JP3339508B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP3339508B2 JP3339508B2 JP06610892A JP6610892A JP3339508B2 JP 3339508 B2 JP3339508 B2 JP 3339508B2 JP 06610892 A JP06610892 A JP 06610892A JP 6610892 A JP6610892 A JP 6610892A JP 3339508 B2 JP3339508 B2 JP 3339508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- semiconductor
- sic
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、良好な耐環境性を持つ
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９４７年のトランジスタの発明以来、
トランジスタからＩＣ，ＬＳＩなどが開発され、半導体
技術は大きな進歩を遂げている。特に、シリコン半導体
技術は確立されたものになっており、様々な回路が集積
化され広く利用されている。しかし、シリコンの物性に
起因する素子の動作上の限界があり、また、一部の用途
についてはシリコン以外の材料による半導体が用いられ
るようになっている。
トランジスタからＩＣ，ＬＳＩなどが開発され、半導体
技術は大きな進歩を遂げている。特に、シリコン半導体
技術は確立されたものになっており、様々な回路が集積
化され広く利用されている。しかし、シリコンの物性に
起因する素子の動作上の限界があり、また、一部の用途
についてはシリコン以外の材料による半導体が用いられ
るようになっている。
【０００３】例えば、衛生通信などマイクロ波という非
常に高い周波数の通信分野においては、シリコンの持つ
キャリア移動度が素子開発上のネックになっている。こ
の対策として、素子を非常に微細に製作するという方法
があるが、微細に製作すると耐熱性を含む許容電力上の
問題が生じることになる。そのため、このような用途に
は、材料にシリコンにかえてより大きなキャリア移動度
をもつＧａＡｓを用いたものが使われるようになってき
ている。高速のディジタル回路（例えば、スーパーコン
ピュータなど）についても同様な問題があり、ＧａＡｓ
を材料に用いたディジタルＩＣが開発され利用されてい
る。
常に高い周波数の通信分野においては、シリコンの持つ
キャリア移動度が素子開発上のネックになっている。こ
の対策として、素子を非常に微細に製作するという方法
があるが、微細に製作すると耐熱性を含む許容電力上の
問題が生じることになる。そのため、このような用途に
は、材料にシリコンにかえてより大きなキャリア移動度
をもつＧａＡｓを用いたものが使われるようになってき
ている。高速のディジタル回路（例えば、スーパーコン
ピュータなど）についても同様な問題があり、ＧａＡｓ
を材料に用いたディジタルＩＣが開発され利用されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】シリコンを用いてバイ
ポーラトランジスタを構成した場合、単にＰＮＰの層構
造をもたせただけでは電流増幅率即ち利得は余り大きな
ものにならない。また、コレクタ耐圧も大きくならな
い。そのためより大きな電流増幅率を得るように又は、
より大きなコレクタ耐圧を得るように構造上、回路構成
上のくふうをしているが現状である。また、シリコン半
導体では、温度が上昇すると、ジャンクションのリーク
電流が増加するため、使用温度に限界がある。これらの
ことは、大電力の用途に用いるのに限界があることを示
しており、特に大電力、高周波においては、低いホール
移動度によって用いるのには無理がある。さらに、シリ
コンは、放射線によってから殻外電子が励起され、これ
が素子の動作に悪影響を及ぼすため、放射線の強いとこ
ろでは、動作が保証されない。
ポーラトランジスタを構成した場合、単にＰＮＰの層構
造をもたせただけでは電流増幅率即ち利得は余り大きな
ものにならない。また、コレクタ耐圧も大きくならな
い。そのためより大きな電流増幅率を得るように又は、
より大きなコレクタ耐圧を得るように構造上、回路構成
上のくふうをしているが現状である。また、シリコン半
導体では、温度が上昇すると、ジャンクションのリーク
電流が増加するため、使用温度に限界がある。これらの
ことは、大電力の用途に用いるのに限界があることを示
しており、特に大電力、高周波においては、低いホール
移動度によって用いるのには無理がある。さらに、シリ
コンは、放射線によってから殻外電子が励起され、これ
が素子の動作に悪影響を及ぼすため、放射線の強いとこ
ろでは、動作が保証されない。
【０００５】このような用途には、バンドギャップの大
きな材料が望ましい。従来のシリコンバイポーラ半導体
に代わるものの一つとしてヘテロ接合トランジスタが考
えられており、例えば、特開昭６２−２１６３６４，特
開昭６２−２６５７７６２，特開昭６２−１６０７６
０，特開昭６２−１５９４６３などがある。これらは、
シリコンと、炭化シリコンなどとの間にできるヘテロ接
合を利用したトランジスタである。しかし、シリコンを
材料として用いていることから、低耐圧性、低耐環境性
の問題に対して根本的な解決にならない。ダイアモン
ド，炭化シリコンといった材料は、現在知られている材
料ではバンドギャップの大きなものであるため、このよ
うな用途においても良好な動作が得られることが予想さ
れる。また、これらは地球上に多く存在する元素でなる
ことも魅力的な点の一つである。しかし、これらの材料
は、研磨，切削といったその大きな硬度を利用した機械
加工の分野で利用されているにすぎないのが現状であ
る。かってはシリコン半導体を用い得る分野でのニーズ
が大きく、このような材料を用いなければならない分野
のニーズが大きくなかったため、シリコンほど精力的な
研究開発がなされなかったからである。しかし、シリコ
ン半導体では不可能な用途に対して、例えば、本件出願
人による「特開昭６４−５５８６２」記載の発明のよう
に、より良好な半導体材料として研究開発がなされつつ
ある。
きな材料が望ましい。従来のシリコンバイポーラ半導体
に代わるものの一つとしてヘテロ接合トランジスタが考
えられており、例えば、特開昭６２−２１６３６４，特
開昭６２−２６５７７６２，特開昭６２−１６０７６
０，特開昭６２−１５９４６３などがある。これらは、
シリコンと、炭化シリコンなどとの間にできるヘテロ接
合を利用したトランジスタである。しかし、シリコンを
材料として用いていることから、低耐圧性、低耐環境性
の問題に対して根本的な解決にならない。ダイアモン
ド，炭化シリコンといった材料は、現在知られている材
料ではバンドギャップの大きなものであるため、このよ
うな用途においても良好な動作が得られることが予想さ
れる。また、これらは地球上に多く存在する元素でなる
ことも魅力的な点の一つである。しかし、これらの材料
は、研磨，切削といったその大きな硬度を利用した機械
加工の分野で利用されているにすぎないのが現状であ
る。かってはシリコン半導体を用い得る分野でのニーズ
が大きく、このような材料を用いなければならない分野
のニーズが大きくなかったため、シリコンほど精力的な
研究開発がなされなかったからである。しかし、シリコ
ン半導体では不可能な用途に対して、例えば、本件出願
人による「特開昭６４−５５８６２」記載の発明のよう
に、より良好な半導体材料として研究開発がなされつつ
ある。
【０００６】本発明は、前述の問題点に鑑み、既存の半
導体の限界を越え得る性能を持つ半導体装置を提案する
ものである。
導体の限界を越え得る性能を持つ半導体装置を提案する
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、本発明の一側面に係る半導体装置は、(１)六方晶
の炭化ケイ素を主成分とし、所定の多数キャリアを有す
る六方晶の第１の半導体層と、(２)六方晶の炭化ケイ素
を主成分とし、第１の半導体層とは反対極性の多数キャ
リアを有する六方晶の第２の半導体層と、(３)厚さが１
〜１０μｍである単結晶のダイアモンド結晶構造の炭素
を主成分とし、第１の半導体層と同極性の多数キャリア
を有する第３の半導体層と、を備え、(４)第１の半導体
層をコレクタ領域に、第２の半導体層をベース領域に、
第３の半導体層をエミッタ領域に有し、(５) 第１，第
２，第３の半導体層が順次基板上に形成され、第３の半
導体層が最上層になっていることを特徴とする。
めに、本発明の一側面に係る半導体装置は、(１)六方晶
の炭化ケイ素を主成分とし、所定の多数キャリアを有す
る六方晶の第１の半導体層と、(２)六方晶の炭化ケイ素
を主成分とし、第１の半導体層とは反対極性の多数キャ
リアを有する六方晶の第２の半導体層と、(３)厚さが１
〜１０μｍである単結晶のダイアモンド結晶構造の炭素
を主成分とし、第１の半導体層と同極性の多数キャリア
を有する第３の半導体層と、を備え、(４)第１の半導体
層をコレクタ領域に、第２の半導体層をベース領域に、
第３の半導体層をエミッタ領域に有し、(５) 第１，第
２，第３の半導体層が順次基板上に形成され、第３の半
導体層が最上層になっていることを特徴とする。
【０００８】本発明の他の側面に係る半導体装置は、
(１)六方晶の炭化ケイ素を主成分とし、所定の多数キャ
リアを有する六方晶の第１の半導体層と、(２)六方晶の
炭化ケイ素を主成分とし、第１の半導体層とは反対極性
の多数キャリアを有する六方晶の第２の半導体層と、
(３)（１１０）面が９５％以上を占める多結晶のダイア
モンド結晶構造の炭素を主成分とし、第１の半導体層と
同極性の多数キャリアを有する第３の半導体層と、を備
え、(４)第１の半導体層をコレクタ領域に、第２の半導
体層をベース領域に、第３の半導体層をエミッタ領域に
有し、(５)第１，第２，第３の半導体層が順次基板上に
形成され、第３の半導体層が最上層になっていることを
特徴とする。
(１)六方晶の炭化ケイ素を主成分とし、所定の多数キャ
リアを有する六方晶の第１の半導体層と、(２)六方晶の
炭化ケイ素を主成分とし、第１の半導体層とは反対極性
の多数キャリアを有する六方晶の第２の半導体層と、
(３)（１１０）面が９５％以上を占める多結晶のダイア
モンド結晶構造の炭素を主成分とし、第１の半導体層と
同極性の多数キャリアを有する第３の半導体層と、を備
え、(４)第１の半導体層をコレクタ領域に、第２の半導
体層をベース領域に、第３の半導体層をエミッタ領域に
有し、(５)第１，第２，第３の半導体層が順次基板上に
形成され、第３の半導体層が最上層になっていることを
特徴とする。
【０００９】
【００１０】
【作用】本発明の半導体装置では、ダイアモンド結晶構
造の炭素，炭化ケイ素（六方晶の結晶構造をもつもの）
を主成分としてエミッタ領域，ベース領域，コレクタ領
域が形成されている。特に、エミッタ−ベース間には、
ダイアモンド結晶構造の炭素−炭化ケイ素のヘテロ接合
が形成され、このヘテロ接合によるポテンシャル障壁に
よって少ないベース電流で大きなコレクタ電流を得られ
る。即ち大きな電流増幅率を持つ。これはダイアモンド
結晶構造の炭素，炭化ケイ素によるものであるため、耐
放射線性も有し、非常に高い温度においても良好に動作
する。また、コレクタのバンドギャップが大きいため、
コレクタ耐圧が高い。また、ダイアモンド結晶構造の炭
素を主成分とする第３の半導体層は形成しにくいが、最
上層に形成するようにしているため、比較的容易なもの
になる。
造の炭素，炭化ケイ素（六方晶の結晶構造をもつもの）
を主成分としてエミッタ領域，ベース領域，コレクタ領
域が形成されている。特に、エミッタ−ベース間には、
ダイアモンド結晶構造の炭素−炭化ケイ素のヘテロ接合
が形成され、このヘテロ接合によるポテンシャル障壁に
よって少ないベース電流で大きなコレクタ電流を得られ
る。即ち大きな電流増幅率を持つ。これはダイアモンド
結晶構造の炭素，炭化ケイ素によるものであるため、耐
放射線性も有し、非常に高い温度においても良好に動作
する。また、コレクタのバンドギャップが大きいため、
コレクタ耐圧が高い。また、ダイアモンド結晶構造の炭
素を主成分とする第３の半導体層は形成しにくいが、最
上層に形成するようにしているため、比較的容易なもの
になる。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１には、一実施例であるトランジスタの構造が示され
ている。このトランジスタは、ノンドープのＳｉＣ基板
１１１上に、ｐ+ −ＳｉＣ層１６０，ｐ−ＳｉＣ層１５
０，ｎ+ −ＳｉＣ層１４０，ｐ−ダイアモンド層１３
０，ｐ+ −ダイアモンド層１２０が順次形成され、ｐ+
−ＳｉＣ層１６０にはコレクタ電極２３０が、ｎ+ −Ｓ
ｉＣ層１４０にはベース電極２２０が、ｐ+ −ダイアモ
ンド層１２０にはエミッタ電極２１０が、それぞれ形成
され電気的に接続された構造になっている。ここではま
ず、ＳｉＣが立方晶の結晶構造（３Ｃ−ＳｉＣ又はβ−
ＳｉＣと呼ばれる）をもつものとして説明する。
図１には、一実施例であるトランジスタの構造が示され
ている。このトランジスタは、ノンドープのＳｉＣ基板
１１１上に、ｐ+ −ＳｉＣ層１６０，ｐ−ＳｉＣ層１５
０，ｎ+ −ＳｉＣ層１４０，ｐ−ダイアモンド層１３
０，ｐ+ −ダイアモンド層１２０が順次形成され、ｐ+
−ＳｉＣ層１６０にはコレクタ電極２３０が、ｎ+ −Ｓ
ｉＣ層１４０にはベース電極２２０が、ｐ+ −ダイアモ
ンド層１２０にはエミッタ電極２１０が、それぞれ形成
され電気的に接続された構造になっている。ここではま
ず、ＳｉＣが立方晶の結晶構造（３Ｃ−ＳｉＣ又はβ−
ＳｉＣと呼ばれる）をもつものとして説明する。
【００１６】このトランジスタは、つぎに示す工程で製
作される。
作される。
【００１７】まず、ＳｉＣ基板１１１上に、減圧ＣＶＤ
法にて、ｐ+ −ＳｉＣ層１６０，ｐ−ＳｉＣ層１５０，
ｎ+ −ＳｉＣ層１４０を順に形成する。このとき、原料
ガスにＣ3 Ｈ8 ／ＳｉＨＣｌ2 の１：２の混合ガスを用
い、また、Ｈ2 をキャリアガスとし、圧力２００Ｐａ，
セ氏９００〜１２００度の条件で成長させた。ここで、
ｎ+ −ＳｉＣ層１４０を成長させる際、原料ガスにＰＨ
3 を混入させてＰドープする。また、ｐ−ＳｉＣ層１５
０，ｐ+ −ＳｉＣ層１６０を成長させる際、原料ガスに
Ｂ2 Ｈ6 を混入させてＢドープし、ｐ−ＳｉＣ層１５
０，ｐ+ −ＳｉＣ層１６０を成長させる。この後、マイ
クロ波ＣＶＤ法にて、ｐ−ダイアモンド層１３０，ｐ+
−ダイアモンド層１２０を順に形成する。このとき、マ
イクロ波の周波数２．４５ＧＨｚ，出力４００Ｗで、原
料ガスにＣＨ4 ／Ｈ2 の４：１００の混合ガスを用い、
圧力５００Ｔｏｒｒ，セ氏６００〜９００度の条件で成
長させた。ここで、原料ガスには、Ｂ2 Ｈ6 を混入させ
てＢドープし、その混入量を変えてｐ+ −ダイアモンド
層１２０，ｐ−ダイアモンド層１３０を成長させている
（図２（ａ））。
法にて、ｐ+ −ＳｉＣ層１６０，ｐ−ＳｉＣ層１５０，
ｎ+ −ＳｉＣ層１４０を順に形成する。このとき、原料
ガスにＣ3 Ｈ8 ／ＳｉＨＣｌ2 の１：２の混合ガスを用
い、また、Ｈ2 をキャリアガスとし、圧力２００Ｐａ，
セ氏９００〜１２００度の条件で成長させた。ここで、
ｎ+ −ＳｉＣ層１４０を成長させる際、原料ガスにＰＨ
3 を混入させてＰドープする。また、ｐ−ＳｉＣ層１５
０，ｐ+ −ＳｉＣ層１６０を成長させる際、原料ガスに
Ｂ2 Ｈ6 を混入させてＢドープし、ｐ−ＳｉＣ層１５
０，ｐ+ −ＳｉＣ層１６０を成長させる。この後、マイ
クロ波ＣＶＤ法にて、ｐ−ダイアモンド層１３０，ｐ+
−ダイアモンド層１２０を順に形成する。このとき、マ
イクロ波の周波数２．４５ＧＨｚ，出力４００Ｗで、原
料ガスにＣＨ4 ／Ｈ2 の４：１００の混合ガスを用い、
圧力５００Ｔｏｒｒ，セ氏６００〜９００度の条件で成
長させた。ここで、原料ガスには、Ｂ2 Ｈ6 を混入させ
てＢドープし、その混入量を変えてｐ+ −ダイアモンド
層１２０，ｐ−ダイアモンド層１３０を成長させている
（図２（ａ））。
【００１８】つぎに、エミッタ領域，ベース領域となる
部分を残すようにマスクをし、ダイアモンド層１２０，
１３０を「Ａｒ＋Ｎ2 Ｏ（２０％）」の混合ガスのＲＩ
ＢＥ（反応性イオンビームエッチング）にて、エッチン
グする（図２（ｂ））。この後、ダイアモンド層１２
０，１３０上のレジスト等をマスクとしてＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）にて、ｐ−ＳｉＣ層１５０及びｎ
+ −ＳｉＣ層１４０をエッチングする（図２（ｃ））。
このときの反応ガスには、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （５％）の混合
ガスを用いる。そして、ＡｌＳｉのエミッタ電極２１
０，ＴａＳｉのベース電極２２０，Ｍｏ／Ａｕのコレク
タ電極２３０を形成して配線する。この工程でサンプル
を作成し、特性を測定した結果、電流利得１２００，コ
レクタ耐圧２０Ｖが得られ、セ氏３００度においても良
好な動作が得られた。
部分を残すようにマスクをし、ダイアモンド層１２０，
１３０を「Ａｒ＋Ｎ2 Ｏ（２０％）」の混合ガスのＲＩ
ＢＥ（反応性イオンビームエッチング）にて、エッチン
グする（図２（ｂ））。この後、ダイアモンド層１２
０，１３０上のレジスト等をマスクとしてＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）にて、ｐ−ＳｉＣ層１５０及びｎ
+ −ＳｉＣ層１４０をエッチングする（図２（ｃ））。
このときの反応ガスには、ＣＦ4 ＋Ｏ2 （５％）の混合
ガスを用いる。そして、ＡｌＳｉのエミッタ電極２１
０，ＴａＳｉのベース電極２２０，Ｍｏ／Ａｕのコレク
タ電極２３０を形成して配線する。この工程でサンプル
を作成し、特性を測定した結果、電流利得１２００，コ
レクタ耐圧２０Ｖが得られ、セ氏３００度においても良
好な動作が得られた。
【００１９】このトランジスタは、ｐ型ダイアモンドと
ｎ型ＳｉＣによるヘテロ接合を有するＰＮＰトランジス
タであり、エミッタ−ベース間には、ヘテロ接合ととも
にキャリア濃度の低いｐ−ダイアモンド層１３０が、ま
た、コレクタ−ベース間のキャリア濃度の低いｐ−Ｓｉ
Ｃ層１５０が設けられている。このトランジスタは、ホ
ールを多数キャリアとして動作がなされ、図３（ａ）に
示すようなバンドダイアグラムを有するものと推定され
る。エミッタ領域のバンドギャップはおよそ５．５ｅ
Ｖ、ベース領域，コレクタ領域のバンドギャップはおよ
そ２．２ｅＶで、エミッタ−ベース間は、約３．３ｅＶ
のバンドギャップ差がある。
ｎ型ＳｉＣによるヘテロ接合を有するＰＮＰトランジス
タであり、エミッタ−ベース間には、ヘテロ接合ととも
にキャリア濃度の低いｐ−ダイアモンド層１３０が、ま
た、コレクタ−ベース間のキャリア濃度の低いｐ−Ｓｉ
Ｃ層１５０が設けられている。このトランジスタは、ホ
ールを多数キャリアとして動作がなされ、図３（ａ）に
示すようなバンドダイアグラムを有するものと推定され
る。エミッタ領域のバンドギャップはおよそ５．５ｅ
Ｖ、ベース領域，コレクタ領域のバンドギャップはおよ
そ２．２ｅＶで、エミッタ−ベース間は、約３．３ｅＶ
のバンドギャップ差がある。
【００２０】図３（ｂ）は、直流増幅させた状態のバン
ドダイアグラムである。この図において、ベース領域
（ｎ+ −ＳｉＣ層１４０）の伝導帯の下端のエネルギー
レベルより上の部分において電子がフェルミ−ディラッ
ク分布し、価電子帯の上端のエネルギーレベルＥV1，Ｅ
V2より上の部分においてホールがフェルミ−ディラック
分布して様子を示している。ここで、ホールについて
は、下向きの方向が高いエネルギーである。この図３
（ｂ）を用いて直流増幅動作を説明するとつぎのように
なる。
ドダイアグラムである。この図において、ベース領域
（ｎ+ −ＳｉＣ層１４０）の伝導帯の下端のエネルギー
レベルより上の部分において電子がフェルミ−ディラッ
ク分布し、価電子帯の上端のエネルギーレベルＥV1，Ｅ
V2より上の部分においてホールがフェルミ−ディラック
分布して様子を示している。ここで、ホールについて
は、下向きの方向が高いエネルギーである。この図３
（ｂ）を用いて直流増幅動作を説明するとつぎのように
なる。
【００２１】エミッタを正電圧、ベースを負電圧とする
順バイアスがかけられて、エミッタ領域に対しベース領
域が持ち上げられる。また、コレクタを負電圧とするバ
イアスによりコレクタ領域が持ち上げられる。ベースか
らは少数キャリアである電子が注入されるが、エミッタ
領域のポテンシャル障壁により、この障壁よりも高い僅
かな電子しかエミッタ領域に流れない。一方、ホールに
ついては、ヘテロ接合により価電子帯のポテンシャル障
壁が小さくなっており、また、バイアスによりポテンシ
ャル障壁がより小さくなる。そのため、エミッタ領域の
ホールの多くが、ベース領域を越えてコレクタ領域に流
れる。これにより、少ないベース電流で大きなコレクタ
電流が流れることになり、大きな電流増幅率が得られ
る。従来のＳｉｃ／Ｓｉのバンドギャップ差は１．１ｅ
Ｖであり、これに比べ著しく大きな電流増幅率が得られ
る。
順バイアスがかけられて、エミッタ領域に対しベース領
域が持ち上げられる。また、コレクタを負電圧とするバ
イアスによりコレクタ領域が持ち上げられる。ベースか
らは少数キャリアである電子が注入されるが、エミッタ
領域のポテンシャル障壁により、この障壁よりも高い僅
かな電子しかエミッタ領域に流れない。一方、ホールに
ついては、ヘテロ接合により価電子帯のポテンシャル障
壁が小さくなっており、また、バイアスによりポテンシ
ャル障壁がより小さくなる。そのため、エミッタ領域の
ホールの多くが、ベース領域を越えてコレクタ領域に流
れる。これにより、少ないベース電流で大きなコレクタ
電流が流れることになり、大きな電流増幅率が得られ
る。従来のＳｉｃ／Ｓｉのバンドギャップ差は１．１ｅ
Ｖであり、これに比べ著しく大きな電流増幅率が得られ
る。
【００２２】Ｓｉと比較して大きなバンドギャップ（Ｓ
ｉは、約１．１ｅＶ）を持つため、高い温度において
も、若干バンドギャップは小さくなるが、上述の動作は
良好に保たれる。これに加えて、高いコレクタ電圧にお
いても動作をする。層厚などのパラメータを適切に保つ
ことなどによって現状のシリコントランジスタを越える
ものになる。
ｉは、約１．１ｅＶ）を持つため、高い温度において
も、若干バンドギャップは小さくなるが、上述の動作は
良好に保たれる。これに加えて、高いコレクタ電圧にお
いても動作をする。層厚などのパラメータを適切に保つ
ことなどによって現状のシリコントランジスタを越える
ものになる。
【００２３】また、基板に熱伝導率が高く、誘電率の低
いＳｉｃを使用していることから、放熱が良好になる。
また、配線の浮遊容量が減少する。これらは、大電力，
高周波で用いるのに大きな利点となっている。
いＳｉｃを使用していることから、放熱が良好になる。
また、配線の浮遊容量が減少する。これらは、大電力，
高周波で用いるのに大きな利点となっている。
【００２４】さらに、ｐ−ダイアモンド層１３０，ｐ+
−ダイアモンド層１２０が最上層に有するものであるの
で、製造工程上、これらを最後に形成することになる。
そのため、この層を形成する際に、エミッタサイズ程度
（１〜１０μｍ）のダイアモンド層を選択的に成長させ
るようにすることが可能になる。この点に付いては後述
する。
−ダイアモンド層１２０が最上層に有するものであるの
で、製造工程上、これらを最後に形成することになる。
そのため、この層を形成する際に、エミッタサイズ程度
（１〜１０μｍ）のダイアモンド層を選択的に成長させ
るようにすることが可能になる。この点に付いては後述
する。
【００２５】また、ダイアモンド層１３０，１２０は単
結晶が望ましいが多結晶でも良い。多結晶の場合では、
電流注入効率や電流増幅率が若干低下するが、製造上は
好適なものである。（１１０）面が９５％以上を占める
比較的配向性の揃った多結晶のダイアモンド層を成長さ
せて試作した結果、電流利得２５０のトランジスタが得
られた。
結晶が望ましいが多結晶でも良い。多結晶の場合では、
電流注入効率や電流増幅率が若干低下するが、製造上は
好適なものである。（１１０）面が９５％以上を占める
比較的配向性の揃った多結晶のダイアモンド層を成長さ
せて試作した結果、電流利得２５０のトランジスタが得
られた。
【００２６】図４は、前述のトランジスタを自己整合的
に製作した場合の構造を示したものである。
に製作した場合の構造を示したものである。
【００２７】このトランジスタは、ダイアモンド層１３
０，１２０の側壁に設けたＳｉ０2の保護膜１７０によ
ってベース電極２２０を自己整合的に形成するとともに
この形成されたベース電極２２０上のＳｉ０2 の保護膜
１８０を使ってコレクタ領域のエッチング，コレクタ電
極２３０の形成を行ったものである。図５にはその製造
工程が示されている。
０，１２０の側壁に設けたＳｉ０2の保護膜１７０によ
ってベース電極２２０を自己整合的に形成するとともに
この形成されたベース電極２２０上のＳｉ０2 の保護膜
１８０を使ってコレクタ領域のエッチング，コレクタ電
極２３０の形成を行ったものである。図５にはその製造
工程が示されている。
【００２８】前述の図２と同様に、ＳｉＣ基板１１１上
に、ｐ+ −ＳｉＣ層１６０，ｐ−ＳｉＣ層１５０，ｎ+
−ＳｉＣ層１４０を順次形成する（図５（ａ））。その
後、エミッタ領域となる部分を残すようにマスクをし、
ｐ−ダイアモンド層１３０，ｐ+ −ダイアモンド層１２
０を前述の選択成長で形成し、保護膜１７０を形成する
（図５（ｂ））。次いで、ベース電極２２０，Ｓｉ０2
の保護膜１８０を形成し、これをマスクとしてｎ+ −Ｓ
ｉＣ層１４０、ｐ−ＳｉＣ層１５０，ｐ+ −ＳｉＣ層１
６０，のエッチングを行う（図５（ｃ））。そして、エ
ミッタ電極２１０及びコレクタ電極２３０を形成する
（図５（ｄ））。これによって、このエピタキシャル成
長が比較的容易なものになり、全面に成長させるよりも
歩留まりが向上するようになる。この製造方法にて、ダ
イアモンド層を２μｍ形成したものにおいて、電流利得
９００という非常に電流増幅率の大きいのトランジスタ
が得られた。
に、ｐ+ −ＳｉＣ層１６０，ｐ−ＳｉＣ層１５０，ｎ+
−ＳｉＣ層１４０を順次形成する（図５（ａ））。その
後、エミッタ領域となる部分を残すようにマスクをし、
ｐ−ダイアモンド層１３０，ｐ+ −ダイアモンド層１２
０を前述の選択成長で形成し、保護膜１７０を形成する
（図５（ｂ））。次いで、ベース電極２２０，Ｓｉ０2
の保護膜１８０を形成し、これをマスクとしてｎ+ −Ｓ
ｉＣ層１４０、ｐ−ＳｉＣ層１５０，ｐ+ −ＳｉＣ層１
６０，のエッチングを行う（図５（ｃ））。そして、エ
ミッタ電極２１０及びコレクタ電極２３０を形成する
（図５（ｄ））。これによって、このエピタキシャル成
長が比較的容易なものになり、全面に成長させるよりも
歩留まりが向上するようになる。この製造方法にて、ダ
イアモンド層を２μｍ形成したものにおいて、電流利得
９００という非常に電流増幅率の大きいのトランジスタ
が得られた。
【００２９】また、保護膜１７０，１８０などをマスク
として、エッチングを行い、電極の形成を行っているた
め、製造工程上フォトマスクが少なくて済む上にレジス
トを塗布するなどのフォトリソグラフィによる工程が簡
素化される。また、マスクのアラインメントなどによる
誤差要因が少なくなり、より微細に製作することができ
るようになる。
として、エッチングを行い、電極の形成を行っているた
め、製造工程上フォトマスクが少なくて済む上にレジス
トを塗布するなどのフォトリソグラフィによる工程が簡
素化される。また、マスクのアラインメントなどによる
誤差要因が少なくなり、より微細に製作することができ
るようになる。
【００３０】本発明は前述の実施例に限らず様々な変形
が可能である。
が可能である。
【００３１】例えば、ＳｉＣが立方晶の結晶構造をもつ
ものとして説明したが、六方晶の結晶構造のもの（６Ｈ
−ＳｉＣ又はα−ＳｉＣと呼ばれる）でも良い。６Ｈ−
ＳｉＣは、バンドギャップが２．８６ｅＶあり（バンド
キャップ差１．５４ｅＶ）、３Ｃ−ＳｉＣの場合よりも
高い電圧の動作が要求されるが、耐熱性，コレクタ耐圧
が向上したものになる。本発明で示すＳｉＣ基板は、も
ちろんＳｉをさらに下に有する構造、すなわちヘテロエ
ピタキシャル成長したＳｉＣ／Ｓｉ基板である場合を含
む。
ものとして説明したが、六方晶の結晶構造のもの（６Ｈ
−ＳｉＣ又はα−ＳｉＣと呼ばれる）でも良い。６Ｈ−
ＳｉＣは、バンドギャップが２．８６ｅＶあり（バンド
キャップ差１．５４ｅＶ）、３Ｃ−ＳｉＣの場合よりも
高い電圧の動作が要求されるが、耐熱性，コレクタ耐圧
が向上したものになる。本発明で示すＳｉＣ基板は、も
ちろんＳｉをさらに下に有する構造、すなわちヘテロエ
ピタキシャル成長したＳｉＣ／Ｓｉ基板である場合を含
む。
【００３２】
【発明の効果】以上の通り本発明の半導体装置によれ
ば、コレクタのバンドギャップが大きいため、高い電圧
でも動作させることが可能になる。そのうえ、耐放射線
性も有し、これらが非常に高い温度においても保たれ、
良好な動作を得ることができる。
ば、コレクタのバンドギャップが大きいため、高い電圧
でも動作させることが可能になる。そのうえ、耐放射線
性も有し、これらが非常に高い温度においても保たれ、
良好な動作を得ることができる。
【００３３】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、良好な動作をする上記半導体装置を製作すること
ができる。
れば、良好な動作をする上記半導体装置を製作すること
ができる。
【００３４】自己整合的にベース電極及びコレクタ電極
を形成する場合、これらの配線などを形成するための工
程を簡略化することができる。
を形成する場合、これらの配線などを形成するための工
程を簡略化することができる。
【図１】一実施例の構成図。
【図２】図１のトランジスタの製造工程図。
【図３】図１のトランジスタのバンドダイアグラム。
【図４】他の実施例の構成図。
【図５】図４のトランジスタの製造工程図。
１１１…ＳｉＣ基板，１２０…ｐ+ −ダイアモンド層，
１３０…ｐ−ダイアモンド層，１４０…ｎ+ −ＳｉＣ
層，１５０…ｐ−ＳｉＣ層，１６０…ｐ+ −ＳｉＣ層，
１７０，１８０…保護層，２１０…エミッタ電極，２２
０…ベース電極，２３０…コレクタ電極。
１３０…ｐ−ダイアモンド層，１４０…ｎ+ −ＳｉＣ
層，１５０…ｐ−ＳｉＣ層，１６０…ｐ+ −ＳｉＣ層，
１７０，１８０…保護層，２１０…エミッタ電極，２２
０…ベース電極，２３０…コレクタ電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−55862（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−288337（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−226177（ＪＰ，Ａ) ＲＯＢＥＲＴ Ｊ．ＴＲＥＷ，ｅｔ. ａｌ．，”Ｔｈｅ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ ａｎｄ Ｓｉ Ｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃ ｅｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａ ｎｄ Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ Ｐｏｗｅｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏ ｎ”，ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ ＯＦ ＴＨＥ ＩＥＥＥ，1991年５月，ＶＯ Ｌ．79，ＮＯ．５，ｐｐ．598−620 Ｗ．Ｖ．Ｍｕｅｎｃｈ，ｅｔ．ａ ｌ．，”ＳＩＬＩＣＯＮ ＣＡＲＢＩＤ Ｅ ＦＩＥＬＤ−ＥＦＦＥＣＴ ＡＮＤ ＢＩＰＯＬＡＲ ＴＲＡＮＳＩＳＴＯ ＲＳ”，1977 ＩＥＥＥ Ｉｎｔ．Ｅｌ ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔ ｉｎｇｓ Ｄｉｇ．，1977年，ｐｐ. 337−339 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/33 - 21/331 H01L 29/68 - 29/737 H01L 29/00 - 29/267 H01L 29/30 - 29/38
Claims (2)
- 【請求項１】 六方晶の炭化ケイ素を主成分とし、所定
の多数キャリアを有する六方晶の第１の半導体層と、 六方晶の炭化ケイ素を主成分とし、前記第１の半導体層
とは反対極性の多数キャリアを有する六方晶の第２の半
導体層と、厚さが１〜１０μｍである単結晶のダイアモンド結晶構
造の炭素 を主成分とし、前記第１の半導体層と同極性の
多数キャリアを有する第３の半導体層と、 を備え、 前記第１の半導体層をコレクタ領域に、前記第２の半導
体層をベース領域に、前記第３の半導体層をエミッタ領
域に有し、 前記第１，第２，第３の半導体層が順次基板上に形成さ
れ、前記第３の半導体層が最上層になっていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 六方晶の炭化ケイ素を主成分とし、所定
の多数キャリアを有する六方晶の第１の半導体層と、 六方晶の炭化ケイ素を主成分とし、前記第１の半導体層
とは反対極性の多数キャリアを有する六方晶の第２の半
導体層と、 （１１０）面が９５％以上を占める多結晶のダイアモン
ド結晶構造の炭素を主成分とし、前記第１の半導体層と
同極性の多数キャリアを有する第３の半導体層と、 を備え、 前記第１の半導体層をコレクタ領域に、前記第２の半導
体層をベース領域に、前記第３の半導体層をエミッタ領
域に有し、 前記第１，第２，第３の半導体層が順次基板上に形成さ
れ、前記第３の半導体層が最上層になっていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06610892A JP3339508B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体装置 |
| CA002092215A CA2092215A1 (en) | 1992-03-24 | 1993-03-23 | Semiconductor device |
| DE69319360T DE69319360T2 (de) | 1992-03-24 | 1993-03-23 | Heteroübergang-Bipolartransistor mit Siliziumkarbid |
| EP93104757A EP0562549B1 (en) | 1992-03-24 | 1993-03-23 | Heterojunction bipolar transistor containing silicon carbide |
| US08/280,805 US5536952A (en) | 1992-03-24 | 1994-07-26 | Heterojunction bipolar transistor |
| US08/417,781 US5624853A (en) | 1992-03-24 | 1995-04-06 | Method for forming heterojunction bipolar transistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06610892A JP3339508B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275441A JPH05275441A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3339508B2 true JP3339508B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=13306368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06610892A Expired - Fee Related JP3339508B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339508B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE9901410D0 (sv) * | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Abb Research Ltd | Abipolar transistor |
| WO2002097861A2 (en) | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Showa Denko K.K. | Semiconductor device, semiconductor layer and production method thereof |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP06610892A patent/JP3339508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ＲＯＢＥＲＴ Ｊ．ＴＲＥＷ，ｅｔ．ａｌ．，"Ｔｈｅ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ ａｎｄ ＳｉＣ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ Ｐｏｗｅｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ"，ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ ＯＦ ＴＨＥ ＩＥＥＥ，１９９１年５月，ＶＯＬ．７９，ＮＯ．５，ｐｐ．５９８−６２０ |
| Ｗ．Ｖ．Ｍｕｅｎｃｈ，ｅｔ．ａｌ．，"ＳＩＬＩＣＯＮ ＣＡＲＢＩＤＥ ＦＩＥＬＤ−ＥＦＦＥＣＴ ＡＮＤ ＢＩＰＯＬＡＲ ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲＳ"，１９７７ ＩＥＥＥ Ｉｎｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔｉｎｇｓ Ｄｉｇ．，１９７７年，ｐｐ．３３７−３３９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05275441A (ja) | 1993-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4945394A (en) | Bipolar junction transistor on silicon carbide | |
| US6329675B2 (en) | Self-aligned bipolar junction silicon carbide transistors | |
| EP0445998B1 (en) | Diamond semiconductor devices | |
| US6239450B1 (en) | Negative differential resistance device based on tunneling through microclusters, and method therefor | |
| JP2671259B2 (ja) | ショットキー接合半導体装置 | |
| US4762806A (en) | Process for producing a SiC semiconductor device | |
| US6218254B1 (en) | Method of fabricating a self-aligned bipolar junction transistor in silicon carbide and resulting devices | |
| US5624853A (en) | Method for forming heterojunction bipolar transistors | |
| US5326992A (en) | Silicon carbide and SiCAlN heterojunction bipolar transistor structures | |
| US5229625A (en) | Schottky barrier gate type field effect transistor | |
| EP0346464B1 (en) | Silicon carbide:metal carbide alloy semiconductor | |
| EP0206787A2 (en) | Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing same | |
| JP2612040B2 (ja) | β−ＳｉＣを用いたＭＯＳ・ＦＥＴ及びその製造方法 | |
| US5285089A (en) | Diamond and silicon carbide heterojunction bipolar transistor | |
| EP0417645A1 (en) | MES field effect transistor formed in a diamond layer | |
| US5442199A (en) | Diamond hetero-junction rectifying element | |
| CN112216739B (zh) | 低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法 | |
| JP2519740B2 (ja) | ヘテロ接合トランジスタ及びその製造法 | |
| JP3339508B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2593898B2 (ja) | 半導体素子 | |
| Su et al. | Double heterojunction Al x Ga 1-x As/GaAs bipolar transistors (DHBJT's) by MBE with a current gain of 1650 | |
| JPH05291277A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0770540B2 (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ | |
| JPH05275440A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| Brandt et al. | SiC for applications in high-power electronics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |