩和される
ためＯＮ電流値も従来特性３０より大きくなった。これ
は表面に近い結晶層６の結晶性が良くなりかつ、これと
ゲート酸化膜２０との界面特性も改善されただめである
。
ンにした場合である。３２は単結晶シリコン表面を酸化
し、その上に本発明による多層シリコンを形成した特性
である。このように多層構造にすることによってリーク
電流を小さくすることができだ。丑だ多結晶層４，６中
のストレスも非晶質層３，５によって序々に緩和される
ためＯＮ電流値も従来特性３０より大きくなった。これ
は表面に近い結晶層６の結晶性が良くなりかつ、これと
ゲート酸化膜２０との界面特性も改善されただめである
。
単結晶シリコン上でも特性が向上することがわかった。
これは、非晶質３．５と結晶質４，６等を重ねるにつれ
、序々に結晶性が良くカリ、結晶配向方向がそろってく
るためと考えられる。
、序々に結晶性が良くカリ、結晶配向方向がそろってく
るためと考えられる。
ＴＰＴについて述べてきたが、例えば光起電力素子を作
成する場合においても本発明は適用できた。接合を形成
する最」二層の結晶性が良ければ接合特性が向上し、光
電変換効率が向上した。この場合、基板上に導電性の物
質例えば”ｉｉ 、 Ｍｏ 、 Ｏｒ。
成する場合においても本発明は適用できた。接合を形成
する最」二層の結晶性が良ければ接合特性が向上し、光
電変換効率が向上した。この場合、基板上に導電性の物
質例えば”ｉｉ 、 Ｍｏ 、 Ｏｒ。
Ｔｉ 、等を選択的に形成しなければ々らないが、非晶
質、結晶質の界面でこれら物質の拡散は押えられ、この
点からも本発明は効果があった。
質、結晶質の界面でこれら物質の拡散は押えられ、この
点からも本発明は効果があった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、非晶質シリコン薄膜を交
互に堆積することにより、序々に基板とシリコン薄膜と
の界面に存在するストレスを緩和することができる。
互に堆積することにより、序々に基板とシリコン薄膜と
の界面に存在するストレスを緩和することができる。
第１図は本発明の１実施例における石英ガラス基板上の
シリコン薄膜の断面図、第２図は本発明のシリコン薄膜
を作成する装置の概略図、第３図は、本発明のシリコン
薄膜を用いて作成したＴＰＴの断面図、第４図はこのＴ
ＦＴのＩ−Ｖ特性を示す図である。 １・・・・・・石英ガラス、２・・・・・・シリコン薄
膜、３゜５・・・・・・非晶質シリコン薄膜層、４，６
・・・・・・結晶質シリコン薄膜層、１０・・・・・・
電気炉、１１・・・・・・石英管、１５．１６・・・・
・・流量言」、２０・・・・・・ゲート酸化膜、２１・
・・・・・ソース、２２・・・・・・ドレイン、２３・
。 ９ ペー／ ・・・金属膜、３０ ・・・・石英基板上の単層シリコ
ン薄膜によるＴＰＴの特性、３１・・・・・石英基板上
の多層シリコン薄膜によるＴＰＴの特性、３２・・・・
・・酸化した単結晶シリコン」二の多層シリコン薄膜に
よるＴＰＴの特性。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−−ス５さａ月゛ラス蚤板 ２−一一シリコン弯痕 ３−一一つト晶負 牛−一一粘品負 ５−−一非偽冥 １−一一石央力゛ラス基版 ２−−−シ１）］ン蕩目象 ２０−−−ゲニト鶏気１ヒ１（ ２１−−−ソース ２２−−− トレイン ５３図 ２３−会鼻衷 ソース・トレ１ン彎ジ荻（Ｖ）
シリコン薄膜の断面図、第２図は本発明のシリコン薄膜
を作成する装置の概略図、第３図は、本発明のシリコン
薄膜を用いて作成したＴＰＴの断面図、第４図はこのＴ
ＦＴのＩ−Ｖ特性を示す図である。 １・・・・・・石英ガラス、２・・・・・・シリコン薄
膜、３゜５・・・・・・非晶質シリコン薄膜層、４，６
・・・・・・結晶質シリコン薄膜層、１０・・・・・・
電気炉、１１・・・・・・石英管、１５．１６・・・・
・・流量言」、２０・・・・・・ゲート酸化膜、２１・
・・・・・ソース、２２・・・・・・ドレイン、２３・
。 ９ ペー／ ・・・金属膜、３０ ・・・・石英基板上の単層シリコ
ン薄膜によるＴＰＴの特性、３１・・・・・石英基板上
の多層シリコン薄膜によるＴＰＴの特性、３２・・・・
・・酸化した単結晶シリコン」二の多層シリコン薄膜に
よるＴＰＴの特性。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−−ス５さａ月゛ラス蚤板 ２−一一シリコン弯痕 ３−一一つト晶負 牛−一一粘品負 ５−−一非偽冥 １−一一石央力゛ラス基版 ２−−−シ１）］ン蕩目象 ２０−−−ゲニト鶏気１ヒ１（ ２１−−−ソース ２２−−− トレイン ５３図 ２３−会鼻衷 ソース・トレ１ン彎ジ荻（Ｖ）
Claims (4)
- （１）基板上に低圧気相成長法で作成された多結晶シリ
コン層および非晶質シリコン層を交互にくり返したシリ
コン薄膜を活性層とし、上記多結晶シリコン層または非
晶質シリコン層の少なくとも１つを二層使用することを
特徴とするシリコン薄膜。 - （２）基板上に低圧気相成長法でシリコン薄膜を形成さ
せる際、基板温度を高温にして結晶性シリコン薄膜を、
基板温度を低温にして非晶質シリコン薄膜をそれぞれ順
に少なくとも前記２種類の薄膜のうち１種類を２層以上
くり返して形成させることを特徴とするシリコン薄膜の
製造方法。 - （３）基板上に低圧気相成長法でシリコン薄膜を形成さ
せる際、原料ガスである気体状シリコン化合物を希釈せ
ずに用いて結晶性シリコン薄膜を、シリコン薄膜を形成
中に何ら化合物を作らないガスで前記気体状シリコン化
合物を希釈して用いて非晶質シリコン薄膜をそれぞれ順
に少なくとも前記２種類の薄膜のうち１種類を２層以上
くり返して形成させることを特徴とするシリコン薄膜の
製造方法。 - （４）基板上に低圧気相成長法でシリコン薄膜を形成さ
せる際、シリコン薄膜形成中の圧力を小さくして結晶性
シリコン薄膜を、圧力を大きくして非晶質シリコン薄膜
をそれぞれ順に少なくとも前記２種類の薄膜のうち１種
類を２層以上くり返して形成させることを特徴とするシ
