JPH02253622A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02253622A JPH02253622A JP7566589A JP7566589A JPH02253622A JP H02253622 A JPH02253622 A JP H02253622A JP 7566589 A JP7566589 A JP 7566589A JP 7566589 A JP7566589 A JP 7566589A JP H02253622 A JPH02253622 A JP H02253622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silicon carbide
- crystal layer
- electrical insulating
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- -1 Boron ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電気絶縁層として高抵抗炭化珪素単結晶層を有
する炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。
する炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
珪素（Ｓｉ）を初めとして、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）
やリン化ガリウム（ＧａＰ ）などの化合物半導体を用
いた半導体装置（例えば、ダイオード、トランジスタ、
集積回路、大規模集積回路１発光ダイオード、半導体レ
ーザ、および電荷結合素子）がエレクトロニクスの各分
野において広範囲に実用化されている。
やリン化ガリウム（ＧａＰ ）などの化合物半導体を用
いた半導体装置（例えば、ダイオード、トランジスタ、
集積回路、大規模集積回路１発光ダイオード、半導体レ
ーザ、および電荷結合素子）がエレクトロニクスの各分
野において広範囲に実用化されている。
炭化珪素（Ｓｉ［：）は広い禁制帯幅（２，２〜３．３
ｅν）を有する半導体材料であって、熱的、化学的、お
よび機械的に極めて安定であり、放射線損傷にも強いと
いう優れた特徴を持っている。珪素のような従来の半導
体材料を用いた半導体装置は、特に高温、高出力駆動、
放射線照射などの苛酷な条件下では使用が困難である。
ｅν）を有する半導体材料であって、熱的、化学的、お
よび機械的に極めて安定であり、放射線損傷にも強いと
いう優れた特徴を持っている。珪素のような従来の半導
体材料を用いた半導体装置は、特に高温、高出力駆動、
放射線照射などの苛酷な条件下では使用が困難である。
従って、炭化珪素を用いた半導体装置は、このような苛
酷な条件下でも使用し得る半導体装置として広範な分野
での応用が期待されている。
酷な条件下でも使用し得る半導体装置として広範な分野
での応用が期待されている。
しかしながら、大きな面積を有し、かつ高品質の炭化珪
素単結晶を、生産性を考慮した工業的規模で安定に供給
し得る結晶成長技術は確立されていない。それゆえ、炭
化珪素は、上述のような多くの利点および可能性を有す
る半導体材料であるにもかかわらず、その実用化が阻ま
れている。
素単結晶を、生産性を考慮した工業的規模で安定に供給
し得る結晶成長技術は確立されていない。それゆえ、炭
化珪素は、上述のような多くの利点および可能性を有す
る半導体材料であるにもかかわらず、その実用化が阻ま
れている。
従来、研究室規模では１例えば昇華再結晶法（レーリー
法）で炭化珪素単結晶を成長させたり。
法）で炭化珪素単結晶を成長させたり。
該方法で得られた炭化珪素単結晶を基板として。
その上に気相成長法（ＣＶＤ法）や液相エピタキシャル
成長法（ＬＰＢ法）で炭化珪素単結晶層をエピタキシャ
ル成長させることにより、半導体装置の試作が可能なサ
イズの炭化珪素単結晶を得ている。
成長法（ＬＰＢ法）で炭化珪素単結晶層をエピタキシャ
ル成長させることにより、半導体装置の試作が可能なサ
イズの炭化珪素単結晶を得ている。
しかしながら、これらの方法では、得られた単結晶の面
積が小さく、その寸法や形状を高精度に制御することは
困難である。また、炭化珪素が有する結晶多形および不
純物濃度の制御も容易ではない。
積が小さく、その寸法や形状を高精度に制御することは
困難である。また、炭化珪素が有する結晶多形および不
純物濃度の制御も容易ではない。
これらの問題点を解決するた杓に２本発明者らは、安価
で入手の容易な珪素単結晶基板上に、大きな面積を有す
る良質の炭化珪素単結晶を気相成長させる方法を提案し
た（特開昭５９−２０３７９９号）。
で入手の容易な珪素単結晶基板上に、大きな面積を有す
る良質の炭化珪素単結晶を気相成長させる方法を提案し
た（特開昭５９−２０３７９９号）。
該方法において、炭化珪素を気相成長させる際に不純物
を添加すれば、得られた炭化珪素単結晶における不純物
濃度および伝導型を制御することが可能である。
を添加すれば、得られた炭化珪素単結晶における不純物
濃度および伝導型を制御することが可能である。
炭化珪素半導体装置における電気絶縁層として高抵抗炭
化珪素単結晶層を用いる場合には、その形成方法が問題
となる。このような形成方法としては９例えば上記の気
相成長法により、炭化珪素単結晶層を成長させる際に不
純物を添加する方法や、予め成長させた炭化珪素単結晶
層に不純物を熱拡散させる方法などがある。
化珪素単結晶層を用いる場合には、その形成方法が問題
となる。このような形成方法としては９例えば上記の気
相成長法により、炭化珪素単結晶層を成長させる際に不
純物を添加する方法や、予め成長させた炭化珪素単結晶
層に不純物を熱拡散させる方法などがある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、気相成長の際に添加された炭化珪素単結
晶層中の不純物は、室温では全てがイオン化しているわ
けではなく、温度が上昇するにつれて、該炭化珪素単結
晶層中のキャリア濃度が上昇する。従って、第３図に示
すように、該炭化珪素単結晶層の抵抗率は、温度が上昇
するにつれて低下する。（例えば、 Ａ、５ｕｚｕｋｉ
ｅｔ ａｌ８． ＡｐｐＩ。
晶層中の不純物は、室温では全てがイオン化しているわ
けではなく、温度が上昇するにつれて、該炭化珪素単結
晶層中のキャリア濃度が上昇する。従って、第３図に示
すように、該炭化珪素単結晶層の抵抗率は、温度が上昇
するにつれて低下する。（例えば、 Ａ、５ｕｚｕｋｉ
ｅｔ ａｌ８． ＡｐｐＩ。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、４９．４５０ （１’９８６
）およびＭ、 Ｙａｍａｎａｋａｅｔ ａｌ、、Ｊ、Ａ
ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、 ６１，５９９ （１９８７）
を参照されたい。）それゆえ、このような方法は、高温
動作用の炭化珪素半導体装置における電気絶縁層の形成
には適当ではない。
）およびＭ、 Ｙａｍａｎａｋａｅｔ ａｌ、、Ｊ、Ａ
ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、 ６１，５９９ （１９８７）
を参照されたい。）それゆえ、このような方法は、高温
動作用の炭化珪素半導体装置における電気絶縁層の形成
には適当ではない。
他方、予め成長させた炭化珪素単結晶層に不純物を熱拡
散させて高抵抗層を形成する場合には。
散させて高抵抗層を形成する場合には。
炭化珪素中における不純物の拡散定数が小さく。
１．６００℃以上の高い拡散温度が必要である。従って
、不純物濃度を制御することが困難であり、しかも用い
た半導体基板や炭化珪素単結晶層が劣化するおそれがあ
るため、不純物熱拡散法は炭化珪素半導体装置のプロセ
ス技術として適当ではない。
、不純物濃度を制御することが困難であり、しかも用い
た半導体基板や炭化珪素単結晶層が劣化するおそれがあ
るため、不純物熱拡散法は炭化珪素半導体装置のプロセ
ス技術として適当ではない。
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、その
目的とするところは、不純物濃度を制御することが容易
であり、５００℃付近の高温領域においても電気絶縁層
として機能する高抵抗炭化珪素単結晶層を形成し得る炭
化珪素半導体装置の製造方法を提供することにある。
目的とするところは、不純物濃度を制御することが容易
であり、５００℃付近の高温領域においても電気絶縁層
として機能する高抵抗炭化珪素単結晶層を形成し得る炭
化珪素半導体装置の製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、電気絶縁層として高抵抗炭化珪素層を有する
炭化珪素半導体装置の製造方法であって。
炭化珪素半導体装置の製造方法であって。
半導体基板上に炭化珪素単結晶層を成長させる工程と、
該炭化珪素単結晶層に所定量のイオンを注入することに
より、その表面領域にイオン注入層を形成する工程と、
該イオン注入層を熱アニール処理することにより、高抵
抗炭化珪素単結晶層を形成する工程とを包含し、そのこ
とにより上記目的が達成される。
該炭化珪素単結晶層に所定量のイオンを注入することに
より、その表面領域にイオン注入層を形成する工程と、
該イオン注入層を熱アニール処理することにより、高抵
抗炭化珪素単結晶層を形成する工程とを包含し、そのこ
とにより上記目的が達成される。
上記イオン注入層を形成する際には、イオン注入は１回
で行うこともできるし、複数回に分けて行うこともでき
る。この場合、注入条件を適切に調節することにより、
所定の不純物濃度および層厚を有するイオン注入層が得
られる。注入するイオンとしては１例えば、ホウ素（Ｂ
）イオン、アルミニウム（ＡＩ）イオン、ガリウム（Ｇ
ａ）イオンなどの■族元素イオンが挙げられ、特にホウ
素イオンが好ましい。
で行うこともできるし、複数回に分けて行うこともでき
る。この場合、注入条件を適切に調節することにより、
所定の不純物濃度および層厚を有するイオン注入層が得
られる。注入するイオンとしては１例えば、ホウ素（Ｂ
）イオン、アルミニウム（ＡＩ）イオン、ガリウム（Ｇ
ａ）イオンなどの■族元素イオンが挙げられ、特にホウ
素イオンが好ましい。
得られたイオン注入層は１次いで熱アニール処理が施さ
れる。熱アニール処理は、不活性ガス（例、ｔｌｆ、
Ａｒガス）雰囲気下、約１，０００〜１．３００ ｔの
温度で行われる。この熱アニール処理により。
れる。熱アニール処理は、不活性ガス（例、ｔｌｆ、
Ａｒガス）雰囲気下、約１，０００〜１．３００ ｔの
温度で行われる。この熱アニール処理により。
上記イオン注入層は活性化されて高い抵抗率を有するよ
うになり、電気絶縁層として機能し得る高抵抗炭化珪素
単結晶層が形成される。
うになり、電気絶縁層として機能し得る高抵抗炭化珪素
単結晶層が形成される。
（実施例）
以下に本発明の実施例について説明する。
第１図（ａ）は１本発明の製造方法により得られる炭化
珪素半導体装置の一例であるショットキーゲート型電界
効果トランジスタ（ＭＢＳＦＢＴ）を示す。
珪素半導体装置の一例であるショットキーゲート型電界
効果トランジスタ（ＭＢＳＦＢＴ）を示す。
該ＭＥＳＦＢＴは以下のようにして作製された。
まず、第１図（ｂ）に示すように、気相成長（（：ＶＤ
）法により、Ｓｉ単結晶基板１上にノンドープＳｉＣ単
結晶層２（層厚的ＩＯμｍ）を１．３５０℃で成長させ
た。次いで、イオン注入装置を用いて、ノンドープＳｉ
Ｃ単結晶層２の表面領域にホウ素イオン（目Ｂａを２回
に分けて注入することにより、第１図（Ｃ）に示すよう
なりイオン注入層３（層厚的０．５μｍ）を形成した。
）法により、Ｓｉ単結晶基板１上にノンドープＳｉＣ単
結晶層２（層厚的ＩＯμｍ）を１．３５０℃で成長させ
た。次いで、イオン注入装置を用いて、ノンドープＳｉ
Ｃ単結晶層２の表面領域にホウ素イオン（目Ｂａを２回
に分けて注入することにより、第１図（Ｃ）に示すよう
なりイオン注入層３（層厚的０．５μｍ）を形成した。
なお、注入条件は、加速電圧がそれぞれ２００ｋｅＶお
よび１００ｋｅＶであり、Ｂイオンの注入量がいずれも
ｌ Ｘ １０”ｃｍ−’であった。
よび１００ｋｅＶであり、Ｂイオンの注入量がいずれも
ｌ Ｘ １０”ｃｍ−’であった。
そして、 Ａｒ雰囲気下、約１．３００℃にて３０分間
の熱アニール処理を行うことにより、Ｂイオン注入層３
を活性化させ、第１図（ｄ）に示すような高抵抗ＳｉＣ
単結晶層（すなわち、電気絶縁層）４を形成した。該高
抵抗ＳｉＣ単結晶層４の抵抗率を測定したところ、室温
では約５Ｘ１０２Ω・ｃｍであった。
の熱アニール処理を行うことにより、Ｂイオン注入層３
を活性化させ、第１図（ｄ）に示すような高抵抗ＳｉＣ
単結晶層（すなわち、電気絶縁層）４を形成した。該高
抵抗ＳｉＣ単結晶層４の抵抗率を測定したところ、室温
では約５Ｘ１０２Ω・ｃｍであった。
しかも、室温から５００℃付近までの広い温度領域にわ
たって、抵抗率の低下はほとんど観察されず。
たって、抵抗率の低下はほとんど観察されず。
上記の高抵抗ＳｉＣ単結晶層４が電気絶縁層として充分
な性能を有することがわかった。第２図に。
な性能を有することがわかった。第２図に。
高抵抗ＳｉＣ単結晶層（電気絶縁層）４の抵抗率の温度
変化を示す。
変化を示す。
続いて、 ＣＶＤ法により、電気絶縁層４上にノンドー
プＳｉＣ単結晶層（層厚的０．５μｍ）を成長させてチ
ャネル層５とした（第１図（ｅ））。さらに。
プＳｉＣ単結晶層（層厚的０．５μｍ）を成長させてチ
ャネル層５とした（第１図（ｅ））。さらに。
ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により、チャネル層５
上に５ｉ０２膜（層厚的１μｍ）を形成した。次いで、
ホトリソグラフィーを用いて、Ｓ１０゜膜の所定領域を
エツチングにより開口して、フィールド絶縁膜６とした
（第１図（ａ））。なお、エツチングにはフッ化水素（
ＨＦ）溶液を用いた。最後に、ソース領域およびドレイ
ン領域に対応する開口部分には、それぞれオーミック電
極としてニッケル（Ｎ１）を、ゲート領域に対応する開
口部分には、ショットキー電極として金（八Ｕ）を真空
蒸着した後、ホトリソグラフィーを用いて、ソース電極
７．ドレイン電極８．およびゲート電極９を形成するこ
とにより、第１図（ａ）に示すようなＭＥＳＦＢＴを得
た。
上に５ｉ０２膜（層厚的１μｍ）を形成した。次いで、
ホトリソグラフィーを用いて、Ｓ１０゜膜の所定領域を
エツチングにより開口して、フィールド絶縁膜６とした
（第１図（ａ））。なお、エツチングにはフッ化水素（
ＨＦ）溶液を用いた。最後に、ソース領域およびドレイ
ン領域に対応する開口部分には、それぞれオーミック電
極としてニッケル（Ｎ１）を、ゲート領域に対応する開
口部分には、ショットキー電極として金（八Ｕ）を真空
蒸着した後、ホトリソグラフィーを用いて、ソース電極
７．ドレイン電極８．およびゲート電極９を形成するこ
とにより、第１図（ａ）に示すようなＭＥＳＦＢＴを得
た。
このようにして得られたＭＥＳＦＥＴのトランジスタ特
性について調べたところ、チャネル層５の下方に形成さ
れた電気絶縁層４として、Ｂイオンを注入した高抵抗Ｓ
ｉＣ単結晶層が用いられているため。
性について調べたところ、チャネル層５の下方に形成さ
れた電気絶縁層４として、Ｂイオンを注入した高抵抗Ｓ
ｉＣ単結晶層が用いられているため。
該チャネル層５からＳｉＣ単結晶基板１方向へのリーク
電流が低減し、良好なトランジスタ特性が得、られた。
電流が低減し、良好なトランジスタ特性が得、られた。
また、電気絶縁層４とチャネル層５との整流特性につい
て調べたところ、室温から５００℃付近の高温まで良好
な結果が得られ、特に高温における上記リーク電流の増
加による整流特性の劣化は観察されなかった。
て調べたところ、室温から５００℃付近の高温まで良好
な結果が得られ、特に高温における上記リーク電流の増
加による整流特性の劣化は観察されなかった。
（発明の効果）
本発明の製造方法によれば、電気絶縁層を形成するのに
イオン注入法を用いるため、５００℃付近の高温領域ま
で素子特性が劣化しない炭化珪素半導体装置が得られる
。このような炭化珪素半導体装置は、特に高温動作用の
半導体装置として有用である。また１本発明の製造方法
は９通常のイオン注入技術を利用しているため９種々の
炭化珪素半導体装置（例えば、トランジスタや集積回路
など）を工業的規模で生産することが可能になる。
イオン注入法を用いるため、５００℃付近の高温領域ま
で素子特性が劣化しない炭化珪素半導体装置が得られる
。このような炭化珪素半導体装置は、特に高温動作用の
半導体装置として有用である。また１本発明の製造方法
は９通常のイオン注入技術を利用しているため９種々の
炭化珪素半導体装置（例えば、トランジスタや集積回路
など）を工業的規模で生産することが可能になる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の製造方法により得られ
る炭化珪素半導体装置の一例であるショットキー型電界
効果トランジスタの製造工程を説明するための断面図、
第２図は該電界効果トランジスタにおける電気絶縁層の
抵抗率の温度変化を示す図。
る炭化珪素半導体装置の一例であるショットキー型電界
効果トランジスタの製造工程を説明するための断面図、
第２図は該電界効果トランジスタにおける電気絶縁層の
抵抗率の温度変化を示す図。
第３図は従来の製造方法で形成された電気絶縁層の抵抗
率の温度変化を示す図である。
率の温度変化を示す図である。
１・・・Ｓｉ単結晶基板、２・・・ノンドープＳｉＣ単
結晶層、３・・・Ｂイオン注入層、４・・・電気絶縁層
（高抵抗ＳｉＣ単結晶層）、５・・・チャネル層、６・
・・フィールド絶縁膜、７・・・ソース電極、８・・・
ドレイン電極。
結晶層、３・・・Ｂイオン注入層、４・・・電気絶縁層
（高抵抗ＳｉＣ単結晶層）、５・・・チャネル層、６・
・・フィールド絶縁膜、７・・・ソース電極、８・・・
ドレイン電極。
９・・・ゲート電極
（ショットキー電極）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気絶縁層として高抵抗炭化珪素単結晶層を有する
炭化珪素半導体装置の製造方法であって、半導体基板上
に炭化珪素単結晶層を成長させる工程と、 該炭化珪素単結晶層に所定量のイオンを注入することに
より、その表面領域にイオン注入層を形成する工程と、 該イオン注入層を熱アニール処理することにより、高抵
抗炭化珪素単結晶層を形成する工程と、を包含する炭化
珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7566589A JPH0770695B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US07/499,889 US5135885A (en) | 1989-03-27 | 1990-03-27 | Method of manufacturing silicon carbide fets |
| DE4009837A DE4009837A1 (de) | 1989-03-27 | 1990-03-27 | Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7566589A JPH0770695B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253622A true JPH02253622A (ja) | 1990-10-12 |
| JPH0770695B2 JPH0770695B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13582738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7566589A Expired - Fee Related JPH0770695B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770695B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4919911A (en) * | 1987-12-19 | 1990-04-24 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Method of recovering a lithium chloride |
| JPH05175239A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-07-13 | Cree Res Inc | 高電力、高周波金属−半導体電界効果トランジスタ |
| JPH06166594A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-06-14 | De Beers Ind Diamond Div Ltd | ダイヤモンドのドーピング |
| US5888297A (en) * | 1995-01-09 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Method of fabricating SOI substrate |
| US6133120A (en) * | 1995-08-28 | 2000-10-17 | Nippondenso Co., Ltd. | Boron-doped p-type single crystal silicon carbide semiconductor and process for preparing same |
| KR20010061495A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 반도체 소자의 층간 절연막용 붕소화 실리콘 탄화막 및이를 이용한 금속 배선 형성 방법 |
| US8008667B2 (en) * | 2007-07-11 | 2011-08-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including a transparent semiconductor layer for viewing an underlying transistor in a semiconductor substrate |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7566589A patent/JPH0770695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4919911A (en) * | 1987-12-19 | 1990-04-24 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Method of recovering a lithium chloride |
| JPH05175239A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-07-13 | Cree Res Inc | 高電力、高周波金属−半導体電界効果トランジスタ |
| JPH06166594A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-06-14 | De Beers Ind Diamond Div Ltd | ダイヤモンドのドーピング |
| US5888297A (en) * | 1995-01-09 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Method of fabricating SOI substrate |
| US6133120A (en) * | 1995-08-28 | 2000-10-17 | Nippondenso Co., Ltd. | Boron-doped p-type single crystal silicon carbide semiconductor and process for preparing same |
| KR20010061495A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 반도체 소자의 층간 절연막용 붕소화 실리콘 탄화막 및이를 이용한 금속 배선 형성 방법 |
| US8008667B2 (en) * | 2007-07-11 | 2011-08-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including a transparent semiconductor layer for viewing an underlying transistor in a semiconductor substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770695B2 (ja) | 1995-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4762806A (en) | Process for producing a SiC semiconductor device | |
| US5170231A (en) | Silicon carbide field-effect transistor with improved breakdown voltage and low leakage current | |
| US5135885A (en) | Method of manufacturing silicon carbide fets | |
| US5030580A (en) | Method for producing a silicon carbide semiconductor device | |
| KR20070054719A (ko) | 낮은 나선 전위 밀도를 가지는 3인치 실리콘 카바이드웨이퍼 | |
| JPS60142568A (ja) | 炭化珪素電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JP2612040B2 (ja) | β−ＳｉＣを用いたＭＯＳ・ＦＥＴ及びその製造方法 | |
| JPH01196873A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| US20050184296A1 (en) | System and method for fabricating diodes | |
| JP2967780B1 (ja) | ＧａＡｓ単結晶基板およびそれを用いたエピタキシャルウェハ | |
| JPH02253622A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JPH0249422A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JPH02291123A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JP3062065B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7143769B2 (ja) | 炭化珪素半導体基板の製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JPH02203564A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JPS60251631A (ja) | 不均一不純物密度分布を有する半導体装置の製造方法 | |
| JP2645418B2 (ja) | ＧａＡｓ化合物半導体単結晶 | |
| JPH039534A (ja) | 炭化珪素を用いた電界効果トランジスタ | |
| JPH11121441A (ja) | 炭化けい素半導体基板の製造方法 | |
| JPH0666335B2 (ja) | 炭化珪素ショットキ接合型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH0322526A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| CN118020143A (zh) | 使外延层中的载流子浓度均匀化的方法以及通过该方法制造的结构 | |
| CN118077034A (zh) | 提高掺杂剂的活化率的方法以及通过该方法制造的结构 | |
| JPH0458691B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |