JPH0562897A - 半導体基板 - Google Patents

半導体基板

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Publication number
JPH0562897A
JPH0562897A JP3224172A JP22417291A JPH0562897A JP H0562897 A JPH0562897 A JP H0562897A JP 3224172 A JP3224172 A JP 3224172A JP 22417291 A JP22417291 A JP 22417291A JP H0562897 A JPH0562897 A JP H0562897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor substrate
substrate
film
diamond film
Prior art date
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Pending
Application number
JP3224172A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
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  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低コストで、半導体基板上に形成した半導体
装置のスイッチング速度も速くできる新しい半導体基板
を提供すること。 【構成】 半導体基板に関し、（１） 半導体基板上に
ダイアモンド膜を形成し、該ダイアモンド膜上に半導体
膜を形成すること、および（２） サファイア基板、酸
化マグネシュウム基板などのセラミック基板上にダイア
モンド膜を形成し、該ダイアモンド膜上に半導体膜を形
成すること。 【効果】 低コストで、半導体基板上に形成した半導体
装置のスイッチング速度も速くできる半導体基板を提供
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板の構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板としてはバルクシリコ
ンウエーハを代表例としたバルク半導体ウエーハや、サ
ファイア上に半導体膜をエピタキシャル成長させたＳＯ
Ｉ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａ
ｔｏｒ）構造野半導体基板もあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、バルク半導体基板上に形成した半導体装置の
スイッチング速度が遅いという課題や、ＳＯＩ構造に形
成した半導体装置はスイッチング速度は速いが基板コス
トが高くなるという課題があった。
【０００４】この発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、低コストで、半導体基板上に形成した半導体装置の
スイッチング速度も速くできる新しい半導体基板を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、この発明は、半導体基板に関
し、（１） 半導体基板上にダイアモンド膜を形成し、
該ダイアモンド膜上に半導体膜を形成する手段を取るこ
と、および（２）サファイア基板、酸化マグネシュウム
基板などのセラミック基板上にダイアモンド膜を形成
し、該ダイアモンド膜上に半導体膜を形成する手段を取
ること、などの手段を取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例によりこの発明を詳述する。
【０００７】図１は、この発明の一実施例を示す半導体
基板の断面図である。すなわち、シリコンなどから成る
半導体基板１の表面には炭化水素ガスを原材料としてプ
ラズマＣＶＤ法により１ミクロン厚さ程度のダイアモン
ド膜２を形成し、該ダイアモンド膜上にエピタキシャル
法によりシリコン膜などの半導体膜３を形成して成る。
なお、ダイアモンド膜２または／および半導体膜３は島
状に形成されてもよい。さらに、半導体基板１および半
導体膜３は必ずしもシリコンである必要もなく、また、
同じ半導体材料である必要もない。
【０００８】図２は、この発明の他の実施例を示す半導
体基板の断面図である。すなわち、サファイアや酸化マ
グネシュウムなどからなるセラミック基板１１の表面に
はダイアモンド膜１２が形成され、該ダイアモンド膜１
２上にシリコンなどの半導体膜１３が形成されて成る。
【０００９】この発明による半導体基板はダイアモンド
膜を半導体装置の一部として用いることができると共
に、イントリンシック状態にすることにより、ＳＯＩと
同様に用いて、高速の半導体装置の製作に用いることも
できる。さらに、この発明の請求項１の半導体基板はＳ
ＯＩ構造を安価に製作できることを示している。
【００１０】
【発明の効果】この発明により、低コストで、半導体基
板上に形成した半導体装置のスイッチング速度も速くで
きる半導体基板を提供することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施例を示す半導体基板の断面
図である。
【図２】 この発明の他の実施例を示す半導体基板の断
面図である。
【符号の説明】
１・・・半導体基板 １１・・・セラミック基板 ２、１２・・・ダイアモンド膜 ３、１３・・・半導体膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上にはダイアモンド膜が形成
    され、該ダイアモンド膜上には半導体膜が形成されて成
    ることを特徴とする半導体基板。
  2. 【請求項２】 サファイア基板、酸化マグネシュウム基
    板などのセラミック基板上にはダイアモンド膜が形成さ
    れ、該ダイアモンド膜上には半導体膜が形成されて成る
    ことを特徴とする半導体基板。
JP3224172A 1991-09-04 1991-09-04 半導体基板 Pending JPH0562897A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160113583A (ko) 2015-02-17 2016-09-30 클라임 프로덕츠 가부시키가이샤 표시 패널의 접합 장치, 및 접합 방법

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160113583A (ko) 2015-02-17 2016-09-30 클라임 프로덕츠 가부시키가이샤 표시 패널의 접합 장치, 및 접합 방법

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