JPH0658874B2 - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPH0658874B2 JPH0658874B2 JP5820986A JP5820986A JPH0658874B2 JP H0658874 B2 JPH0658874 B2 JP H0658874B2 JP 5820986 A JP5820986 A JP 5820986A JP 5820986 A JP5820986 A JP 5820986A JP H0658874 B2 JPH0658874 B2 JP H0658874B2
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- substrate
- sic
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マスク基板と吸収体パターンとからなるＸ線マスクにお
いて、Ｓｉ単結晶板上にエピタキシャル成長させたβ−
SiC膜をマスク基板とし、吸収体パターン形成後にＳｉ
単結晶板をエッチング除去する。
いて、Ｓｉ単結晶板上にエピタキシャル成長させたβ−
SiC膜をマスク基板とし、吸収体パターン形成後にＳｉ
単結晶板をエッチング除去する。
本発明は、半導体装置製造での微細加工に用いられるＸ
線露光装置のＸ線マスク、特に、その製造方法に関する
ものである。
線露光装置のＸ線マスク、特に、その製造方法に関する
ものである。
Ｘ線マスクに求められている特性としては、Ｘ線に対す
る透過性のよいこと、機械的強度が大きいこと、平面性
が優れていること、寸法安定性が高いこと、欠陥のない
こと、可視光透過性のよいこと、耐薬品性がよいことな
どがあられる。
る透過性のよいこと、機械的強度が大きいこと、平面性
が優れていること、寸法安定性が高いこと、欠陥のない
こと、可視光透過性のよいこと、耐薬品性がよいことな
どがあられる。
マスク基板（いわゆるメンブレン）としては、シリコン
（Ｓｉ）膜、SiN膜、SiO2-SiN-Si3層膜、ＢＮ膜ＢＮ／
ポリイミド複合膜、多結晶SiC膜などが知られている
（例えば、Pieter Burggraaf:開発が進むＸ線リソグラ
フィとマスク技術、日経マイクロデバイス、第３号、19
58年９月号、pp.103-113参照）。
（Ｓｉ）膜、SiN膜、SiO2-SiN-Si3層膜、ＢＮ膜ＢＮ／
ポリイミド複合膜、多結晶SiC膜などが知られている
（例えば、Pieter Burggraaf:開発が進むＸ線リソグラ
フィとマスク技術、日経マイクロデバイス、第３号、19
58年９月号、pp.103-113参照）。
非常に薄い膜であるＸ線マスク基板は、平坦度を確保す
ることおよび吸収体パターンの金属層からの応力によっ
て歪まないことが重要であり、もっと硬くて丈夫な膜
（メンブレン）が求められている。
ることおよび吸収体パターンの金属層からの応力によっ
て歪まないことが重要であり、もっと硬くて丈夫な膜
（メンブレン）が求められている。
本発明は、工程（ア）〜（ウ）：（ア）シリコン単結晶
板上に化学的気相成長（ＣＶＤ）法によってβ−SiC
（立方晶炭化ケイ素）エピタキシャル膜を形成してSiC
マスク基板とする工程；（イ）該SiCマスク基板上に吸
収体パターンを形成する工程；および（ウ）シリコン単
結晶板をエッチング除去する工程：からなることを特徴
とするＸ線マスクの製造方法である。
板上に化学的気相成長（ＣＶＤ）法によってβ−SiC
（立方晶炭化ケイ素）エピタキシャル膜を形成してSiC
マスク基板とする工程；（イ）該SiCマスク基板上に吸
収体パターンを形成する工程；および（ウ）シリコン単
結晶板をエッチング除去する工程：からなることを特徴
とするＸ線マスクの製造方法である。
本発明では硬くてかつ熱的、化学的に安定であるβ−Si
Cをマスク基板としているので、膜の平坦度が良くかつ
耐久性が良い。
Cをマスク基板としているので、膜の平坦度が良くかつ
耐久性が良い。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施態様
例によって本発明を詳しく説明する。
例によって本発明を詳しく説明する。
まず、Ｓｉ単結晶基板〔Ｓｉ（111）ウェハ）１を用意
し、これをカーボン製サセプタ（支持台）に載せて減圧
ＣＶＤ装置内に装入する。装置内を高真空室に排気し、
高周波電力による誘導加熱でサセプタを発熱させてＳｉ
基板1000℃に加熱する。そして、反応ガスであるSiHCl3
ガスおよびC3H8ガスを希釈ガス（Ｈ２）とともに流し
て、Ｓｉ基板１上にβ−SiC膜２をエピタキシャル成長
させる（第１図）。このようにして減圧ＣＶＤ法によっ
てβ−SiC膜２（厚さ：５〜１０μｍ）Ｓｉ基板全面に
形成する。
し、これをカーボン製サセプタ（支持台）に載せて減圧
ＣＶＤ装置内に装入する。装置内を高真空室に排気し、
高周波電力による誘導加熱でサセプタを発熱させてＳｉ
基板1000℃に加熱する。そして、反応ガスであるSiHCl3
ガスおよびC3H8ガスを希釈ガス（Ｈ２）とともに流し
て、Ｓｉ基板１上にβ−SiC膜２をエピタキシャル成長
させる（第１図）。このようにして減圧ＣＶＤ法によっ
てβ−SiC膜２（厚さ：５〜１０μｍ）Ｓｉ基板全面に
形成する。
得られたＳｉ基板１をＣＶＤ装置から取り出してから、
蒸着法（又はスパッタリング法）によってＸ線を吸収す
る金（Ａｕ）膜３をβ−SiC膜２上に形成する。Ａｕの
代わりもタングステン（Ｗ）あるいはタンタル（Ｔａ）
であってもよい。Ａｕ膜２を所定パターンにエッチング
する（第２図）。このリソグラフィは電子ビーム露光法
および反応性イオンエッチング法で行なう。
蒸着法（又はスパッタリング法）によってＸ線を吸収す
る金（Ａｕ）膜３をβ−SiC膜２上に形成する。Ａｕの
代わりもタングステン（Ｗ）あるいはタンタル（Ｔａ）
であってもよい。Ａｕ膜２を所定パターンにエッチング
する（第２図）。このリソグラフィは電子ビーム露光法
および反応性イオンエッチング法で行なう。
次に、ガラスリング４をβ−SiC膜側でないＳｉ基板上
に取り付けてから、Ｓｉ基板１をHF-HNO3によるウェッ
トエッチングで除去する（第３図）。したがって、Ｓｉ
基板のリング状支持枠が残り、β−SiC膜２およびその
上のＡｕパターン３からなるメンブレンが得られ、Ｘ線
マスクが製造できる。
に取り付けてから、Ｓｉ基板１をHF-HNO3によるウェッ
トエッチングで除去する（第３図）。したがって、Ｓｉ
基板のリング状支持枠が残り、β−SiC膜２およびその
上のＡｕパターン３からなるメンブレンが得られ、Ｘ線
マスクが製造できる。
本発明に係る製造方法にて得られるＸ線マスクのマスク
基板（メンブレン）は硬いβ−SiC単結晶膜であるの
