JPS5893273A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
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- JPS5893273A JPS5893273A JP19060181A JP19060181A JPS5893273A JP S5893273 A JPS5893273 A JP S5893273A JP 19060181 A JP19060181 A JP 19060181A JP 19060181 A JP19060181 A JP 19060181A JP S5893273 A JPS5893273 A JP S5893273A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する技術分骨
本発明は非晶質基板上に形成される薄膜半導体装置に関
する。
する。
（２）従来技術とその問題へ
最近ガラス等の非晶質基板上にシリコンやＣｄＳｅ等の
半導体薄膜中堆積し、そこに表示デバイス用の磁界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）を形成することが試みられてい
る。しかし例えば非晶質基板として硼珪酸ガラス（商品
名コーニング７０５９ ）を使用した場合、その上に半
導体薄膜を堆積するとき、或いは唯積した半導体薄膜を
熱処理するとき、基板温度を４００°Ｃ以上にすると基
板からＮａ、Ｂ等の不純物が半導体薄膜中に浸入、拡赦
し、素子の成気的特性を著しく劣化させることがわかっ
た。
半導体薄膜中堆積し、そこに表示デバイス用の磁界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）を形成することが試みられてい
る。しかし例えば非晶質基板として硼珪酸ガラス（商品
名コーニング７０５９ ）を使用した場合、その上に半
導体薄膜を堆積するとき、或いは唯積した半導体薄膜を
熱処理するとき、基板温度を４００°Ｃ以上にすると基
板からＮａ、Ｂ等の不純物が半導体薄膜中に浸入、拡赦
し、素子の成気的特性を著しく劣化させることがわかっ
た。
（３）発明の目的
本発明はかかる事情に鑑みなされたもので、非晶質基板
中の不純物が半、薄体′４映中に浸透しないようにして
素子の・ｄ気特性を向上させたＮ膜半導体装置を提供す
るものである。
中の不純物が半、薄体′４映中に浸透しないようにして
素子の・ｄ気特性を向上させたＮ膜半導体装置を提供す
るものである。
（４）発明の概要
即ち本発明は、非晶質基板と半導体薄膜との間に無機絶
縁性薄膜を介在さ亡たことを特徴とするものである。
縁性薄膜を介在さ亡たことを特徴とするものである。
第１図にその構造の基本構成を示す。１は非晶ノｎ基板
、２は不純物の浸透を防止する無機絶嫌暎で、３は素子
を形成する半導体、１膜である。このようにして倚られ
だ基板は、単に基板中の不純吻の浸透を防ぐだけでなく
、強酸や強アルカリの処理にも耐性があり、この薬品処
理が不可能な硼珪酸ガラス等の狭面の保護もすることが
わかった。
、２は不純物の浸透を防止する無機絶嫌暎で、３は素子
を形成する半導体、１膜である。このようにして倚られ
だ基板は、単に基板中の不純吻の浸透を防ぐだけでなく
、強酸や強アルカリの処理にも耐性があり、この薬品処
理が不可能な硼珪酸ガラス等の狭面の保護もすることが
わかった。
（５）発明の実施例
具体的な実施例は次のようにして行なわれた。
５９ｉｉ＋角、厚さ１＃ｌＩＩの硼珪ｆ俊ガラス（部品
名コーニング７０５９）を基板（１）とし、この上にス
パッタで’ｒａ２０５ （２）を２ｎｏｏｕ堆積した。
名コーニング７０５９）を基板（１）とし、この上にス
パッタで’ｒａ２０５ （２）を２ｎｏｏｕ堆積した。
スパッタの条件はＲＦ出力Ｉ ＫＷであり、導入ガスは
Ａｔｒ ６ｍｔｎｒｒ。
Ａｔｒ ６ｍｔｎｒｒ。
０２がＱ、ｆｉｍｔｏｒｒであり、鋸板゛晶硬は１５０
℃であった。その上に半導体４模（３）として、基板温
度５５０°０でプラズマＣＵＤ法で多結晶シリコンを６
０００λｌ佳積ｌ−だ。この多結晶シリコン膜（２）を
用いて、公知の半導体素子製造工程で作製した素子（Ｆ
’ Ｅ’Ｕ’ ） ハＴａ２０５４ ｉｌ ｉ２）を唯
積Ｌ＆い＆ｆ上に形成しだ素子よりも相互コンダクタン
スが約５倍になった。これは単に゛ｒａ２０５薄喚（２
）が硼珪酸ガラス中のＮａ、 Ｂが半導体薄膜（３）中
に浸入するのを防ぐだけでな（、Ｔａ２０５薄膜（２）
がガラス（１１表面を保穫し、強酸、強アルカリの液に
よる竺理が可能になったことにもよることがわかった。
℃であった。その上に半導体４模（３）として、基板温
度５５０°０でプラズマＣＵＤ法で多結晶シリコンを６
０００λｌ佳積ｌ−だ。この多結晶シリコン膜（２）を
用いて、公知の半導体素子製造工程で作製した素子（Ｆ
’ Ｅ’Ｕ’ ） ハＴａ２０５４ ｉｌ ｉ２）を唯
積Ｌ＆い＆ｆ上に形成しだ素子よりも相互コンダクタン
スが約５倍になった。これは単に゛ｒａ２０５薄喚（２
）が硼珪酸ガラス中のＮａ、 Ｂが半導体薄膜（３）中
に浸入するのを防ぐだけでな（、Ｔａ２０５薄膜（２）
がガラス（１１表面を保穫し、強酸、強アルカリの液に
よる竺理が可能になったことにもよることがわかった。
（６）発明の他の実施例
本発明は無機絶縁性薄膜が裏面にもつけられた第２図の
ような構造に対しても有効である。非晶質基板ｔｌ）と
しては単に硼珪酸ガラスだけでなく、その他の桶々のガ
ラス、溶融石英、アルミナのようなセラミックスに対し
ても有効である。また絶縁性薄膜（２）としてはＴａ２
０５だけでなく、Ｓ ｔ Ｏ２ｒ３ｉ３Ｎ４．アルミナ
、それにそれを主成分とする無機絶縁物に対しても有効
である。また半導体ｔＶ膜（３）としては、≠に多結晶
シリコンだけでなくアモルファスシリコン、単結晶シリ
コンその他種々の化合物半導体に対しても有効である。
ような構造に対しても有効である。非晶質基板ｔｌ）と
しては単に硼珪酸ガラスだけでなく、その他の桶々のガ
ラス、溶融石英、アルミナのようなセラミックスに対し
ても有効である。また絶縁性薄膜（２）としてはＴａ２
０５だけでなく、Ｓ ｔ Ｏ２ｒ３ｉ３Ｎ４．アルミナ
、それにそれを主成分とする無機絶縁物に対しても有効
である。また半導体ｔＶ膜（３）としては、≠に多結晶
シリコンだけでなくアモルファスシリコン、単結晶シリ
コンその他種々の化合物半導体に対しても有効である。
まだその絶縁膜や半導体嘆を形成する方法も上記以外の
真空蒸層法、 ＣＶＤ法等の方法によってもよい。
真空蒸層法、 ＣＶＤ法等の方法によってもよい。
第１図及び第２図は本発明の構造を示す断面図である。
１．４・・・非晶質基板、２，５．６・・・黒磯絶縁膜
、３．７・・・半導体薄膜。。
、３．７・・・半導体薄膜。。
Claims (1)
- 非晶質基板上に形成した薄膜半導体装置において、該非
晶質基板と半導体薄膜との間に無機絶縁性薄膜を介在さ
せ、非晶質基板中の不純物が半導体薄膜中に浸透するこ
とを防いだ構造を有する薄膜半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19060181A JPS5893273A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19060181A JPS5893273A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893273A true JPS5893273A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16260775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19060181A Pending JPS5893273A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893273A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215669A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001007342A (ja) * | 1999-04-20 | 2001-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US6429483B1 (en) | 1994-06-09 | 2002-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US6486495B2 (en) | 1990-07-24 | 2002-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6849872B1 (en) | 1991-08-26 | 2005-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor |
| US7019385B1 (en) | 1996-04-12 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
| US7169657B2 (en) | 1992-03-26 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19060181A patent/JPS5893273A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215669A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7026200B2 (en) | 1990-07-24 | 2006-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6486495B2 (en) | 1990-07-24 | 2002-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6849872B1 (en) | 1991-08-26 | 2005-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor |
| US7855106B2 (en) | 1991-08-26 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7169657B2 (en) | 1992-03-26 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
| US7781271B2 (en) | 1992-03-26 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
| US6429483B1 (en) | 1994-06-09 | 2002-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7547915B2 (en) | 1994-06-09 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having SiOxNy film |
| US8330165B2 (en) | 1994-06-09 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7019385B1 (en) | 1996-04-12 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
| US7838968B2 (en) | 1996-04-12 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
| JP2001007342A (ja) * | 1999-04-20 | 2001-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
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