リコン薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26125486A JPS63115325A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | シリコン薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26125486A JPS63115325A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | シリコン薄膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115325A true JPS63115325A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17359272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26125486A Pending JPS63115325A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | シリコン薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63115325A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5238879A (en) * | 1988-03-24 | 1993-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the production of polycrystalline layers having granular crystalline structure for thin-film semiconductor components such as solar cells |
| CN112951709A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-11 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP26125486A patent/JPS63115325A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5238879A (en) * | 1988-03-24 | 1993-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the production of polycrystalline layers having granular crystalline structure for thin-film semiconductor components such as solar cells |
| CN112951709A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-11 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法 |
| CN112951709B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-05-27 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2938361B2 (ja) | 薄膜トランジスタのための多段階ｃｖｄ法 | |
| KR930006821A (ko) | 감소된 저항률을 갖는 개량된 다결정 실리콘막을 포함하는 반도체 디바이스 제조방법 | |
| US6326226B1 (en) | Method of crystallizing an amorphous film | |
| JPS63233564A (ja) | 接合型トランジスタの製造法 | |
| JPH08213327A (ja) | 半導体薄膜形成方法 | |
| KR950009904A (ko) | 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막의 제조 방법 | |
| JPS63115325A (ja) | シリコン薄膜およびその製造方法 | |
| JPS59138332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05160152A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0351094B2 (ja) | ||
| JPH04318973A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0319340A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0393273A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH04318921A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH1116838A (ja) | 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置 | |
| JPS62124736A (ja) | シリコン薄膜およびその作成方法 | |
| JPH0653503A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH02203564A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JPS60158672A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11274080A (ja) | 多結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JP3112796B2 (ja) | 化学気相成長方法 | |
| JPH0653504A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH04236465A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH0547678A (ja) | シリコン膜製造方法及びシリコン膜製造装置 | |
| JPH03241873A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 |