KR890011023A - 갈륨 아세나이드 다결정체의 게터링 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (6)
- 반도체 기판의 디바이스활성영역으로 부터 떨어진 영역으로 디바이스에 유해한 결함, 오염물질 및 불순물을 게터링하기 위한 능력을 구비하여 전자디바이스재조처리 공정에서 사용하기 위한 단결정갈륨아세나이드 반도체 기판에 있어서, 디바이스 형성영역으로부터 기판의 이면층에 0.4에서 20.0미크론까지의 두께의 갈륨아세나이드 다결정체층을 가지는 단결정갈륨아세나이드 반도체 재료를 구비함을 특징으로 하는 반도체 기판.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 갈륨아세타이드 다결정체층은 갈륨과 아세나이드의 화학증착에 의하여 상기 갈륨아세나이드 반도체 기판상에 적층점을 특징으로 하는 반도체 기판.
- 디바이스 활성 형성 영역으로부터 떨어진 영역으로 디바이스에 유해한 결함, 오염 물질 및 불순물을 게터링하기 위한 능력을 가진 전자 디바이스제조용의 단결정 갈륨아세나이드 반도체기판에 있어서, 하나의 거울같은 표면과 다른 표면을 덮는 0.4에서 20.0미크론 까지의 두께의 갈륨아세나이드 다결정체층을 가지는 단결정 갈륨아세나이드 웨이퍼를 구비하여서 구성됨을 특징으로 하는 반도체기판.
- 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 갈륨아세나이드 다결정체층은 상기 반도체 재료에 삼염화 갈륨(Gacl3) 및 비소의 화학증착에 의해 적층됨을 특징으로 하는 반도체기판.
- 전자식 디바이스의 제조 공정에 있어서, 상기 디바이스는 열정처리 조건과 갈륨아세나이드 다결정체의 이면층을 가지는 단결정 갈륨아세나이드 위이퍼를 구비하고 있는 반도체 기판을 사용하여 형성됨을 특징으로하는 전자식 디바이스의 제조방법.
- 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 갈륨아세나이드 다결정체층의 두께는 0.4에서 20.0미크론 까지임을 특징으로 하는 전자식 디바이스의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
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| KR1019880017785A KR890011023A (ko) | 1987-12-30 | 1988-12-29 | 갈륨 아세나이드 다결정체의 게터링 |
Country Status (3)
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CH522290A (de) * | 1968-12-20 | 1972-06-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Getterung schnell diffundierender Verunreinigungen in Halbleiterkristallen |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP63332734A patent/JPH01214127A/ja active Pending
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- 1988-12-29 KR KR1019880017785A patent/KR890011023A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01214127A (ja) | 1989-08-28 |
| EP0323432A1 (en) | 1989-07-05 |
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