JP4024881B2 - 超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法 - Google Patents
超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4024881B2 JP4024881B2 JP27573495A JP27573495A JP4024881B2 JP 4024881 B2 JP4024881 B2 JP 4024881B2 JP 27573495 A JP27573495 A JP 27573495A JP 27573495 A JP27573495 A JP 27573495A JP 4024881 B2 JP4024881 B2 JP 4024881B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- depositing
- lattice constant
- lanthanum oxide
- srtio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 2
- 229910001586 aluminite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶質基板上に超伝導材料の薄層をデポジットする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超伝導材料、特に「高臨界温度」超伝導材料の薄膜の使用は、特にマイクロ波分野、電子機器等で大きく発展することが予想される。
【０００３】
大部分の用途では、電波が妨害されずに伝搬できるように、単結晶層を得ることが殆ど不可欠である。
【０００４】
ある材料の単結晶層を基板上に作成するために半導体分野で知られている方法の一つとして、エピタキシャル法がある。この方法を実施するためには、デポジットした材料の結晶格子定数が、基板のそれと同じか又は極めて類似していることが必要である。
【０００５】
前記方法は、ＹＢａＣｕＯのような高温超伝導材料の場合には直接適用できない。なぜなら、この種の材料は結晶格子定数が通常使用される基板のそれと異なるからである。
【０００６】
基板上に薄層をデポジットする方法としては、ヘテロ−エピタキシャル法と称する方法も知られている。この方法は、基板とデポジットすべき材料との間に、基板の格子定数とデポジットすべき材料の格子定数との中間の格子定数を有する材料の層を挿入することからなる。
【０００７】
前記方法では、中間層を存在させなかった場合に得られるであろう層より平坦な層が得られるが、この層の平坦さもまだ所期の用途にとっては不十分である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、完全に平坦な（ｅｖｅｎ）単結晶層を基板上にデポジットする方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法であって、ドーピング物質の比率の関数である結晶格子定数を有するという特性をもつ中間材料を基板上にデポジットする操作を実施し、このデポジション操作を、前記中間材料の格子定数が基板の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するようなドーピング物質濃度で開始し、デポジション操作の間にドーピング物質の比率を、中間材料の格子定数が超伝導材料の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するような比率まで継続的に変化させる方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
中間材料をデポジットする操作は、有利には、パルスレーザーを用いるアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）法により実施する。
【００１１】
本発明の実施例の一つでは、超伝導体がＹＢａＣｕＯ（正確な式はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7・5）であり、基板材料がＳｒＴｉＯ3であり、中間物質がアルバナイトＣｅＯ2であり、ドーピング物質が酸化ランタンである。
【００１２】
本発明は、基板上に超伝導材料の薄層をデポジットする方法も提供する。この方法は、前述の方法で基板を製造する操作と、製造した基板上にヘテロ−エピタキシャルデポジションのような方法で超伝導材料をデポジットする操作とを含む。
【００１３】
【実施例】
以下に本発明の方法の実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。
【００１４】
本発明を説明するために選択した実施例は、ＳｒＴｉＯ3からなる基板上へのＹＢａＣｕＯ膜のデポジションである。
【００１５】
ＳｒＴｉＯ3の格子定数は０．５５２ｎｍ（ナノメートル）に等しく、ＹＢａＣｕＯの格子定数は０．５４９６ｎｍに等しい。格子定数にこのような差があると、エピタキシャル成長は生起しない。エピタキシャル成長は同等の格子定数を要件とするからである。
【００１６】
本発明では、酸化ランタンをドーピングしたアルバナイトＣｅＰ2を中間材料として使用する。この化合物の特徴は、添付図面に示すように、酸化ランタンの比率が０％から１００％まで変化するに伴い、格子定数が０．５４１ｎｍから０．５６５ｎｍまで変化することにある。
【００１７】
本発明の方法は、以下に要約するパルスレーザ−使用デポジション法（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ−ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＬＤ））によって実施するのが好ましい。
【００１８】
アルバナイト標的と、ＳｒＴｉＯ3基板に近い酸化ランタン標的とをパルスレーザーで交互に照射する。レーザーパルスは例えば、１Ｈｚ〜１００Ｈｚの範囲の周波数で約３０ナノ秒間持続させる。アルバナイト及びドーパントのそれぞれの照射時間は、アルバナイト中のドーパントの比率が漸次変化して、基板上にデポジットした材料の格子定数が０．５５２１ｎｍから０．５４９６ｎｍに減少するように、漸次変化させる。
【００１９】
デポジション速度を比較的遅くし、レーザーの操作周波数を高くすると、中間材料の組成が処理中に極めて均等に変化するため、基板上にデポジットした材料の格子定数が極めて均等に変化する。
【００２０】
基板を前述のように処理したら、ヘテロ−エピタキシーにより超伝導材料を基板上にデポジットすれば、極めて高い品質の単結晶層を得ることができる。
【００２１】
本発明は前述の実施例には限定されず、デポジットすべき物質の格子定数に適合するようにドーパントの比率に伴って変化する格子定数を有する中間材料の使用が可能な総ての場合に適用される。
【００２２】
本発明は特に、基板が灰チタン石、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）等である場合に適用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】アルバナイトＣｅＯ2の結晶格子定数ｄを酸化ランタンＬａ2Ｏ3の比率ｐの関数として示すグラフである。
【符号の説明】
ｄ アルバナイトの結晶格子定数
ｐ 酸化ランタンの比率
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶質基板上に超伝導材料の薄層をデポジットする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超伝導材料、特に「高臨界温度」超伝導材料の薄膜の使用は、特にマイクロ波分野、電子機器等で大きく発展することが予想される。
【０００３】
大部分の用途では、電波が妨害されずに伝搬できるように、単結晶層を得ることが殆ど不可欠である。
【０００４】
ある材料の単結晶層を基板上に作成するために半導体分野で知られている方法の一つとして、エピタキシャル法がある。この方法を実施するためには、デポジットした材料の結晶格子定数が、基板のそれと同じか又は極めて類似していることが必要である。
【０００５】
前記方法は、ＹＢａＣｕＯのような高温超伝導材料の場合には直接適用できない。なぜなら、この種の材料は結晶格子定数が通常使用される基板のそれと異なるからである。
【０００６】
基板上に薄層をデポジットする方法としては、ヘテロ−エピタキシャル法と称する方法も知られている。この方法は、基板とデポジットすべき材料との間に、基板の格子定数とデポジットすべき材料の格子定数との中間の格子定数を有する材料の層を挿入することからなる。
【０００７】
前記方法では、中間層を存在させなかった場合に得られるであろう層より平坦な層が得られるが、この層の平坦さもまだ所期の用途にとっては不十分である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、完全に平坦な（ｅｖｅｎ）単結晶層を基板上にデポジットする方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法であって、ドーピング物質の比率の関数である結晶格子定数を有するという特性をもつ中間材料を基板上にデポジットする操作を実施し、このデポジション操作を、前記中間材料の格子定数が基板の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するようなドーピング物質濃度で開始し、デポジション操作の間にドーピング物質の比率を、中間材料の格子定数が超伝導材料の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するような比率まで継続的に変化させる方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
中間材料をデポジットする操作は、有利には、パルスレーザーを用いるアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）法により実施する。
【００１１】
本発明の実施例の一つでは、超伝導体がＹＢａＣｕＯ（正確な式はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7・5）であり、基板材料がＳｒＴｉＯ3であり、中間物質がアルバナイトＣｅＯ2であり、ドーピング物質が酸化ランタンである。
【００１２】
本発明は、基板上に超伝導材料の薄層をデポジットする方法も提供する。この方法は、前述の方法で基板を製造する操作と、製造した基板上にヘテロ−エピタキシャルデポジションのような方法で超伝導材料をデポジットする操作とを含む。
【００１３】
【実施例】
以下に本発明の方法の実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。
【００１４】
本発明を説明するために選択した実施例は、ＳｒＴｉＯ3からなる基板上へのＹＢａＣｕＯ膜のデポジションである。
【００１５】
ＳｒＴｉＯ3の格子定数は０．５５２ｎｍ（ナノメートル）に等しく、ＹＢａＣｕＯの格子定数は０．５４９６ｎｍに等しい。格子定数にこのような差があると、エピタキシャル成長は生起しない。エピタキシャル成長は同等の格子定数を要件とするからである。
【００１６】
本発明では、酸化ランタンをドーピングしたアルバナイトＣｅＰ2を中間材料として使用する。この化合物の特徴は、添付図面に示すように、酸化ランタンの比率が０％から１００％まで変化するに伴い、格子定数が０．５４１ｎｍから０．５６５ｎｍまで変化することにある。
【００１７】
本発明の方法は、以下に要約するパルスレーザ−使用デポジション法（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ−ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＬＤ））によって実施するのが好ましい。
【００１８】
アルバナイト標的と、ＳｒＴｉＯ3基板に近い酸化ランタン標的とをパルスレーザーで交互に照射する。レーザーパルスは例えば、１Ｈｚ〜１００Ｈｚの範囲の周波数で約３０ナノ秒間持続させる。アルバナイト及びドーパントのそれぞれの照射時間は、アルバナイト中のドーパントの比率が漸次変化して、基板上にデポジットした材料の格子定数が０．５５２１ｎｍから０．５４９６ｎｍに減少するように、漸次変化させる。
【００１９】
デポジション速度を比較的遅くし、レーザーの操作周波数を高くすると、中間材料の組成が処理中に極めて均等に変化するため、基板上にデポジットした材料の格子定数が極めて均等に変化する。
【００２０】
基板を前述のように処理したら、ヘテロ−エピタキシーにより超伝導材料を基板上にデポジットすれば、極めて高い品質の単結晶層を得ることができる。
【００２１】
本発明は前述の実施例には限定されず、デポジットすべき物質の格子定数に適合するようにドーパントの比率に伴って変化する格子定数を有する中間材料の使用が可能な総ての場合に適用される。
【００２２】
本発明は特に、基板が灰チタン石、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）等である場合に適用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】アルバナイトＣｅＯ2の結晶格子定数ｄを酸化ランタンＬａ2Ｏ3の比率ｐの関数として示すグラフである。
【符号の説明】
ｄ アルバナイトの結晶格子定数
ｐ 酸化ランタンの比率
Claims (3)
- 超伝導材料ＹＢａＣｕＯの薄層をデポジットするために、その表面に中間材料を有するＳｒＴｉＯ３からなる基板の製造方法であって、酸化ランタンの比率に相関する結晶格子定数を有するという特性をもつ、酸化ランタンがドープされたアルバナイトＣｅＯ２からなる中間材料を基板上にデポジットする操作を実施し、該デポジション操作開始時の酸化ランタン濃度を、酸化ランタンがドープされたアルバナイトの格子定数がＳｒＴｉＯ３からなる基板の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するような濃度とし、デポジション操作の間に酸化ランタンがドープされたアルバナイトの格子定数が超伝導材料ＹＢａＣｕＯの格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するまで酸化ランタンの比率を継続的に変化させる、前記製造方法。
