KR870010620A - Sos(실리콘적층 샤파이어)반도체의 제조방법 - Google Patents

Sos(실리콘적층 샤파이어)반도체의 제조방법 Download PDF

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KR870010620A
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고석윤
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구자학
주식회사 금성사
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Abstract

내용 없음

Description

SOS(실리콘적층 샤파이어)반도체의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도가 - 아는 본 발명 방법에 의한 제조공정도
제2도가 - 다는 종래 SOS 반도체 제조방법에 의한 공정도

Claims (1)

  1. 샤파이어(A1₂O₃) 기판(1)위에 단결정 실리콘층(2)을 습식 중착법으로 에피텍셜 성장시켜 증착하고 샤파이어 기판(1) 밑면에 다결정 실리콘(3)을 증착하여 성장시킨 다음 산소 분위에서 실리콘층(2,3)의 표면에 산화막(4,5)을 형성한 후 단결정 실리콘(2)과 샤파이어 기판(1)의 경계면 부근에 질소 이온을 주입법으로 주입하여 열처리를하여 질화실리콘층(6)을 형성한 다음 다결정 실리콘층(3)위의 산화실리콘막(5)위에 질화 실리콘층(7)을 중착하여 고온 공정시 샤파이어 기관(1) 내외 알루미늄 성분이 도핑되는 것을 방지하고 단결정 실리콘층(2)위의 산화 실리콘막(4)을 제거한 후 노출된 단결정 실리콘층(2) 표면에 에피텍셜 성장으로 순수 단결정 실리콘층(8)을 소정 두께만큼 성장시키는 단계를 포함하여된 SOS(실리적층 샤파이어) 반도체의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860002660A 1986-04-08 1986-04-08 Sos(실리콘적층 샤파이어)반도체의 제조방법 KR870010620A (ko)

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