で、平坦度がよくかつ寸法安定性の高い（熱による歪の
ない）マスクが得られる。また、減圧ＣＶＤ法で６イン
チ程度のβ−SiC膜形成が可能なので、大型Ｘ線マスク
が得られる。
基板（メンブレン）は硬いβ−SiC単結晶膜であるの
で、平坦度がよくかつ寸法安定性の高い（熱による歪の
ない）マスクが得られる。また、減圧ＣＶＤ法で６イン
チ程度のβ−SiC膜形成が可能なので、大型Ｘ線マスク
が得られる。
第１図、第２図、および第３図は本願発明に係るＸ線マ
スクの製造方法での各工程におけるＸ線マスクの概略断
面図である。 １……Ｓｉ基板、２……β−SiC膜 ３……金膜、４……ガラスリング
スクの製造方法での各工程におけるＸ線マスクの概略断
面図である。 １……Ｓｉ基板、２……β−SiC膜 ３……金膜、４……ガラスリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中沢 努 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 伊藤 喜久雄 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】下記工程（ア）〜（ウ）： （ア）シリコン単結晶板上に化学的気相成長法によって
β−SiCエピタキシャル膜を形成してSiCマスク基板とす
る工程： （イ）前記SiCマスク基板上に吸収体パターンを形成す
る工程；および （ウ）前記シリコン単結晶板をエッチッグ除去する工
程； からなることを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5820986A JPH0658874B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5820986A JPH0658874B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216325A JPS62216325A (ja) | 1987-09-22 |
| JPH0658874B2 true JPH0658874B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=13077654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5820986A Expired - Fee Related JPH0658874B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658874B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3733311A1 (de) * | 1987-10-02 | 1989-04-13 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines maskentraegers aus sic fuer roentgenstrahllithographie-masken |
| US5082695A (en) * | 1988-03-08 | 1992-01-21 | 501 Fujitsu Limited | Method of fabricating an x-ray exposure mask |
| JPH0373950A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Fujitsu Ltd | 露光用マスクの製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3742230A (en) * | 1972-06-29 | 1973-06-26 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray mask support substrate |
| US3873824A (en) * | 1973-10-01 | 1975-03-25 | Texas Instruments Inc | X-ray lithography mask |
| JPS5324785A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS55105000A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-11 | Sharp Corp | Production of silicon carbide crystal layer |
| JPS59203799A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-17 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP5820986A patent/JPH0658874B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3742230A (en) * | 1972-06-29 | 1973-06-26 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray mask support substrate |
| US3873824A (en) * | 1973-10-01 | 1975-03-25 | Texas Instruments Inc | X-ray lithography mask |
| JPS5324785A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS55105000A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-11 | Sharp Corp | Production of silicon carbide crystal layer |
| JPS59203799A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-17 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62216325A (ja) | 1987-09-22 |
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Legal Events
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