- 酸化ランタンがドープされたアルバナイトＣｅＯ２をデポジットする操作を、パルスレーザーを用いるアブレーション法により実施する請求項１に記載の方法。
- その表面に中間材料を有するＳｒＴｉＯ３からなる基板上に超伝導材料ＹＢａＣｕＯの薄層をデポジットする方法であって、請求項１又は２に記載の方法でＳｒＴｉＯ３基板を製造する操作と、製造したＳｒＴｉＯ３基板上にヘテローエピタキシャルデポジション法で超伝導材料ＹＢａＣｕＯの薄層をデポジットする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9412882 | 1994-10-27 | ||
| FR9412882A FR2726399B1 (fr) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | Procede pour la preparation d'un substrat en vue du depot d'une couche mince de materiau supraconducteur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231219A JPH08231219A (ja) | 1996-09-10 |
| JP4024881B2 true JP4024881B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=9468283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27573495A Expired - Fee Related JP4024881B2 (ja) | 1994-10-27 | 1995-10-24 | 超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5595960A (ja) |
| EP (1) | EP0709903B1 (ja) |
| JP (1) | JP4024881B2 (ja) |
| CA (1) | CA2161487C (ja) |
| DE (1) | DE69503211T2 (ja) |
| ES (1) | ES2119335T3 (ja) |
| FR (1) | FR2726399B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1195819A1 (en) * | 2000-10-09 | 2002-04-10 | Nexans | Buffer layer structure based on doped ceria for providing optimized lattice match with a YBCO layer in a conductor and process of manufacturing said structure |
| US20040157747A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-12 | The University Of Houston System | Biaxially textured single buffer layer for superconductive articles |
| WO2004100182A1 (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-18 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | 希土類系酸化物超電導体及びその製造方法 |
| US7258928B2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-08-21 | Ut-Battelle, Llc | Doped Y2O3 buffer layers for laminated conductors |
| US7683010B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-03-23 | Ut-Battelle, Llc | Doped LZO buffer layers for laminated conductors |
| DE102008016257B4 (de) * | 2008-03-29 | 2010-01-28 | Zenergy Power Gmbh | Hochtemperatursupraleiter-Schichtanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1336567C (en) * | 1988-02-03 | 1995-08-08 | Franz Joseph Himpsel | Epitaxy of high t_ superconductors on silicon |
| US4940693A (en) * | 1988-07-28 | 1990-07-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High temperature superconducting thin film structure and method of making |
| JPH04214097A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜の作製方法 |
| US5262394A (en) * | 1991-12-27 | 1993-11-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Superconductive articles including cerium oxide layer |
-
1994
- 1994-10-27 FR FR9412882A patent/FR2726399B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-10-13 US US08/542,881 patent/US5595960A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-24 ES ES95402366T patent/ES2119335T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-24 JP JP27573495A patent/JP4024881B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-24 EP EP95402366A patent/EP0709903B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-24 DE DE69503211T patent/DE69503211T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-26 CA CA002161487A patent/CA2161487C/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2119335T3 (es) | 1998-10-01 |
| FR2726399B1 (fr) | 1997-01-10 |
| DE69503211T2 (de) | 1999-01-14 |
| DE69503211D1 (de) | 1998-08-06 |
| CA2161487A1 (fr) | 1996-04-28 |
| US5595960A (en) | 1997-01-21 |
| JPH08231219A (ja) | 1996-09-10 |
| FR2726399A1 (fr) | 1996-05-03 |
| EP0709903B1 (fr) | 1998-07-01 |
| EP0709903A1 (fr) | 1996-05-01 |
| CA2161487C (fr) | 2000-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ramesh et al. | Epitaxial growth of ferroelectric bismuth titanate thin films by pulsed laser deposition | |
| US5801105A (en) | Multilayer thin film, substrate for electronic device, electronic device, and preparation of multilayer oxide thin film | |
| US7736761B2 (en) | Buffer layer for thin film structures | |
| Suzuki et al. | A proposal of epitaxial oxide thin film structures for future oxide electronics | |
| Lee et al. | Growth of epitaxial Pb (Zr, Ti) O3 films by pulsed laser deposition | |
| US5834803A (en) | Oriented ferroelectric thin film element and process for preparing the same | |
| JP4024881B2 (ja) | 超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法 | |
| JPH06293596A (ja) | 整列した高Ｔｃテープ超伝導体用緩衝層の形成装置および高密度コンデンサの形成装置 | |
| JPH1117126A (ja) | 強誘電体膜の堆積方法および強誘電体キャパシタ素子 | |
| WO1996001502A1 (en) | Epitaxial thallium high temperature superconducting films formed via a nucleation layer | |
| US20100159666A1 (en) | Integration of capacitive elements in the form of perovskite ceramic | |
| JPH0218320B2 (ja) | ||
| EP0544399A2 (en) | Epitaxial magnesium oxide as a buffer layer for formation of subsequent layers on tetrahedral semiconductors | |
| US5877122A (en) | Josephson element having a NdBa2 Cu3 O7-y superconductor thin-film wiring pattern | |
| US4940842A (en) | Method for preparing superconducting oxide films by seeding formation and heat treatment | |
| Kim et al. | Integration of artificial SrTiO3/BaTiO3 superlattices on Si substrates using a TiN buffer layer by pulsed laser deposition method | |
| Gan et al. | Domain structure and surface morphology of epitaxial PbTiO3/SrRuO3 heterostructures on vicinal (001) SrTiO3 substrates | |
| JPH03275504A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜およびその製造方法 | |
| JP3562120B2 (ja) | 安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびその製造方法 | |
| JP2852753B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JP2844207B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JP2844206B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| Lin et al. | Influence of Crystal Structure on the Fatigue Properties of Pb1− xLax (Zry′, Tiz) O3 Thin Films Prepared by Pulsed‐Laser Deposition Technique | |
| JPH06183894A (ja) | 酸化物単結晶の表面形成方法 | |
| JPH0719922B2 (ja) | 超電導体および集積化超電導装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20051226 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070712 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070911 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |