KR850007717A - 반도체 기판물질의 개량된 게터링(Gettering) 공법 - Google Patents

반도체 기판물질의 개량된 게터링(Gettering) 공법 Download PDF

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KR850007717A
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쵸우 행-더 (외 1)
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아놀드 하베이 콜
몬산토 캄파니
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    • H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기판물질의 개량된 게터링(Gettering) 공법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (15)

  1. 산소의 열침전을 개량하기 충분한 양의 질소가 존재하여, 이들 산소와 질소를 함유하고 있는 반도체 물질을 만들어 디바이스에 유해한 결함, 오염물질, 불순물을 활성디바이스 영역으로부터 떨어진 영역으로 게터링하는 능력을 갖는 디바이스 제조공정에 유용한 반도체기판.
  2. 제1항의 기판에 있어서, 반도체물질은 0.1-200ppba 질소를 포함하는 것.
  3. 제1항의 기판에 있어서, 반도체물질은 1.0-80ppba 질소를 포함하는 것.
  4. 제1항의 기판에 있어서, 반도체물질은 실리콘으로 한 것.
  5. 제1항의 기판에 있어서, 언급된 반도체물질은 폴리실리콘의 배면층을 가지고 있는 것.
  6. 5-50ppma 산소와 0.1-200ppba 질소를 함유하는 실리콘웨이퍼로 이루어진 활성디바이스 영역에서 떨어진 영역으로 디바이스에 유해한 결함, 오염물질, 불순물을 게터링하는 능력을 가지며 디바이스 제조 공정에 유용한 반도체기판.
  7. 제6항의 기판에 있어서, 언급된 실리콘웨이퍼는 10-40ppma 산소와 1-80ppba 질소를 포함한 것.
  8. 제6항의 기판에 있어서, 언급된 실리콘웨이퍼는 폴리실리콘의 배면층을 가진 것.
  9. 산소를 포함하고 있는 반도체물질로 이루어진 기판의 한쪽 표면에 디바이스를 형성시키기 위하여 열처리조건을 사용하는 전자디바이스의 제조방법. 언급된 반도체는 언급된 산소의 열처리 침전특성을 강화 시키기에 충분한 량의 질소를 포함하고 있도록 개량한 것.
  10. 제9항의 공정에 있어서, 반도체물질은 0.1-200ppba 질소를 포함한 것.
  11. 제9항의 공정에 있어서, 언급된 반도체물질은 실리콘으로 한 것.
  12. 제9항의 공정에 있어서, 언급된 반도체물질은 0.05-5.0미크론 폴리실리콘의 배면층을 가진 것.
  13. 제12항의 공정에 있어서, 폴리실리콘층은 0.4-1.2미크론 두께를 가진 것.
  14. 선택된 열처리조건하에서 산소침전을 조절하기에 충분한 질소를 가지며, 상술한 기판을 도우핑하는 것을 포함하는 반도체기판내에서 산소침전을 조절하는 방법.
  15. 제14항의 방법에 있어서, 언급된 기판은 5-50ppma 산소와 0.1-200ppba 질소를 포함한 것.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850002626A 1984-04-19 1985-04-18 반도체 기판물질의 개량된 게터링(Gettering) 공법 KR850007717A (ko)

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